Электрическое поле в ОПЗ и на границе раздела

Здесь ые — максимальное на поверхности раздела значение скорости движения фаз, обусловленного воздействием электрического поля на межфазную границу [c.80]

Проведем теперь предварительное исследование общего случая. Электромагнитная волна падает под произвольным углом на границу раздела двух сред. В данном параграфе не используются соотношения между амплитудами напряженности электрического и магнитного полей на границе сред, а будут лишь записаны исходные уравнения, из анализа которых сразу можно получить законы отражения и преломления электромагнитных волн. [c.79]

Для каждого момента времени нетрудно вычислить суммарную напряженность электрического поля е , если известны две ее проекции на границу раздела (Е,, и х). В самом деле, [Е == [c.82]

Граничные условия для электромагнитного поля состоят в том, что в любой момент времени и в любой точке границы раздела выполняются следующие соотношения для тангенциальных компонент векторов напряженности электрического и магнитного полей [c.471]

Для преломленной волны дело обстоит значительно сложнее. Как мы видели, закон преломления не дает в данном случае ответа на вопрос о направлении распространения преломленной волны, п поэтому нельзя говорить о преломленной волне в обычном смысле слова. Однако электрическое и магнитное поля волны не обрываются на границе раздела, а существуют и во второй среде. [c.486]

Будем считать свет, падающий на границу раздела, неполяризованным (естественным), т. е. ориентация электрического и соответственно магнитного векторов с течением времени меняется. Однако для любого момента времени каждый из этих векторов можно разложить на две составляющие, одна из которых параллельна плоскости падения, а вторая перпендикулярна к ней, т. е. естественный свет можно рассматривать как сумму двух монохроматических плоских волн, распространяющихся в одном направлении с одинаковой фазовой скоростью, но поляризованных в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Таким способом можно моделировать хаотическую суперпозицию различных эллиптически поля- [c.13]

Решение исходной задачи можно свести к рассмотрению двух частных случаев а) электрический вектор Е лежит в плоскости падения электромагнитной волны б) электрический вектор Е перпендикулярен к плоскости падения волны. Этот подход обоснован с той точки зрения, что для каждого момента времени нетрудно вычислить величину суммарной напряженности электрического поля Е, если известны две ее проекции на границу раздела ( ц и ),так как [c.14]

Полученные результаты для упрощенной модели неоднородного диэлектрика качественно не изменяются, если вместо двух будет любое число слоев различных материалов, границы раздела которых перпендикулярны силовым линиям электрического поля. Картина качественно не меняется и для произвольной формы проводящих включений. Частота релаксации и максимума миграционных потерь в любом случае может быть приближенно оценена по формуле (4.48). [c.113]

Из приведенных на рис. 4-4 зависимостей rJr(, ,X(,/xol и на рис. 4-5 зависимости ф от при различных значениях т видно, что изменение всех электрических параметров выражено тем сильнее, чем больше абсолютное значение т или, что то же самое, чем больше Ра- Магнитная проницаемость уменьшается с ростом напряженности магнитного поля на границе раздела (при х = х . Отсюда следует, что изменение параметров с ростом глубины тем больше, чем меньше удельная мощность. Например, при нагреве кузнечных заготовок изменение параметров выражено сильнее, чем при нагреве иод поверхностную закалку, так как в первом случае удельная мощность в 5—10 раз меньше, чем во втором. [c.68]

Пробой кускового материала при электроимпульсной дезинтеграции (ЭИД) в принципиальной своей основе имеет сходные черты с рассмотренным выше случаем пробоя с электродами по границе раздела сред. Главные же отличия обусловлены применением в ЭИД нескольких типов геометрии электродов, а также определяющим влиянием на траекторию канала пробоя факторов искажения электрического поля в материале неоднородностями, связанными с его минеральным составом. [c.71]

ЗАКОН [периодический Менделеева свойства простых тел, а также формы и свойства соединений элементов находятся в периодической зависимости от величины атомных весов элементов Планка описывает мощность излучения черного тела как функцию температуры и длины волны подобия Рейнольдса коэффициенты, необходимые для вычисления гидравлического сопротивления геометрически подобных тел, равны, если равны соответствующие числа Рейнольдса в этом случае оба потока подобны полного тока <для токов проводимости циркуляция вектора напряженности магнитного поля постоянного электрического тока вдоль замкнутого контура пропорциональна алгебраической сумме токов, охватываемых этим контуром для магнетиков циркуляция вектора магнитной индукции вдоль замкнутого контура пропорциональна алгебраической сумме токов, охватываемых этим контуром обобщенный циркуляция вектора напряженности магнитного поля постоянного электрического тока вдоль замкнутого контура пропорциональна алгебраической сумме токов, охватываемых этим контуром и током смещения ) постоянства <гранных углов в кристаллографии по величине двугранных углов в кристалле можно установить, к какой кристаллической системе и к какому классу относится данный кристалл состава каждое химическое соединение, независимо от способа его получения, имеет определенный состав ) преломления (света отношение синусов углов падения и преломления на границе двух сред равно отношению скоростей света в этих средах Снеллиуса отношение синусов углов падения и преломления луча электромагнитных волн на границе раздела двух диэлектрических сред равно относительному показателю преломления двух сред (второй среды по отношению к первой) ) [c.235]

Это видно из того, что для п-лучевых заземлителей с вертикальными электродами отношение рэ/рг ближе к единице, чем для одиночного вертикального электрода при том же положении его относительно границы раздела слоев. Такое усиление влияния нижнего слоя естественно, так как электрическое поле сложного заземлителя охватывает больший объем нижнего слоя по сравнению с полем одиночного вертикального электрода при одинаковом с ним размещении относительно границы раздела слоев. [c.73]

Это выражение получено в предположении параболической зависимости энергии электрона от волнового вектора и не учитывает зависимость эффективной массы электрона от энергии под потенциальным барьером в запрещенной зоне двуокиси кремния тепловое размытие распределения электронов по энергии в металлическом или полупроводниковом электродах снижение высоты потенциального барьера за счет влияния сил зеркального изображения. Учет этих факторов существенно усложняет аналитическое описание зависимости плотности туннельного тока от напряженности электрического поля на инжектирующей границе раздела, не приводя, однако, к значительным изменениям общего вида зависимости. Поэтому в большинстве практических случаев используется зависимость (2.1). [c.118]

Здесь ось г перпендикулярна границам раздела слоев, а Л — период. Геометрия этой структуры изображена на рис. 6.3. Для нахождения блоховской волны, отвечающей векторам электрического поля, будем использовать процедуру, описанную в [2]. Общее решение волнового уравнения для вектора электрического поля можно [c.179]

Будем считать, что при записи изображения в объеме электрооптического кристалла сформирован заряд с плотностью р х, у, z). Диэлектрическую проницаемость слоя 1 обозначим ej, слоя 2 — eg, а толщины слоев — di и da соответственно. Систему координат выберем так, чтобы ее начало по оси z, которая перпендикулярна к плоскости электродов, совпало с границей раздела между слоями диэлектрика. Потенциал электрического поля Ф (х, у, z) должен удовлетворять уравнению Пуассона [c.146]

Рис. 2..15. Преломление силовой линии электрического поля на границе раздела сред с диэлектрическими проницаемостями 8ri и бг2 (случай 8ri>Sr2)

В данном разделе будет рассмотрена постановка и решение задачи о течениях внутри и вне пузырька, помеш енного в однородное внешнее электрическое поле с напряженностью Е. Известно, что взаимодействие электрического поля с зарядами, индуцированными на поверхности пузырька газа, приводит к по-яилению дополнительных тангенциальных напряжений, которые создают циркуляционные течения фаз в области, прилегаюш ей к межфазной границе (рис. 28). Изменение характера взаимодействия между сплошной и дисперсной фазами, вызванное воздействием электрического ноля, влияет как на гидродинамические характеристики газожидкостной системы, так и на скорость тепломассообменных процессов, осуш,ествляемых в данной системе. [c.77]

Непроникновение статического электрического ноля в сверхпроводники. Теория в своей первоначальной формулировке не давала ответа на вопрос о том, проникает ли электрргческое поле в сверхпроводник на глубину X или его границей являются поверхностные заряды. Решение этого вопроса нужно было искать экспериментальным путем. Отпет был дан работой Г. Лондона [118], который пытался заметить небольшие изменения емкости конденсатора при переходе его пластин в сверхпроводящее состояние. Он использовал конденсатор, пластины которого были изготовлены из ртути и разделены тонким слоем. слюды. Если бы проникновение существовало, то, несмотря на некоторые технические трудности, наблюдаемый эффект должен был в 4 раза превышать ошибку эксперимента. Поскольку изменений емкости не было обнаружено, в настоящее время предполагается, что статическое электрическое поле не может существовать внутри сверхпроводника. [c.645]

В твердых диэлектриках наряду с объемным возможен и поверхностный пробой, т. е. пробой в жидком или газообразном диэлектрике, прилегающем к поверхности твердой изоляции. Так как Е р жидкостей и особенно газов ниже Е р твердых диэлектриков, а нормальная составляющая напряженности электрического поля непрерывна на границе раздела, то при одинаковом расстоянии между электродами в объеме и на поверхности пробой в первую очередь будет происходить по поверхности твердого диэлектрика. Чтобы не допустить поверхностный пробой, необходимо удлинить возможный путь разряда по поверхности. Поэтому поверхность изоляторов делают гофрированной, а в конденсаторах оставляют неметализированные закраины диэлектрика. Поверхностное 1/ р также повышают путем герметизации поверхности электрической изоляции лаками, компаундами, жидкими диэлектриками с высокой электрической прочностью. [c.126]

В жидкости, содержащей газы, пробой начинается с ионизации газовых включений, В результате ионизации температура стенок газовых включенйй возрастает, что приводит к вскипанию микрообъемов жидкости, примыкающих к включению. Объем газа увеличивается, включения сливаются, образуя между электродами мостик, по которому проходит разряд в газе. Причиной пробоя может стать трудноудаляемый слой газа толщиной 10- м на электродах, которые используются для определения Е р. Газы имеют малый коэффициент теплопроводности. Следовательно, слой газа на электродах образует участок с большим тепловым сопротивлением. В результате температура близ границы раздела жидкость — газ повышается, что приводит к вскипанию жидкости, а далее и к ее пробою. В процессе пробоя жидкости с большим содержанием газа (газовые включения), которые первоначально имеют сферическую форму, в электрическом поле деформируются. При дес юрмации они превращаются в эллипсоиды вращения, удлиняются и сливаются образуя сплошной газовый канал между электродами, что приводит К пробою. Для жидких диэлектриков с газовыми включениями цр увеличивается с ростом давления рис. 5.35,а), так как увеличиваются температура кипения и растворимость газа в жидкости, что затрудняет рост объема газовых включений. [c.176]

В одной и той же пластинке полупроводника могут быть образованы области, не только с различной величиной, но и с различным характером электропроводности — дырочной и электронной. Совокупность двух примыкаютцих областей с проводимостями р п п вместе с границей раздела называют электроино-дырочным или р-/г-переходом. Между этими областями из-за различной работы выхода образуется контактная разность потенциалов Uq контактное электрическое поле Екси будет направлено от электронного к дырочному полупроводнику (рис. 13.3). [c.175]

При внесении неоднородных материалов в электрическое поле свободные электроны и ионы проводящих и полупроводящих включений перемендаются в пределах каждого включения, образуя боль-иие поляризованные области. В слоистых материалах на границах раздела слоев и в приэлектродных слоях может быть накопление зарядов медленно движущихся иорюв. [c.21]

В рассмотренном выше (раздел 3.2) механизме направленного движения траектории канала разряда при пробое неоднородных тел установлено, что искажение траектории связано с наличием локальных повышенных напряженностей электрического поля, существующих вблизи неоднородностей в предпробивной стадии электрического разряда. Учитывая, что радиус канала не превышает -100 мкм, а максимальная длина канала разряда составляет 1.5-1.7 от наименьшего расстояния между электродами, можно оценить размер образца руды, где этот механизм работает наиболее эффективно. Так, траектория канала разряда может захватывать неоднородности в кубических образцах, линейный размер которых не превышает 1 см. Практика, однако, показывает, что избирательность электронмпульсного разрушения присутствует и при разрушении образцов объемом более 100 см что не может быть объяснено только указанным механизмом. Следует предположить наличие дополнительного механизма, обеспечивающего избирательность разрушения, связанного с ударным возмущением неоднородных тел. Действительно, ударное нагружение любого композиционного материала должно вызвать изменение напряженного состояния на границе включение-матрица, которое будет влиять на характер разрушения композита. Оценка влияния акустических неоднородностей в твердом теле на степень избирательности разрушения предполагает рассмотрение следующих явлений [c.135]

Осн. роль в Э, я. играют двойной электрический слой (ДЭС), формирующийся на границе раздела фаз, и его поляризация. Внеш. электрич. поле, направленное вдоль границы раздела фаз, смещает один из иопных слоев ДЭС по отношению к другому. Это приводит к относит, перемещению фаз—к электроосмосу и электрофорезу. При относит, движении фаз, вызываемом внеш. механич. воздействием, происходит перемещение ионных слоев ДЭС — пространственное разделение зарядов, т. е. возникает разность потенциалов. [c.534]

Этот же закон окисления описывается другими теориями, в которых система металл - окисел рассматривается как гальванический элемент, внутренняя и внешняя цепи которого расположены в окисной пленке (Т.Хоар, Л.Прайс, В.Йост). Основная идея указанных работ заключается в том, что существует аналогия между процессом твердофазного окисления и электрохимической коррозией металла в водном растворе электролита. Это направление получило развитие в ряде работ отечественных исследователей (Н.Д.Томашов, И.Н.Францевич, Б.К.Опара) для случая поляризации границы раздела металл — окисная пленка. Заслуживают внимания исследования Б.К.Опары с сотрудниками, показавшие влияние постоянного и, в ряде случаев, переменного электрического поля на процесс-высокотемпературного окисления [ 12, 13]. [c.12]

В сильных электрических полях в МДП-структурах в зависимости от полярности на границе раздела Si—Si02 или М—Si02 образуется треугольный потенциальный барьер и происходит квантомеханический туннельный перенос электронов сквозь потенциальный барьер по Фаулеру-Нордгейму. При малых толщинах оксида может осуществляться прямое туннелирование через слой диэлектрика. Граница между прямым туннелированием и туннелированием по Фаулеру-Нордгейму ле-жит в диапазоне 3,5...4 нм. [c.117]

Из данного выражения могут быть определены эффективная масса электрона и высота потенциального барьера на инжектирующей границе. Для границы Si—SiOj значения эффективной массы и высоты потенциального барьера, полученные различными авторами, варьируются в пределах т Q,Ъ2mQ..Л,QЪmQ, ф = 2,8...3,19 эВ. Наблюдаемый разброс параметров связан с различными условиями эксперимента, накоплением заряда в диэлектрике в процессе измерений, влиянием дефектов на фанице раздела полупроводник—диэлектрик, применением при математической обработке результатов различных моделей туннельного процесса, учитывающих отклонения дисперсионной зависимости от параболической. Анализ (проведенный 3. Вайнбергом) полученных экспериментальных зависимостей туннельного тока от электрического поля, определенных по ним значений эффективной массы электрона и высоты потенциального барьера и применяемых при этом моделей туннель- [c.118]

Электроны туннелируют сквозь потенциальный барьер и под действием электрического поля перемещаются к аноду, при этом часть высокоэнергетических электронов участвует в межзонной ударной ионизации, генерируя дырки, образующие положительный заряд. Часть инжектированных электронов захватывается на электронные ловушки в Si02 и ФСС. Положительный заряд локализуется вблизи границы раздела Si- Si02 на расстоянии = 5 нм. Предполагая, что первичные ловушки расположены равномерно в объеме диэлектрика, считаем, что центроид заряда, обусловленного захватом электронов на эти ловушки располагается в середине слоя диэлектрика. Заряд электронов, захваченных ловушками в ФСС, локализуется на расстоянии от границы раздела полупроводник-диэлектрик. [c.139]

Рассмотрим оптическую подложку, например стекло, покрытую рядом слоев с попеременно высоким Пн и низким Пь показателями преломления по сравнению с показателем преломления пз подложки. В качестве материалов с высоким и низким показателями преломления можно рассмотреть соответственно ТЮг и Si02. Если толщина слоев 1н и U такова, что Пн1н = = П1к = 1о1 , где Хо —длина падающей волны в вакууме, то электрические поля от всех отражений на границах слоев будут складываться в фазе. Рассмотрим, например, две границы раздела слоя с высоким показателем преломления (рис. 4.16). Коэффициент отражения для электрического поля на границе раздела при переходе от среды с низким показателем преломления к высокому записывается в виде [c.180]

Одна из таких ситуаций возникает, когда ФРК применяются в ПВМС, где границы кристалла оказывают сильное воздействие на формирование фотоиндуцированного заряда. Здесь записывающий свет распространяется в кристалле вдоль направления электрического поля, проходя через прозрачные электроды, т. е. в соответствии с ориентацией осей, принятой в разделе 4.1. вдоль направления X. При записи изображений записывающий свет промодулирован по интенсивности в плоскости yz. Циклические условия здесь не применимы. [c.66]

Механизм перехода электрона через двойную границу раздела железо (слой диэлектрика) ион гидроксония пояснен на рис. 5.45. Разность энергии между уровнем Ферми и потенциальной энергией электронов в вакууме в отсутствие электрического поля представляет собой термоэлектронлую работу выхода ф. При термоэлектронной эмиссии происходит вылет электронов из металла с уровней, находящихся ниже уровня Ферми, с кинетическими энергиями (p+S- Поверхность Ферми в железе расположена между валентной зоной и эоной проводимости изолятора (слой органических молекул -на поверхности железа). Работа, необходимая для нейтрализации иона Н3О+, находящегося на поверхности пленки из органических молекул, при переходе одного электрона из валентной зоны изолятора, обозначена на рис. 5.45 через 1)5. Потенциальный [c.252]

Из закона сохранения энергии следует, что если "по обе стороны от поверхности раздела значения е различны, то должна существовать отраженная волна тангенциальная составляющая напряженности электрического поля Е одинакова по обе стороны от границы, а поскольку поток энергии пропорционален У е Е , то должна существовать третья волна, компенсирующая разность УТгЕ -УТ,Е [c.204]

Смотреть страницы где упоминается термин Электрическое поле в ОПЗ и на границе раздела : [c.445] [c.79] [c.43] [c.119] [c.27] [c.62] [c.213] [c.269] [c.34] [c.117] [c.118] [c.131] [c.131] [c.136] [c.149] [c.13] [c.191] [c.243] [c.253]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...