Емкость конденсатора

При увеличении емкости конденсатора накапливаемый в нем запас энергии увеличивается и, следовательно, повышается производительность процесса, В зависимости от количества энергии, расходуемой в импульсе, режим обработки делят на жесткий или средний —для предварительной обработки и мягкий или особо мягкий —для отделочной обработки. Мягкий режим обработки позволяет получать размеры с точностью до 0,002 мм при шероховатости поверхности 0,63—0,16 мкм. [c.402]

ТОН Прерывателя, емкость конденсатора [c.90]

Величина С выражает емкость конденсатора, который при разности потенциалов между обкладками Va несет заряд, равный заряду двойного слоя. [c.167]

Здесь С Р) и С (О) соответственно емкости конденсатора с газом и без него, К — эффективная линейная сжимаемость для данной конструкции конденсатора. Поскольку изменения емкости невелики, выражение (3.93) удобнее представить в виде [c.130]

Номинальные значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов должны соответствовать числам, полученным путем умножения чисел заданного ряда на 10 (где я—целое положительное или отрицательное число и, в частном случае, 0). Номинальные сопротивления постоянных резисторов и емкостей конденсаторов с допустимыми отклонениями 5, 10 и 20% определяются соответственно рядами Е24, Е12 и Е6, содержащими 24, 12 и 6 чисел [c.130]

Электрическая емкость конденсатора. Физическая величина определяемая отношением заряда q одной из пластин конденсатора к напряжению между обкладками конденсатора, называется электроемкостью конденсатора [c.143]

Понятие электрической емкости относится также к системе проводников, в частности двух проводников, разделенных тонким слоем диэлектрика,— электрическому конденсатору. Электрическая емкость конденсатора (взаимная емкость его обкладок) [c.115]

Фарад равен емкости конденсатора, напряжение между обкладками которого 1 В мри заряде 1 Кл. [c.115]

Для 1-й узловой точки тепловой системы (рис. 4.3, а) и - eт-ки, составленной из электрических сопротивлений Я и емкостей (конденсаторов) С (рис. 4.3,6), запишем соответственно уравнение теплового баланса и закон Кирхгофа [c.86]

Емкостный датчик давления. Он представляет собой электрический конденсатор, у которого одна обкладка выполнена в форме неподвижного электрода,, другая — в форме подвижного. В качестве подвижного электрода обычно используется плоская мембрана, которая под воздействием давления изменяет расстояние между электродами, а следовательно, и емкость конденсатора. [c.162]

Конденсаторный микрофон состоит из последовательно соединенных катушки самоиндукции L, резистора сопротивления R и конденсатора, пластины которого связаны двумя пружинами общей жесткости с. Цепь присоединена к источнику питания с постоянной э.д. с. Е, а на пластину конденсатора действует переменная сила РЦ). Емкость конденсатора в положении [c.369]

Возьмем линейный колебательный контур (рис. 4.1), состоящий из последовательно соединенных L,R нС. Пусть емкость конденсатора контура меняется во времени [c.129]

Таким образом, при прямом воздействии энергия вынужденных колебаний образуется за счет непосредственной работы внешней силы при движении системы. При параметрическом воздействии увеличение запаса колебательной энергии происходит с преобразованием энергии из одного типа в другой. Так, например, механическая работа, производимая при соответствующем изменении емкости конденсатора (при модуляции его емкости посредством периодического раздвигания или сближения пластин), приведет к изменению запаса электростатической и общей энергии электрических колебаний в электрическом колебательном контуре. Интеграл этой работы при периодическом воздействии не равен нулю (больше нуля) при частотах воздействия вблизи точного выполнения условий [c.142]

Для иллюстрации указанных выше особенностей параметрической регенерации рассмотрим линейную систему, представляющую собой последовательный колебательный контур с периодически изменяющейся емкостью С ( ), в который включена внешняя сила и ( ) (рис. 4.10). Пусть емкость конденсатора меняется но закону [c.147]

Для вычисления диэлектрической проницаемости е материала можно воспользоваться тем обстоятельством, что емкость конденсатора определяется его геометрическими размерами и диэлектрической проницаемостью диэлектрика. Для плоского образца (см. рис. 1-1) емкость Сх выражается следующим образом [c.49]

При выборе размеров образца следует иметь в виду, что емкость конденсатора, образованного образцом и электродами, должна быть достаточной для определения ее с погрешностью не более 1 %, Вывод от измерительного электрода и место соединения с измерительным прибором должны быть экранированы, а экран заземлен, [c.50]

При измерениях прямым методом (рис, 4-4, а) образец присоединяют к зажимам С и уравновешивают мост изменением емкости конденсаторов СЗ И С4. Искомые величины согласно (3-16) и (3-17) [c.68]

Благодаря дополнительным экранам сохраняются одни и те же значения и характер включения паразитной емкости. Экраны резисторов-/ / и 2 определяют значения емкостей конденсаторов [c.72]

Воздушный конденсатор представляет собой конденсатор переменной емкости. Конденсатор имеет систему неподвижных и подвижных пластин. Подвижные пластины при повороте оси входят в промежуток между неподвижными. Наибольшая емкость отдельного конденсатора не больше 0,001 мкФ при классе точности 0,03, tg 6 =-- 10- ТКЕ гсс 2-10--8 К 1. Предусмотрена возможность параллельного соединения таких конденсаторов, что позволяет получить общую емкость до 0,0111 мкФ. [c.77]

Первоначально настраивают контур без образца в резонанс, определив соответствующую емкость конденсатора (кривая / на рис. 4-11, а) и наибольшее напряжение контура П изменяя емкость в ту и другую сторону от точки резонанса, следует найти значение АС], соответствующее уменьшению напряжения до и 1 2. [c.79]

На рис. 3.22 и 3.23 схематически изображены конструкция конденсатора, помещенного внутрь ячейки, и устройство криостата газового термометра Гьюгена и Мичела для измерения диэлектрической проницаемости. Конденсатор выполнен из меди и представляет собой два коаксиальных цилиндра с зазором 1,5 мм. Емкость конденсатора составляла 10 пФ, что по- [c.132]

Номинальные сопротивления резисторов и емкостей конденсаторов с допустимыми отклонениями менее 5% определяются более частыми рядами Е48, Е96 и Е192, а переменных резисторов с допустимыми отклонениями 5, 10 и 20% — более редкими рядами Е6 и ЕЗ. Номинальные емкости электролитических конденсаторов выбирают из ряда 0,5 1 2 5 10 30 50 100 200 300 500 1000 5000, а конденса-торов с бумажным или пленочным диэлектриком в прямоугольных корпусах от 0,1 мкФ и выше — из ряда 0.1 0,25 0,5 1 2 4 6 10 20 40 60 80 100 200 400 600 800 1000. [c.130]

Электри- ческая емкость Фарад F Ф Фарад равен электрической емкости конденсатора, при которой заряд 1 Кл создает на конденсаторе напряжение 1 В [c.356]

Используя формулы (8.54) и (8.55), можно оценить относительное влияние тех или иных параметров измерительной установки на величину полезного сигнала. Так, например, для повьппения чувствительности фотоэлектрических измерений часто используется уменьп1ение Д/ (частотная полоса пропускания), приводящее к уменьшению флуктуаций, возникающих как из-за дробового эффекта, так и теплового движения электронов. В усилителях постоянного тока это достигается увеличением произведения ВС (С — емкость конденсатора) и неизбежно приводит к увеличению времени регистрации (записи) сигнала, что не всегда желательно. [c.441]

В этих уравнениях L — самоиндукция, С — емкость конденсатора, R — омическое сопротивлопие, Е — электродвижущая сила источника постопнпого тока, г ) (г) = v — иапряжепие на дуге (график этой функции изображен на рис. 2.18). [c.110]

Основной макроскопической характеристикой свойств непроводящего вещества (диэлектрика) в статическом электрическом поле является диэлектрическая проницаемость. Известно, что если между пластинками конденсатора поместить диэлектрик, то емкость С конденсатора увеличится С=еСо, где Со — емкость конденсатора при отсутствии диэлектрика между пластинками е—диэлектрическая проницаемость, характеризующая электрические свойства вещества и зависящая от его природы и свойств. Эта величина положительная и больще единицы. [c.3]

На поверхности диэлектрика, расположенной вблизи положительно заряженной обкладки конденсатора, индуцируются отрицательные заряды, и наоборот. Следовательно, напряженность поля Е внутри диэлектрика должна слагаться из напряженности поля Ео зарядов на обкладках конденсатора и напряженности поля индуцированных диполей, имеющей противоположное направление и равной согласно теории электричества —4яР. Тогда Е=Ео—4лР, где Ео — напряженность поля, которое еоздали бы заряды на обкладках конденсатора в отсутствие диэлектрика. Благодаря диэлектрику создается поле с меньшей напряженностью Е. При постоянном потенциале увеличению емкости конденсатора в е раз при наличии диэлектрика отвечает увеличение зарядов на обкладках в е раз. Эти заряды в отсутствие диэлектрика должны создавать поле с напряженностью в е раз большей, чем в присутствии диэлектрика. Следовательно, [c.4]

Лезенский и Бурс [272] выполнили измерения переползания гелиевой иленки по чистой и загрязненной меди при температурах до 0,75" К. Изменение уровня гелия определялось по изменению емкости конденсатора из-за разности в диэлектрической постоянной жидкого и газообразного гелия. В этих опытах также было обнаружено возрастание скорости переползания ниже 1° К. [c.573]

Непроникновение статического электрического ноля в сверхпроводники. Теория в своей первоначальной формулировке не давала ответа на вопрос о том, проникает ли электрргческое поле в сверхпроводник на глубину X или его границей являются поверхностные заряды. Решение этого вопроса нужно было искать экспериментальным путем. Отпет был дан работой Г. Лондона [118], который пытался заметить небольшие изменения емкости конденсатора при переходе его пластин в сверхпроводящее состояние. Он использовал конденсатор, пластины которого были изготовлены из ртути и разделены тонким слоем. слюды. Если бы проникновение существовало, то, несмотря на некоторые технические трудности, наблюдаемый эффект должен был в 4 раза превышать ошибку эксперимента. Поскольку изменений емкости не было обнаружено, в настоящее время предполагается, что статическое электрическое поле не может существовать внутри сверхпроводника. [c.645]

Как известно, для конденсаторов с сегнетоэлектриком характерно отсутствие прямой пропорциональности между зарядом и напряжением на его обкладках. Пренебрегая гистерезисом, можно качественно изобразить эту зависимость в виде графика рис. 1,6. Для каждого конкретного случая ее легко получить экспериментально, и она представляет собой характеристику нелинейного элемента колебательной системы. Здесь следует иметь в виду, что свойства конденсатора с сегнетоэлектриком существенно зависят от типа применяемого сег-нетоэлектрика, который обладает определенной инерционностью, связанной со скоростью изменения заряда, что приводит к частотной зависимости емкости конденсатора. Поэтому нелинейные характеристики таких конденсаторов могут существенно изменяться при значительном увеличении частоты электрических колебаний в контуре, содержащем нелп-нейлый элемент. [c.29]

Таким образом, и здесь мы получаем качественно те же особенности движения, что и в случаях, разобранных выше. Различие проявляется лишь в соотношениях между амплитудами кратных гармонических компонент, их зависимости от параметров системы и в другой частотной поправке, причем здесь частота найденного решения, так же как и для контура с сегнетоэлектриком, увеличивается с ростом амплитуды, о связано с тем, что значение эффективного коэффициента самоиндукции в данном примере, так же как и э( зфективное значение емкости конденсатора с сегнетоэлектриком, для больших амплитуд меньше, чем для малых амплитуд. [c.39]

Д,остоинство подобных параметрических усилителей состоит в том, что они позволяют усиливать сигналы, внося в тракт усиления лишь небольшие собственные шумы. Типичным параметрическим усилителем является охлаждаемый до низких температур колебательный контур, в котором реактивный параметр, например емкость конденсатора, периодически меняется во времени. Уровень тепловых шумов в такой системе можно сделать минимальным. [c.151]

При емкостном методе измерения скорости свободной поверхности создается конденсатор, одной из обкладок которого является исследуемая свободная поверхность образца мишени. При движеипн этой поверхности со скоростью v из-за изменения расстояния между обкладками будет меняться емкость конденсатора со скоростью с, пропорциональной v. Из-за изменения емкости конденсатора в цени появится ток / пропорциональный с, а следовательно, и V. Измерение этого тока /(() позволяет воспроизвести v(t). [c.247]

Емкостные мосты. В эту группу входят четырех плечие мосты, содержащие в плечах только активные и емкостные элементы. Одна из таких мостовых схем с переменными активным сопротивлением и емкостью имеет в плечах одинаковые безреактивные резисторы / и R2, сменные конденсаторы СЗ и С4, постоянный Я4 и переменный кз резисторы (рис. 4-3). Потери в конденсаторах должны быть пренебрежимо малы. Параллельно конденсатору С4 присоединяют образец и уравновешивают мост изменением параметров элементов С4 и НЗ, стараясь иметь емкость конденсатора С4 минимальной, Если ЭТО не удается, заменяют конденсатор СЗ другим— большей емкости. Пусть первое равновесие достигнуто при значениях емкости С[ и сопротивления Отключив образец, вторично уравновешивают мост при других значениях и i з. [c.66]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...