Температура ионизации

Область газообразного состояния ограничена нижним участком линии фазового равновесия и вертикалью, проведенной через точку оси температур, соответствующей температуре ионизации T . Справа от этой вертикали находится область плазмы. Область жидкого состояния заключена между участками от точки А кривых фазового равновесия и вертикалью, проведенной через точку Т = = Т . Нижняя часть участка AM соответствует равновесию кристаллической и жидкой, а далее — кристаллической и газообразной фаз верхняя часть этого участка соответствует равновесию кристалла и плазмы. Характерные температурные точки — температура тройной точки Ттр, критическая температура и температура ионизации Ти определяются энергией связи структурных частиц вещества [c.219]

Плазменное состояние начинается с температур, равных температуре ионизации Ги, а при сверхвысоком [c.219]

С повыщением температуры собственная концентрация п, возрастает, достигает примесную концентрацию Пщ,=Ид и превышает ее, что соответствует переходу к собственной электропроводности, который наступает при некоторой температуре Г/, называемой температурой ионизации. Графически Т/ можно найти, построив касательную к кривой зависимости Уг(Т) и найдя точку ее пересечения с уровнем 1 (рис. 3.10). [c.57]

На рис. 3.15 показаны кривые температурной зависимости а/ас для кре.м-ния, содержащего различные качества примеси. Точка а соответствует температуре истощения примеси, точка б - температуре ионизации, при которой примесный полупроводник превращается в собственный. [c.64]

Создание материалов для стенок канала и электродов, которые могли бы десятки часов работать в контакте с мощным потоком газов, имеющих температуру не ниже 3000 °С и содержащих весьма активные химические соединения (соли щелочных металлов, добавляемых для понижения температуры ионизации газов). [c.167]

Цезий-бариевые плазменные ТЭП. МЭЗ заполняется смесью паров цезия и бария. Энергия связи при адсорбции бария на тугоплавких металлах больше, чем при адсорбции цезия. Вследствие этого барий удерживается на поверхности эмиттера и снижает его работу выхода электронов при более высокой температуре. Ионизация цезия обеспечивает компенсацию пространственного заряда. Эти ТЭП характеризуются более высокой плотностью мощности и КПД в диффузионном режиме при высокой температуре эмиттера (более 2300 К). [c.521]

Это объясняется конкуренцией факторов, влияющих на наводороживание и по разному меняющихся с температурой (ионизация железа, перенапряжение выделяющегося водорода, соотношение адсорбции и десорбции водорода, диффузия водорода в металле). [c.85]

Подобно температуре возбуждения, температура ионизации также предполагает наличие теплового равновесия. Для вычисления температуры ионизации необходимо знать электронное давление Р . Фаулер и Милн в квазиклассическом приближении [27] приняли Ре= Ю" атм для всех звезд и получили хорошее первое приближение к шкале температур ионизации. Однако тот факт, что яркие звезды имеют более низкие эффективные и цветовые температуры, чем менее яркие звезды того же спектрального класса, говорит о неправомерности допущения об одинаковом электронном давлении для всех звезд. Приближенное значение для Рд можно очень грубо оценить на основе физических данных звезды. [c.404]

Спектр Температура ионизации, К [c.405]

Даже в пределах атмосферы данной звезды нельзя принимать для Рв постоянное значение. Поэтому температуры возбуждения гораздо важнее температур ионизации. В табл. 14 даны примеры температур ионизации, [c.405]

При высоких температурах значительная часть молекул газа обладает достаточной энергией для того, чтобы при столкновениях могло произойти разбиение нейтральных молекул на ионы кроме того, с повышением температуры увеличивается общее число столкновений между молекулами газа. При очень высоких температурах на процесс ионизации начинает влиять также и излучение газа и раскаленных электронов. При обычных температурах ионизацию можно вызвать, если уже имеющимся в газе электронам и ионам сообщить с помощью электрического поля большие скорости. Обладая большой энергией, эти частицы могут разбивать нейтральные атомы и молекулы на [c.9]

Действительно, равновесные степени ионизации и диссоциации устанавливаются в результате компенсации прямых и обратных процессов. Но при низких температурах ионизация и диссоциация, требующие большой затраты энергии, резко замедляются. Скорости этих процессов зависят от температуры по экспоненциальным законам ехр —ПкТ) и при кТ I чрезвычайно сильно зависят от температуры, а следовательно, и от времени. Между тем скорости обратных процессов — рекомбинации, зависят от плотности, температуры, а значит, и от времени лишь по степенным законам. Таким образом, в некоторый момент процессы ионизации и диссоциации прекратятся, после чего степени ионизации и диссоциации будут уменьшаться с течением времени по степенным законам, тогда как равновесные величины падают по экспоненциальным. [c.444]

Общий вид р—7-диаграммы вещества, включая сверхвысокие температуры и сверхвысокие давления, показан на рис. 2.9 (в области сверхвысоких давлений диаграмма имеет гипотетический характер [3], причем масштаб в верхней части диаграммы взят много меньшим, чем в нижней части). Эта диаграмма определяет границы каждой из четырех возможных фаз вещества и состояния равновесного сосуществования различных фаз. Точка К на диаграмме представляет собой критическую точку вещества, А — основную тройную точку, М — верхнюю точку экстремума на кривой плавления, N — граничную точку кристаллического состояния вещества участок ОА кривой фазового равновесия соответствует равновесию кристаллической и газообразной фаз (угол наклона этого участка всегда острый), — равновесию жидкости и газа нижняя часть участка АМ соответствует равновесию кристаллической и жидкой и далее газообразной фаз, а верхняя часть — равновесию кристалла и плазмы. Температура есть температура основной тройной точки, Гк— критическая температура, — температура ионизации. [c.73]

Температура ионизации связана со значением потенциала ионизации /д Ги 2 IJk. [c.73]

Процесс, при котором из нейтральных атомов и молекул образуются положительные и отрицательные ионы, называется ионизацией. При обычных температурах ионизацию можно вызвать, если уже имеющимся в газе электронам и ионам сообщить при помощи электрического поля большие скорости. Обладая большой энергией, эти частицы могут разбивать нейтральные атомы и молекулы на ионы. Кроме того, ионизацию можно вызвать световыми, ультрафиолетовыми, рентгеновскими лучами, а также излучением радиоактивных веществ. [c.47]

При температуре гелия 1500° С возможно получение неравновесной ионизации плазмы и осуществление экономичного процесса преобразования энергии в МГД-генераторе теплового потока с объемной плотностью 20—100 МВт/м канала [6]. [c.6]

При разности потенциалов на электродах происходит ионизация межэлектродного промежутка. Когда напряжение достигнет определенного значения, в среде между электродами образуется канал проводимости, по которому устремляется электрическая энергия в виде импульсного искрового или дугового разряда. При высокой концентрации энергии, расходуемой за 10" —10 с, мгновенная плотность тока в канале проводимости достигает 8000—10 ООО А/мм , в результате чего температура на поверхности обрабатываемой заготовки-электрода возрастает до 10 ООО—12 ООО °С. При этой температуре мгновенно оплавляется и испаряется элементарный объем металла и на обрабатываемой поверхности заготовки образуется лунка. Удаленный металл застывает в диэлектрической жидкости в виде гранул диаметром 0,01—0,005 мм. [c.401]

Температура столба дуги зависит от эффективного потенциала ионизации газов, заполняющих дуговой промежуток, плотности тока в электроде, напряженности поля, полярности и др. [c.5]

В ПИД-анализаторах используется эффект изменения электрической проводимости водородного пламени при добавлении углеводородов (рис. 8). Пламя химически чистого водорода практически неэлектропроводно. При наличии углеводородов температура пламени становится достаточной для ионизации и увеличения его электрической проводимости, которая пропорциональна количеству введенных атомов углерода С. Таким образом, структура молекул уг- [c.21]

Перенапряжение ионизации кислорода зависит от катодной плотности тока, материала катода, температуры и пр. [c.233]

При электрохимической коррозии металлов в нейтральных электролитах, протекающей с кислородной деполяризацией, повышение температуры снижает перенапряжение ионизации кислорода и ускоряет диффузию кислорода к поверхности корродирующего металла, но уменьшает растворимость кислорода (рис. 252). Если кислород не может выделяться из раствора при повышении температуры (замкнутая система, например паровой котел), то [c.356]

Таким образом, проводимость зависит от того, как меняется Те с температурой. Как следовало ожидать, с повышением температуры Те падает, так что на рис. 5.7 удельное сопротивление выше 100 К растет до тех пор, пока собственная проводимость не начинает доминировать. Ниже 100 К ионизация (Nd—Na) донорных атомов перестает быть полной и п падает согласно уравнению (5.12). Соответственно удельное сопротивление растет и продолжает расти, пока температура не понизится примерно до 10 К, когда ионизация примесных атомов практически прекращается и свободные носители отсутствуют. Для низкотемпературной части этого диапазона можно записать [c.199]

Возникновение электронной или дырочной электропроводности при введении в идеальный кристалл различных примесей обусловлено следующим. Рассмотрим кристалл 81, в котором один из атомов замещен атомом 8Ь. На внешней электронной оболочке 8Ь располагает пятью электронами (V группа периодической системы). При этом четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими атомами 81. Свободный пятый электрон продолжает двигаться вокруг атома 8Ь по орбите, подобной орбите электрона в атоме На однако сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно величине диэлектрической проницаемости 81. Поэтому для освобождения пятого электрона требуется незначительная энергия (приблизительно 0,008 адж). Такой слабо связанный электрон легко отрывается от атома 8Ь под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около—100° С все атомы примесей в Се и 81 уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. При этом основными носителями заряда являются электроны и возникает электронная (отрицательная) электропроводность, или электропроводность п -типа. [c.388]

При исследовании процессов, протекающих в условиях высоких температур, различают температуру отдельных частиц ("электронную, атомную, ионную) и температуру различных степеней свободы (трансляционную и ротационную), а также температуры ионизации и возбуждения. Под каждой из этих температур понимается температура, которой обладал бы одноатомный газ, со средггей кинетической энергией его молекул, равной средней кинетической энергии соответствующих частиц, а также степеней свободы или средней энергии соответ ствующих состояний ионизации или возбуждения, [c.6]

Установлено [5, 11] отсутствие однозначной зависимости адсорбции и диффузии водорода в стали Ст. 3, 0X13 и Х18Н10Т от температуры при коррозии в сероводородных растворах типа дренажных из нефтезаводских аппаратов в диапазоне от 25 до 90 °С. Это объясняется конкурирующим действием различных факторов, влияющих на внедрение водорода в сталь и по-разному меняющихся с температурой (ионизация железа, перенапряжение водорода, соотношение адсорбции и десорбции водорода, диффузия водорода в металле). [c.46]

Циклы установок с магкитогидродинамическим генератором. Установки с магнитогидродинамическим генератором (МГД-гене-ратором) осуществляют прямое преобразование теплоты в электрическую энергию без промежуточных звеньев, какими являются паровой котел, паровая турбина и электрогенератор. Работа МГД-генератора основана на явлении возникновения ЭДС в потоке ионизированного газа при пересечении им магнитного поля, создаваемого электромагнитами, питаемыми постоянным током. Значение ЭДС тем больше, чем больше скорость газового потока степень ионизации газа и напряженность магнитного поля. Ионизация газа состоит в расщеплении его молекул на ионы. Необходимая степень ионизации, обеспечивающая высокую электропроводность газа, зависит от его физических свойств и достигается при температуре 4000 К. Добавлением к газу щелочных металлов (калия, цезия и др.) снижают температуру ионизации до 2300—2900 К. Такой газ называют низкотемпературной плазмой. [c.143]

Линейчатые и полосатые спектры. В сущности, все астрофизические объекты обнаруживают характерные атомные или молекулярные спектры, обычно накладывающиеся на континуум чаще это бывают линии поглощения, реже — линии излучения. Лишь немногие загадочные объекты (например, эксно-вые) совсем не дают наблюдаемых спектральных полос или линий, а яркие сверхновые (типа I) дают спектры, до сих пор не поддающиеся идентификации. Используя линейчатые спектры, можно определить температуру ионизации и возбуждения. [c.400]

Температура ионизации определяется по формуле Саха № (2пт ЧкТ 2МПр-хг/кТ [c.404]

Для туманностей и новых, спектры которых показывают наличие высокой степени ионизации (Ыоуа Р1с1ог1з, например, обнаруживает запрещенные линии Ре VII, а некоторые периодические новые — запрещенные линии Ре X, Ре XIV), наши сведения о температурах ионизации представляют собой лишь догадки по крайней мере, в новых мы, безусловно, имеем неравновесные условия, в солнечной короне, сведения о которой даются в следующем разделе, в спектре отсутствуют линии Н и Не, что, по-видимому, является результатом полной ионизации. В связи с этим предельная темпера-ратура ионизации солнечной короны была оценена в 1 000 000°. [c.405]

Расчет состава термически неравновесной плазмы в боль-ш1шстве случаев проводится с использованием уравнения ионизационного равновесия Саха, в котором температура ионизации заменяется температурой электронов. Это не всегда дает правильные результаты, особенно когда температура электронов значительно превышает температуру тяжелой компоненты плазмы. Для расчета состава термически неравновесной плазмы может 206 [c.206]

При высоких температурах (десятки тысяч градусов и выше), гязооб разное веш,ество переходит в состояние плазмы, характеризующейся развити см процессов ионизации, вплоть до полного разрушения электронной оболочки атомов. Однако было бы неправильно рассматривать плазму как четвертое агрегатное состояние вещества, что, кстати, довольно часто делается. Если бы эго было так, то переход вещества в плазменное состояние протекал бы до конца при постоянных (равновесных) температуре и давлении согласно правилу фаз (см. ниже гл. V, п. 1) для однокомпонентных систем, что не наблюдается в действительности. [c.20]

В качестве стандартного электрода, потенциал которого при любых температурах условно принимают равным нулю, служит натриевый электрод, находящийся в равновесии с хорошо проводящей расплавленной солью натрия, для которой допускается полная ионизация (например, Na l или NaBr). [c.173]

Известно, что при достаточно сильном нагревании любое вещество испаряется, превращаясь в газ. Если увеличивать температуру, резко усилится процесс термической ионизации, т. е. молекулы газа начнут распадаться на составляющие их атомы, которые затем превращаются в ноны. Ионизация газа, кроме того, может быть вызвана его взаимодействием с электромагнитным излучением (фотоионизацня) или бомбардировкой газа заряженными частииа.мн. [c.290]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...