Поверхностный заряд

По Гельмгольцу (1879 г.), двойной электрический слой можно уподобить плоскому конденсатору, одна из обкладок которого совпадает с плоскостью, проходящей через поверхностные заряды [c.157]

Так как проводник представляет собой эквипотенциальную поверхность, плотность его поверхностного заряда Пщ вычисляется по формуле [c.495]

Поверхностные уровни могут захватывать электроны и создавать большой отрицательный поверхностный заряд. В приповерхностном слое кристалла образуется недостаток электронов, т, е. создается избыточный положительный заряд. Возникающее таким образом электрическое поле может достигать 10 —10 ° В/м. Оно искривляет энергетические зоны вблизи поверхности кристалла. Искривление зон приводит к изменению работы выхода электронов и ряда других свойств. [c.262]

Каков механизм появления поверхностных зарядов Этот вопрос мы детально обсудим ниже, а сейчас введем некоторые макроскопические параметры, характеризуюш,ие Проводник поляризацию диэлектрика в электрическом поле. [c.276]

В случае неоднородной среды на границах отдельных ее участков при отсутствии поверхностных зарядов и токов должны быть выполнены условия (4а) и (45) [c.195]

Основные методы измерения поверхностного заряда твердого металла и работы выхода электрона — соответственно метод дифференциальной емкости и метод контактной разности потенциалов (КРП). Эти методы интегральные, т. е. с их помощью измеряют величину электрического тока со всей поверхности образца в случае метода дифференциальной емкости — тока реактивной проводимости, а в случае КРП —тока термоионной эмиссии [c.176]

С этой точки зрения двойной слой реальной поверхности металла в электролите следует рассматривать как систему параллельно соединенных конденсаторов , каждый из которых соответствует отдельному микроучастку поверхности с определенным поверхностным зарядом. Поскольку в целом поверхность образца можно считать эквипотенциальной, различие в ее локальных зарядах связано с различием в емкости конденсаторов . Поэтому измеряемая макроскопическая дифференциальная емкость определяется как сумма параллельно соединенных локальных емкостей двойного слоя. Согласно теории электрических цепей [c.178]

С этой точки зрения двойной слой реальной поверхности металла в электролите следует рассматривать как систему параллельно соединенных конденсаторов , каждый из которых соответствует отдельному микроучастку поверхности с определенным поверхностным зарядом. Поскольку в целом поверхность образца можно считать эквипотенциальной, различие в ее локальных зарядах связано [c.179]

Толщина слоя объемного заряда, на протяжении которой проис-. ходит нейтрализация поверхностного заряда, зависит от концентрации носителей. В то время как в металлах, имеющих очень высокую концентрацию носителей м ), нейтрализация происходит [c.243]

При высокой плотности поверхностного заряда, по знаку совпадающего со знаком основных носителей, расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны в полупроводнике п-тнпа оказывается меньше расстояния до дна зоны проводимости, вследствие чего концентрация неосновных носителей заряда (дырок) у поверхности полупроводника становится выше концентрации основных носителей и тип проводимости этой области изменяется. Это явление получило название инверсии, а слои, в которых оно наблюдается, называется инверсионными слоями (они показаны на рис. 8.31, б, д). [c.247]

Если знак поверхностного заряда противоположен знаку заряда основных носителей тока в полупроводнике, то под его влиянием происходит притяжение к поверхности основных носителей и обогащение ими приповерхностного слоя. Такие слои называются обогащенными (они показаны на рис. 8.31, в, е). [c.247]

Значительное возрастание обратного тока наблюдается при появлении на поверхности полупроводника каналов проводимости. На рис. 8.37 показан р — п-переход, поверхность которого заряжена отрицательно. При большой плотности поверхностного заряда происходит образование инверсионного слоя на п-области перехода, который смыкается с р-областью. В этом случае говорят, что на поверхности га-области возник канал проводимости, (При большом положительном заряде на поверхности инверсионный слой 254 [c.254]

На лист бумаги наносится тонкий слой высокоомного полупроводника (обычно 2пО). Перед фотографированием пленка посредством газового разряда заряжается отрицательно. При проецировании на такую бумагу изображения поверхностный заряд с сильно освещенных частей стекает значительно быстрее, чем со слабо освещенных, вследствие чего после экспозиции на бумаге возникает электрическое изображение объекта. Для проявления электрического изображения бумагу обдувают слабым потоком заряженных частиц специаль- [c.326]

Более общий подход к изучению законов отражения и преломления электромагнитной волны может быть осуществлен на основе уравнений Максвелла (см. 2.1). Однако уравнения Максвелла были выведены для областей пространства, в которых физические свойства среды (характеризующиеся величинами е и р) непрерывны. В оптике же часто встречаются случаи, когда эти свойства резко меняются на одной или нескольких поверхностях, поэтому необходимо вводить граничные условия. Выше мы отмечали (см. 2.1), что при отсутствии поверхностных токов и свободных поверхностных зарядов на границе раздела уравнения Максвелла должны удовлетворять гранич[1ым условиям, т. е. равенству тангенциальных составляющих векторов Е и Н. Отношение нормальных составляющих обратно пропорционально соответствующим значениям е или р, т. е. г Ет = г2Е2п, р Ящ = ргГ/гп- Так как в оптике обычно Р1 = Ц2=Г то нор.мальные составляющие вектора Н равны Я]т =//2)2. [c.11]

Непроникновение статического электрического ноля в сверхпроводники. Теория в своей первоначальной формулировке не давала ответа на вопрос о том, проникает ли электрргческое поле в сверхпроводник на глубину X или его границей являются поверхностные заряды. Решение этого вопроса нужно было искать экспериментальным путем. Отпет был дан работой Г. Лондона [118], который пытался заметить небольшие изменения емкости конденсатора при переходе его пластин в сверхпроводящее состояние. Он использовал конденсатор, пластины которого были изготовлены из ртути и разделены тонким слоем. слюды. Если бы проникновение существовало, то, несмотря на некоторые технические трудности, наблюдаемый эффект должен был в 4 раза превышать ошибку эксперимента. Поскольку изменений емкости не было обнаружено, в настоящее время предполагается, что статическое электрическое поле не может существовать внутри сверхпроводника. [c.645]

Ряд в формуле (2.20) является знакопеременным, он является условно сходящимся, притом медленно сходящимся рядом. По этой причине величина суммы конечного числа его членов может стать любой в зависимости от порядка суммирования членов. С физической точки зрения это связано с тем, что, выбирая различным образом последовательность суммирования, мы по-разному выбираем поверхностные заряды (или слои). Поэтому для того чтобы результат суммирования был однозначен, вклад зарядов на поверхности кристалла должен быть незначительным. Этого добиваются, выбирая соответствующим образом последовательность объемов, по которым производятся этапы суммирования. Наиболее распространены методы, предложенные Эвьеном (1932) и Эвальдом (1921). [c.27]

На основании экспериментального исследования фазовых переходов при трении твердых тел Л.И. Бершадским и др. [49] сделан вывод о том, что образующиеся при трении диссипативные структуры представляют собой пространственно-временное распределение трибоактивированных частиц и квазичастиц, являющихся носителями зарядов, или континуальное распределение поверхностного заряда. Эти диссипативные структуры наряду с распределением температуры и концентрации (химического потенциала) определяют основные движущие (термодинамические) силы, обусловливающие физико-химические процессы при трении. [c.106]

Гетическая схема которого показана на рис. 8.20, а. Подобный контакт образуется тогда, когда работа выхода электронов из ме- талла Хм больше, чем из полупроводника Хп- В этом случае электро- ны перетекают из полупроводника в металл и создают в нем отрицательный поверхностный заряд. В прнконтактной же области полупроводника обнажается положительный объемный заряд до- норов (подобно тому, как это происходит в р—ft-переходе). Между металлом и полупроводником устанавливается контактная разность потенциалов, равная (1/д) %ш — Хп)- Контактное же поле нроннкает в полупроводник на глубину d, определяемую формулой [c.234]

Заряжение поверхности полупроводника при заполнении поверхностных состояний сопровождается возникновением у поверхности слоя объемного заряда, нейтрализующего поверхностный заряд. Нейтрализация происходит путем притяжения к поверхности носителей со знаком заряда, протнвоположньш знаку заряда поверхности, и отталкивания носителей одного знака. Поэтому поверхностный слой полупроводника оказывается обедненным носителями одного звиака, со знаком поверхностного заряда и обогащенным носнтеляАШ противоположного знака. [c.243]

Таким образом, у поверхности полупроводника существует область, электрические свойства которой оиределяю1Ся не объемными концентрациями примеси, а величиной поверхностного заряда. В этой области концентрация носителей может существенно отличаться от объемной концентрации. Наличие такой области оказывает существенное влияние на многие свойства полупроводника электропроводность, работу выхода, фото-э. д. с. и др., а также на параметры приборов. [c.244]

Обедненная область появляется в том случае, когда на поверхности полупроводника возникает поверхностный заряд, по знаку совпадающий со знаком основных носителей тока (рис. 8.31, а, г). Вызванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличени.ю расстояния от уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике я-тииа и до вершины валентной зоны в полупроводнике р-типа. Увеличение этого расстояния сопровождается обеднением [c.246]

На поверхности помещенной в морскую воду твердой подложки собирается органика [3—6]. Независимо от того, является ли такой ор- ганический слой гликопротеидным [7] или гуминовым [8] по своей природе, его присутствие влияет на поверхностный заряд [6, 9] и смачиваемость [10] подложки, что, несомненно, играет важную роль в процессе закрепления бактерий на рассматриваемой поверхности [И]. [c.431]

Наиболее вероятно, что механизм вакансий, представляющих собой дефекты по кислороду, является ответственным за наличие слоев поверхностных зарядов. Пулвари обнаружил, что компенсация дефектов по кислороду требует наличия совсем малых добавок посторонних окислов. Таким образом, было установлено, что поверхностные слои могут быть удалены либо травлением, либо введением при синтезе кристаллов оптимальных добавок окислов 5г, 81, РЬ, ЫЬ, Та и Мп. [c.304]

Анионные и неионные флокулянты способны обеспечить удаление только наиболее крупных и слабозаряженных частиц. Так как минеральные и органические загрязнения в городских сточных водах заряжены, как правило, отрицательно, анионные и неион-Бые флокулянты применяют в сочетании с минеральными коагулянтами, которые снижают поверхностный заряд частиц. В отличие от анионных и неионных флокулянтов катионные флокулянты можно применять для удаления из городских сточных вод органических загрязнений и высокодисперсных примесей самостоятель-БО, без использования коагулянтов [49, 133]. [c.106]

Полученное электростатическое изображение проявляют с помощью заряженных частиц красителя. Заряженные частицы под действием электрических сил поверхностного заряда оседают на поверхности фотополупроводящего слоя [c.528]

Электрорадиографический (ксерорадиографический) процесс контроля ясен из рис. 5.47. Для получения элект-рорадиографического изображения необходимо на всех этапах его получения выполнять ряд требований, вытекающих из специфики метода. Величина поверхностного заряда должна быть пропорциональна плотности исследуемого изделия и иметь высокую контрастность. Это достигается подбором величины поверхностного заряда при электризации пластины. Высокая контрастность снимка обеспечивается за счет краевого эффекта, выражающегося в резком переходе оптических плотностей почернений на их границе. Регулирование контрастности и величины кра- [c.614]

Непосредственное прямое измерение электростатического поля в воздухе основано на поляризации проводящего тела и измерении тем или иным способом плотности поверхностного заряда на теле, внесенном в электрическое поле. Плотность заряда в точке тела будет равна q-, = Еа1Ы, причем Е(, — напряженность поля, нормального к поверхности тела в этой точке. Между Eq и напряженностью поля Не, которая существовала до внесения тела в электрическое поле, существует прямо пропорциональная зависимость Eq = kqHE, где — коэффициент нарушения, определяемый конфигурацией тела и конфигурацией поля. [c.142]

Поскольку М. у. справедливы для любых (в рамках применимости макроэлектродинамики) неоднородных сред, то в областях резкого изменения их параметров иногда можно игнорировать тонкую структуру распределения полей в переходном слое и ограничиться сшиванием полей по разные стороны от него, заменяя тем самым переходный слой матем. поверхностью — границей, лишённой толщины, Если внутри переходной области имелись заряды с объёмной плотностью р или токи с объёмной плотностью у, то при сжатии слоя в поверхность сохраняются их интегральные значения — вводятся поверхностные заряды рпон и поверхностные токи / ов Рпов =>пов = где Ах — тол- [c.36]

Рев—объёмная плотность связанного заряда. Т. о., на поверхности II. возникает связанный поверхностный заряд, плотность к-рого равна нормальной компоненте pQ. При этом внутри кристалла и вне его возникает электрич. поле Ец. В бесконечной пластине, вырезанной перпендикулярно Ро, [c.590]

При записи оптич. информации в двухслойной структуре воздействие светового сигнала приводит к стеканию части поверхностного заряда на подложку (тем большему, чем больше освеп1ённостъ данного микроучастка поверхности) в трёхслойной структуре, напротив, заряд противоположного знака переходит с подложки на граничащую с запоминающим слоем поверхность фотополупроводника. В обоих типах структур м.-статич. силы притяжения разноимённых зарядов деформируют поверхность мягкого запоминающего слоя (либо сразу, либо после его нагревания—т, п, теплового проявления), образуя рельеф, в к-ром распределение глубины соответствует распределению потока излучения по поверхности, т. е. в получаемом рельефе кодируется оптич. информация. При считывании записанной информации различия толщины рельефа вызывают разл. изменения фазы считывающей световой волны. Фазовые различия не воспринимаются глазом и др. приёмниками оптич. излучения. Поэтому их преобразуют в изменения амплитуды световой волны (т. е. интенсивности считывающего пучка), к-рые регистрируются приёмниками излучения (включая глаз). Такое преобразование осуществляют гл. обр. теневым методом, но в принципе его можно сделать по аналогии е методом фазового контраста в микроскопии. [c.266]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...