Электрооптические кристаллы

Одной из важных характеристик электрооптических кристаллов является полуволновое напряженпе 1/л/2 > т. е. напряжение, соответствующее набегу разности фаз, равной я, между двумя световыми волнами с взаимно перпендикулярными поляризациями. Эта величина может быть найдена из соотношения [c.861]

Аналогичным образом ведут себя и г-срезы других одноосных электрооптических кристаллов исключение составляют кристаллы с группой симметрии 42т или 4, которые под действием электрического поля становятся двуосными (см. задачу 7.2). [c.300]

Если модулирующее напряжение синусоидально изменяется во времени по закону (8.1.6) и последовательно с электрооптическим кристаллом располагается соответствующим образом ориентированная четвертьволновая пластинка, то фазовая задержка принимает вид [c.302]

Рассмотрим сначала схему, показанную на рис. 8.9. В этом случае электрооптический кристалл помещен между двумя электродами, к которым,приложено модулирующее поле с частотой соц/2х. Пусть — внутреннее сопротивление модулирующего источника, а величина С — емкость конденсатора, образуемого плоскопараллельной пластинкой электрооптического кристалла. Если > > (шцС) , то основное падение модулирующего напряжения происходит на и, следовательно, теряется, поскольку оно не вносит вклада в задержку. Такого падения напряжения можно избежать, [c.316]

Стирание информации обычно производится приложением потенциала, обеспечивающего появление на рабочей поверхносги пластины электрооптического кристалла (на диэлектрическом зеркале) вторичных электронов, увлекаемых сеткой. Тогда оставшиеся положительные заряды компенсируют записанный электронный образ. [c.197]

Параметр электрооптического кристалла , входящий в [c.199]

В таких непрерывно изменяемых средах для записи голограммы, как электрооптические кристаллы или непроявленная фотопленка, можно осуществить серию экспозиций голограмм в одном положении. В этом случае направления объектного и опор- [c.446]

Нами были описаны различные операции голографической обработки с точки зрения цифровой логики и страниц двоичных данных. Те же самые операции могут быть выполнены и на страницах двумерных аналоговых данных (например, изображений). При этом совершаются те же операции, но они уже не двоичные, а линейные (с динамическим диапазоном, равным динамическому диапазону материала). Страницы аналоговых и цифровых данных можно совместно хранить записанными на одном электрооптическом кристалле. [c.450]

В другом варианте интерферометра на пути каждого из интерферирующих лучей ставится электрооптический кристалл в одном плече — исследуемый, в другом - эталонный [130]. Напряжение поля в обоих плечах интерферометра выбирают таким образом, чтобы разность фаз была равна нулю. Тогда [c.83]

Как уже упоминалось в предыдущих разделах, критерием применимости электрооптических кристаллов может служить величина являющаяся своего рода [c.276]

В случае электрооптических кристаллов, например при диффузионном механизме записи, [c.64]

Рассмотрим некоторые характерные примеры. Ограничимся случаем кубических электрооптических кристаллов, где в исходном состоянии е — скаляр. [c.34]

Электрооптический эффект обсуждался в главе 3 и разделе 7.3 для случая однородных электрических полей. Рассмотрим теперь дифракцию света, проходяш,его через электрооптический кристалл, в котором создано синусоидальное электрическое поле (рис. 7.3) [c.141]

Будем считать, что при записи изображения в объеме электрооптического кристалла сформирован заряд с плотностью р х, у, z). Диэлектрическую проницаемость слоя 1 обозначим ej, слоя 2 — eg, а толщины слоев — di и da соответственно. Систему координат выберем так, чтобы ее начало по оси z, которая перпендикулярна к плоскости электродов, совпало с границей раздела между слоями диэлектрика. Потенциал электрического поля Ф (х, у, z) должен удовлетворять уравнению Пуассона [c.146]

РИС. 7.3. Линейно-поляризованная вдоль оси х оптическая волна падает в направлении оси Z на электрооптический кристалл, в котором электрически индуцированными главными осями являются л и у. (Этот случай отвечает кристаллу КН РО , когда электрическое поле приложено вдоль оси z.) а — зависимость составляющей Е , в некоторый момент времени / от координаты z вдоль кристалла б — зависимость составляющей Е от z в тот же момент времени что и в п. а в — эллипсы в плоскости х у, описываемые концом вектора электрического поля оптической волны в различных точках (от а до /) вдоль кристалла на протяжении одного периода оптической волны стрелками обозначены направления мгновенного вектора поля в момент времени а изогнутыми стрелками — направления, в которых перемещается эллипс г — эллипс поляризации для двух ортогональных составляющих с фазовой задержкой Г = тг/6 [т. е. Е , = со5ш и Е , = os(wt - к/б)] изображены также векторы поля в различные моменты времени wt = О (I), oit = 60° (2), at = 120° (3), wt = 210° (4) и шС = 270° (5). [c.259]

РИС. 7.8. Образец УЫЬОз в виде прямоугольного стержня, используемый в качестве электрооптического кристалла для модуляции фазы. Модулирующее высокочастотное поле поляризовано вдоль оси г и распространяется вдоль оси у. [c.270]

Электроопттеская перестраиваемая фазовая пластинка (продольная). Пусть имеется волновая пластинка, изготовленная из электрооптического кристалла толщиной d. Если поперек пластинки приложено напряжение V, то фазовая задержка Г оказывается пропорциональной приложенному напряжению, т. е. ее можно перестраивать с помощью электрического поля. Покажите, что фазовые задержки для разных пластинок определяются представленными ниже выражениями. [c.293]

В данном разделе мы исследуем вопрос о том, к чему приводит включение электрооптического кристалла в резонатор Фабри — Перо. Поскольку в оптическом резонаторе свет отражается многократно, эффективная длина взаимодействия светового пучка в элек-трооптическом кристалле сильно возрастает. Это существенно увеличивает глубину модуляции как в фазовых, так и в амплитудных модуляторах. Рассмотрим теперь эти устройства более подробно. [c.310]

Кроме того, если к электрооптическому кристаллу приложено соответствующее смещающее напряжение, то в отсутствие модулиру- [c.314]

Рассмотрим гауссов лазерный пучок, отвечающий поперечной моде низшего порядка и распространяющийся в электрооптическом кристалле цилиндрической формы длиной L и диаметром d. Можно, показать (см. задачу 8.4), что для данного кристалла с фиксированной длиной L диаметр цилиндра будет минимальным, когда гауссов пучок сфокусирован таким образом, что параметр конфокаль-ности Zq равен половине длины L, а перетяжка пучка располагается в центре кристалла, как показано на рис. 8.12. При этих условиях диаметр пучка в перетяжке равен а на входном и выходном основаниях цилиндра он равен причем [c.320]

Для света с Я, = 0,547 мкм в кристалле KDP это значение составляет 7,5 кВ, а для кристалла оно равно 3,9 кВ. При его приложении имеет место максимальная модуляция поляризации и амплитуды, поэтому полуволновое напряжение является одной из основных характеристик электрооптических кристаллов. При выключении напряжения пропускание света кристаллом быстро восстанавливается по тому же закону. Частоты модуляции зависят от конкретной реализации прибора п обычно лежат в мегагерцевом диапазоне, [c.18]

Как и в вышерассмотренных материалах, в некоторых типах ЖК можно осуществлять управляемое электрическим полем изменение лвулучепреломленйя и на этой основе — модуляцию фазы света п поляризации (амплитуды в итоге). Электрооптика ЖК. однако, имеет существенно иную природу (подробно будет освещена в 2.4). Если в твердых электрооптических кристаллах управляемое электрическим нолем изменение двулучелреломле-ния было обусловлено только деформацией оптической индикатрисы, в электрооптической керамике — ориентацией векторов спонтанной поляризации доменов, с направлениями которых связана оптическая ось пластинки керамики, то в ЖК, представляющих собой текучую вязкоупругую диэлектрическую среду, изменение двулучепреломления физически обусловлено поворотом (переориентацией) самих молекул жидкого кристалла, т. е. упругой механической деформацией слоя. [c.22]

Среди различных типов оптически управляемых ПВМС наиболее известны устройства, представляющие собой многослойную Структуру, заключенную между прозрачными электродами. Одним из слоев является фоточувствительнып (обычно полупроводниковый), а другим—электрооптический. В нем непосредственно и осуществляется модуляция света в результате изменения дву-лучепреломления, оптической активности и других оптических свойств при освещении структуры, когда электрические параметры фотопроводника локально изменяются и происходит соответствующее изменение напряжения на других слоях освещенного участка ПВМС. Это структуры на основе электрооптических кристаллов, известные как фототитус , пром , приз , жидких кристаллов, термопластиков, эластомеров и др. [c.125]

Известно, что голограммы можно записывать на самых разнообразных материалах, включая электрооптические кристаллы и термопластические пленки. В работе [19] дан исчерпывающий обзор некоторых из этих материалов, получивших наиболее практическое применение среди них все еще выделяются галогенидосеребряные фотографические материалы благодаря своей надежности, доступности, высокой чувствительности и вообще хорошим характеристикам. Хотя они и требуют некоторого времени для обработки и при нормальном использовании не обладают способностью к дополнительной записи или стиранию, они продолжают оправдывать прозвище единственный друг голографиста . В этом разделе мы рассмотрим методы получения большинства из доступных в настоящее время промышленных материалов и попытаемся указать некоторые направления будущего прогресса. [c.381]

В ПВМС модуляция света осуществляется электрооптическими кристаллами, которые в присутствии электрического поля становятся анизотропными и пространственно неоднородными. Поэтому рассмотрим более подробно, как свет взаимодействует с анизотропной средой. В кристаллооптике такое взаимодействие характеризуется тензором диэлектрической непроницаемости а, который связывает напряженность электрического поля световой волны А с ее вектором электрической индукции D А = tD. Тензор а является обратным к тензору диэлектрической проницаемости ё, аё = 1, он, как и ё, — симметричный тензор второго ранга. Будем предполагать, что свет в кристалле не поглощается. Поскольку среди кристаллов, используемых в ПВМС, имеются оптически активные, рассмотрим достаточно общий случай двулучепреломляющего оптически активного кристалла без поглощения, для которого можно записать [7.8] [c.133]

Смотреть страницы где упоминается термин Электрооптические кристаллы : [c.11] [c.264] [c.268] [c.304] [c.316] [c.321] [c.322] [c.196] [c.197] [c.199] [c.149] [c.150] [c.127] [c.265] [c.393] [c.130] [c.136] [c.147] [c.148] [c.20] [c.728] [c.728] [c.47] [c.75]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...