Проводимость, величина явление

При этом электросопротивление металла и его изменение вследствие облучения играют важную роль. Если опыты проводятся при достаточно низких температурах, чтобы предотвратить отжиг дефектов, то можно предположить, что увеличение электросопротивления будет пропорционально числу дефектов, введенных в металл. Необходимо поддерживать общую концентрацию дефектов на достаточно низком уровне, чтобы предотвратить взаимное влияние различных дефектов, которое может само вызвать увеличение электросопротивления. Облучение меди, серебра и золота [21 ] при 10° К нейтронами энергией 12 Мэе показало, что изменение электросопротивления почти линейно зависит от числа частиц, бомбардирующих материал. Отклонение от линейного закона связано, по-видимому, с явлениями отжига. Подобные опыты проведены Б левит-том и др. [41] на большом количестве материалов, облученных в реакторе при 17° К. Результаты этих двух работ сведены в табл. 5.15. Интерпретация изменения удельного электросопротивления была бы проста, если бы был известен коэффициент пропорциональности, связывающий это изменение с концентрацией дефектов. Неизвестное значение поперечного сечения рассеяния электронов проводимости на таких дефектах затрудняет точные вычисления, и величины, соответствующие различным дефектам, весьма спорны. [c.272]

Явление изменения поверхностной проводимости полупроводника под действием поперечного электрического поля называют аффектом поля. Оно широко используется для исследования поверхностных состояний, позволяя определять величину заряда, захваченного этими состояниями, их плотность, глубину залегания и т. д. [c.250]

Выше, при исследовании проблемы определения спектра разрешенных энергетических состояний электронов проводимости в решетке кристалла, мы определили энергию Ферми как такое значение энергии, которое при 0° К отделяет заполненные электронные состояния от незаполненных, а при конечной температуре соответствует вероятности заполнения, равной /г- Даже при комнатной температуре (300° К) эта энергия мало отличается от того значения, которое она принимает при 0° К, однако теперь уже имеется определенная вероятность заполнения состояний с энергией, превышающей Ef на величину порядка к Т. Следствием статистики Ферми является то, что в явлениях электро-и теплопроводности в металлах могут принимать участие лишь электроны с энергиями, близкими к энергии Ферми. [c.88]

Испытание на трение, проводимое на образцах, обычно применяется при изу-чении самого явления трения или в контрольных целях. Для точного выявления величины коэфнциента трения, вводимого в расчёты на трение (в тормозах, сцеплениях, при неподвижных посадках и т. п.), испытания обычно проводятся в условиях, воспроизводящих возможно точнее условия службы материала детали. [c.27]

Такие свойства газообразного диэлектрика, как малая проводимость и малый угол потерь, независимость величины е от частоты и малая зависимость величины е от температуры, полное отсутствие явления абсорбции обусловливают применение конденсаторов с газообразным диэлектриком в качестве образцовых для измерительной техники, а также высокочастотных. Можно отметить три особенности газообразного диэлектрика невозможно использовать диэлектрик для закрепления обкладок, после пробоя электрическая прочность конденсаторов восстанавливается, осуществляется переменная емкость перемещением одной системы обкладок по отношению к другой. [c.365]

Физические явления, вызывающие трение качения, изучены мало в технических расчетах пользуются в основном данными, полученными при экспериментах, проводимых над различными конкретными объектами катками, колесами, роликами и шариками в подшипниках и т. д. Опыт показывает, что сопротивление перекатыванию зависит от упругих свойств материалов, соприкасающихся тел, кривизны соприкасающихся поверхностей и величины прижимающей силы. На преодоление сопротивлений при перекатывании тел тратится работа. Работа эта расходуется на деформацию поверхностей соприкасания. Пусть, например, имеется неподвижный цилиндр, лежащий на плоскости (рис. 432) и нагруженный некоторой силой Q. [c.323]

Благодаря наличию в техническом диэлектрике свободны зарядов, под воздействием электрического напряжения в нем,, > всегда возникает ток сквозной проводимости, малый по величине, проходящий через толщу диэлектрика и - по его поверхности. В связи с этим явлением диэлектрик характеризуется удельной объемной электропроводностью и удельной поверхностной электропроводностью, являющимися обратными величинами соответствующих удельных значений объемного и поверхностного сопротивлений. Любой диэлектрик может быть использован только при напряжениях, не превышающих предельных значений, характерных для него в определенных условиях. При напряжениях, выше этих предельных значений, наступает явление пробоя диэлектрика — полная потеря им изолирующих свойств. Электрическая прочность материала, т. е. способность его выдерживать без разрушения приложенное напряжение, характеризуется величиной пробивной напряженности электрического поля. [c.18]

В связи с этим явлением диэлектрик характеризуется удельной объемной проводимостью и удельной поверхностной проводимостью, являющимися обратными величинами соответствующих значений удельного объемного и поверхностного сопротивлений. [c.18]

Роджерс [ Л- 33] обратил внимание на уменьшение теплового сопротивления контакта с ростом температуры, отмеченное в [Л. 2]. Им была создана специальная экспериментальная установка, позволяющая изменять направление теплового потока при сохранении контакта неизменным. Автор обнаружил, что тепловое сопротивление контакта стали с алюминием зависит от направления теплового потека теплопроводность от алюминия к стали выше, чем от стали к алюминию. Этот эффект исчезал при установке слюдяной прокладки между образцами. На основании этого автор связывает полученное явление с механизмом проводимости в точках металлического контакта. Когда металлы, имеющие различную величину работы выхода, находятся в контакте, создается потенциальный барьер, который уменьшает дрейф свободных электронов в одном направлении и увеличивает в другом [c.11]

Термостойкость транзистора ограничена меньшей из температур, вызывающих собственную проводимость или приводящих к явлению пробоя [4]. При отрицательных температурах термостойкость транзистора может быть ограничена механическими повреждениями (нарушение термопрочности) из-за различных температурных деформаций отдельных частей прибора, а также уменьшением коэффициента усиления по току. С термостойкостью связано другое важное понятие допустимые температуры для материалов и элементов. В некоторых случаях величина допустимой температуры [c.10]

Основные термодинамические величины и понятия нуждаются в глубоком понимании. Трудность их определений вовсе не оправдывает неправильного их использования. Метод термодинамических доказательств и объяснений отличается тем. что он не сводит сложные явления к более простым механическим, а рассматривает их как следствия из постулатов. Благодаря этому выводы и доказательства, проводимые методами термодинамики, отличаются краткостью, не требуют часто подробных логических построений, имеют ясно выраженный дедуктивный характер. [c.27]

Появление энергетических зон приводит к тому, что в некоторых случаях значения энергий электронов, принадлежащих к разным уровням в атомах, сближаются вплоть до совпадения в определенных пределах. Это явление называется перекрытием энергетических зон. В таких случаях электроны могут беспрепятственно переходить из одной зоны в другую. В других случаях зоны отделены одна от другой значительным энергетическим промежутком, который называется запрещенной зоной. В таких случаях переход электронов из нижней зоны (валентной) с малой энергией в верхнюю (зону проводимости) с большой энергией затруднен. Это затруднение тем больше, чем больше ширина (величина) запрещенной зоны. [c.11]

Появление такого Смещения золотника приводит к значительному увеличению проводимости кромки I в момент сложения величин а в и а з и к такому же уменьшению проводимости кромки IV. Кромка III полностью перекрыта. Это соответствует началу нестационарного процесса. В результате сначала убывает давление в сервоцилиндре 1 при почти постоянном давлении в сервоцилиндре 2. Начавшееся движение люльки тут же прекращается, так как втулка золотника теперь совершает обратное движение,, перекрывая сливную кромку I. Кинетическая энергия движения люльки гасится в закрытом гидроцилиндре 1, вызывая импульс давления под поршнем. В то же время возникает подобный импульс давления в сервоцилиндре 2, обусловленный гидравлическим ударом, так как при этом поток рабочей жидкости внезапно тормозится. Эти пики усилий на штоках цилиндров смещены по времени на 0,003—0,005 сек, считая по низшей гармонике усилий, что обусловлено высокой жесткостью системы сервоцилиндры— люлька (рис. 4, 5). В течение всего времени нестационарного режима работы машины эти явления повторяются с частотой колебаний золотниковой втулки, но прекращаются, как только исчезает смещение волотника относительно среднего положенйя. Следует отметить, что частота осцилляции золотниковой втулки во время нестационарного режима работы уменьшается с 25 до 23 гц из-за влияния инерционной нагрузки на перепад давлений в гидроприводе и через него — на электродвигатель, е валом которого вибратор имеет кинематическую связь. [c.152]

Обнаружение проводимости при температурах выше термодинамической температуры точки росы может быть объяснено явлениями адсорбции молекул Н2О и SO3 на поверхности стекла. Это предположение было подтверждено химическим анализом конденсата, в котором предварительно был ополоснут колпачок. Косвенно адсорбционный характер процесса подтверждает наступление равновесного состояния, при котором дальнейший рост количества кислоты прекращается. В области ниже термодинамической температуры точю росы процесс конденсации идет непрерывно и с поверхности колпачка стекает образовавшийся раствор Н2О— H2SO4. Однако после установления равновесия между конденсацией и стоком вещества под действием силы тяжести пленка приобретает постоянную толщину, что, по-видимому, и фиксируется прибором в форме стабилизации электросопротивления. Интенсивность адсорбционного роста пленки по своей величине, по-видимому, очень близка к скорости конденсации. Оба процесса развиваются под действием одинаковой разности парциальных давлений в объеме и на поверхности. 232 [c.232]

Ф, с сильным внутр. электрич. полем представляют собой полупроводниковые структуры с выпрямляющими контактами полупроводник—металл и гетеропереходами (см. также Контактные явления в полупроводниках). В таких Ф. свет возбуждает электроны в зону проводимости ниже уровня вакуума, а дополнительную энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в сильном электрич. поле внутри полупроводника. Длинноволновая граница таких Ф. определяется шириной запрещённой зоны полупроводника (Хо[мкм]я = l,24/ < j [эВ]). Ф. с выпрямляющим контактом полупроводник — металл изготавливаются на основе полупроводниковых соединений /i-InGaAs и -InGaAsP и представляют собой эпитаксиальные слои таких полупроводников, на поверхность к-рых наносится тонкая ( 10 нм) плёнка Ag. Работа выхода Ag снижается адсорбцией цезия и кислорода до величины а 1,1 эВ, Такие Ф. работают при включении на контакт внеш. напряжения в обратном направлении (плюс , на Ag) V=2—5 В. Фотоэлектроны, возбуждённые светом в зону проводимости, разогреваются. в сильном электрич. поле контакта и выходят в вакуум сквозь плёнку Ag, Ф. на основе InGaAs с 0,75 эВ имеют порог чувствительности /(-о 1,7 мкм, а квантовый выход достигает 10" —10 электрон/фотон при ).< 1,6 мкм. [c.349]

Сильное электрич. поле (внешнее и внутреннее) влияет на Ф. э. из полупроводников. Внеш. электрич. поле в соответствии с эффектом Шоттки снижает величину х и тем самым сдвигает порог Ф. э. в длинноволновую часть спектра и повышает величину квантового выхода Ф. э. вблизи порога. Внутр. электрич. поле вблизи поверхности полупроводника ускоряет фотоэлектроны к поверхности, также увеличивая квантовый выход Ф. э. Если электрич. поле достагочно сильное, выйти в вакуум смогут даже фотоэлектроны, находящиеся в объёме полупроводника вблизи дна зоны проводимости ниже уровня вакуума. Дополнит. энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в электрич. поле. При этом порог Ф. э. будет определяться шириной запрещенной зоны полупроводника (Avq k s), к-рая может быть значительно меньше, чем Ф. Для создания областей сильного электрич. поля обычно используют полупроводниковые структуры с р—л-переходами и контактами полупроводник—металл (см. Контактные явления в полупроводниках). На рис. 5 представлены спектральные характеристики Ф. э. из контакта полупроводник — металл -lnGaAs — Ag. Работа выхода плёнки Ag снижена адсорбцией цезия и кислорода до Ф 1,1 эВ. При обратном смещении на контакте [c.366]

Кроме двух параметров (г, U или t, J) X. м. характеризуется еще одним параметром — электронной концентрацией п (число электронов на один узел решётки). В этой невырожденной модели п меняется в пределах 0< <2, причём поведение системы существенно зависит от величины п. Из (3) видно, что при половинном заполнении зоны (п = ) гамильтониан /—У-модели сводится к гамильтониану Гейзенберга модели с атомным локализованным спином S— jj, так что основное состояние системы должно быть антиферромагнитным с волновым вектором Й = (п, я, п). За счёт взаимодействия электронных состояний с антиферромагн. порядком при п — 1 должна открываться щель на поверхности Ферми, так что в этих условиях система должна быть диэлектриком. При отклонении от половинного заполнения в системе появляется дырочная проводимость, а антиферромагн. порядок ослабляется за счёт движения дырок, так что при нек-рой концентрации дырок антиферромагнетизм исчезает при последующем уменьшении п сильно коррелированная система переходит в режим ферми-жидкости. Т. о., из рассмотрения двух предельных случаев ясно, что при изменении п должен существовать кроссовер от ферми-жидкостного поведения в фазу диэлектрич. состояния и одновременно кроссовер от коллективизированного магнетизма к магнетизму с локализованными маги, моментами. При фиксированном и аналогичный кроссовер должен возникать с ростом U. Эти наиб, интересные явления появляются в области промежуточных значений U W, где возмущений теория не работает, поэтому необходимо использовать при анализе X. м. другие приближённые подходы, не основанные на разложениях по параметрам UjW или WjU. Ниже рассматривается ряд таких подходов [2]. [c.392]

Энергетический спектр электронов в чистом полупроводнике состоит из ряда зон. Первая — валентная зона и вторая — зона проводимости отделены друг от друга щелью, ширина которой Д имеет порядок величины (0,5—3) эВ. Более высокие зоны не играют никакой роли в физических явлениях в полупроводниках, и в дальнейшем мы их не рассматриваем. При температуре абсолютного нуля уровни нижней зоны полностью заняты электронами, а уровни зоны проводимости — свободны, так что кристалл не обладает проводимостью. С повышением температуры часть электронов переходит на уровни зоны проводимости, а в валентной зоне возникают вакантные места —, д1ырки . Под действием электрического поля электроны в верхней зоне могут теперь приобретать энергию и двигаться в направлении, противоположном полю, а дырки — в направлении поля. Кристалл приобретает проводимость — она называется собственной проводимостью, — которая является суммой электронной и дырочной проводимостей. [c.284]

При нарастании электрического поля частички, взвешенные в жидкости, втягаваются действием поля в области наибольшей напряженности. Когда напряженность поля достигает определенной величины, от като Д1а отделяется стриммер, устремляющийся через взвешенные частицы к аноду, испаряя и ионизируя на своем пути жидкость. Идущий следом за, стриммером электронный пучок в результате электронно-оптических явлений <отшнуровы-вается от окружающего пространства. По достижении стриммером анода o6paayet H канал сквозной проводимости, через который электрическая система броском освобождает накопленную энергию. Вследствие резкого снижения оопротивления межэлектродного. промежутка амплитудные значения и скорость нарастания тока достигают больших величин. [c.251]

Рассмотрим кратко причину появления этих разрядов. Проводимость газа в небольших полях обычно намного меньше, чем проводимость твердого диэлектрика-полимера (аг сгп). Поэтому на низких частотах и при постоянном напряжении напряженность электрического поля в газовом промежутке выше, чем в окружающем промежуток полимере. Кроме того, диэлектрическая проницаемость газа меньше, чем у полимера (ег<8п) поэтому и при повышенных частотах, когда напряженность поля распределяется обратно пропорционально величине в. получается, что газовый промежуток опять электрически нагружен больше, чем полимер. Учитывая то, что пробивная напряженность в газах гораздо меньше, чем в твердых диэлектриках, естественно ожидать, что по мере повышения электрического напряжения пробой в газовых порах будет возникать задолго до возможного пробоя полимера. Напряжение, при котором происходит это явление, называют напряжением возникновения дробных разрядов, или напряжением ионизации. Дробными эти разряды называют потому, что они не закорачивают полностью электроды и быстро погасают. Дело в том, что после пробоя газового включения в нем образуется плазма с высокой проницаемостью ( 8пл > 8п) и большой проводимостью (сгпл>сгп). Поэтому напряженность электрического поля немедленно перераспределяется так, что электрически нагруженным оказывается полимер, а напряжение в газовом промежутке (теперь уже плазменном) падает почти до нуля. Вследствие этого разряд прерывается, ио [c.59]

Фотосопротивления. Некоторые полупроводники или даже изоляторы при падении на них лучистого потока, в результате освобождения электронов кри- / сталлической решетки, свя- 100 занных с атомами, и превра-щения их в электроны проводимости, обнаруживают су-ш,ествепное изменение величины сопротивления. Это явление можно использовать для измерения падаюш,его потока. Практическое применение получили в настоящее время такие полупроводники, как сернистый таллий, сернистый свинец, селенид свинца, теллуристый свинец, сульфид кадмия и др. [c.309]

Обобщение экспериментальных данных для изучения явлений методом теории подобия. Для подобия процессов при подобных условиях однозначности достаточно выдержать в эксперименте равенство определяющих критериев, которые получают из условий однозначности. Равенство определяющих критериев определит равенство неопределяющих критериев, т. е. всех остальных критериев. При этом каждый из неопределяющих критериев является некоторой однозначной функцией от определяющих критериев. На этом основан способ обобщения экспериментальных данных, положенный в основу изучения явлений методом теории подобия. По этому способу величины, замеренные в эксперименте, комбинируют в виде критериев подобия. Результаты эксперимента представляют не в виде зависимостей между отдельными величинами, как это делается при простом физическом эксперименте, а в виде зависимостей между критериями и симплексами подобия. Обычно результаты экспериментов, проводимых на основе теории подобия, обрабатывают в виде формул или графиков функциональной зависимости критериев неопределяющих от критериев определяющих [c.151]

Явления, связанные с электропроводностью твердых диэлектриков, благодаря большому разнообразию последних в отдельных случаях могут сильно отличаться друг от друга, что затрудняет вьшод соответствующих теоретических обобщений. К тому же следует иметь в виду и большое влияние всевозможных примесей и структурных дефектов на величину проводимости твердых диэлектриков. Поэтому еще сравнительно недавно считалось, что объемные токи утечки в твердых диэлектриках часто имеют аномальный характер, их закономерности не всегда укладываются в общепринятые теоретические представления. В настоящее время благодаря проведению большого количества тщательно поставленных экспериментальных исследований, теоретических работ и обобщений физическая природа электропроводности твердых диэлектриков стала достаточно ясной. При этих работах в качестве объектов исследований часто брались (и берутся) диэлектрики, не имеющие практического использования ак технические электроизоляционные материалы, например щелочно-галлоид-ные кристаллы, представителем которых является каменная соль. Объясняется это тем, что такие кристаллы имеют простую форму кристаллической решетки, все параметры которой теоретически известны и могут быть проверены экспериментально. Поэтому все теоретические предположения могут быть проверены экспериментально, и на основании достоверного экспериментального материала легко делать теоретические обобще. ния. [c.60]

В практике измерений имеют дело с многократно повторяющимися процессами определения значений физических величин. Множество измерений, проводимых с помощью одного измерительного средства, множество средств измерений одинакового типа, множество операций контроля — все эти массовые явления сопровождаются слу айными событиями, случайными процессами и величинами. [c.37]

В дальнейшем изложении мы рассмотрим более подробно названные виды электропроводности у диэлектриков для наглядного сопоставления и сравнения мы вкратце рассмотрим также основные вопросы, связанные с электрЪпроводностью проводников и полупроводников Нельзя не отметить, что у веществ того или иного химического состава как величина удельной проводимости, гак и сам характер явления электропроводности могут существенно изменяться в зависимости от температуры, строения, агрегатного состояния. Так, металлы в твердом и жидком состоянии — типичные ( металлические ) проводники, а в газообразном состоянии — диэлектрики. Кристаллический германий при температурах, близких к нормальной, — типичный полупроводник, а при температуре, близкой к абсолютному нулю, — диэлектрик в расплавленном состоянии германий имеет металлическую электропроводность в состоянии пара германий — диэлектрик. Углерод в аллотропических модификациях графита и аморфного углерода — проводник в модификации алмаза углерод является диэлектриком. [c.22]

Электротепловой пробой. Для того чтобы понять сущность явления электротеплового пробоя, следует вспомнить, что в диэлектрике, находящемся в электрическом поле, выделяется тепло, диэлектрических потерь. В случае приложения к диэлектрику постоянного напряжения удельные диэлектрические потери определяются формулой (3-9) при данной величине напряженности электрического поля они тем выше, чем выше удельная проводимость -у (или чем ниже удельное сопротивление р) материала. В случае же приложения переменного напряжения удельные диэлектрические потери определяются (3-6) и (3-7) они тем выше, чем выше значение etgo материала и чем выше частота / напряжения. [c.221]

Роль электронной составляющей в контактной тепловой проводимости Капицы для металлов отчасти изучалась при проведении измерений в сверхпроводниках и повторных измерений после перехода материала в обычное состояние иод действием сильного магнитного поля. По аналогии с жидким гелием II, овойства которого обсуждались во введении, в сверхпроводниках связанные пары электронов проводимости не взаимодействуют с колебаниями кристаллической решетки (фононами) и, следовательно, не участвуют в переносе тепла. Действительно, многие экспериментаторы [25— 31] наблюдали увеличение сопротивления Капицы в мягких сверхпроводниках (в 10—15 раз в свинце [31] и в 1,3 раза в ртути [26]). В более твердых сверхпроводниках этот эффект проявляется значительно слабее согласно данным работы [25], для олова и индия увеличение сопротивления Капицы составляет 1,1 и 1,06 соответственно. Изучение влияния сверхпроводимости на величину сопротивления Капицы, кроме выяснения роли электронов, имеет также большое практическое значение, поскольку, как отмечалось во введении, весьма вероятно применение жидкого гелия II для охлаждения сверхпроводников. К сожалению, до сих пор не ясно [19], чем в действительности вызвано рассматриваемое явление— непосредственньсм влиянием электронов или побочным влиянием деформаций [33]. [c.353]

По своим частотным свойствам и быстродействию Т. д. более совершенны, чем обычные полупроводниковые диоды и триоды. Это связано гл. обр. с тем, что при туннельном эффекте электрон, покидая зону проводимости и-полупроводника, попадает в валентную зону о-нолупроводника, т. е. становится дыркой (и наоборот). Т. о., ток через Т. д. связан с движением основных носителей и, следовательно, явления накопления и рассасывания неосновных носителей, ограничивающие частотные свойства обычных диодов и транзисторов, в Т. д. практически не имеют места вплоть до напряжения 11 . Частотные свойства Т. д. определяются только величиной барьерной (зарядовой) емкости р — -перехода С и сопротивлением потерь полупроводников и подводящих проводников. [c.208]

Основной особенностью установки УРС-50И является то, что в ней использован ионизационный метод регистрации отраженных рентгеновских лучей. Этот метод основан на явлении ионизации газа рентгеновскими лучами, которые, попадая в счетчик, паполне1шый газом, делают газ проводником электричества. При этом величина тока, проводимого счетчиком, зависит от интенсивности рентгеновского излучения, попадающего в счетчик. [c.48]

Вследствие этого доля электронной проводимости возрастает с понижением температуры, и кривые температурной зависимости суммарной электропроводности образцов со смешанным характером проводимости имеют изгиб, связанный с переходом из области с преимуш,ественно электронным характером проводимости (при пониженных температурах) в область с преобладающей ионной проводимостью (при более высоких температурах). Сравнивая отдельные кривые между собой, можно установить, что величина изломов увеличивается с увеличением процентного содержания СоО в составе образца. Это явление хорошо объясняется значительной электропроводностью (преимущественно электронной) чистой окиси кобальта по сравнению с проводимостью двойных систем на основе ггОа — СеОг. [c.95]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...