Релаксации время эффективное

Теория магнитострикционных напряжений. Если ферромагнитный материал намагничивать при высокой температуре в процессе отжига, то напряжения, возникающие при магнитострикционной деформации, будут сниматься в результате пластического течения вещества или процесса релаксации. Намагничивание эффективно только для сплавов, точка Кюри которых выше 450—500° С охлаждение в магнитном поле нужно производить медленно. Однако эта теория не применима к монокристаллам, в которых нет противодействий изменению его внешней формы. По этой теории термомагнитная обработка должна быть эффективна для всех материалов, включая чистые металлы, у которых Xs O. Эта теория предсказывает максимальный эффект для материалов с наибольшей магнитострикцией kg. В то же время, наибольший эффект при термомагнитной обработке получен у сплава железа с 6,5% Si, когда Xg = 0. [c.155]

В качестве иллюстрации на рис. 4.2 приведены относительные затраты энергии электронов на упругие столкновения (У), возбуждение верхнего лазерного уровня (В) и электронных состояний (Э), а также ионизацию (И) типичной для СОг-лазера смеси. Как видно из рисунка, доля выделяемой в разряде электрической энергии, затрачиваемая на возбуждение верхнего лазерного уровня и характеризуемая колебательным КПД разряда Пк, для смесей СО2—Nz — Не может превышать 80%. Вторым важным для работы С,02-лазера обстоятельством является близкое, почти совпадающее положение уровней 00° 1 СО2 и и = 1 молекулы N2. В результате этого имеет место эффективный обмен возбуждением между этими уровнями и молекулы азота в состоянии с и = 1 могут принимать активное участие в накачке верхнего лазерного уровня. Помимо этого, колебательные уровни азота более эффективно заселяются электронным ударом и имеют очень большое время столкновительной релаксации. Наиболее эффективно азот расселяется при столкновении с молекулами Н2О и со стенками. Поэтому при малом содержании воды в смеси и больших размерах газоразрядной камеры азот может играть роль накопителя колебательного возбуждения с большим временем жизни. При наличии азота в смеси время релаксации запасенной верхним лазерным уровнем энергии т, увеличивается и становится равным [c.119]

В разд. 6 гл. III модели ядра рассеяния строятся в классе неотрицательных нормированных по полупространству > О функций, удовлетворяющих соотношению взаимности (III. 3.9). Такие исследования продолжаются [13—15]. Следует, однако, отметить, что соотношение взаимности имеет ограниченную область действия. При выводе его фактически подразумевается, что в момент вылета частицы газа атомы поверхности уже находятся в квазиравновесном состоянии тогда обращенное движение дает У(—I,—10- В тепловом режиме рассеяния это так, потому что время релаксации в решетке меньше, чем время эффективного взаимодействия атома с поверхностью. При более высоких энергиях дело обстоит сложнее. [c.456]

Здесь под Т%р подразумевается время релаксации вдоль эффективного поля (оно же обязательно равно Ти как было показано в предыдущем параграфе). [c.522]

Эффективное время релаксации для кинетической энергии составляет половину от времени релаксации для скорости. [c.220]

Здесь т п — эффективная масса электрона т — время релаксации. Отсюда для удельной электропроводности, связанной с дрейфом электронов, получаем [c.243]

Здесь а и а определяются так же, как в формуле (7.6) для поперечных и продольных волн. Вывод равенств (19.5) аналогичен выводу формул (7.16). В частности, если много больше, чем с (или а ), так что связь между продольными и поперечными волнами очень сильна, то -с тц я- т. е. эффективное время релаксации для всех поляризаций одинаково и определяется рассеянием продольных волн. [c.281]

Отметим, что в экспериментах по релаксации, о которых шла речь, соль в криостате находилась в непосредственном тепловом контакте с гелием, так что эффективная теплоемкость соли была близка к бесконечности. Казимир [249] показал, что в случае теплоизолированной соли времена релаксации становятся меньшими их значения необходимо умножить на J[ i -Y h), где [c.560]

В главе 5 была получена формула (5.23), согласно которой электропроводность металлов определяется концентрацией электронов проводимости п, их эффективной массой т и временем релаксации т. Первые две величины определяются видом энергетического спектра и способностью атомов отдавать часть своих электронов в газ электронов проводимости и не могут заметно измениться при появлении дефектов (кроме примесных атомов). В то же время величина должна существенно меняться при появлении дефектов, поскольку она равна отношению скорости фермиевских электронов к длине свободного пробега, которая з [c.245]

Программа должна реализовать тот или иной из основных методов решения таких систем уравнений. Метод релаксации для машинных вычислений не вполне пригоден. С применением ЭВМ можно использовать прямые методы, например метод гауссовых исключений или правило Крамера, однако число рассматриваемых уравнений при этом остается весьма ограниченным. В то же время итерационные схемы позволяют эффективно решать системы с несколькими тысячами неизвестных, если матрица системы уравнений обладает определенными свойствами. Последнее требование делает более удобным решение задач в перемеш,е-ниях, а не в функциях напряжений. [c.550]

Большая подвижность может быть обусловлена малой эффективной массой носителя заряда т и большим временем свободного пробега или, точнее, временем релаксации Tq. В полупроводниках элективная масса носителей заряда может быть как больше, так и меньше массы свободного электрона. Время релаксации, характеризующее спадание тока после снятия поля, обусловливается процессами рассеяния движущихся в полупроводниках электронов. Чем больше частота столкновений и чем они интенсивнее, тем меньше время релаксации, а следовательно, и подвижность. При комнатной температуре средняя скорость теплового движения свободных электронов в невырожденном полупроводнике и в диэлектрике (если они в нем имеются) около 10 м/с. При этом эквивалентная длина волны электрона будет около 7 нм, тогда как в металлах она составляет примерно 0,5 нм. Таким образом, вследствие большей длины волны электрона в полупроводнике и в диэлектрике по сравнению с металлом, неоднородности порядка размеров атома мало влияют на рассеяние электронов. У некоторых чистых полупроводников подвижность может быть очень большой, 10 м /(В-с) и выше, у других она меньше 10" mV(B- ). Вычисляемая по последнему значению длина свободного пробега составляет лишь долю межатомных расстояний в решетках. Физический смысл требует, чтобы длина свобод- [c.240]

Понятие эффективной массы носителя заряда вводится для учета взаимодействия между электронами и электронов с кристаллической решеткой. Время релаксации между двумя актами взаимодействия т должно уменьшаться в тонкой пленке ввиду близости границ, а следовательно, удельное сопротивление возрастает. [c.435]

Остаточные напряжения в опасных зонах сечения противоположны рабочим напряжениям и снижают последние (см. стр. 693). Это позволяет повысить рабочую нагрузку пружины в процессе эксплоатации. Степень развития пластических деформаций и продолжительность заневоливания должны быть определены заранее на основе действительных механических свойств материала и требований, предъявляемых к пружине. Эффективность выбранного режима заневоливания следует по возможности проверить опытным путём непосредственно в условиях нормальной работы пружины. Пружины, предназначенные для работы под нагрузкой в течение длительного времени и пластически сильно деформируемые процессе заневоливания, должны во избежание релаксации находиться в неволе" значительное время (36—48 час.). [c.664]

Клеевые прослойки постоянно находятся в неравновесном состоянии, поскольку в них как в процессе отверждения, так и эксплуатации протекают процессы релаксации напряжений. В последнее время выявлены эффективные средства искусственного регулирования релаксационных свойств клеев путем совмещения синтетических смол с эластомерами. При этом значительно снижаются внутренние напряжения на границе адгезив — субстрат и увеличивается их ре- [c.47]

Др. эффективное средство сохранения О. о.— за счёт снижения скорости релаксации, к-рое происходит при нанесении на стенки сосуда спец, покрытий с малой энергией адсорбции ориентируемых атомов (напр., парафины). Указанные методы позволяют достичь времён релаксации спина вплоть до 1 с. Для чисто ядер-ных парамагнетиков (атомы металлов второй группы, гелий Не) времена релаксации спина ядра могут быть ещё много выше. Длит, времена релаксации позволяют ориентировать атомы светом малой интенсивности, обычно < 10 Вт/см . [c.440]

Если имеют место релаксационные процессы, то необходимы феноменологические уравнения (38) и (39) и закон сохранения массы в виде (2). Необходимо также уравнение состояния, которое представляет сродство А как функцию независимых переменных, среди которых вновь появляется . С помощью полной системы уравнений можно развить теорию дисперсии и адсорбции звука, вызванных релаксационными процессами, теплопроводностью и вязким потоком. Важный результат, который затем может быть получен , заключается в том, что для звуко вых частот V, для которых vt < 1, где т — время релаксации (41), релаксационное явление формально может быть описано как эффективная объемная вязкость. [c.13]

Определить параметры высокоэластичности резиновой смеси — эффективное время релаксации Тр и эффективное время последействия Тп — обработкой результатов измерения ориентационной усадки листовых заготовок после выхода из калибрующего зазора каландра при осуществлении изотермического установившегося режима переработки. [c.96]

Другим размерным эффектом является смещение резонансного пика поглощения света. Длина свободного пробега электрона в металлических частицах, диаметр которых меньше длины свободного пробега электронов / в массивном металле, равна радиусу частицы г [10,11]. В этом случае при поглощении света эффективное время релаксации можно представить в виде [c.110]

Вычислим изменение эффективной силы в течение первого процесса релаксации. Напомним, что во время первого процесса релаксации происходит перераспределение ламелл в караване так, чтобы за счет упругости газа в пузырях уравновесить приложенный градиент давления. На этой стадии релаксации конформация активных каналов фактически не изменяется. Для вычисления продольного градиента давления в канале используем линейную версию модели каравана. Вводя для продольного градиента давления обозначение g(s, t ) = (VP(s, t ) u(s, i)), из (6.40) получаем [c.172]

Таким образом, после деформации каждая мода в разложении эффективной силы релаксирует к своему равновесному значению за характерное время 1/Aj-. Для упрощения определяющего соотношения используем единственное время релаксации Тг- Такое приближение хорошо зарекомендовало себя в задачах физики полимеров. Итак, ограничиваясь изучением процессов, протекающих за время, много большее Т , получаем уравнение, описывающее первый процесс релаксации [c.174]

Важнейшей характеристикой электретов, определяемой экспериментально, является эффективная плотность поверхностных зарядов, которая для практически применяемых электретов составляет (10 —10 - ) Кл/м . Другим параметром, характеризующим свойства электретов, является время релаксации зарядов (время уменьшения зарядов в е раз). Стабильные электреты, пригодные для практического применения, имеют время релаксации зарядов 3—)0 лет и более. [c.589]

Эффективность небольших приложенных напряжений при высокотемпературном термоциклировании стали обычно объясняют тем, что приложенные напряжения суммируются с внутренними напряжениями, возникающими при полиморфном превращении железа [304]. Однако при этом необходимо учитывать, что релаксацию напряжений, вызывающих необратимое изменение размеров неоднородных образцов при теплосменах, нельзя свести к простому пластическому деформированию, поскольку уровень предела текучести на два порядка и более превышает критические значения приложенных напряжений. Большую роль в необратимом формоизменении химически неоднородной стали должен играть переход ее в сверхпластичное состояние, при котором нередко большая деформация происходит под действием малых нагрузок. Термоциклирование в интервале температур полиморфных превращений способствует переходу углеродистой стали и железа в сверхпластичное состояние [157, 348]. По-видимому, с этим обстоятельством и связано большое формоизменение железа и стали во время термоциклирования при наличии химической неоднородности или неравномерных нагревов и охлаждений. [c.177]

В обоих случаях эффективным является одно время релаксации, и функция / (/) удовлетворяет уравнению [c.541]

В своей первой работе по применению простого релаксационного метода Клеменс [121] учитывал К-процессы, предполагая, что они устраняют расходимость эффективного времени релаксации при малых д время релаксации для фононов при д < kйT Ьv равно времени релаксации при д = kъT Ьv = д . Теплопроводность определяется выражением (4.9) или (4.11) с учетом этого изменения, так что интеграл разбивается на две части для значений д от 0 до да время релаксации постоянно, но от да до макс оно зависит от д обычным образом. [c.65]

Следует подчеркнуть, что в нашем рассмотрении релаксации температуры было принято, что характерное время изменения температур значительно превышает время эффективного пзаиио-действия частиц. Заметил , что в рассматрииаемой задаче это иыцол- [c.288]

Можно также определить эффективное время релаксации через (1Njdt], причем величины п будут иметь значения, действительно принимаемые ими при наличии градиента температуры. [c.239]

Модель Зондгеймера и Вильсона была рассмотрена также Колером [77], который не предполагал наличия времени релаксации, а использовал вариационный метод первого порядка. Как видно из и. 14, это эквивалентно предположению об эффективном времени релаксации (хотя и необязательно одинаковом для электро- и теплопроводности). Поэтому Колер должен был прийти (и действительно пришел) к тем же результатам, что и Зондгеймер и Вильсон. Вариационные расчеты более высоких порядков, по-видимому, приведут к отклонениям от формулы (18.9). Однако ввиду искусственности модели подобные расчеты в настоящее время не имеют смысла. [c.278]

Рассмотрим теперь вопрос о поляризации фононов. Теория Блоха предполагает, что поперечные фононы но могут непосредственно взаимодействовать с электронами проводимости. Иногда предполагается, что электроны проводимости не влияют па ту часть решеточной теплопроводности, которая обусловлена поперечными волнами. В этом случае решеточная теплопроводность была бы почти столь жо волпка, как и в эквивалентном диэлектрике. Однако, если считать, что поперечные и продольные волны взаимодействуют посредством трехфононных процессов с сохранением волнового вектора, которые стремятся уравнять параметр т в формуле (7.5), то эффективные времена релаксации для продольных и поперечных волн соответственно равны [c.281]

Электросопротивление Си при 273К равно 1,56-10 б Ом-см. Используя значение эффективной массы т = , 4т, рассчитайте а) время релаксации, б) среднюю длину пробега электронов проводимости. Сравните полученные данные с характеристиками фермиевских электронов для Си (в приближении свободного газа электронов Ферми). [c.123]

N2O4, K =K xlR T, —газовая постоянная). При v=0,99 на линии насыщения при изменении давления от 1 до 40 бар уменьшается от 3-10 до 2-10 сек. Эти данные позволяют считать, что процесс роста пузырька пара (время которого 10" — 10 сек) происходит при равновесном протекании химических реакций и определяется равновесными эффективными свойствами системы. Время релаксации соизмеримо лишь со временем возникновения парового зародыша и его роста до критического размера, в процессе которого кинетика химических реакций может оказывать определяющее влияние. [c.94]

Ср. дрейфовая скорость Гдр = е т/т, где т — эффективная масса носителей, е — их заряд, т — время релаксации имиульса (трансиорт-н о е время). Отсюда [c.666]

Время релаксации зависит от ыикроскопич. свойств вещества, таких, напр., как число соударений молекул газа в единицу времени и эффективности передачи энергии при этих соударениях. В газе при заданной темп-ре время релаксации прямо пропорционально числу соударений, необходимых для возбуждения соответствующих степеней свободы. Напр., при нормальных условиях в газе для возбуждения вращат. степеней свободы молекул обычно достаточно 100 соударений, а для возбуждеяия колебат. степени свободы нужно 10 —10 соударений. Это означает, что величина х для колебат. релаксации гораздо больше, чем для вращательной. Время релаксации зависит от давления и темп-ры. Так, в газах обычно х л. /p, где А — давле- [c.329]

Возникновение Э. п. обусловлено существованием не-прерывн010 спектра колебаний плазмы (см. Трансформация волн в плазме) и отражает наличие памяти на мик-роскопич. уровне системы о внеш. воздействии. Обращение процесса бесстолкновительной релаксации возбуждений, выявляющее эту скрытую память, происходит благодаря фазовой фокусировке мод непрерывного спектра. Диссипативные факторы (столкновения заряж. частиц, диффузия ленгмюровских плазмонов и др.), разрушающие память системы, ограничивают возможности наблюдения Э, п. В реальных условиях для обнаружения пространств. Э. п. необходимо, чтобы эффективная длина свободного пробега частиц плазмы значительно превышала расстояние от источника до точки возникновения Э. п. В случае временного Э. п. время между столкновениями частиц должно быть значительно больше интервала между импульсами, [c.647]

В последнее время все большее внимание уделяется роли кристаллохимического фактора, определяющего взаимосвязь между склонностью к аморфизации и типом стабильных и метастабильных фаз, характерных для тех или иных систем [6, 12, 13, 22]. Здесь надо отметить, во-первых, что во многих системах легко аморфизирующиеся сплавы располагаются в области тех составов, которым отвечают соединения со сложной кристаллической структурой (<т-, р,- и 0-фазы или фазы Лавеса). Предполагается, что для таких сплавов процесс образования критических зародышей сильно затруднен из-за необходимости существенного перераспределения компонентов в расплаве. Но это только один аспект проблемы. Основываясь на данных об атомной структуре метастабильных фаз, которые являются последними в ряду кристаллических состояний, возникающих по мере увеличения скорости охлаждения, можно сформулировать следующий кристаллохимический критерий для определения сплавов с повышенной склонностью к аморфизации (Ю.. А. Скаков) наибольшей склонностью обладают сплавы, которые при скоростях охлаждения, близких к критическим, кристаллизуются в структурах, имеющих атомную координацию, отвечающую упорядоченной о. ц. к. решетке (сверхструктура на основе о. ц. к. решетки). Эти данные позволяют представить, что в процессе охлаждения переохлажденного расплава не только протекают процессы релаксации атомной структуры, связанные с принципом эффективной упаковки атомов, но и усиливается дифференциация компонентов, так что в предельно переохлажденном расплаве достигается такая равновесная степень композиционного порядка, которая обусловливает или кристаллизацию упорядоченных метастабильных фаз, или при охлаждении со скоростью выше критической — аморфизацию расплава с координацией атомов в областях локального порядка, сходной с координацией атомов этих фаз. [c.12]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...