Дефект поляризации

Существует критическое минимальное значение напряжения, ниже которого растрескивание не происходит. Значение критического напряжения снижается с увеличением концентрации водорода. На рис. 7.12 представлены такие зависимости для стали SAE 4340 (0,4 % С), насыщенной водородом при катодной поляризации в серной кислоте, затем кадмированной для удержания водорода и подвергнутой действию статической нагрузки. Концентрацию водорода систематически снижали отжигом. Задержка перед появлением трещин связана, по-видимому, с тем, что для диффузии водорода к специфическим участкам вблизи ядра трещины и для достижения достаточной для разрушения концентрации требуется время. Эти специфические участки окружены дефектами, возникающими в результате пластической деформации металла. Атомы водорода из кристаллической решетки, диффундируя к дефектам, переходят в более низкое энергетическое состояние. Тре- [c.150]

Вклад рассматриваемого вида поляризации в значение е может быть весьма значительным даже при не слишком высокой концентрации дефектов. Это обусловлено высокой поляризуемостью электронов, слабосвязанных с дефектами. [c.288]

Наиболее эффективный метод защиты от коррозии трубопроводов, резервуаров, обсадных колонн скважин, шлейфов и т. д. от подземной коррозии — это комплексная защита, которая включает одновременное применение изоляционных материалов и катодной поляризации. Применение только изоляционных покрытий не дает положительного эффекта из-за невозможности обеспечения полной сплошности покрытия, так как либо имеется заводской неустраненный брак, либо покрытия повреждаются при строительстве и монтаже, либо разрушаются в процессе эксплуатации в связи с воздействием температуры, механических напряжений и, наконец, времени. В местах нарушения изоляции агрессивная среда входит в контакт с металлом и обусловливает течение коррозионного процесса. Необходимо отметить, что из-за облегчения доступа деполяризатора (в основном кислорода) к металлу в дефектах изолированной конструкции скорость коррозии нередко выше скорости коррозии металла неизолированных конструкций. [c.74]

Эффективность применения ОН К существенно зависит от правильности выбора геометрических, спектральных, светотехнических и временных характеристик условий освещения и наблюдения ОК. Главное при этом — обеспечить максимальный контраст дефекта подбором углов освещения и наблюдения, спектра и интенсивности источника (непрерывного или стробоскопического), а также состояния поляризации и степени когерентности света. Необходимо учитывать различия оптических свойств дефекта и окружающей его области фона Контраст определяют по формуле [c.50]

Информация о внутренней структуре, дефектах и геометрии содержится в большом числе параметров полезного СВЧ сигнала амплитуде, фазе, коэффициенте поляризации, частоте и т. д. [c.205]

В приборах могут быть использованы схемы на прохождение и на отражение . Принципиальным положением является такое начальное взаимное расположение плоскостей поляризации излучающей и приемной антенн, когда сигнал в приемной антенне равен нулю. Только при наличии дефекта или структурной неоднородности, меняющих плоскость поляризации излученного сигнала или меняющих вид поляризации (от плоскопараллельной к эллиптической или круговой), в приемной антенне появляется сигнал. [c.220]

На рис. 28, в приведен упрощенный вариант схемы амплитудно-фазового дефектоскопа с двумя антеннами, расположенными рядом, одна из которых передающая, другая — приемная. Опорным сигналом здесь служит сигнал связи между антеннами, который может регулироваться путем изменения их относительного положения. Из-за воздействия большого фонового сигнала, являющегося следствием отражений волн от бездефектного участка изделия, чувствительность схемы к дефектам ниже, чем в вариантах, описанных выше. Этот сигнал можно уменьшить поворотом приемной антенны вокруг ее оптической оси на 90°, что будет соответствовать случаю скрещенных поляризаций приемной и передающей антенн. Схема в этом случае будет максимально чувствительна только к таким неоднородностям и дефектам, при отражении от которых происходит максимальный (до 90°) поворот плоскости поляризации волн схема становится поляризационно чувствительной. [c.233]

Применительно к диффузии катионов возможны следующие рассуждения. Положим, имеется щелочно-силикатное стекло, не склонное к фазовому разделению. В таком стекле ионы натрия статистически распределены в узлах и междоузлиях решетки, кроме того, имеется определенный спектр потенциальных барьеров. Вхождение примесного иона с тем н<е координационным числом по кислороду приводит к изменению степени поляризации электронов кислородного полиэдра, что, в свою очередь, приводит к увеличению прочности закрепления собственных катионов стекла и к изменению спектра потенциальных барьеров. Это приводит к снижению диффузионной подвижности примесного катиона по сравнению с собственным, так как уменьшается число термических дефектов и затрудняются ионные переходы. Если же входит примесный катион с другой координацией по кислороду, то изменения в кислородном полиэдре более значительны, так как входящий катион будет стремиться изменить координацию по кислороду в свою пользу. Скорость миграции такого катиона намного меньше диффузионно подвижности собственного иона и практически не зависит от его размеров. Если количество входящих катионов сравнимо с количеством собственных катионов, то изменение координации может привести к необратимым изменениям в анионной матрице стекла вплоть до разрыва анионной матрицы. [c.17]

В книге впервые изложены теоретические и практические аспекты дифракции, рефракции и поляризации. Проанализирован системный подход распознавания образа дефектов на основании применения различных физических свойств акустического поля. Всесторонне рассмотрено влияние анизотропии свойств на параметры ультразвукового контроля. [c.3]

Прн образовании коррозионного элемента (см. рис. 2.6 и 2.7) и поляризации объектов с покрытием, имеющим дефекты, получаются местные различия в плотности тока, которые могут быть выявлены измерением напряженности поля и использованы для локализации (оценки местонахождения) этих дефектов. Такие способы измерения уже опробованы на трубопроводах [40, 42]. [c.124]

Рис. 3.35. Измерения интенсивности для определения поляризации у дефектов в изоляционном покрытии трубопровода

При работе систем катодной защиты через землю течет постоянный ток, стекающий с анодных заземлителей и натекающий на объект с катодной защитой. Поэтому такие системы согласно D1N 57150 и VDE 0150 являются установками постоянного тока, представляющие собой источники блуждающих токов, которые могут вызвать коррозионные явления на других подземных металлических сооружениях например на трубопроводах и кабелях [12]. Защитный ток создает воронку напряжений в области анодных заземлителей. При этом потенциал грунта получается более высоким по отношению к потенциалу далекой земли. Над дефектами изоляции трубопровода защитный ток создает катодные воронки напряжений. Здесь потенциал грунта снижается по отнощению к потенциалу далекой земли. На другие металлические подземные сооружения, находящиеся в области анодных заземлителей, тоже натекают токи, уходящие в отрицательные участки катодных воронок напряжения таким образом, эти сооружения приобретают в первом случае катодную поляризацию, а во втором — анодную (см. рис. 10.1). В местах стекания (выхода) тока происходит анодная коррозия. [c.237]

Для эллиптически поляризованного луча необходимо определить азимут осей, эксцентриситет и направление вращения. Все 4 признака полностью требуются для определения состояния поляризации частично поляризованного луча. Практически (причем иногда без достаточн. оснований) для характеристики частично поляризованного света ограничиваются обыкновенно измерением отношения интенсивностей компонент х и у, или дефекта поляризации, [c.156]

При некоторых сочетаниях металл—раствор КРН можно предотвратить поляризацией не Фолько ниже определенного критического потенциала или диапазона потенциалов, но и несколько выше этого диапазона. А разрушение происходит внутри этого диапазона. В этих обстоятельствах, в соответствии с адсорбционной теорией, адсорбция разрушающих ионов на подвижных дефектах [c.142]

Во многих диэлектоиках имеются слабосвязанные ионы. Это могут быть ионы, находящиеся в междоузлиях, или ионы, локализованные вблизи структурных дефектов. За счет тепловых флуктуаций ионы могут переходить из одних положений равновесия в другие, преодолевая потенциальные барьеры. При отсутствии внешнего электрического поля такие перемещения являются случайными и диэлектрик остается неполяризованным. Под действием поля изменяется потенциальный рельеф и появляется некоторое преимущественное перемещение ионов в дефектных областях. Так возникает поляризация. В зависимости от особенностей структуры диэлектрика и типа дефектов время релаксации ионной тепловой поляризации при комнатной температуре колеблется от Ю до Ю- с. [c.284]

В твердых диэлектриках, имеющих определенного рода дефекты, возможна электронная поляризация, обусловленная тепловым движением. Механизм такой поляризации рассмотрим на примере кристалла ТЮа (рутил), содержащего анионные вакансии. Двухмерная модель структуры Т1О2 с анионной вакансией изображена на рис. 8.7. [c.288]

Из рис. 8.13 видно, что при определенном значении напряженности поля Е поляризация достигает насыщения Ps- Если после достих<ения насыщения напряженность поля уменьшить до нуля, то сохраняется поляризация Pr, называемая остаточной. Для того чтобы эту поляризацию свести к нулю, необходимо прилол<ить внешнее поле обратного направления. Напряженность этого поля Ес называют коэрцитивной силой. Остаточная поляризация и коэрцитивная сила зависят как от природы материала, так и от факторов, влияющих на движение доменных стенок — размеров кристаллитов, примесей, дефектов. [c.300]

У некоторых кристаллических веществ, например у щелочно-галоидных кристаллов и кристаллов, содержащих ноны титана, висмута, стронция, существует ионная релаксационная поляризация. Появление слабо связанных ионон II электронов часто обусловлено дефектами кристаллической решетки, такими, как примесные ионы, пустые узлы и межузельные ионы, дислокации. В аморфных телах слабо связанные ионы возникают из-за так называемой неплотной упаковки частиц. Такие ионы существуют в стеклах. [c.147]

Помимо рассмотренных видов релаксационной поляризации в твердых диэлектриках часто наблюдается еще одна ее разновидность — объемная поляризация. Под этим термином понимают ряд явлений, сходных между собой в том, что они вызывают поляризацию диэлектрика за счет образования в нем объемных зарядов [11]. Заряды в диэлектрике оказываются смещенными, но не на микрорасстояния, как при прочих видах поляризации, а на макроскопические расстояния. Продвижению свободных зарядов могут мешать дефекты кристаллической решетки, которые способны в некоторых случаях захватывать электроны и ионы. [c.147]

Контролировать подобными дефектоскопами можно различные материалы стальные ленты холодно- или горячекатаные, протравленные и не-протравленные, покрытые защитной пленкой олова, цинка или хрома, ленты бумаги, ткани, полимерной пленки, фольги и т. д. Система контроля дефектов выбирается индивидуально для конкретного материала. При 01ражении, близком к диффузному, хорошие результаты обеспечивает метод светового пятна, при отражении, близком к зеркальному, — метод движущегося изображения. Увеличение чувствительности достигают установкой перед фотоэлементами поляризационного фильтра с направлением поляризации 90° к плоскости падения света. [c.94]

Заключение о наличии дефекта в объекте контроля выносится по пороговой величине изменения интенсивности принимаемого результирующего сигнала. При диэлектрической или иной анизотропии величина сигнала в приемной антенне зависит от угла между плоскостью поляризации излученнои электромагнитной волны и направлением главных осей тензора диэлектрической проницаемости в данной точке образца. После прохождения анизотропного слоя волной, поляризованной по кругу, мы получаем в общем случае волну, поляризованную по эллипсу, которую представляем в виде суммы двух волн, поляризованных по [c.229]

В междоузлие, что приводит к образованию термических дефектов — вакансий и междоузельных катионов. Первая часть элементарного прыжка диффузии — диссоциация, т. е. выход катиона из узла решетки определяется прочностью закрепления катиона в окру-жаюЕцем его кислородном полиэдре. Вследствие ненаправленности ионных связей щелочной катион стекла связан со всеми кислородными ионами данного полиэдра и прочность его закрепления в занимаемой им полости определяется способностью взаимодействовать с окружающими ионами кислорода. Сила связи щелочного иона с каждым отдельным ионом кислорода зависит от степени поляризации электронных оболочек кислородных ионов. Электронные оболочки мостикового кислорода очень сильно поляризованы двумя ионами кремния, и связь щелочного иона с ними незначительна. Немостиковый кислородный ион может дополнительно поляризоваться щелочным катионом. Таким образом, от количества немости-ковых кислородных ионов, определяемого количеством подвижных носителей, зависит скорость перемещения катионов. [c.15]

Наличие максимумов и минимумов в ближней зоне мешает ее использованию для ультразвукового контроля, поскольку затрудняет определение координат и эквивалентных размеров дефектов по значению максимума эхо-сигнала. Предложены несколько способов уменьшения этих осцилляций. Хорошие результаты получены при использовании круглых преобразователей, амплитуда возбуждающих колебаний которых центральносимметрична, но неравномерна по радиусу. Это достигается рас-поляризацией центральной части пьезоэлектрических преобразователей или нанесением электродов в форме розетки. Установлено, что если амплитуда возрастает от центра к краю по закону при п > 2, осцилляции в ближней зоне малозаметны [71 1. [c.78]

В работе [90] обоснована целесообразность применения поперечных волн со строгой поляризацией колебаний, заключающаяся в том, что при многократном рассеянии на границах зе рен плоскость поляризаи,ии изменяется сильнее, чем при однократном отражении от дефекта. Ei .nH приемник реагирует на упругие волны с той же поляризацией, что и излученные, можно ожидать увеличения отношения сигнал—помеха. Однако результаты экспериментов показали, что эффект этот не столь значителен и выигрыш в чувствительнос ги меньше, чем при использовании продольных волн вместо поперечных, [c.294]

Таким образом, потенциал поляризации с элиминированием омического падения напряжения Um-irei при очень больших дефектах (г- оо и Дп->0) получается равным Un (что означает отсутствие поляризации), а для очень малых дефектов (/ ->-0 и он становится равным Vein (что означает максимальную поляризацию). [c.90]

Кроме коррозионных элементов, описанных в разделе 4.2, при металлических контактах с другими установками, имеющими более положительный стационарный потенциал, могут образоваться гальванические коррозионные элементы. Для углеродистых сталей в грунтах и в нейтральной воде высоколегированные стали и цветные металлы, находящиеся в той же среде, равно как и сталь в бетоне, являются катодами f 121. Разность потенциалов между углеродистой сталью и этими материалами может составлять примерно 0,5 В. Согласно правилу соотношения площадей по формуле (2.43), опасность коррозии деталей с покрытием увеличивается по мере уменьшения размеров дефектов в покрытии и при заданном сопротивлении грунта р=1/я ограничивается не столько сопротивлением растеканию тока от дефекта Ri, сколько сопротивлением пор R2 и сопротивлением поляризации Rp. Так, для дефекта круглой формы диаметром d в покрытии толщиной I напряжение коррозионного эдемента в районе этого дефекта ЛУ, которое в соответствии с формулой [c.135]

Рис. 4.1. Плотность тока коррозионного элемента у дефекта при повышении потенциала на Ди=0,5 В (проводимость к= =200 мкСм-см ) / —стенк трубы 2 — грунт [плотность 0,1 мА-см соответствует скорости коррозии I мм в год, см. формулу (2.5)] сплошные линии — плотность тока (d) по формуле (4.S) без учета поляризации (k = Q) штриховые линии— то же, с учетом поляризации по формуле (4.9)

Рис. 6.2. Подрыв наплавленного полиэтиленового покрытия толщиной 3 мм при катодной поляризации в растворе 0,1 М NajSO, при 20 С в течение 1 года плотность тока 0,1 А-м" отнесена к площади круглого дефекта диаметром 1 см

Система зарядов, образующихся на гранях дефекта, вследствие его поляризации образует диполь, очертания которого-в первом приближении совпадают с реальным дефектом, поэтому Н. Н. Зацепин [22] предлагает в зависимости от характера несплошностей аппроксимировать их эквивалентными магнитными диполями. Для простоты расчета вводятся следующие допущения = onst, т. е. наличие объемных зарядов в ферромагнетике не учитывается, пространство вне ферромагнетика и в полости дефекта имеет Цг = 1. [c.82]

При исследовании поля дефекта в виде сквозной прямоугольной щели при намагничивании неоднородным полем установлено [29], что распределение зарядов по стенке дефекта не соответствует распределению намагниченности по сечению образца без дефекта, т. е. имеет место объемная поляризация. Поле такого дефекта может быть рассчитано [30], если предположить, что заряды заполняют некоторую заштрихованную на рис. 1,г область с объемной плотностью р = = onst. Тогда поле от элементарного бесконечно длинного заряда дйцй с, в точке М (хуг) [c.87]

КРИСТАЛЛЫ валентные (атомные) содержат в узлах кристаллической решетки нейтральные атомы (С, Ge, Те и др.), между которыми осуществляется гомеополярная связь, обусловленная квантово-механическим взаимодействием глобулярные представляют собой частный случай молекулярных кристаллов и имеют вид клубка полимеров жидкие обладают свойствами как жидкости (текучестью), так и твердого кристалла (анизотропией свойств) внутри малых объемов идеальные не имеют дефектов структуры иопные обладают гетерополярной связью между правильно чередующимися в узлах кристаллической решетки положительными и отрицательными ионами квантовые характеризуются большой амплитудой нулевых колебаний атомов, сравнимой с межатомным расстоянием металлические образуются благодаря специфической химической связи, возникающей между ионами кристаллической решетки и электронным газом (Си, А1 и др.) молекулярные (Лг, СН , парафин и др.) формируются силами Ван-дер-Вальса, главным образом дисперсионными нитевидные вытянуты в одном направлении во много раз больше, чем в остальных оптические [активные поворачивают плоскость поляризации света вокруг падающего линейно поляризованного луча анизотропные обладают двойным лучепреломлением, состоящим в том, что луч света, падающий на поверхность кристалла, раздваивается в нем на два преломленных луча двуосные имеют две оптические оси, вдоль которых свет не испытывает двойного лучепреломления одноосные (имеющие одну оптическую ось отрицательные, в которых скорость обыкновенного светового луча меньше, чем скорость распространения необыкновенного луча положительные, в которых скорость распространения обьпсновенного светового луча больше, чем скорость распространения необыкновенного луча))] КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ— образование кристаллов из паров, растворов, расплавов веществ, находящихся в твердом состоянии в процессе электролиза и при химических реакциях [c.244]

Они сравнительно велики, порядка 10 —с. Еще в более низкой области частот может наблюдаться релаксационная дисиерсия, обусловленная дефектами и неоднородностями Д. Для нек-рых Д. могут быть существенными более специфич. механизмы дисперсии, нанр. связанные с колебаниями под действием поля доменных стенок в сегнетоэлектриках. Т. о., изучая зависимость е(ш), можно получить сведения о свойствах Д. и выделить вклад в поляризацию от разл. её механизмов. [c.697]

Кинетика образования доменной структуры и её изменения во внеш. полях определяется подвижностью доменных границ, а также процессами зарождепня новых Д. Взаимодействие доменных границ с нериодич, поле.м кристаллич, решётки, с дефектами и неоднородностями кристалла, а также с др. доменными границами приводит к трению , к-рое испытывают границы при своём перемещении. Это трение проявляется в необратимости изменения доменной структуры во внеш. полях — между изменением суммарной намагниченности, поляризации или деформации, наблюдаемых нри увеличении ноля, и изменением тех же величии, но при уменьшении поля. Наблюдается гистерезис, зависящий от темп-ры, скорости измеЕ1ения поля, примесей и дефектности материала (см. Гистерезис магнитный, Гистерезис сегаетоэлектрический, Гистерезис упругий). [c.13]

Физические свойства К. Все свойства К.— механические, электрические, магнитные, оптические, электро- II магнитооптические, транспортные (напр., диффузия, тепло- и электропроводность) и др.— обусловлены атомно-кристаллич, структурой, её симметрией, силами связи между атомами и энергетич. спектром электронов решётки, а нек-рые из свойств — дефектами структуры. Поляризуемость К., оп-тич. преломление и поглощепио, электро- и магиптострикция, вращение плоскости поляризации (ги-рация), пьезоэлектричество и пьезо-магнетизм, собств. проводимость характеризуются тензорами, ранг к-рых зависит от типа воздействия на К. и его отклика. Напр., напряжённость электрич. поля с компо- [c.520]

Благодаря этому с помощью отражательной М. а. можно пэучать многослойные плёнки и др. слоистые системы, визуализировать подповерхностные дефекты и микротрещины и др. Визуализация внутр. структуры образца на больших глубинах затруднена эффектами отражения и преломления на его границе. Вследствие отражения лишь малая часть падающего излучения проходит внутрь образца, а структура прошедшего пучка оказывается искажённой эффектами преломления в образце возникает неск. сходящихся пучков, образованных уэтугими волнами разл. поляризаций (в изотропном образце—продольными и поперечными волнами), причём эти пучки имеют значит, аберрации за счёт изменения хода лучей при преломлении. Однако использование в качестве иммерсии жидкостей с большими волновыми сопротивлениями и скоростями звука (нанр., жидкого галлия) позволяет уменьшать потери на отражение и аберрации и получить акустич. изображения внутр. структур образца как в продольных, так и в поперечных лучах. [c.150]

Влияние внешнего электрического поля на доменную структуру, в С. доменные стенки могут смещаться под действием электрич. поля, причём объём доменов, поляризованных по полю, увеличивается за счёт доменов, поляризованных против поля. Возможно также и зарождение новых доменов, поляризация в к-рых ориентирована вдоль Е. В реальных кристаллах доменные стенки обычно закреплены на дефектах и неоднородностях, т. е., для того чтобы перейти из одного положения в другое, доменной стенке нужно преодолеть знер-гетич. барьеры. В сильных электрич. полях эти барьеры сглаживаются и стенка может перемещаться по образцу относительно быстро. Возможно и перемещение стенки в слабых полях за счёт термоактивац. преодоления барьера, это перемещение может быть очень медленным. Энергетич. барьеры для перемещения стенки существуют и в бездефектных кристаллах благодаря дискретности атомной структуры, аналогично т. н. барьеру Пайерлса для перемещения дислокаций. [c.478]

Приближённо влияние таких дефектов на свойства кристалла можно описать как наличие нек-рого внутреннего смещающего поля . С. с дефектами, образующими смеыщющее поле , важны для приложений, поскольку Они устойчиво монодоменны и обладают поэтому стабильными характеристиками (напр., пиро- и пьезо-коэф.). Внутреннее смещающее поле (как и внешнее) приводит к сглаживанию аномалий физ. нараметров в области Г — ( размытие фазового перехода), поскольку индуцирует электрич. поляризацию и в неполярной фазе. При наличии смещающего поля вид зависимости 5 ( ) изменяется (рис. 3). Величина этого поля может быть определена по смещению петли гистерезиса вдоль оси Е. При наличии в кристалле I хаотически распределённых и хаотически ориентиро- ванных дипольных дефектов смещающее поле не возникает для этого случая характерно размытие скачков и, аномалий термодинамич. величии в области фазового перехода. [c.479]

ЦЕНТРЫ СВЕЧЕНИЯ (центры люминесценции)—элементарные или составные образования в веществе, к-рые испускают кванты люминесцентного излучения (см. Люминесценция). Ц. с. могут служить отд. атомы, ионы, молекулы, их агрегаты—ассоциаты и кластеры, а также собств. дефекты кристаллич. структуры (напр., вакансии регулярных узлов), Понятие о Ц. с. как об элементарном излучателе, возникшее ещё до формирования квантовомеханич. представлений, претерпело значит, эволюцию, и в настоящее время очевидна его нек-рая условность, тем не менее его широко используют в научной литературе. Микроструктура Ц, с, во многом определяет спектральные, энергетич., инерц., поляризац. и др. свойства люминесцентного излучения. [c.426]

Однако нельзя утверждать, что все аморфные сплавы вообще не подвержены щелевой коррозии. Так, после холодной npOKatKH аморфных сплавов Ni—Fe—Ст,--Р—В на нх поверхности возникают многочисленные мелкие складки. В тех местах, где эти складки пересекаются друг с другом, возникают щели и другие подобные дефекты и поэтому, например, в водных растворах Na I здесь может протекать щелевая коррозия. При высоких потенциалах в материалах, склонных к щелевой коррозии, электрический ток снижается [33]. При протекании щелевой коррозии электрический ток быстро увеличивается в процессе поляризации при высоких потенциалах. В аморфных сплавах в случае возникновения щелевой коррозии электрический ток, за счет анодной поляризации при высоких потенциалах, уменьшается и даже на внутренней поверхности щелей легко образуется пассивирующая пленка. На внещней поверхности сплава происходит повторная пассивация (репассивация) и щелевая коррозия замедляется. [c.276]

Электродный потенциал, устанавливающийся на нагруженных аустенитных сталях в растворах хлоридов без внешней поляризации, заметно изменяется со временем. В кипящем концентрированном растворе Mg la потенциал сталей типа Х18Н9 (304) (рис. 1.90) после приложения нагрузки сначала резко уменьшается, что связано с растворением металла в дефектах оксидной пленки, затем медленно увеличивается (пассивация, залечивание дефектов малорастворимыми соединениями), достигает максимума и начинает снижаться, сначала плавно (образование зародышей трещин), а затем круто (рост трещин и разрушение образца). [c.118]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...