Напряжение насыщения

Циклические кривые для нескольких образцов после РКУ-прес-сования и отжига приведены на рис. 5.18. Видно, что для всех образцов наблюдается стадия насыщения. Однако значение напряжения насыщения <Тн значительно различаются в зависимости от характера термообработки. [c.213]

Испытания нескольких наноструктурных образцов при различных амплитудах деформации показали примерно равные величины напряжения насыщения а около 250 МПа (рис. 5.18а). После кратковременного отжига при 473 К сг также уменьшается и его значение достигает 150 МПа. Тем не менее это значение за- [c.213]

Следуя [367], в первую очередь попытаемся объяснить повышенные значения напряжения насыщения стн и пониженные значения /Зд в исходных образцах по сравнению с отожженными. Напряжение течения стт, требуемое для продолжения деформации, может быть представлено в виде [c.219]

Испытания выполнены в условиях постоянной амплитуды упругопластической деформации. Напряжение а , при котором петля механического гистерезиса после определенного числа циклов становится стабильной, называют напряжением насыщения. [c.229]

При изучении усталостных свойств монокристаллических чистых металлов наиболее приемлемыми оказываются некоторые более сложные методы испытаний. Поведение этих металлов характеризуется значительным циклическим упрочнением. Так, напряжение насыщения в 20 и более раз превышает критическое напряжение сдвига. В то же время почти все усталостные свойства сильно зависят от того, как быстро произошло циклическое упрочнение. Это обстоятельство приводит к тому, что более предпочтительными оказываются двухступенчатые испытания сначала при каких-либо условиях (например, при увеличивающейся амплитуде напряжения) выходят на достаточно высокий уровень амплитуды напряжения, затем уже проводятся необходимые эксперименты с варьированием значений ряда параметров, например испытания при постоянной амплитуде пластической деформации [3]. [c.9]

У поли- и монокристаллов величина напряжения насыщения не зависит от предварительной деформации и оказывается тем больше, чем выше амплитуда деформации и чем ниже температура испытания [38, с. 547 346 348—350, с. 30 и 61 351]. [c.154]

Очевидно, что чем больше доза излучения Д или мощность дозы Р, тем выше ионизационный ток насыщения /нас- Участок АБ вольтамперной кривой является рабочей областью ионизационной камеры. Напряжение насыщения /нас различно для различных по конструкции ионизационных камер. Оно зависит от формы электродов, расстояния между ними, а также от интенсивности рентгеновского излучения. [c.104]

Напряжение насыщения 92, X. Напряжения истинные 373, IX. Насос топливный 274, Л 1. [c.471]

Как видно из уравнения (5—10) анодный ток пропорционален анодному напряжению в степени 2, а не в первой степени, как в законе Ома. Если увеличить анодное напряжение вдвое, то анодный ток возрастает примерно в 2,8 раза, так как 2 /2 =2,8, т. е. станет на 40% больше, чем должно быть по закону Ома. Таким образом, анодный ток растет быстрее, чем анодное напряжение. Закон трех вторых справедлив только для положительных анодных напряжений и при том меньших, чем напряжение насыщения. [c.88]

Напряжение насыщения выходного сигнала (7н, В [c.24]

Однако для обеспечения нормальной работы стабилизатора /т не должно также быть. меньше напряжения насыщения Уэ.к.мин. [c.35]

При таком способе защиты также успешно решается проблема сохранения работоспособности элементов силовой цепи, поскольку в настоящее время промышленность выпускает ряд моделей сило вых транзисторов с высоким напряжением в сочетании с низким напряжением насыщения, необходимым для обеспечения высоких показателей электронной аппаратуры. [c.4]

Комментарии Рассчитывается зависимость напряжения насыщения Vbe от тока коллектора 1с. Параметры EG, XTI назначаются по умолчанию [c.251]

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер [c.251]

Входные данные Таблица зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер V e от тока коллектора 1с [c.251]

Плотность тока существенно не влияет на износостойкость (см. рис. 35). При электролизном борировании бор диффундирует в сталь в виде положительно заряженных ионов, поэтому накладываемое постоянное электрическое поле ускоряет диффузию ионов бора [29]. Однако увеличение плотности тока только до определенного предела приводит к повышению количества разряжающихся на катоде ионов бора. Начиная с напряжения насыщения, количество заряжающихся ионов бора остается постоянным, дальнейшее увеличение плотности тока способствует выделению на катоде ионов натрия, поэтому это не приводит к увеличению глубины борированного слоя. С увеличением плотности тока растет относительная глубина более хрупкого борида РеВ и, следовательно,, снижается стойкость. [c.44]

В жестких сварных узлах, в которых образуются высокие сварочные напряжения, в закаленной з. т. в. возможно образование холодных трещин. Склонность к холодным трещинам повышается при насыщении металла водородом, который снижает пластичность закаленного металла. Источником водорода служит влага в покрытиях электродов, флюсах и защитных газах, которая разлагается в дуге, и атомарный водород насыщает жидкий металл сварочной ванны. В результате диффузии водорода им насыщается также 3. т. в. [c.232]

Для уменьшения насыщения Си в разогретом и жидком состоянии газами процесс сварки должен осуществляться в возможно короткий срок. Поэтому сварку следует выполнять при больших мощностях дуги — при увеличенной силе тока и повышенном напряжении, на больших скоростях. При сварке листов толщиной более 6—8 мм рекомендуется начало шва предварительно подогреть, учитывая быстрый отвод тепла от места сварки. [c.114]

На начальном участке кривой (до напряжения насыщения f7 ), характеризующей зависимость тока в газе от напряжения /рис. 2-2), выполняется закон Ома, при этом запас положительных и отрицательных ионов достаточный и его можно считать постоянным. Ток пропорционален напряжению на газовом промежутке. По мере воз-эастания приложенного напряжения ионы уносятся к электродам, [c.33]

Семейство коллекторных кривых 1 — V для транзисторов типа 2082 и 2N1675 показывает уменьшение коэффициента усиления и увеличение напряжения насыщения коллекторного тока с увеличением нейтронного потока, но линейная зависимость от If не нарушается напряжение насыщения коллекторного тока при равно 1,0 а и коэффициенте усиления 4 или 5 возрастало от 0,55 до 1,5 в с увеличением интегрального потока от О до 1,8-10 нейтронIсм . Пробивное напряжение эмиттера Vj Bo было постоянным вплоть до 3,2-10 нейтрон/см . Пробивное напряжение коллектора было стабильным до 1,8-10 нейтрон/см , а при [c.291]

Размер зерна в наноструктурной Си, исследованной в работе 367], намного меньше, чем типичный размер ячеек равный 0,5мкм в поликристаллической Си, подвергнутой усталостным испытаниям [369, 370, 375]. Это говорит об ограниченной применимости данной концепции для исследования усталостного поведения наноструктурных материалов. Более того, в работе [377] показано, что в режиме низких амплитуд размер зерна меньше критического значения, равного 85 мкм, не оказывает влияния на напряжение циклической деформации. Напряжение насыщения для наноструктурного образца, отожженного при 773 К, соответствует значению, характерному для Си поликристаллов, испытанных при той же самой амплитуде пластической деформации [377]. В отличие от вышеупомянутых закономерностей в случае, когда размер зерна оказывается значительно меньше критического, наблюдается значительно более высокое напряжение насыщения. [c.216]

Высокие значения ао, связанные с искажениями кристаллической решетки в исходном наноструктурном образце, определяют высокое значение напряжения насыщения. Тем не менее напряжения от скоплений дислокаций на границах зерен могут не возрастать из-за аккомодационных процессов на неравновесных границах зерен. Можно предположить, что неравновесные аморфноподобные границы зерен эффективно поглощают решеточные дислокации. Таким образом, увеличения полей напряжений не происходит и Ре остается постоянным при циклической деформации. [c.219]

На фиг. 1.11 приведена схема замещения для установившегося состояния по постоянному току, на которой отклонения параметров каждого элемента, соответствующие худшему случаю, показаны стрелками, стоящими около резисторов и источников питания. Условия нагрузки заданы минимальным током Ilx для нагрузки в виде схемы ИЛИ и минимальным напряжением V off, если нагрузкой служит схема И. Кроме того, требования в отношении стабильности связаны с допусками на сопротивление резисторов Ri, напряжение питания Ei и диапазон окружающей температуры Нужно учитывать следующие параметры транзисторов и их изменения коэффициент усиления по току 1е, коллекторное напряжение насыщения V es, напряжение между базой и эмиттером насыщенного транзистора Vbe, температура перехода (в частности, максимальная допустимая температура Tj макс), коэффициент рассеяния тепла К и обратный ток коллектора 1сво- Задача статического расчета состоит в определении номинальных величин сопротивлений ре- [c.33]

Графически процессы намагничивания изображают кривыми намагничивания начальной кривой У, получаемой при намагничивании ранее размагниченного образца, и предельной кривой намагничивания — петлей гистерезиса 2, получаемой в результате многократного перемагничивания образца (рис. 9.26). Характерными точками этих кривых являются напряженность насыщения Я , соответст вующая насыщению материала. /max максимальная остаточная намагниченность. /г max получаемая после снятия намагничивающего поля, коэрцитивная сила Не — напряженность поля обратного знака, которую необходимо приложить, чтобы намагниченность стала равной нулю. Отличительной особенностью процесса намагничивания ферромагнитных материалов является отставание намагниченности от напряженности внешнего намагничивающего поля Я при его уменьшении. Это явление собственно и называется гистерезисом, Следует отметить, что петля гистерезиса по намагниченности J — fi (Я) после достижения насыщения имеет горизонтальный участок, а петля гистерезиса по индукции В = (Н) имеет наклонный участрк, обусловленный возрастанием Я (рис. 9.27). Для характеристики процесса намагничивания важное значение имеет зависимость остаточной намагниченности /гmax = /з( )- Ее получают графическим построением из зависимости J = f (Н) (рис. 9.28). Следует также отметить, что приведенные зависимости справедливы только для [c.247]

Транзистор КТ837С можно заменить на любой другой транзистор этой серии. Однако следует иметь в виду, что чем ниже допустимое напряжение коллектор—эмиттер этого транзистора, тем вероятней его пробой и тем ниже надежность регулятора. Кроме того, этот транзистор должен иметь мини мальное напряжение насыщения коллектор—эмиттер, так как от его значения зависит качество регулятора и его надежность. Чем это напряжение меньше, тем меньше энергии теряется внутри регулятора и тем легче его температурный режим. [c.71]

В ламповом генераторе с /-характеристикой мягкость режима была обусловлена тем, что характеристика лампы не смещена, т. е. что вертикальная часть характеристики проходит через точку н = 0. В случае же смещенной характеристики для лампового генератора также получается жесткий режим. Смещенная /-характеристика может служить удовлетворительной идеализацией для того случая, когда, во-первых, переменные напряжения на сетке далеко превосходят напряжение насыщения лампы и, во-вторых, рабочая точка смещена либо в область тока насыщения, либо в область, где анодный ток равен нулю. В случае смещенной /-характеристики поведение лампо- [c.194]

Среднее по всем фоточувствительным элементам прибора значение напряжения, снимаемого с выходного устройства в отсутствие потока оптического излучения, при заданных значениях питающих и управляющих напряжений Отношение разности максимального и минимального значений напряжения темнового сигнала отдельных фоточувствительных элементов в пределах всего фоточувствительного поля к среднему значению напряжения насыщения выходного сигнала для приборов с накоп.тением сигнала или к среднему значению темнового напряжения для прибора без накопления сигнала Отношение суммы квадратов разности между значением темпового напряжения каждого фоточувствительного элемента и средним значением темнового напряже.иия прибора к числу фоточувствительных элементов прибора, определенное при заданных значениях питающих и управляющих напряжений [c.24]

Смычковая группа в целом, при общей исключительной подвижности и гибкости, обладает весьма внушительным и отзывчивым динамическим диапазоном. В смычковой группе он простирается от разреженных , едва уловимых, воздушных звуков рр до упругой, напряженно-насыщенной звучности ff, наполняющей весь зал. И сила эта часто выражается не столько во внешней громкости, сколько во внуг-ренней огромной напряженности и интенсивности в этом одно из характерных качеств смычковой группы (см. примеры 185, 186). [c.171]

Унисон скрипок, альтов и виолончелей в ог1е — звучность большой густоты, силы, напряженности, насыщенно-сти в р1апо — густоты и мягкости [c.199]

Для транзисторов этой группы наряду со значениями 1к шах и Ртах наиболее важными являются следующие параметры стати ческий коэффициент передачи тока обратные токи 1кво и 1эю пос тоянное напряжение эмиттер — база U ЭБ напряжение насыщения коллектор — эмиттер Uk, наг и база — эмиттер нас - [c.26]

Для металлов с пониженной свариваемостью характерно образование горячих или холодных трещин в шве и з. т. в. (рис. 5.48). Причины возникновения трещин снижение прочности и пластичности как в процессе формирования сварного соединения, так и в по-слесварочный период вследствие особенностей агрегатного состояния, полиморфных превращений и насыщения газами развитие сварочных деформаций и напряжений, вызывающих разрушение металла, если они превышают его пластичность и прочность. [c.229]

Рис. 85. Склонность латуни к растрескиванию в зависимости от величины растягивающего напряжения в Ю Уо-ном растворе ЫН40Н, насыщенном Си(ОН)2

Лазуни подвержены коррозионному растрескиванию и при воздействии других агрессивных сред (растворы щелочей, сернистый газ и др.). При доступе воздуха латунь подвергается растрескиванию в водных растворах едких щелочей (КОН, ЫаОН). Растрескивание также наблюдается при добавлении к щелочам окислителей (К2СГ2О7, МагСггО , Н2О2 и др.). Растворы углекислых солей натрия или калия, насыщенные основной углекислой солью меди, вызывают довольно быстрое растрескивание напряженной латуни. [c.115]

Магниторезистивный эффект — увеличение сопротивления металлического образца, помещаемого в магнитное поле,— описывается довольно сложной теорией. Магниторезистивный эффект будет наблюдаться в том случае [1], когда поверхность Ферми несферична, и особенно когда она содержит вклады электронов и дырок или электронов из двух зон. Если существуют два типа носителей, имеющие различный заряд, массу или время релаксации, то магнитное поле будет влиять на них по-разному. Соответственно будет изменяться и полная проводимость, представляющая собой векторную сумму двух компонентов. Этот механизм приводит к появлению поперечного магниторезисторного эффекта, который примерно пропорционален квадрату напряженности магнитного поля Я, а в сильных полях приходит к насыщению. Особый случай представляет металл, у которого различные типы носителей имеют одинаковое время релаксации. Тогда изменение сопротивления Ар под действием магнитного поля можно записать в виде [c.250]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...