Влияние внешнего электрического поля

Для частицы радиусом а = 0,5 мк или менее необходимо учитывать беспорядочное движение ионов. Что же касается влияния внешнего электрического поля, то оно становится менее существенным. Данному вопросу посвящены работы [13, 562, 595, 874[. Здесь будет рассмотрен метод, предложенный в работе [562[. [c.437]

Пусть теперь зона проводимости частично заполнена (полностью она не может быть заполненной, потому что в этом случае, по определению, она была бы валентной зоной). Под влиянием внешнего электрического поля электроны зоны проводимости могут переходить на другие уровни той же зоны, так как расстояние между различными уровнями одной и той же зоны мало. При этих переходах образуется преимущественное направление ориентации импульсов электронов, что соответствует появлению электрического тока. Следовательно, соответствующий кристалл - проводник. В терминах зонной теории можно сказать, что [c.340]

В ячейке Поккельса используется изменение оптической анизотропии в кристаллах под влиянием внешнего электрического поля. Луч, распространяющийся вдоль оптической оси кристалла, не испытывает двойного лучепреломления. При приложении электрического поля вдоль оси излучения на выходе кри- [c.30]

Влияние внешнего электрического поля [c.61]

Классификация процессов 11, 88 оценка скорости 48—50 физико-химическая природа и кинетика процессов 32 с . электрохимическая 32 сл. Коррозия оборудования 50 сл. влияние внешнего электрического поля 61, 62 [c.811]

Этого можно достичь лишь при применении электрохимического метода (электрокоагуляции), основанного на анодном растворении металла в воде при прохождении через воду электрического тока. При этом очистка воды от коллоидных веществ осуществляется в ряде одновременно протекающих процессов электрохимического растворения электродов с переходом ионов металла в раствор, окислительно-восстановительных реакций на электродах, собственно коагуляции, явлений электрофореза (движения частиц под влиянием внешнего электрического поля). [c.47]

Под влиянием внешнего электрического поля устойчивость суспензий изменяется [47]. Такое изменение обусловлено понижением стабильности системы вследствие искажения сил электростатического взаимодействия между частицами. [c.43]

Таким образом, краевая задача (8)-(10) сведена к решению счетной системы задач Коши (12), (13) для линейных уравнений с периодическими коэффициентами, частота изменения которых равна 2П. Отметим, что влияние внешнего электрического поля определяется квадратом напряжения [/ = 1/ соз Ш. Если 1/о = = О, то = О и уравнения интегрируются в явном виде. Получающееся решение описывает свободные осесимметричные колебания круглой мембраны. При По ф О, О искомое решение Уn t) п = 1, 2,..., выписывается при помощи функций Матье [6]. Случай 1) = О (постоянное напряжение) также представляет интерес (см. ниже). [c.49]

Поликристаллические образцы титаната бария, вследствие хаотического расположения кристаллов и деления их на домены с различными направлениями спонтанной поляризации, не обладают пьезоэлектрическими свойствами. Только под влиянием внешнего электрического поля происходит переориентация поляризации в доменах, что приводит к появлению результирующей поляризации у образца в целом. После выключения внешнего поля в керамике сохраняется остаточная поляризация, и поликристаллический образец проявляет пьезоэффект. Поэтому и для поликристаллических образцов пьезомодуль приводят также с индексами. Направление поляризации у таких образцов может быть выбрано любым. [c.221]

Электрический ток передается в металлах движением электронов, образующих электронный газ. При отсутствии внешнего электрического поля электроны движутся во всех направлениях, и это движение электронов проводимости носит неупорядоченный характер. Под влиянием же разности потенциалов, приложенной к металлу извне, появляется направленное движение электронов. Движение электронов и осуществляет передачу электричества. Чем слабее электроны связаны с атомами, тем больше будет электропроводность металла. [c.10]

Эффект Штарка в стационарном электрическом поле состоит в расщеплении и смещении спектральных линий под действием внешнего электрического поля. В большинстве практически важных случаев внешнее поле мало по сравнению с внутренним полем атома, и влияние его на атомную систему можно рассматривать как малое возмущение. Получение электрических полей, близких к напряженности внутреннего поля атома (< =6-10 В/см), возможно лишь в сфокусированном лазерном пучке. [c.264]

Отсюда видно, что ПЭ зависит от электрического поля так же, как ТЭ зависит от температуры ln(j/S2) = = f(l/ ё) (рис. 25.47). При высоких температурах плотность тока ПЭ возрастает с Т, особенно сильно в области малых (но уже вызывающих ПЭ) электрических полей. Распределение по энергиям электронов, эмитируемых из металла, при ПЭ при низких температурах эмиттера начинается от энергии, соответствующей уровню Ферми в металле (принимаемому за нуль), и простирается в область отрицательных энергий. Ширина распределения на половине высоты составляет около 0,5 эБ (рис. 25.48). При возрастании температуры энергетический спектр эмитируемых электронов расширяется в сторону положительных энергий. ПЭ полупроводников обладает рядом особенностей, связанных с распределением электронов по энергиям в них, с проникновением внешнего электрического поля в полупроводник и с сильной термо- и фоточувствительностью полупроводников, оказывающей влияние на ток ПЭ (рис. 25.49) [28, 29]. Токи ПЭ с большой плотностью удается получать с эмиттеров, имеющих форму острия. Предельная плотность тока, еще не разрушающего острие, /кр возрастает с увеличением угла при вершине эмитирующего конуса, так как с увеличением этого угла улучшается отвод теплоты от острия (табл. 25.27, рис. 25.50). В очень сильных электрических полях, когда плотность тока ПЭ достигает 10 —10 А/см локальные участки катода, из которых происходит эмиссия, (острия) в результате сильного разогрева взрываются, образуя плотную плазму, расширяющуюся со скоростью t = 10 см/с. Этот процесс сопровождается возникновением интенсивной эмиссии (взрывная электронная эмиссия, рис. 25.51) [30]. Ток /, А, взрывной электронной эмиссии при взрыве одиночного острия [c.588]

Связанные заряды, находящиеся на поверхности включений, с ростом концентрации начинают частично нейтрализовать друг друга. Поляризация включений уменьшается, так как поле Ед соседних включений ослабляет внешнее электрическое поле Ец. Влияние уменьшения поляризации включений на величину 8 , можно характеризовать введением в формулу (9-72) эффективного коэффициента деполяризации М,фф = 2( 1) где значение [c.158]

Дипольная поляризация. На процессы поляризации большое влияние оказывает структура молекул. Во многих диэлектриках в различном агрегатном состоянии — и в газообразных, и в жидких, и в твердых — молекулы обладают электрическим дипольным моментом при отсутствии внешнего электрического поля. У таких молекул центры положительных и отрицательных зарядов смещены друг относительно друга на некоторое расстояние, они представляют собой диполи, аналогичные диполю, показанному на рис. 2-1. Дипольные молекулы самопроизвольно поляризованы без воздействия электрического поля — спонтанно. Причиной такой спонтанной поляризации является несимметричная структура молекул. [c.32]

Специально поставленными экспериментами с изменением знака поляризующего напряжения установлена независимость сигнала от направления поляризации, что является дополнительным подтверждением правомерности предположения об отсутствии влияния эффектов ударной поляризации в диэлектрике, предварительно поляризованном внешним электрическим полем. [c.191]

Источники погрешностей тензометра с механическим увеличением деформаций при статических изменениях — несовершенство, неправильный выбор типа и характеристик тензометра, ошибка тарировки, неправильная установка прибора и дефекты в контактах с поверхностью детали, особенно при знакопеременных деформациях и перемещениях (проявляются как гистерезис), изменения температуры, зазоры в соединениях рычажного механизма, упругий гистерезис и последействие в приборах с рабочим упругим элементом при динамических изме рениях, кроме того, — трение в движущихся частях прибора, влияние массы подвижных частей (увеличение массы снижает частоту деформаций, которые можно регистрировать), недостаточная жесткость крепления датчика на детали. Источники погрешностей электрического тензометра, кроме указанных для тензометра с механическим увеличением, связаны с нарушением стабильности питания, влиянием внешних электрических и магнитных полей, погрешностями от регистрирующей аппаратуры. [c.544]

Явление поляризации диэлектрика заключается в возникновении электрического момента тела под влиянием внешних воздействий (чаще всего внешнего электрического поля). Количественно электрическая поляризация вещества характеризуется поляризован- [c.585]

По теории возмущений это среднее по времени значение дает изменение полной энергии атома под влиянием внешнего электрического поля. Для эллиптическэй орбиты, не лежаш.ей в плоскости, перпендикулярной к направлению поля Е, величина z отлична от нуля и равна [c.376]

Расщепление и смешение линий гелия во внешнем электрическом поле было подробно изучено рядом авторов. При этом наблюдается также появление запрешенных линий под влиянием внешнего электрического поля. [c.385]

Когда смещение терма под влиянием внешнего электрического поля становится таким, что он приближается к соответствующему водородному терму то квадратичный эффект Штарка сменяется линейным. В еще [c.385]

Влияние внешнего электрического поля на доменную структуру, в С. доменные стенки могут смещаться под действием электрич. поля, причём объём доменов, поляризованных по полю, увеличивается за счёт доменов, поляризованных против поля. Возможно также и зарождение новых доменов, поляризация в к-рых ориентирована вдоль Е. В реальных кристаллах доменные стенки обычно закреплены на дефектах и неоднородностях, т. е., для того чтобы перейти из одного положения в другое, доменной стенке нужно преодолеть знер-гетич. барьеры. В сильных электрич. полях эти барьеры сглаживаются и стенка может перемещаться по образцу относительно быстро. Возможно и перемещение стенки в слабых полях за счёт термоактивац. преодоления барьера, это перемещение может быть очень медленным. Энергетич. барьеры для перемещения стенки существуют и в бездефектных кристаллах благодаря дискретности атомной структуры, аналогично т. н. барьеру Пайерлса для перемещения дислокаций. [c.478]

Основной сферой Применения многолучевых интерферометров Фабри-Перо является спектроскопия высокой разрешающей силы [61, 117, НО]. Свойство Интерферометра разрешать очень близко расположенные друг к другу линии источника позволяет успешно исследовать сверхтонкую структуру спектральных линий, обусловленную наличием у атомного ядра механического и магнитного моментов, свойства атомного ядра по изотопическому сдвигу спектральньгх линий, вызванному движенйем ядра и электрона вокруг общего центра тяжести, влияние внешних электрических полей на тонкую структуру линии и т. д. Наряду с этим интерференционные спектроскопы Фабри-Перо широко применяются для определения температуры в плазме, пламенах, газах, для измерения скорости течений по допплеровскому уширению, для изучения спектров поглощения и т. д. [c.5]

Проводящая частица радиусом г в непроводящей среде, имеющей диэлектрическую проницаемость е, под влиянием внешнего электрического поля приобретает диполькый момент, равный [c.233]

В последние годы в связи с развитием электронных представлений в органической химии молекулярная рефракция привлекла внимание химиков с новой стороны. Среди ряда факторов, определяющих реакционную способность молекулы, современная электронная теория указывает на индуктомерный эфф кт, представл яющий собой смещение электронов в молекуле под влиянием внешнего электрического поля, создаваемого, например, соседней полярной молекулой. Величина индуктомерного эффекта будет зависеть, естественно, от величины поляризующего поля и от поляризуемости связей, т. е. от подвижности электронов, образующих эти связи. Лоренцем было по казано, что поляризуемость молекулы связана простои зависимостью с молекулярной рефракцией. Отсюда выте кает интерес к молекулярной рефракции у химиков, ра ботающих в области электронных представлений в ор ганической химии. [c.6]

До недавнего времени практическое использование электрофореза опережало научное понимание фактов, лежащих в основе процесса образования покрытий. Только в течение последних десяти лет появились работы, в которых развита теория электрофоретического осаждения дисперсных систем и показано ее применение для практических целей. В соответствии с этой теорией критериями пригодности суспензии для электрофоретического осаждения являются величина электрокинетиче-ского потенциала, устойчивость суспензии, влияние внешнего электрического поля на устойчивость суспензии и обратимость агрегирования суспензии в электрическом поле. [c.42]

Рис. 34. Влияние внешнего электрического поля на фазовый переход и сегнетоэлектриках, пспытываюи гх переход И (а) и I (б) рода

Таким образом, приложенное электрическое поле расщепляет трижды вырожденное колебание Г( +> на две компоненты, одна из которых поляризована параллельно полю, а другая — перпендикулярно. Это расщепление, по-видимому, не наблюдалось непосредственно, однако косвенные доказательства его наличия были обнаружены Анастасакисом, Филлером и Бурстейном [148]. Они наблюдали ущирение линии комбинационного рассеяния при наложении электрического поля на кристалл алмаза (фиг. 33). Механизм ущирения линии в этом случае не был количественно проанализирован (хотя существует теория подобных эффектов в инфракрасном поглощении [150]), поэтому не очевидно, что обнаруженное ущирение должно быть обязательно приписано расщеплению, обусловленному нарущением симметрии. К уширению линии могут также приводить другие механизмы, например ангармонические взаимодействия и (или) дипольные моменты более высоких порядков, подверженные влиянию внешнего электрического поля, [c.248]

Влияние электрокапиллярных явлений. В условиях сварки через межфазную границу металл— шлак на капле протекает электрический ток. Возникающее при этом сильное электрическое ноле изменяет величину межфазного натяжения соответственно плотности тока и распределению напряжения на межфазной границе. На рис. 8 приведены полученные нами кривые зависимости межфазного натяжения от полярности и величины тока, протекающего через границу сталь Св-08 —шлак. Графики показывают, что при наличии бинарных шлаков а основе ЗЮг, содержащих Na20, К2О и СаО, межфазное натяжение существенно изменяется с изменением потенциала металла и плотности тока. Во- всех этих случаях межфазное натяжение на прямой полярности меньше, чем на обратной. Разница может составлять 250—300 эрг/см (кривые 2 и 5). Одновременно следует отметить, что межфазное натяжение при наличии шлака, содержащего 60% Si02 и 40% МпО, мало изменяется с изменением полярности и плотности тока на межфазной границе. Приведенные графики показывают также, что с повышением температуры межфазное натяжение снижается, характер же влияния внешнего электрического поля на СТм-ш при этом остается прежним, хотя и проявляется несколько слабее. [c.29]

Б. И. Медовар отмечает заметное влияние на межфазное натяжение при электрошлаковом переплаве электрокапиллярных явлений. Приводятся экспериментальные данные о влиянии внешнего электрического поля на размеры капель, полученные с помощью ртутной модели [32]. Вместе с тем следует учитывать, что с изменением полярности тока межфазное натяжение и размеры капель могут изменяться не только в связи с электрокапил-лярными явлениями, но и в результате изменения состава шлака, обусловленного особенностями металлургических процессов при различной полярности тока. [c.38]

Во избежание влияния внешних электрических полей рекомендуется по возможности сокращать длину проводников, соединяющих капсюли микрофона с остальньши элементами схемы. Поэтому в большинстве конструкций первые каскады усилителя монтируются в непосредственной близости от капсюля. Так в образце R A два каскада предварительного, усиления монтированы в Цилиндрическом кожухе, в боковую стенку которого в специальную оправу вставляется капсюль. Кожух устанавливается на стойке, высота которой может изменяться. Питание усилителя осуществляется помощью многожильного гибкого бронированного кабеля этим же кабелем подводится и постоянное поляризирую-щее напряжение и выводится. выходной ток звуковой частоты от усилителя. [c.185]

Неравномерное наложение внешнего электрического поля. Участки, где положительные заряды (катиошя) выходят из металла в электролит, — аноды Образование катодных и. анодных участков под влиянием блуждающих токов при почвенной коррозии [c.22]

Как указывалось выше, на интенсивность процессов переноса в системах газ—жидкость могут оказывать влияние внешние силовые поля. Ограничимся качественной характеристикой механизма воздействия электродшгнитного поля на процессы тепло-и массопереноса в га.чожпдкостных системах. Оно связано с введением в среду повой дополнительной энергии, в результате чего на систему кроме сил гравитации и инерции начинают действовать пондеромоторные силы. При испарении жидкости в постоянном и переменном электрических полях слои жидкости приходят в волнообразное движение, которое приводит к турбулизации жидкости, в результате чего скорость испарения увеличивается. При этом коэффициенты конвективного теплообмена в зависимости от напряженности поля увеличиваются в несколько раз. [c.9]

До сих пор при теоретическом анализе процессов коалесценции газовых пузырьков в жидкости предполагалось, что на газожидкостную систему не действуют внешние поля. Известно, что наложение внешнего электрического поля на рассматриваемую дисперсную систему приводит к увеличению вероятности коалесценции пузырьков определенных размеров и, следовательно, к существенному изменению распределения пузырьков газа по размерам в жидкости. Прежде чем перейти к постановке и рещению задачи об определении функции распределения пузырьков газа по размерам п V, t), обсудим вопрос о влиянии электрического поля на коалесценцию. Как известно, слияние пузырьков газа может произойти только при их столкновении. Однако не каждое столкновение является аффективным, т. е. не при каждом столкновении пузырьки коалесцируют. Эффективность коалесценции пузырьков определяется главным образом свойствами их поверхности. Поскольку точно учесть влияние свойств поверхности пузырька на эффективность коалесценции практически невозможно, используют усредненный коэффициент вероятности слияния двух пузырьков газа X. При х = 1 (случай, рассмотренный в предыдущем разделе) коалесценцию обычно называют быстрой, при х 1 — медленной. В разд. 4.4 показано, что при определенном значении напряженности электрического поля , j, деформированные полем пузырьки, имеющие в первом приближении форму эллипсоидов, начинают распадаться на более мелкие пузырьки. С другой стороны, при Е злектрическое поле увеличивает вероятность [c.158]

Результаты рассмотренной в данном разделе задачи справедливы лишь для небольших по размеру пузырьков газа, когда их тепловое движение играет решающую роль при коалесценции. Как указывалось в начале раздела, для больших пузырьков газа, коалесцирующих в жидкости под действием внешнего электрического поля, необходимо учитывать влияние силы выталкивания, приводящей к упорядоченному движению больших газовых пузырьков вверх. Данному вопросу будет посвящен следующий раздел. [c.169]

С помощью функции Гамильтона может быть учтено также влияние внешних электрических и магнитных полей, приложенных к металлу. Однако использовать этот путь для учета взаимодействия электронов друг с другом и взаимодействия электронов с ионами, образующими решетку, невозможно. Если предположить, что скорость изменения плотности /, обусловленная этими взаимодействиями, может быть рассчитана независимым образом в виде 9//аг цоудар,, то получим [c.217]

Поляризация представляет собой процесс смещения структурных элементов (электроноб, атомов, ионов и др.) кристаллической решетки со своего нормального положения под влиянием электрического поля. В результате взаимодействия с внешним электрическим полем происходит нарушение и перераспределение электростати- чe киx сил, действующих внутри кристалла, при сохранении его общей нейтральности. Механизм поляризации может быть различен в зависимости от того, какие структурные элементы участвуют в процессе поляризации, В керамических материалах имеются следующие основные виды поляризации электронная, ионная, электронно- и ионно-релаксационная, спонтанная (самопроизвольная). Степень поляризации керамического диэлектрика и его поляризуемость в целом складываются-как сумма поляризаций каждого вида. Диэлектрическая проницаемость керамики отражает ее поляризуемость. [c.16]

Одной и ТОЙ же плоскости с координатами ху внутри толстой среды для записи, причем для различных голограмм опорный пучок имеет разные направления. Эти голограммы обнаруживают очень сильную угловую селективность, обусловленную их объемной природой [22] таким образом, для считывания голограммы необходимо, чтобы опорный пучок падал на нее внутри узкого углового коридора относительно угла Брэгга для данной голограммы. Освещение вне этого углового коридора вызывает быстрое падение интенсивности в восстановленном изображении. Кроме того, чем толще голограмма, тем уже становится угловой коридор, в котором возможно восстановление (см. п. 10.1.4.6). Суперпозиция многих голограмм в одном месте влечет за собой дополнительную проблему записи новых голограмм таким образом, чтобы последние не оказывали влияния на записанные ранее. Например, если в качестве трехмерной среды для записи голограммы использовать электроопти-ческий кристалл ниобата лития, то данную проблему можно решить с помощью внешнего электрического поля [2]. При этом значительно возрастает чувствительность при записи, тогда как чувствительность при стирании остается неизменной и составляет меньшую величину. Таким образом, когда записывается новая голограмма, другие голограммы, расположенные в том же месте, стираются лишь незначительно. Кроме того, осуществлялось хранение множества голограмм на ниобате лития с помощью метода градиента температуры [32]. При этом благодаря возникающей асимметрии свойств удалось получить селекцию по записи и стиранию, требуемую для хранения наложенной голограммы. Данный метод позволил записать на ниобате лития, легированном 0,01% железа, 500 голограмм, каждую с дифракционной эффективностью более чем 2,5%. Проблема селективного стирания отдельной голограммы среди множества наложенных голограмм была решена путем записи добавочной голограммы, в которой показатель преломления изменяется таким образом, что нейтрализует голограмму-оригинал [17]. [c.428]

Этот метод основан на возможности влияния на брэгговские условия считывания объемной голограммы в ФРК приложением внешнего электрического поля Е . Действительно, упрощенным образом результат воздействия поля на оптические свойства элек-Трооптического ФРК можно рассматривать как изменение показателя преломления последнего. В силу того что это неизбежно изменяет длину волны считывающего света в кристалле, а также (при заданном угле падения) направление его распространения в объеме кристалла, следует ожидать, что приложение поля может приводить к изменению условий брэгговской дифракции на записанной ранее голограмме. [c.242]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...