Структурные амплитуды из кривых качания

Структурные амплитуды из кривых качания [c.342]

НОЙ структуры кристалла в поверхностных слоях [62 ]. Однако при прохождении через тонкие совершенные кристаллы корреляция экспериментальных наблюдений с теоретическими вычислениями может быть сделана с гораздо большей уверенностью. Крейтле и Мейер-Эмзен [264 ] получили кривые качаний для кристаллов кремния толщиной 1200 и 2700 А с использованием электронов при ускоряющем напряжении 71 кВ. Сравнивая их с теоретическими кривыми, полученными с учетом взаимодействий 6 или 18 систематических отражений, они вычислили значения структурных амплитуд для отражений (III) и (222) (5,16 и 0,1 В) в разумном согласии с результатами других методов. [c.343]

Наиболее широкие и точные определения структурных амплитуд сделаны с помощью дифракционного метода сходящегося пучка (гл. 9), который эквивалентен методу кривых качания с тем исключением, что вместо измерения дифракционных интенсивностей в виде функции угла поворота кристалла для параллельного падающего пучка здесь имеется набор углов падения падающего пучка, и соответствующее изменение интенсивности дифракционного пучка появляется, на профиле расширенных дифракционных пятен. Этот метод развили и применили к изучению структурных амплитуд кристаллов MgO Гудман и Лемпфул [165]. Дальнейшее изучение метода и оценку нескольких возможных источников ошибок провел Мак-Магон [299]. В этом методе использована небольшая область совершенного плоскопараллельного кристалла диаметром около 200 А. По-видимому, для большинства любых устойчивых кристаллов возможно найти подходящие области. Однако соединение MgO имеет то преимущество, что оно может давать совершенные плоскопараллельные неизогнутые кристаллы, не имеющие дефектов, видимых в электронном микроскопе, и с областями в несколько квадратных микрометров. [c.343]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...