Металлические пленки-подложки

Металлические пленки-подложки [c.20]

Искажение формы и размера частиц может быть вызвано также явлением роста частиц [43 44 45], состоящим в том, что размеры частиц, помещенных в электронный микроскоп, с течением времени увеличиваются. Это явление обычно связывают с адсорбцией исследуемыми частицами продуктов разложения органических веществ или атомов металла сетки, испаряющегося при нагревании, вызванном электронной бомбардировкой. Особенно сильно это испарение происходит в случае применения медных или никелевых сеток. В том случае, когда вследствие хорошей теплопроводности обеспечивается отвод тепла от частиц порошка, роста их не наблюдается, как, например, при применении металлических пленок-под-ложек или при оттенении препарата металлом. Поэтому в тех случаях, когда при замере размеров частиц препарата в начале исследования и после 5—10-минутной выдержки под электронным пучком обнаруживается заметное различие, следует применять металлическую пленку-подложку либо оттенять препарат металлом. Однако, с другой стороны, как уже отмечалось выше, это приведет к понижению температуры пленки ниже 150° С и, следовательно, к возможности появления загрязнений на самой подложке. [c.36]

Достоинством этого метода является возможность получения металлических пленок практически на любых подложках — металлических, стеклянных, керамических, бумажных и др. Недостатком является относительно низкая адгезия и пористость пленок. [c.72]

При прочной адгезионной связи пленки с подложкой и достаточно высоком уровне напряжений возможно разрушение приповерхностного слоя подложки. Тогда пленка отделяется вместе с этим слоем. Такая картина наблюдается часто при нанесении и вжигании металлических пленок с высоким пределом текучести на подложки таких хрупких материалов, как кремний, германий, стекло, керамика. [c.86]

СМАЧИВАЕМОСТЬ В СИСТЕМЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ РАСПЛАВ -ТОНКАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА -НЕМЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА [c.15]

Для определения адгезии металлических пленок к подложкам применялся метод скользящего индентора [9, 13]. По поверхности пленки перемещался тщательно отполированный наконечник из твердого сплава (радиусом округления 50 мкм), на который прикладывали нагрузки различной величины. При критической нагрузке пленка срывается с подложки и по пути движения остается свободный от пленки канал, появление которого фиксировали с помощью микроскопа. [c.16]

Формирование сплошной пленки на окисных подложках должно происходить при гораздо большей общей толщине пленки. Это согласуется с имеющимися экспериментальными данными по получению пленок металлов, осажденных на различных субстратах. Так, известно, что металлические пленки, осажденные на металлических подложках (адгезия металл — металл высока), становятся сплошными при меньших толщинах, чем пленки, выращенные на подложках из ионных кристаллов (малая адгезия металл — ионное соединение) [1]. [c.24]

Смачиваемость в системе металлический расплав — тонкая металлическая пленка — неметаллическая подложка. Ю. В. Н а й д и ч, Б. Д. К о с т ю к, [c.222]

Метод определения (ГОСТ 5628—51) основан на измерении в мм глубины выдавливания шарообразным пуансоном металлической пластинки-подложки, значение прочности соответствует началу разрушения нанесенной на подложку лакокрасочной пленки. [c.190]

Если излучением режутся диэлектрические материалы или тонкие металлические пленки на диэлектрических подложках, то, как правило, из-за малой температуропроводности среды (k < [c.111]

Формулы (111) и (113) могут оказаться полезными при расчете режима скоростной резки излучением СОа-лазера тонких металлических пленок, нанесенных на диэлектрические подложки и способных окисляться и гореть (например, пленок хрома). При больших скоростях резки, когда u alk > 1, максимальная температура развивается на краю движущегося пятна и равна согласно формуле (104) температуре поверхности полупространства, нагреваемой в течение времени t — 2а/Uq прохождения световым пятном своего диаметра. Если за это время температура поднимется до величины Т , то пленка вспыхнет и сгорит. Таким образом, приравнивая время i = 2а/времени индукционного периода реакции окисления в формуле (ПО), можно определить [c.116]

Исследования по использованию СО 2-лазера для резки самых различных металлических пленок позволяют выяснить некоторые возможности и трудности при изготовлении резисторов. Так, при резке пленок из алюминия и золота на различных подложках ширина реза может меняться от 200 до 600 мкм в зависимости от скорости перемещения [c.170]

При сварке плавлением металлических проводников с металлической пленкой, имеющейся на диэлектрической подложке, растворение подслоя пленки не уменьшает прочности контакта. Исследователи этого процесса предполагают, что при сварке плавлением в переходном слое образуются химические соединения металла со стеклом, которые обладают высокой прочностью. [c.516]

Термоанемометр с нагретой нитью используется для измерения как полей осредненных во времени значений скорости, так и мгновенных значений В плоских потоках с известным направлением скорости используется однониточный термоанемометр, в потоках с неизвестным распределением скорости — термоанемометр с двумя крест-накрест расположенными нитями (проволоками), что позволяет определять две составляющие скорости (см. рис. 6.9,6). Для измерений в жидкостях и сверхзвуковых потоках применяются термоанемометры с металлической пленкой из платины или никеля, нанесенной на стеклянную подложку клиновой, конической или цилиндрической формы [8,43]. [c.385]

Металлическая поверхность подложки, нагретая основным количеством инфракрасных лучей, нагревая лакокрасочный материал снизу, способствует передаче тепла от нижних к верхним слоям пленки и ускоряет удаление растворителя из пленки, т. е. процесс сушки. [c.170]

Нанесение суспензии на пленку-подложку лучше всего осуществлять с помощью металлической петли с диаметром, несколько большим диаметра сетки. Петля погружается в суспензию и затем вынимается из нее. При этом на ней образуется тонкая пленка жидкости с частицами объекта. Эта пленка прижимается к поверхности сетки, покрытой пленкой-подложкой, тогда жидкость не собирается в капельки, а равномерно смачивает всю поверхность пленки-подложки. [c.32]

Создание диэлектрических промежутков в сплошной металлической пленке, нанесенной на подложку, — одно из перспективных направлений использования ЛПМ. По этой технологии производились детали коммутационных устройств, изготавливались партии датчиков нескольких типов и их подстройка. [c.266]

Н--метод применяется для термометрии данного материала — отсутствуют данные по применению метода для термометрии материала — возможна термометрия структуры, состоящей из полупроводниковой подложки и металлической пленки [c.205]

Зеркальные покрытия должны удовлетворять требованиям соответ-ствующих стандартов. Металлические пленки зеркал должны иметь прочное сцепление с подложкой. В зеркалах, работающих в сходящихся пучках лучей, допускаются сквозные отверстия в виде пор диаметром не более 0,05 мм, не имеющие характер скоплений. В зеркалах, отражающих параллельные пучки лучей, кроме указанных выше дефектов, допускаются отверстия диаметром до 0,1 мм не более 2 шт. на 1 см и несквозные царапины суммарной длиной до 30. мм на 1 см . [c.621]

Глава открывается таблицей коэффициентов отражения ряда металлических пленок, напыленных в вакууме на подложки. Такие зеркала используются при измерениях интенсивности отраженного светового потока. Далее представлены (в форме таблиц и рисунков) оптические постоянные металлов. Известно, что у металлов измеряемые в ИК-области оптические параметры отраженного света, а следовательно, и рассчитанные на их основе оптические постоянные определяются свойствами поверхностного скин-слоя. Учитывая это, таблицы значений п и х для ряда наиболее употребительных объектов, в первую очередь благородных металлов, представлены по данным разных авторов и с указанием технологии получения образцов, будь то массивные слитки или металлические пленки. Для таких металлов, как свинец и железо, являющихся важнейшими компонентами сплавов, типовые данные дополнены измерениями в широком интервале температур. [c.69]

Ф. А. Королевым и В. И. Гридневым был предложен оригинальный вариант интерферометра Фабри—Перо с отражателями, представляющими собой дифракционные решетки. Такие интерферометры применяются для длинноволновой инфракрасной области спектра и для миллиметрового диапазона длин волн. Дело в том, что в этих областях спектра практически отсутствуют подходящие материалы для изготовления полупрозрачных покрытий. В качестве таких отражателей можно использовать дифракционные зеркала . Они представляют собой тонкие металлические пленки серебра (толщиной 20—30 нм), нанесенные испарением в вакууме на кварцевые или другие подложки. В этих металлических слоях с помощью резца наносятся прозрачные штрихи. Прозрачные штрихи обеспечивают необходимое пропускание, а отражение от непрозрачных частей решетки оказывается вполне достаточным для обеспечения нужных характеристик интерферометра. [c.131]

Для повышения качества металлических пленок, осаждаемых на подложку при термическом разложении карбонилов, в работе [14] была впервые показана эффективность применения высокочастотной ионизации карбонилов при наложении электростатического поля. В работе [14] было показано, что производить ионизацию паров карбонила до поступления их в реакционную камеру нецелесообразно из-за возможной рекомбинации ионов, а также вследствие осаждения металла на стенках паропровода. Лучшие результаты в данной работе были получены при наложении отрицательного потенциала на подложку. [c.170]

Изучение закономерностей взаимодействия металлических расплавов с тонкими пленками металлов, нанесенными на неметаллические материалы, изменение степени смачивания (краевого угла) и адгезии расплав — металлическая пленка — подложка в зависимости от свойств контактирующих фаз, толщины металлизацион-ного слоя и других факторов позволяет выяснить механизм образования связей жидкого металла с твердой фазой, строение напыленных пленок, характер их взаимодействия с расплавом металла. Результаты таких исследований являются основой для разработки технологии металлизации и пайки неметаллических материалов. [c.15]

Структуру свеженапыленных пленок молибдена и ванадия, а также отожженных при температурах 600, 900, 1150° С исследовали методом поглощения света в области длин волн 350 —500 нм в случае молибденовых пленок, и 350—580 нм для пленок ванадиевых, а также методом электронной микроскопии. Спектрофотометрические измерения давали также информацию об образовании промежуточных фаз и установлении химических связей металлическая пленка — подложка. [c.16]

При определении Ру лаковой пленки на металлической подложке или компаунда, залитого в металлический стаканчик, подложка или стаканчик играют роль высоковольтного электрода. Для трубчатого образца измерительный электрод имеет длину 50—250 мм, высоковольтный электрод — соответственно 75— 300 мм, охранный электрод — ширину 10 мм. Между измерительным электродом и установленными с той и с другой стороны охранными электродами должен быть зазор 2 мм. Та же трехэлектродная система используется при измерении удельного поверхностного сопротивления твердых материалов, но в этом случае охранный кольцевой электрод должен выполнять роль высоковольтного, а высоковольтный электрод — назначение охранного это видно из способа включения трехэлектродной системы в измерительную схему (см. рис. 1-1). Для определения допускается применение ножевых или фольговых электродов в виде параллельных полос длиной 100 мм и шириной 10 мм с зазором между ними 10 мм. Но жевые электроды длиной 100 мм должны быть установлены на расстоянии 10 мм (рис. 1-9) они крепятся винтами к двум электродным металлическим брускам, изолированным друг от друга воздушным зазором. С нижней стороны каждого бруска имеются два ступенчатых отверстия с изоляционными втулками, через которые проходят винты для крепления брусков к основанию, расположенному сверху между основанием и брусками проложена изоляционная [c.24]

В настоящее время проводятся исследования [68] по подбору радиационностойких комбинаций различных металлических пленок и подложек. Исследованию подвергают печатные сопротивления и сопротивления с напыленными в вакууме пленками. Первые результаты показали, что печатные сопротивления с пленкой из MoSi2 на подложке из форстерита не изменились после интегральной дозы -у-облучения 10 эрг1г. [c.354]

Напряжения, возникающие в поверхностных слоях кремния после механической обработки (резки, шлифования, полирования пастами) Напряжения в термически выращенных и ва-куумно напыленных плёнках Напряжения в металлических пленках, нанесенных на жесткие подложки [c.85]

Металлические пленки наносили на полированные поверхности сапфира, кварца и графита испарением металла с помощью электронно-лучевого нагрева в вакууме 1 10 мм рт. ст. Источником испарения служила капля расплава, возникающая на конце вертикально расположенного стержня напыляемого металла диаметра 2—3 мм, на который фркусировался электронный луч, скорость напыления была 1—10 Kj eK. Температура подложки во время напыления составляла 100—200° С. [c.16]

Адгезия к окислам металлов и металлических пленок, осажденных на окисную подложку, во многом определяется образованием химических соединений [3], в частности окислов [5, 10, 12L При исследовании тонких пленок молибдена и ванадия, напыленных на подложки SiOj и AlaOg, необходимо обратить внимание на возможность обнаружения на межфазной границе пленка — подложка окислов молибдена и ванадия соответственно. Однако в то время как металл обладает максимально возможным коэффициентом поглощения К Ю —10 смг ) в очень широкой области спектра от жесткого ультрафиолета и до радиоволн включительно, окислы в широких спектральных участках обладают значительно меньшим коэффициентом поглощения [14]. Поэтому сравнительно небольшие по интенсивности полосы поглощения окислов практически невозможно обнаружить на фоне мощного поглощения чистого металла. Лишь в определенных участках спектра, в которых начинаются собственные поглощения, обусловленные междузонными переходами, величина поглощения окисла может в какой-то мере приближаться к коэффициенту поглощения металла. Для обнаружения окислов молибдена и ванадия по оптическому пропусканию тонких пленок, напыленных на окисные подложки, необходимо было выбрать такой спектральный интервал, в котором происходит резкое изменение величины коэффициента поглощения окисла молибдена или ванадия) от сравнительно небольших значений до значений, близких к их металлическому поглощению. Только в этом случае можно обнаружить характерные спектральные изменения пропускания, которые будут указывать на наличие того или иного окисла. Так как при высоких температурах, начиная с 800° С и выше, стабильны только [c.19]

Исследована смачиваемость в системах Си — Мо — SiOj (1150° С), Си — Мо — Ala Og (1150 С), Си — Мо графит (1150 С), Ag — Мо — А1А (1000 С). 8п — Мо — SiOa (900—1150 С), Sn — Мо графит (900 С), Sn — V — SiO. (900 С), Sn — V графит (900 С), РЬ — Fe—SiOj (700° С), РЬ—Fe графит (700° С). Изучено влияние структуры и физико-химических свойств тонких металлических пленок, нанесенных на неметаллические материалы, на смачиваемость расплавами металлов. Для каждой из изученных систем установлены критические толщины смачивания металлической пленки (наименьшая толщина пленки, при которой наступает смачивание такое же, как и компактного материала пленки). Полученные величины критических толщин смачивания объяснены в зависимости от структуры пленки, ее взаимодействия с подложкой, температуры опыта и ряда др. факторов. Табл. 2, рис. 7, библ. 1. [c.222]

Углефафитовые материалы используют в качестве электродов, нагревателей, торцовых уплотнителей. В зависимости от условий эксплуатации к соединению углеграфитовых материалов с металлами предъявляются требования достаточной прочности (по углеграфитовому элементу), герметичности, малого электросопротивления в зоне контакта, в ряде случаев повышенной коррозионной стойкости. Диэлектрики в электронных микросхемах служат в качестве подложки, на которую в вакууме наплавляют тонкие металлические пленки, к которым затем присоединяют металлические проводники. В качестве диэлектриков используют си-таллы различных марок фотоситаллы, кварцевое стекло, стекла С41, на которые в вакууме напыляются медные пленки толш,иной 0,4. .. 0,45 мкм по адгезионному подслою хрома или титана толщиной 0,05 мкм. [c.515]

Метод получения тонких металлических пленок конденсацией в вакууме аналогичен лгетоду получения реплик напылением (на-при.мер, углеродных). Металл, пз которого-необходимо получить тонкую пленку, помещают в испаритель (обычно свернутая в спираль вольфрамовая или молибденовая проволока, через которую пропускают электрический ток). Пар конденсируется на специальной подложке, в качестве которой обычно используют легко растворимые в воде кристаллы Na l или КС1. После отделения ог подложки тонкие пленки готовы для исследования. Они однородны по толщине и практически свободны от загрязнений, неизбежно присутствующих в массивных металлических образцах. Именно на таких пленках толщиной [c.51]

Качественные коллодиевые пленки могут быть получены на поверхности чистой ртути [8]. Капля 1%-ного раствора коллодия наносится на поверхность ртути. После полного испарения растворителя уровень ртути в чашке понижают до тех пор, пока коллодиевая пленка не пристанет плотно к плоскому кольцу из органического стекла, установленному на дне чашки. Излишек пленки, выступающий за края кольца, обрезают скальпелем, после чего через специальный ввод внутри кольца (фиг. 9) подводится по капле дистиллированная вода до тех пор, пока между пленкой и поверхностью ртути не окажется слой воды. После этого воду можно наливать на ртуть сверху, так что коллодиевая пленка оказывается плавающей на поверхности воды. Затем под пленку подводят стеклянную пластинку с уложенными на ней сетками или диафрагмами, уровень воды понижают, и пластинка с сетками оказывается покрытой коллодиевой пленкой. Для сушки пластинку помещают на металлическую плиту, нагретую до 80° С, где вода быстро испаряется, и пленка остается хорошо укрепленной на сетках. После этой операции пленка-подложка готова для исследований. [c.15]

Напыленный слой металла распределяется по объекту неравномерно на участках, расположенных под прямым углом к направлению молекулярного пучка испаряемого металла, конденсируется большее количество атомов металла, образуя более толстый слой, чем на остальной поверхности подложки. Вследствие того, что напыление производится под углом, выступы, т. е. нанесенные на подложку частицы, будут экранировать часть пленки-подложки от попадания на нее металлических атомов. Благодаря этому на пленке образуется тень , более прозрачная для электронов, чем запыленные металлом места (фнг. XX ). Соответственно этому ка экране микроскопа эти участки будут более светлыми по сравнению с остальными, а на негативе более тед гными. Степень почернения негатива при прочих равных условиях определяется толщиной осажденного слоя и является функцией угла между касательной плоскостью к данному участку объекта и направлением к испарителю. [c.98]

Как было выяснено, контраст при оттенении электронномикроскопического препарата обусловливается либо различной толщиной осал<денного металла на различных участках препарата — как в случае оттенения отпечатков, либо наличием и отсутствием металлической пленки — как в случае оттенения объектов прямого исследования, нанесенных на пленку-подложку. Чем большей рассеивающей способностью будет обладать тонкий сконденсировавшийся слой металла, оттеняющего препарат, тем более заметные изменения яркости изображения вызовут небольшие изменения толщины напыленного слоя, обусловленные различным наклоном элементов рельефа образца или экранирующим действием частиц объекта, т. е. тем большим будет контраст изображения. [c.110]

Наиболее важными параметрами СВЧ-диэлектрика являются ей tg 6. Величина Е определяет габариты микросхе.мы. Кроме того, при повышении е снижаются потери на излучение, так как обычно в микросхемах используются в различных вариантах несимметричные полосковые волноводы. Поэтому повышение е представляется желательным. Однако при слишком большой диэлектрической проницаемости возникают технологические трудности, связанные с формированием на подложке пленочных покрытий (возрастают потери в металлических пленках). Высокие требования преъявляются также к плотности СВЧ-диэлектрика, от которой зависят шероховатость его поверхности и возможности образования микрорельефа при фотолитографии. [c.88]

Важную проблему представляет светоделитель. Вместо привычных для видимой области спектра тонких металлических пленок или многослойных диэлектрических покрытий в ближней. ИК-области спектра в качестве светоделителя используются тонкие пленки германия, кремния, окиси железа, нанесенные на подложку из кварца, фтО ристого бария или кальция, бромистого калия или иодистого цезия. В далекой ИК-области применяется обычно пленка из майлара. Достаточно большие длины золн электромагнитного излучения позволяют также применить в этой области спектра и совсем необычные светоделители — металлическую сетку или проволочную решетку. [c.110]

Конденсация из парообразного состояния. Этот метод основан на испарении веществ в высоком вакууме или на катодном распылении и быстрой конденсации атомных или молекулярных паров. Если скорость испарения высока, а температура подложки низка, то в большинстве случаев происходит неупорядоченное осаждение. При этом величина когерентно рассеивающих зон в решетке может стать настолько малой, что возникает квазиаморфное состояние. Изготовленные таким образом металлические пленки существенно отличаются по своим свойствам (электрическим, оптическим, магнитным, механическим) от крупно- или монокристаллитных пленок. Если отжигать эти нестабильные, сильно разупорядоченные пленки, то происходит переход от активного состояния к упорядоченному. Этот переход становится заметным по скачкообразному изменению различных свойств. [c.446]

Значительное число металлических пленок, сконденсированных на стеклянной подложке при температурах жидкого гелия (5,3 К), обладает сверхпроводимостью. Считается, что предельная иска-женность решетки, т. е. квазиаморфное. состояние, является основной причиной появления и усиления сверхпроводимости. В отдельных случаях сверхпроводимость удается сохранить до температур 15-20 К. [c.179]

Конденсатор постоянной емкости несколько большей величины можно получить, используя в качестве диэлектрика окись кремния. Одна обкладка такого конденсатора — сильнолегированная моно-кристаллическая полупроводниковая подложка, другая — тонкая металлическая пленка. За счет того что пленка SiOj наносится (или образуется) на монокристаллическую подложку, структура ее свободна от дефектов. Поэтому конденсаторы на основе SiOj могут работать при больших напряжениях. Температурный коэффициент их будет меньше 100-10" 1г С. [c.700]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...