Подложка полуизолирующая

Температурный контроль в реальном времени проводился в вакуумной камере для эпитаксиального наращивания пленок [5.29]. Подложка (кристалл полуизолирующего арсенида галлия) лежит на плоском нагревателе, температура которого изменяется от 25 °С до 600 °С. Спектр диффузного отражения aAs при облучении кристалла светом кварцевой лампы регистрировался в ближнем ИК-диапазоне через каждые 2 с в течение всего процесса, длящегося около 1 ч. Показано, что температура подложки ниже температуры нагревателя на 1004-150 °С. Погрешность измерения оценивается величиной 0,5 °С. [c.129]

Случай а) относится к более распространенному варианту размещения га-слоя На полуизолирующей подложке, в то время как б) относится к однородно легированному п-слою на р+-подложке. [c.85]

Чтобы понять, как возникает перенос заряда, на рис. 3.8 и 3.9 показаны электростатические потенциалы и электрические поля в материале. Потенциалы отсчитываются относительно дна зоны проводимости, потенциал затвора берется за начало отсчета при О В. На рис. 3.8 изображены распределения потенциала и электрических полей вдоль оси у (по нормали к плоскости устройства) для двух случаев. В случае (а) слой GaAs состоит из однородно легированного слоя п-типа на полуизолирующей подложке, в то время как случай (б) дает описание слоя п-типа [c.86]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...