Роль подложки

Для получения нитевидных кристаллов в производственных условиях используются периодические, полунепрерывные и непрерывные процессы. В первых двух процессах рост кристаллов происходит на массивных стационарных или движущихся подложках, а в непрерывном процессе роль подложки играют взвешенные в объеме газового потока микроскопические центры кристаллизации. [c.40]

Диаметр кристаллита кремния в зависимости от условий получения изменяется от долей до десятков микрон. Длина кристаллитов достигает 60—80 мкм. В условиях производства для получения нитевидных кристаллов используют периодические, полунепрерывные и непрерывные процессы. В первых двух процессах рост кристаллов происходит на массивных стационарных подложках. В непрерывном процессе роль подложки выполняют взвешенные в объеме газового потока микроскопические центры кристаллизации. [c.271]

Итак, при росте совокупности кристаллов из молекулярных пучков в результате естественного отбора образуются столбчатые кристаллы, направление роста которых совпадает с направлением молекулярного пучка. В таких совокупностях возможно развитие текстуры, причем тип текстуры может быть оценен априори. Такой вывод сделали, используя скорость роста кристаллов и стремление системы к наименьшей свободной энергии как факторы отбора. Подложка рассматривалась только как носитель совокупности кристаллов. Ни разу не предполагалось, что она может оказать какое-либо воздействие на закономерность развития совокупности кристаллов естественно, что и свойства подложки никакой роли не играли. В связи с этим установленные закономерности в какой-то мере ограничены, так как хорошо известно, что роль подложки при росте совокупностей кристаллов огромна. Однако полученные на этой стадии анализа результаты имеют принципиальное значение. [c.25]

Образование выростов не может связываться только с условиями роста покрытия. Роль подложки в этом процессе не менее существенна. Так, деформирование медной подложки как со стороны нанесения покрытия, так и с противоположной приводит к резкому увеличению количества выростов в области деформации. Однако следует иметь в виду, [c.89]

ЗИНЫ, черной прорезиненной ткани, поролона при использовании пассивных подложек (например, керамики, фторопласта-4), а также при отсутствии подложки свариваемый материал нагревается плохо. С увеличением толщины материала роль подложки заметно уменьшается. На фиг. 9 приведено распределение температуры по толщине материала для пакета из полиэтиленовой пленки общей толщиной 2,2 мм. Замер температуры производился при помощи четырех термопар (расположение термопар приведено на фиг. 9). По мере увеличения толщины материала температура в нем уменьшается в результате ослабления энергии излучения при прохождении через материал. В этом случае подложка (микропористая резина) получает очень мало лучистой энергии и практически не влияет на температуру материала. [c.13]

Для селеновых вентилей применяется возможно более чистый селен, содержащий селена не менее 99,99%, так как от степени чистоты очень сильно зависят такие параметры, как плотность тока, обратное напряжение и др. Селен может быть кристаллическим и аморфным. В производстве полупроводниковых вентилей используется кристаллическая модификация с температурой плавления 220° С. Роль акцепторной примеси исполняют собственные атомы, не вошедшие в кристаллическую решетку. Запирающий слой в виде селенида кадмия образуется при формовании у подложки. Благодаря повышенным плотностям тока и более широкому диапазону рабочих температур селеновые вентили в отличие от меднозакисных могут быть использованы в разных промышленных устройствах. Однако по своим параметрам они не могут конкурировать [c.278]

Образование пор в покрытии может играть заметную роль не только в формировании структуры покрытия, но и, как было сказано, влиять на результаты экспериментального определения прочности сцепления. Если, например, крупная пора (рис. 1) находится у границы раздела покрытие—подложка в зоне торца штифта, то естественно, что измеренная локальная (местная) [c.101]

Результаты испытаиий этих образцов приведены на рис. 32. С увеличением продолжительности предварительного отжига при 811 К поперечная прочность незначительно уменьшается после обработки О , а после обработки Т-б — максимальна при средних продолжительностях отжига. Исследование излома этих образцов показало, что основным типом разрушения является разрушение матрицы (в чистом виде или в сочетании с расщеплением волокон). Иногда матрица разрушалась путем отслаивания материала, нанесенного плазменным напылением, от фольги-подложки значит, из-за несовершенства связи прочность алюминия, занесенного путем плазменного напыления, может быть меньше прочности алюминиевой фольги. Меньшую роль играло разрушение по поверхности раздела между долей этого типа разрушения и продолжительностью предварительного отжига нет прямой связи. В случае обработки Т-6 низкие значения прочности при малых продолжительностях предварительного отжига, вероятно, обусловлены неполным переходом матрицы в твердый раствор, а при большей продолжительности отжига (160 ч)—тем, что усиливается расщепление волокон (причина этого явления пока неизвестна). Поперечная прочность данной серии образцов, как правило, не зависела от термической обработки, приводящей к изменению состояния поверхности раздела, так как расщепление волоков или разрушение матрицы происходило до того, как на- [c.224]

Следовательно, создание прочных, но достаточно редких связей покрытия с подложкой, способных обеспечить высокую адгезию, является необходимым, но недостаточным условием для защиты поверхности изделия от воздействия влаги. Поэтому антикоррозионные защитные покрытия наносятся в несколько слоев, каждый из которых выполняет определенную функцию. Верхние, кроющие слои играют роль диффузионного барьера и придают изделию товарный вид. Они наносятся на нижний слой, непосредственно касающийся защищаемой поверхности этот слой называют грунтом. Функция -его состоит в предотвращении или по крайней мере в торможении процессов, приводящих к коррозии. Для выполнения таких функций грунт должен, во-первых, состоять из пленкообразующего вещества, имеющего высокую адгезию к защищаемой поверхности, во-вторых, содержать специальные добавки, способные тормозить коррозию. В качестве таковых используют обычно пигменты, обладающие окислительными или щелочными свойствами — окислы свинца, хроматы, окись цинка и др. Растворяясь в воде, проникшей через покрытие, они пассивируют защищаемую поверхность, делая ее коррозионно более стойкой. Часто в грунты вводят порошки металлов, химически более активных, чем защищаемая поверхность. Эти порошки выполняют в грунте ту же роль, какую выполняет цинковое покрытие на железе окисляясь сами, они предотвращают от коррозии поверхность изделия. Хорошие результаты дает сочетание предварительного анодирования или фосфатирования поверхности с последующим нанесением на нее полимерной защиты. [c.94]

На кристалл п-германия 1 кладется навеска индия 2 (рис. 8.10, а). Кристалл помещается в графитовую кассету 3 и выдерживается в печи при 500—600° С в атмосфере водорода или аргона. При этом индий расплавляется и в виде капли 4 растворяет в себе германий (рис. 8.10, б). При медленном охлаждении из расплава выпадает германий 5, насыщенный индием. Он кристаллизуется в форме монокристалла, ориентированного одинаково с монокристаллом подложки. Так как германий, содержащий индий, обладает р-про-водимостью, то на границе закристаллизованного расплава и монокристалла германия, обладающего п-проводимостью, образуется р—/г-переход (рис. 8.10, в). Капля индия 6 на поверхности германия играет роль омического контакта, обладающего практически линейной ВАХ. Такие контакты используются для подсоединения приборов в цепь. [c.218]

Определяющую роль в работоспособности покрытия играет состав подложки. В табл. 13.2 приведены данные о стойкости к окислению распространенных диффузионных алюминидных покрытий на некоторых суперсплавах. Большие различия в сроках службы покрытий связаны с различным содержанием алюминия в подложке, что влияет на скорость диффузионного [c.103]

Важную роль в общей технологической цепочке играет процесс подготовки подложек, которые предварительно обрабатываются особо чистой озонированной водой и химически очищаются травлением в сильно разбавленной плавиковой кислоте. Подготовленная таким образом чистейшая поверхность покрывается тонким слоем окисла, путем обработки в особо чистой озонированной воде. Этот окисный слой играет защитную роль, предохраняя поверхность подложки от попадания на нее посторонних частиц. Все эти процессы осуществляются в чистых помещениях, а транспортировка подготовленных к эпитаксиальному процессу подложек осуществляется в специальных боксах, в атмосфере особо чистого азота. [c.89]

Можно было бы думать, что это связано с влиянием остаточного аус-тенита. При отпуске ниже 400°С он сохраняется и при быстром нагреве играет роль подложки , на которой зарождаются новые зерна 7-фазы, воспроизводя исходную ориентировку. Повышение температуры отпуска, вызывая распад остаточного аустенита, устраняет этот фактор, что приводит к неориентированному а 7-превращению и измельчению зерна. Однако такому мнению противоречат следующие экспериментальные факты [c.108]

Кроме перечисленных материалов, следует отметить фототер-мопластические слои, в которых регистрирующей средой является термопластическая пленка, нанесенная на прозрачный полупроводниковый слой. Роль подложки выполняет стеклянная пластинка с нанесенным на нее тонким прозрачным проводящим слоем, например слоем окиси олова. Поверх него нанесены слои фотопроводника и термопластика. [c.152]

Необходимо рассмотреть случай, когда образовагае покрытия из продукта разложения невозможно, так как оно термодинамически неустойчиво в данной среде. Однако если учесть роль подложки в этом процессе, то образование покрытия за счет продуктов разложения летучего [c.132]

Роль подложки в адгезионном взаимодействии так же значительна, как и роль материала пленки. Наибольшую трудность представляет получение адгезионнопрочных покрытий на гладких непористых подложках (металлы, стекло), а также материалах с низкой поверхностной энергией (некоторые полимеры). По адгезионной активности различные металлы ведут себя по-разному. Адгезионная прочность, как правило, уменьшается в ряду [c.88]

Из полученных данных следует, что если природа подложки не оказывает влияния на механизм и глубину отверждения покрытий, то она не влияет и на величину внутренних напряжений, возникающих в полимерных покрытиях в процессе их формирования. В этом случае роль подложки сводится к предотвращению свободной усадки покрытия, и, следовательно, внутренние напряжения можно рассчитать по их усадке и механиче-хким показателям. Подобные расчеты удовлетворительно согласуются с результатами опытов по непосредственному определению внутренних напряжений оптическим и консольным методами. [c.31]

Ряд работ, в частности [105], показали-значительную роль парамагнитных соединений в процессах структурирования нефтяных систем. Парамагнетизм материалов так же, как и ферромагнетизм, обусловлен сзодествованием нескомпенсированных спиновых магнитных моментов. В отличие от ферромагнетиков парамагнетики в обычных условиях немагнитны вследствие тепловой разориентации спиновых моментов. При наложении на парамагаетик внешнего магнитного поля спиновые магнитные моменты электронов преимущественно ориентируются по полю. Нами был проведен эксперимент, в котором на расплав нефтяного пека накладывалось электромагнитное поле. Вместо полл чаемых обычно спиральных кристаллитов на подложке остался след, воспроизводящий силовые линии магнитного поля. [c.205]

При определении Ру лаковой пленки на металлической подложке или компаунда, залитого в металлический стаканчик, подложка или стаканчик играют роль высоковольтного электрода. Для трубчатого образца измерительный электрод имеет длину 50—250 мм, высоковольтный электрод — соответственно 75— 300 мм, охранный электрод — ширину 10 мм. Между измерительным электродом и установленными с той и с другой стороны охранными электродами должен быть зазор 2 мм. Та же трехэлектродная система используется при измерении удельного поверхностного сопротивления твердых материалов, но в этом случае охранный кольцевой электрод должен выполнять роль высоковольтного, а высоковольтный электрод — назначение охранного это видно из способа включения трехэлектродной системы в измерительную схему (см. рис. 1-1). Для определения допускается применение ножевых или фольговых электродов в виде параллельных полос длиной 100 мм и шириной 10 мм с зазором между ними 10 мм. Но жевые электроды длиной 100 мм должны быть установлены на расстоянии 10 мм (рис. 1-9) они крепятся винтами к двум электродным металлическим брускам, изолированным друг от друга воздушным зазором. С нижней стороны каждого бруска имеются два ступенчатых отверстия с изоляционными втулками, через которые проходят винты для крепления брусков к основанию, расположенному сверху между основанием и брусками проложена изоляционная [c.24]

Распространена ошибочная точка зрения на роль неметаллического покрытия. Считают, что покрытие защищает металл от коррозии, пока оно не повреждено и держится на мета1ше. Это не так, коррозия металла начинается задолго до того, как покрытие разр -шилось. С другой стороны, даже с появлением единичных дефектов 3 покрытии его защитные функщш еще сохраняются. На прак-тике лимитирующим фактором непригодности покрытия в большинстве случаев считают отслоение его, от подложки и распространение дефекта. При оценке защитных свойств покрытий часто определяют физико-химическую стойкость материала покрытия, а состав металла и его реаюши с компонентами [c.46]

В методе точки росы , используемом для нахождения давления пара в районе расположения образца, естественно, большую роль играет подложка, от выбора которой, вообще говоря, может зависеть искомая критическая температура конденсации. Наиболее подходящим материалом для подложки, вероятно, мог бы служить такой материал, который бы практически не взаимодействовал с покрытием и на который перед проведением опыта наносится небольшой слой осаждаемого металла. Тогда для тех температурных зон конденсатора, для которых равновесная упругость паров выше внешнего давления пара над конденсатором, наблюдалось бы полное испарение хрома с поверхности. Очевидно, это соответствует температурам Т > Т . Для температур конденсации, меньших Тд, наоборот, наблюдалось бы только наращивание конденсата, следующего некоторой температурной завщ симости. Пограничная между этими двумя зонами температура, или точка росы , имела бы в этом случае четкую локалиг зацию. [c.123]

Хорошую связь керамического покрытия с металлом можно-получить, используя окисел на поверхности металла [2, 3]. Для-этого только необходимо, чтобы сам окисел был связан с металлом-достаточно прочно. Процесс такого соединения протекает в два-стадии 1) подготовительная, на которой осуш ествляется сближение соединяемых веществ на расстояния, требуемые для межатомного взаимодействия и 2) конечная, приводящая к образованию соединения, в которой главную роль играют процессы химического взаимодействия. Это взаимодействие требует определенной величины энергии для активации поверхности подложки, поскольку жидкая или пластичная частица покрытия не будет лимитировать процесс соединения. Энергия активации может сообщаться в виде тепла (термическая активация) или механической энергии упругопластической деформации подложки (при ударе частиц). Величина энергии активации будет зависеть от химического состава соединяемых окислов, энергии связи в окислах и типа электрон- ного взаимодействия. Материал покрытия и окисла на подложке необходимо подбирать в соответствии с диграммами состояния, которые описывают характер взаимодействия между соединяемыми материалами. [c.227]

Обязательное условие при получении таких покрытий — удаление окисных пленок с поверхности порошков исходных компонентов и подложки, а также безокислительный нагрев (вакуум, аргон) в процессе формирования покрытия [10]. Наиболее эффективным способом удаления окисных пленок является их восстановление. Главную роль здесь играет бор. Высокая дисперсность адюрф-ного бора позволяет равномерно распределить его в механической смеси и обеспечить хороший контакт с другими компонентами. При взаимодействии бора с окисными пленками протекает боротермическая реакция с образованием соответствующего борида и оксида бора. [c.80]

Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитаксией, а сами пленки — эпитаксиальньши. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества — гетероэпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Структурному совершенству зародышей способствует также низкая скорость их роста, которая достигается при малой степени пересыщения пара осаждаемого материала или его раствора (при эпитаксии из жидкой фазы). Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. Большую роль при этом играют винтовые дислокации (рис. 2.8). В простейшем случае онн представляют собой одноатомную, ступеньку, начинающуюся у оси [c.70]

Роль внутренних напряжений не сводится, однако, только к определению жизнеспособности пленочных структур и адгезионных соединений. При нанесении пленки на одну сторону подложки последняя оказывается нагруженной внутренними напряжениями несимметрично относительно среднего сечения АА (рис. 2.22, а). Если подложка не особенно толстая, а уровень напряжений в пленке достаточно высокий н сама пленка не очень тоно кая, то под действием силы F = Овн пл подложка может испытывать замет-кое, а иногда чрезмерно высокое коробление, изгибаясь в сторону пленки, когда в ней действуют напряжения растяжения (рис. 2.22, б), и в противоположную сторону, когда в пленке действуют напряжения сжатия (рис. 2.22, в). [c.88]

На поверхности помещенной в морскую воду твердой подложки собирается органика [3—6]. Независимо от того, является ли такой ор- ганический слой гликопротеидным [7] или гуминовым [8] по своей природе, его присутствие влияет на поверхностный заряд [6, 9] и смачиваемость [10] подложки, что, несомненно, играет важную роль в процессе закрепления бактерий на рассматриваемой поверхности [И]. [c.431]

Пасты для толстопленочных проводников. Для изготовления толстопленочных проводников применяют материалы трех типов металл (или функциональный материал), стеклофазу, выполняющую роль постоянного связующего, и смесь органических жидкостей. Каждый из этих компонентов играет свою роль в формировании свойств композиции. Металл (функциональный материал) обеспечивает образование проводящих дорожек, стекло удерживает частицы функционального материала в состоянии точечных контактов в течение обжига и адгезирует проводник к подложке, органические жидкости делают смесь материалов пригодной для трафаретной печати. [c.470]

Н. к. могут расти из разных сред из газовой (паровой) фазы, раствора, твёрдой фазы. Наиб, типичен рост Н. к. из газовой фазы. Напр,, Н. к. Si растут при реакции Si l4 -f- 2Hj 7 Si 4H I. При этом механизм их роста в длину происходит, как правило, по схеме пар — жидкость — кристалл. На вершине растущего кристалла находится капля раствора кристаллизуемого вещества (в данном случае Si) в к.-л. др, веществе (напр., Ап). Эта капля играет роль катализатора роста термодинамически возможная, но кинетически заторможенная реакция протекает преим. на поверхности капли раствора, создавая в ней необходимое пересыщение. Атомы диффундируют сквозь каплю и осаждаются на границе жидкость — кристалл, а капля отодвигается, оставаясь всё время на вершине Н. к. и почти не изменяясь в размерах. В итоге Н. к. растут лишь на тех участках подложки, на к-рых был растворитель (рис. 1). Такой механизм объясняет мн. особенности роста Н. к. (в т. ч. роль примесей, к-рые [c.357]

ОПТИКА ТОНКИХ СЛОЕВ — раздел физ. оптики, в к-ром изучается прохождение света через один или последовательно через несколько непоглощающих слоёв вещества, толщина к-рых соизмерима с длиной световой волны. Специфика О. т. с. заключается в том, что в ней определяющую роль играет интерференция света между частично отражаемыми на верхних и нижних аницах слоёв световыми волнами. В результате интерференции происходит усиление или ослабление проходящего или отражаемого света, причём аффект зависит от вносимой оптической толщиной слоёв разности хода лучей, длины волны (или набора длин волн) света, угла его падения и т. д. Тонкие слои могут быть образованы на массивной подложке из стекла, кварца или др. оптич, среды с помощью термич. испарения вещества и его осаждения на поверхность подложки, хим. осаждения, катодного распыления или хим. реакций материала подложки с выбранным веществом. Для получения таких слоёв используют разл. окислы AljOg (1,59), Si02(l,46), 423 [c.425]

Материалы, полученные методом самосборки . Важную роль в изготовлении микрочипов для медицинской диагностики (см. рис. 5.10) играет управляемая сборка ДНК-структур. Различные типы ДНК закрепляются на твердых подложках (кремний, стекло, полимеры). Такие ДНК-матрицы могут включать от 10 до 10 сайтов, в каждом из которых содержится от 10 до 10 аминокислот. Контакт матрицы ДНК с раствором исследуемого образца, содержащим неизвестные последовательности ДНК, позволяет путем комплементарности проводить диагностику. Отмечается также, что гибридизация ДНК приводит к возникновению электрических полей, которые в свою очередь полезны для самосборки и образования трехмерных структур ДНК. [c.145]

При определенных температурах нагрева композиции перед прессованием и определенных режимах этого процесса границы между частицами алюминия исчезают и полученный по такой технологии модифицирующий пруток можно считать композиционным материалом. Такие прутки выполняют роль носителя модификатора — при их введении в расплав алюминиевая матрица расплавлялась и частицы НП оказывались в объеме жидкого металла, минуя контакт с атмосферой. Экспериментально установлено, что независимо от химиче-ското состава НП, их кристаллической системы и класса, элементов симметрии, пространственной группы, структурного типа, периода решетки, плотности, температуры плавления и других рассмотренных параметров все они обладали близким модифицирующим эффектом. Как показали результаты исследований, зарождающая способность частиц НП определяется самой технологией изготовления модифицирующих композиций — совместным прессованием частиц алюминия иНП и способом их введения в расплав. В результате прессования исключительно твердых частиц НП в контакте с алюминием, обладающим высокой пластичностью, происходят его нагрев и дополнительное повышение характеристик пластичности, при этом на поверхности частиц образуется монослой алюминия, который впоследствии и служит подложкой для наращивания кристаллического материала при охлаждении и затвердевании металла. [c.261]

Для всех покрытий в высокоагрессивных средах важную роль играет изолирующий механизм, т.е. покрытие должно предотвратить непосредственный контакт среды и подложки. Эту проблему можно решить двумя путями увеличить толщину мономерного покрытия в рамках одного материала или использовать многослойные различные композиционные материалы типа сендвичного покрытия. Увеличение толщины монопокрытия приводит, как правило, к возникновению внутренних напряжений и нарушению их механической устойчивости. [c.226]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...