Диэлектрические подложки

Каковы основные требования, предъявляемые к диэлектрическим подложкам [c.56]

Тугоплавкие металлы имеют достаточно высокое р и сравнительно небольшой ТКр, Эти металлы и их сплавы применяются для изготовления нагревательных элементов, работающих в вакууме или в инертной среде, термопары для измерения высоких температур. Тонкие плёнки (десятки -сотни нанометров) тугоплавких материалов, нанесённые на диэлектрические подложки, используются в качестве резисторов в интегральных микросхемах. [c.28]

Проводимость островковой пленки определяется размером островков и средним расстоянием между ними, проводимость основного металла при этом не существенна. Транспорт электронов в островковых пленках осуществляется посредством эмиссии Шот-ки и туннелированием через зазор между островками и диэлектрическую подложку. Для большинства островковых пленок ТКС имеет отрицательные значения. Сопротивление таких пленок очень сильно зависит от изменения расстояния между островками и, следовательно, от коэффициента линейного расширения подложки. [c.434]

Материалы контактных площадок и пленочных проводников должны обладать высокой адгезией к диэлектрической подложке или кремнию и окиси кремния, металлургической совместимостью с материалами, применяемыми для монтажа интегральных и гибридных интегральных схем. [c.445]

Если излучением режутся диэлектрические материалы или тонкие металлические пленки на диэлектрических подложках, то, как правило, из-за малой температуропроводности среды (k < [c.111]

Формулы (111) и (113) могут оказаться полезными при расчете режима скоростной резки излучением СОа-лазера тонких металлических пленок, нанесенных на диэлектрические подложки и способных окисляться и гореть (например, пленок хрома). При больших скоростях резки, когда u alk > 1, максимальная температура развивается на краю движущегося пятна и равна согласно формуле (104) температуре поверхности полупространства, нагреваемой в течение времени t — 2а/Uq прохождения световым пятном своего диаметра. Если за это время температура поднимется до величины Т , то пленка вспыхнет и сгорит. Таким образом, приравнивая время i = 2а/времени индукционного периода реакции окисления в формуле (ПО), можно определить [c.116]

Автокатоды из пасты с нанотрубками (У) наносятся на проводящую пленку из серебра (2), которые нанесены на диэлектрическую подложку (J). [c.263]

При сварке плавлением металлических проводников с металлической пленкой, имеющейся на диэлектрической подложке, растворение подслоя пленки не уменьшает прочности контакта. Исследователи этого процесса предполагают, что при сварке плавлением в переходном слое образуются химические соединения металла со стеклом, которые обладают высокой прочностью. [c.516]

Особый интерес представляет дифракционная решетка, состоящая из тонких металлических лент, размещенных на диэлектрической подложке с проводящим основанием, в связи с технологичностью ее изготовления в оптическом и микроволновом диапазонах воли. На рис. 132 представлены линии равного уровня Wh при возбуждении такой решетки плоской Е-по- [c.192]

Светочувствительная система изготовлена последовательным нанесением на диэлектрическую подложку металлического, а затем полупроводникового слоев. Область спектральной чувствительности системы соответствует естественной полосе поглощения полупроводникового материала и поэтому может перекрывать довольно широкую область. [c.137]

Рнс. 2.2. Управляемая структура в виде С-секции / — токонесущий проводник 2,4 — диэлектрические подложки 3 — управляющая полоска 5 — заземляемое [c.35]

Проводники 1. 2. 3 горизонтальной решетки (на рисунке обозначены соответствующими позициями проводники только правой половины симметричной относительно вертикальной оси конструкции связанных линий) нанесены на диэлектрическую подложку 8 с металлизированным основанием 9. В прорезь в подложке 8 вставлена подложка 7. На подложку 7 нанесены проводники 4, 5, 6 вертикальной решетки. Проводники /—6 образуют группу Л, обведенную штриховой линией на рис. 4.14. Проводники 1, 2, 3 горизонтальной решетки соединены параллельно регулирующими диодами, которые по постоянному току, благодаря включению их в схему через разделительные емкости, управляются независимо друг от друга. Проводники [c.103]

К о р о л е в Ф. А., Г р и д II е в В. И. Оптические и радиочастотные характеристики многолучевого интерферометра с дифракционными зеркалами на тонких диэлектрических подложках. Вестник Московского Университета , tp. Физика, 1963, К 4, стр. 14—17. [c.239]

Высокопроизводительная специализированная установка для контактной микросварки ЭМ-440, приведенная на рис. 5.16, предназначена для автоматического присоединения проволочных выводов из золота и серебра (диаметром 30...40 мкм) к тонким пленкам из золота, никеля и серебра, напыленных на диэлектрические подложки (при производительности до 2500 сварок/ч). Процесс односторонней контактной микросварки на этой установке осуществляется сдвоенным (расщепленным) электродом при усилиях сжатия 0,1...1,2 Н. [c.253]

И кремниевые пластины с большим количеством дефектов [3.26—3.29]. Время жизни носителей заряда сильно сокращается. Высокая концентрация дефектов достигается быстрым напылением на диэлектрические подложки или ионной имплантацией. При этом в слое в от- [c.130]

Аэродромные исследования. Электрические пульсации, возникающие вследствие истечения заряженной реактивной струи из двигателя АИ-25 самолета ЯК-40, измерялись двумя типами зондов металлическим электродом размером 62 х 21 см (медная фольга) с диэлектрической подложкой, наклеенным на фюзеляж самолета, и переносным зондом размером 10 см. Изолированный электрод на фюзеляже самолета через кабель длиной 20 м соединялся с осциллографом. Входное сопротивление осциллографа = 10 Ом, емкость зонда с подводящей цепью (7 5 10 Ф. Среднее расстояние зонда от среза сопла двигателя 0.5 м. В процессе испытаний варьировалась скорость двигательной струи посредством уменьшения приведенного числа п оборотов компрессора двигателя. В результате обработки осциллограмм определялись амплитуда А и характерная частота О электрического сигнала. С помощью специальной методики измерялся ток выноса J двигательной струи. [c.621]

Интегральные пленочные микросхемы предусматривают изготовление всех схемных элементов в виде чередующихся в определенной последовательности тонких пленок различных материалов, осажденных на диэлектрическую подложку. Технология изготовления таких пленок может быть самой различной, однако в большинстве случаев это конденсация пленок при испарении в вакууме. [c.149]

При осаждении полупроводниковых пленок в вакууме приходится иметь дело именно с поликристаллическими пленками, так как диэлектрическая подложка имеет аморфную или мелкокристаллическую структуру, в связи с чем отсутствует ориентирующее действие подложки при конденсации слоя. Размер отдельных кристаллитов, как известно, зависит от природы испаряемого вещества, температуры подложки, скорости конденсации слоя и толщины слоя. [c.164]

Для получения металла с оксидным слоем тонкую титановую пленку (осажденную испарением титана в вакууме иа диэлектрическую подложку) анодно окисляли при высоких плотностях тока в водном растворе этилового спирта и щавелевой кислоты [183]. В таком конденсаторе емкость при напряжении формовки 22 В была равна 0,55 мкФ/см , а при напряжении формовки 112 В составляла 0,12 мкФ/см . Отмечена высокая стабильность величин емкости и тангенса угла потерь в интервале температур от —200 до +150°С. [c.129]

Установим зависимость температуры поверхности конденсации от параметров нанесения для нескольких наиболее важных случаев а) неподвижная металлическая подложка б) неподвижная диэлектрическая подложка в) движущаяся над испарителем стальная полоса. [c.29]

Универсальность метода испарения и конденсации в вакууме позволяет наносить покрытия на различные диэлектрические подложки пластмассы, бумагу, стекло, керамику, ткани. Много работ посвящено электрическим, магнитным и оптическим свойствам тонких пленок на диэлектриках, в то время как вопросам нанесения защитно-декоративных покрытий, а также металлизации рулонных и листовых полимерных материалов уделяется недостаточно внимания. [c.301]

В заключение рассматриваются некоторое другие возможные приложения развитого подхода к задачам исследования переходных слоев на границе двух сред (адсорбция ингибиторов на поверхности металлов, исследование начальных стадий осаждения металлов на диэлектрические подложки, заряжение поверхности ионных крк-сталлов при сколах). [c.123]

Обмотки накладных ВТП, работающих на частотах 0,1. .. 5 МГц и выше, выполняют в виде печатной платы, применяя методы фотолитографии. Это дает высокую степень идентичности отдельных экземпляров обмоток, повышает технологичность ВТП и позволяет создавать миниатюрные ВТП. На рис. 59 показана конструкция катушки накладного ВТП с печатными обмотками. Он используется в толщиномере для измерения толщины диэлектрических покрытий на электропроводящем основании и работает на частоте 10 МГц. Спиральные печатные обмотки 2 ( 7. .. 14) выполняют на обеих сторонах гибкой диэлектрической подложки и наклеивают на каркас I. [c.405]

Конструктивно тензорезистор представляет собой проволочную или фольговую решетку, закрепленную на тонкой пленочной диэлектрической подложке. В чистом виде тензорезисторы не применяются. При изготовлении датчиков они, как правило, наклеиваются на объект, который под действием физической величины деформируется. На основе тензорезисторов изготавливаются датчики давления, силы и др. [2]. [c.885]

При этом глубина фрезерования диэлектрической подложки составляет 0,5—1 мм, что обеспечивает необходимую электрическую изоляцию между линейками автокатодов, а их электрические выводы могут осуществляться за счет отрезки впаянной фольги или приклейкой проводящим клеем соответствующих выводов. Экспериментальные исследования [342] показали хорошую стабильность автоэмиссии таких линейчатых автокатодов. Матричные катоды из графита типа МПГ-6 наиболее удобны для применения в диодном режиме. Одним из вариантов использования таких матриц кроме плоских дисплейных экранов являтюся специальные электронные приборы, требующие достаточно большого эмиссионного тока каждого элемента, например, для подогрева термокатодов. [c.257]

Рис. 7.13. Конструкция дисплейного экрана с обратной геометрией I — автоэмисси-онный катод на основе пасты с нанотрубками 2 —проводящая серебряная пленка 3 — диэлектрическая подложка 4 — стеклянная подложка 5 — пленка Сг с ITO 6 — люмино4юр трех 1(ветов 7 — траектории электронов

Наиболее существенное отличие рис. 125 от рисунков, представленных выше, заключается в наличии регулярной сетки линий = О, которая разбивает всю плоскость (х, /г//) на острова с высоким уровнем автоколли-мационного отражения. При этом, как и раньше, предельный уровень концентрации энергии в минус первой гармонике разный для различных режимов возбуждения и часто достигает единицы. Тот факт, что вариацией величин 0 и 8 удается повысить уровень W% до единицы, говорит о перспективности практического использования ленточных решеток с диэлектрическими подложками. [c.181]

При использовании тонкой (менее микрометра) диэлектрической пленки на подложке взаимодействие заряда, наведенного на каком-либо участке поверхности пленки электронным лучом или приложенным напряжением, с зарядом на подложке (электроде на ней) приводит к изгибу пленки на этом участке и изменению фазы Прошедшего или отраженного от него света. Можно использовать также металлизированную пленку, натягиваемую в этом случае на диэлектрическую подложку с перфорацией, под KOTopofi находится управляюший электрод (рис. J.5). Как и в tiepBOM случае, для изгиба пленки (мембраны) требуется преодолеть силу поверхностного натяжения, причем глубина изгиба [3] [c.30]

Рис. 1.2. Связанные полосковые лнннн с планарным расположением полосок на диэлектрической подложке

TGD — тангенс угла диэлектрических потерь tg6 диэлектрической подложки с ег-DE2 — абсолютный допуск на диэлектрическую проницаемость второй подложки с ег-DHI, DH2, DH3, DX — абсолютные допуски на толщины диэлектрических подложек и длину по х, мм. KRFAZA — заданное значение фазового сдвига, град. [c.115]

В ряде случаев (например, в специализированных серийных установках Контакт-ЗА, ЭМ-425А, Я2М2.332.021-01) высокая точность совмещения при односторонней точечной контактной микросварке проволочных выводов диаметров 25...60 мкм из золота, серебра и контактных площадок из этих материалов, алюминия и тантала, напыленных на диэлектрические подложки полупроводниковых приборов и гибридных интегральных схем достигается пропусканием привариваемой проволо- [c.252]

Микросхемы СВЧ применяют в приемно-передающих устройствах дециметрового и сантиметрового диапазонов волн и строят по принципу несимметричных микрополосковых линий (рис. 130). На верхнюю сторону диэлектрической подложки I, выполненной из поликора или брокернта, наносят одним из методов пленочной технологии [c.223]

В вычислительных устройствах, ракетостроении и авиационной промышленности все шире применяются многослойные и гибкие печатные платы. Технология изготовления печатных плат заключается в фольгировании диэлектриков, т. е. в приклеивании металлической фольги к диэлектрической подложке с последующим удалением неработающих участков металла. В печатных платах применяют медную электролитическую фольгу толщиной 30— 50 мкм диэлектриками служат листовые полимерные материалы, стеклопластики, эпоксидно-фенольные смолы и др. Для улучшения адгезии перед склеиванием с диэлектриком фольгу оксидируют и искусственно создают на стороне, обращенной к подложке, повышенную шероховатость. В процессе горячего прессования в фоль-гированном диэлектрике возникают внутренние напряжения из-за разности температурных коэффициентов расширения металла и подложки, что приводит к короблению плат при стравливании неработающих участков фольги. Особенно сильно это проявляется при большой толщине фольги и тонком диэлектрике. [c.325]

Толщину тонких пленок целесообразно контролировать эллипсометрическим радиоволновым методом, при этом толщина тонких металлических пленок на диэлектрических подложках определяется по величине азимута, а толщина диэлектрических покрытий на металле - по величине эллиптичности отраженной СВЧ-волны. При отражении от указанных систем измеряется только один поляризационный параметр, а другой остается постоянным в пределах точности измерений. [c.438]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...