Подложки из ситаллов

Сравнительные исследования свойств тонкопленочных компонентов, изготовленных на ситалле и других материалах, показали несомненное преимущество первых. Резисторы, изготовленные на ситалле, имеют меньший разброс сопротивлений по подложке, максимальный выход годных конден- [c.418]

Низкотемпературная термообработка не влияет на изменение фазового состава ситаллов. При осаждении тонких слоев подложка, как правило, [c.420]

Для нанесения электродов керамических конденсаторов, для изготовления проводников и резисторов толстопленочных микросхем широко используют проводящие и резистивные пасты. Пасты обычно наносятся методом вжигания, поэтому подложка (керамика, стекло, ситалл) должна выдерживать необходимый режим термообработки. [c.45]

Подложка—диэлектрическое основание, на поверхности которого выполняются или размещаются все рабочие элементы схемы (резисторы, конденсаторы, транзисторы, диоды, соединительные проводники, контактные площадки). Материал подложек—ситалл, стекло, керамика Основные требования к материалам подложек — высокие механические и диэлектрические свойства, хорошее согласование по температурному коэффициенту расширения с материа- [c.685]

Возможно приваривать выводы и к напыленным на стекло, ситалл и другие материалы слоям из Аи, А1, Си, N1—Сг—N1 и т. д. [27, 50]. Хорошее качество таких соединений достигается только при высокой величине адгезии пленки к подложке пленка в месте сварки не нарушается [27, 50]. На рис. 73 показаны примеры пленочных схем с проводниками из алюминиевой фольги [63]. [c.153]

В последнее время в микроэлектронике широко используют си-таллы. Для получения этого класса материалов в расплав, в котором приданных условиях центры кристаллизации отсутствуют, их искусственно вводят, например, в виде инородных частиц. Такие материалы обладают заранее заданными свойствами. Пластины из ситалла могут служить не только подложками, но и при тонкопленочной технологии коммутационными платами, на которые разводку наносят вакуумным термическим или ионно-плазменным напылением. Керамику обычно получают из смеси специально подобранных оксидов, которую термообрабатывают при высоких температурах, не доводя ее до плавления. Это значительно удешевляет технологический процесс, позволяет использовать оксиды, имеющие высокие температуры плавления, и предварительно до высокотемпературной обработки формовать изделия прессованием, литьем керамической массы и другими способами. [c.51]

На основе этих композиций были получены стеклокерамические покрытия толщиной 15—20 мкм на подложках из нтхкеля, нержавеющей стали и ситалла СТ-50 кратковременным обжигом при температуре 780—800 С в течение 2 мин. Микроскопическил исследованием образцов при ПО.МОЩИ микроскопа МИМ-7 с увеличением Х240 было выявлено, что покрытия, содержащие наполнитель в пределах 60— 80 мае. %, имеют прочное сцепление с подложкой, получаются гладкими и сплошными, не имеют сколов и трещин. Покрытия, содержащие более 80 мас.% наполнителя, плохо сцепляются с подложкой, образуют трещины и сколы, а покрытия с 50 мас.% (и менее) наполнителя имеют микропоры, и распределение наполнителя в них менее равномерно. [c.106]

Различают несколько бсновных типов реакций осаждения избранных компонентов на заданных подложках (например, на металлах, графите, кремнии, кварце, ситаллах, стекле, каменной соли). [c.44]

Для тонкопленочных микросхем применяют базовые пластины из ситалла или стекла размером 60 х 48 х 0,5 мм, для микрополосковых схем — из поликора размером 30 Х 24 X 0,5 мм. У полупроводниковых интегральных схем базовые пластины имеют форму круга с диаметром 30—40 мм. После изготовления элементов базовую пластину разламывают (скрайбируют) на отдельные подложки индивидуальных микросхем. Длина и ширина подложки у индивидуальной тонкопленочной и микрополосковой схем определяются кратным делением размеров базовой пластины, а у полупроводниковых микросхем они примерно равны 1,5 X 1,5 мм. У толстопленочных микросхем базовых пластин нет каждая подложка отдельной микросхемы, выполненная из керамики 22 ХС, имеет габариты 11 Х 11 Х 1,5ммили16 Х 10 Х 1,5 мм. [c.221]

По механическим свойствам ситаллы также более пригодны для поставленной задачи (не имеют волнистости, чистота обработки может не уступать обработке стекол). Однако их теплопроводность не может быть повышена более чем в 2 раза. В этой связи представляет интерес высокоглиноземистая керамика 22ХС, покрытая с одной стороны с целью увеличения класса чистоты слоем бесщелочного стекла — глазурью Уралит . Слой глазури толщиной 70—100 мкм уменьшает теплопроводность стекла в 3 раза (теплопроводность керамики, по данным [4], при температуре 300 °К равна 12,48 вт м-град). Правда, покрытие глазурью хотя и понижает шероховатость до 250 А, делает поверхность подложки волнистой. Это снижает ее преимущества при исследовании в резисторах, однако данные [5] говорят о том, что можно получить глазурованные подложки с достаточно гладкой стекловидной поверхностью. В этом случае керамические материалы могут стать наиболее перспективными для резистивных элементов. [c.90]

Применение МИО обеспечивает получение отверстий диаметром 50 мкм в ситалло-вых подложках интегральных схем толщиной 0,6 мм для осуществления монтажа получение отверстий в изолирующих керамических прокладках для прецизионных коаксиальных кабелей. [c.306]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...