Подложка проводящая

ВЭЭ из металлов и полупроводников. В металлах и полупроводниках максимальное значение Ят обычно лежит в пределах 0,5—1,8 (табл. 25.19—25.21 и рис. 25.31—25.38). В некоторых диэлектриках (щелочногалоидные кристаллы, MgO) От значительно больше (10—35). Это обусловлено большой глубиной выхода вторичных электронов из этих материалов (20—100 нм). Наличие в диэлектрике сильного электрического поля, направленного от эмитирующей поверхности в глубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны), приводит к значительному увеличению а. Сильное поле обычно создается электронной бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на проводящей подложке при такой энергии [c.582]

Стекло в форме стержней и трубок находит применение нри изготовлении сопротивлений. Стеклянные стержни часто используют в качестве подложки для проводящих угольных полос в углеродистых сопротивлениях, а иногда в качестве сердечников металлизированных и угольных пленочных сопротивлений. Стеклянные трубки используют в качестве сердечников мощных и высокочастотных сопротивлений, а также для герметизации сопротивлений. Обычно в качестве изоляции и опоры рабочих элементов в сопротивлениях применяют два сорта стеклу так называемые твердые стекла, содержащие окись бора, и щелочные стекла, не содержащие бора. Борсодержащие стекла наиболее чувствительны к структурным нарушениям при облучении. Имеются опытные данные, показывающие изменения диэлектрических свойств и цвета борсодержащих стекол под действием излучения. Электросопротивление этих стекол снизилось на 90% с последующим восстановлением после облучения до 65% исходной величины. Размеры облученных образцов из борсодержащего стекла изменились примерно на 1 %, тогда как в щелочных стеклах эти изменения не превышали 0,06%. Эти изменения размеров борсодержащих стекол могут вызвать растрескивание, разрыв поверхности изоляционного слоя и привести к выходу сопротивлений из строя. [c.399]

В нашей промышленности получили развитие многие способы изготовления печатных схем. Их принципиально можно разбить на две группы избирательного удаления и избирательного нанесения проводящего материала. Первые создаются по способу травления и удаления ненужных участков медной фольги с изоляционной подложки. Вторые изготовляются способом осаждения меди из раствора, вжиганием, испарением в вакууме и прессованием. В тех случаях, когда требуется иметь пересечения проводников, используется не одностороннее, а двустороннее расположение проводников на изолирующем основании. Двухсторонняя печатная плата с осажденными проводниками представлена на рис. 81. [c.420]

При использовании пленочной технологии на подложку наносятся проводящие, диэлектрические, ферромагнитные и резистивные пленки преимущественно способом термического испарения в вакууме. Такими же способами возможно выполнять и активные элементы схемы полупроводниковые диоды и триоды. Конечно, такое производство пока еще очень сложно, требует высокой тщательности и почти полной его автоматизации. Но зато изделия, полученные таким способом, обладают исключительной надежностью. [c.420]

Материалы (пасты и др.) толстопленочной технологии предназначены для нанесения на керамическую подложку резистивных, диэлектрических, контактных и проводящих слоев. Для создания необходимой топологии отдельных слоев используются трафареты из сетчатых материалов с очень малым размером ячеек. В соответствии с топологией на определенных участках трафаретов ячейки заполняются эмульсией, предохраняющей подложку от попадания пасты на эти участки. Пасты, нанесенные на подложку, приобретают необходимые свойства при температуре испарения органической связующей компоненты пасты и спекания материала. [c.411]

Электролитическое осаждение осуществляется в специальных ваннах, заполненных электролитом и содержащих анод и катод (подложка). В качестве катода используют проводящие материалы, анод выполняют из инертного по отношению к электролиту материала или из материала, из которого осаждается пленка. [c.433]

Рис. 7.5. Принципы конструкций источников света а, б — на просвет в — на отражение. I — стержневой автокатод 2 — модулятор 3 — поток электронов 4 — люминофор 5 — прозрачное проводящее покрытие 6 — выходное стекло 7 — видимый свет 8 — алюминиевое покрытие 9 — сетка 10 — катодная матрица II — подложка

Автокатоды из пасты с нанотрубками (У) наносятся на проводящую пленку из серебра (2), которые нанесены на диэлектрическую подложку (J). [c.263]

К П. л. относятся копланарная (рис. 1, ) и щелевые (рис. 1,и) линии. Все проводящие полоски этих линий расположены с одной стороны подложки. Поэтому они допускают монтаж активных элементов, в т. ч. соединение с землёй , с одной стороны подложки и удобны для создания монолитных ИС. В сочетании с П. л., нанесёнными на др. сторону подложки, они существенно расширяют возможности создания разл. конструкций ИС, [c.29]

Особый интерес представляет дифракционная решетка, состоящая из тонких металлических лент, размещенных на диэлектрической подложке с проводящим основанием, в связи с технологичностью ее изготовления в оптическом и микроволновом диапазонах воли. На рис. 132 представлены линии равного уровня Wh при возбуждении такой решетки плоской Е-по- [c.192]

Первой стадией электрофотографического процесса является зарядка фотополупроводникового слоя (рис. IX, За), который получает некоторый потенциал. Величина потенциала определяется удельным сопротивлением этого слоя и с течением времени несколько уменьшается, но резкое падение происходит лишь при освещении полупроводникового слоя, в результате чего заряды стекают с этого слоя на проводящую подложку 2 (рис. IX, 4). Заряды, сохранившиеся на неосвещенных участках слоя, образуют невидимое изображение (рис. IX, 36). Эту стадию называют экспонированием. [c.288]

Рис. IX, 4. Адгезия при электрофотографии I — полупроводниковый слой 2 — проводящая подложка S — частицы проявителя 4 — частицы носителя 5 — бумага или формная основа 6 — отпечаток 7 — проявленное изображение (в, г, д — стадии процесса, соответствующие приведенным на рис. IX, 3).

Наиболее очевидные измерения, которые следовало сделать при движении трещины на участке старт—остановка,— это измерения скорости трещины. Самый простой путь для этого заключается в измерении положения фронта трещины в зависимости от времени при помощи решетчатого датчика, расположенного на поверхности образца. Когда трещина проходит под проводящей нитью датчика, последняя разрывается и на выходе датчика происходит ступенчатое изменение напряжения. Предварительные эксперименты показали, что для успешных измерений необходим тонкий слой пластичного изолятора и проводника. Если бы суммарная толщина этого слоя была бы достаточно мала (порядка 0,05 мм), то, по видимому, он разорвался бы вместе с подложкой, даже если бы был более пластичен, чем последняя. Было опробовано значительное число материалов для подложек, и наиболее обещающим изолирующим слоем оказалось тонкое лаковое покрытие. [c.78]

Измерение пленок на проводящей подложке. Необходим второй электрод [c.263]

Электронно-оптический преобразователь состоит из вакуумированного до 1,33-10 Па стеклянного баллона, в котором размещается многослойный входной экран— катод и в 10 раз меньший его выходной экран— алюминиевый анод (рис. 77). Входной экран представляет собой алюминиевую подложку сферической формы, на которую нанесен слой люминофора из сульфида цинка и контактирующий с ним сурьмяно-цезиевый полупрозрачный фотокатод. Под действием рентгеновского излучения люминесцирующее вещество начинает светиться, вызывая испускание электронов фотокатодом. Эти электроны фокусируются фокусирующим электродом, которым служит внутренняя поверхность баллона, покрытая проводящим слоем. К покрытию подведено постоянное напряжение 300 В. Под действием электрического поля и напряжения 25 кВ между анодом и катодом фотоэлектроны устремляются к аноду, внутри которого размещена стеклянная пластинка, покрытая люминофором (цинк-сульфид-селенид). Это и есть выходной экран, который под действием фотоэлектронов начинает светиться. Изображение на этом экране для визуального наблюдения отклоняют с помощью системы зеркал или рассматривают через свинцовое стекло. С помощью телевизионных систем его также передают на расстояние и рассматривают на приемном телеэкране. [c.134]

Для нанесения электродов керамических конденсаторов, для изготовления проводников и резисторов толстопленочных микросхем широко используют проводящие и резистивные пасты. Пасты обычно наносятся методом вжигания, поэтому подложка (керамика, стекло, ситалл) должна выдерживать необходимый режим термообработки. [c.45]

Пластниа выполнена в виде полированной проводящей подложки (алюминий, латунь, а также стекло или бумага с проводящим покрытием), на которую тонким слоем в вакууме нанесены полупроводниковые материалы (аморфный селен, антрацен и др.). Удельное электрическое сопротивле-)1ие полупроводниковых слоев составляет 10 —10 Ом-см до облучения рентгеновским или -у-излучением и 10 —10 Ом-см при облучении. [c.344]

Перед просвечиванием электрора-диографическую пластину (рис. 48) электрически сенсибилизируют, т. е. на ее поверхность наносят равномерный электрический заряд, при этом проводящую подложку заземляют. Для зарядки пластину закрепляют на подвижной каретке, размещенной в светонепроницаемой камере, и прокатывают вместе с кареткой под электродом, находящимся под высоким напряжением — от 5 до 10 кВ относительно заземленной подложки. В процессе перемещения между проволокой и подложкой возникает коронный разряд, который создает ионы, равномерно распределяющиеся по поверхности чувствительного слоя, при этом потенциал пластины может достигать 600 В. Время зарядки составляет 10—15 с. Заряженную пластину помещают в светонепроницаемую кассету, в противном случае электростатический заряд быстро исчезает. В кассете заряженную пластину можно хранить [c.344]

Проведенные эксперименты показали, что в случае нанесения полупроводящей эмали на изоляционный грунт ток проводимости от поверхности эмали к подложке не может идти через грунт из-за его высокого сопротивления, а, по-видимому, растекается по пленке эмали к кромке покрытия. Действительно, если эмаль наносить на загрунтованный образец так, чтобы она не касалась кромки металла, сопротивление покрытия с увеличением толщины не уменьшается, а остается па уровне сопротивления грунта. В этом случае величина измеренного сопротивления должна, казалось бы, зависеть от расположения измерите.чьного электрода по отношению к кромке образца. Однако сопротивление покрытия, измеренное в разных точках аппарата объемом 1 м находится в пределах 7 10 —1.5-10 Ом и практически не зависит от месторасположения электрода. Это позволяет предполагать, что при больших площадях эмалирования в утонченных местах грунта возможно образование в нем проводящих зон. [c.122]

Обычно пленочные сопротивления изготовляются двух типов с защитными покрытиями и влагостойкие. Сопротивления с защитными покрытиями применяют главным образом в высокочастотных схемах, работающих в отсутствие влажности. Влагостойкие сопротивления представляют собой либо герметически запаянные с помощью серебряного припоя в керамические чехлы стандартные сопротивления с осажденной пленкой, либо сопротивления, спрессованные и герметизированные с помощью эпоксидной смолы. Проводящий слой всех пленочных углеродистых сопротивлений наносится путем пиролитического осаждения углерода на подложки из стеатита, окиси алюминия или стекла. Таким образом, степень радиационных нарушений в пленочных углеродистых сопротивлениях зависит от выбора материала, тина сопротивления и технологии изготовления. При изучении сопротивлений с осажденными пленками можно пренебречь влиянием излучения на керамические чехлы или эпоксидные покрытия. К числу пленочных сопротивлений с защитным покрытием относятся недофор-мованные и герметически запаянные сопротивления с осажденной углеродистой пленкой. [c.348]

Пасты для толстопленочных проводников. Для изготовления толстопленочных проводников применяют материалы трех типов металл (или функциональный материал), стеклофазу, выполняющую роль постоянного связующего, и смесь органических жидкостей. Каждый из этих компонентов играет свою роль в формировании свойств композиции. Металл (функциональный материал) обеспечивает образование проводящих дорожек, стекло удерживает частицы функционального материала в состоянии точечных контактов в течение обжига и адгезирует проводник к подложке, органические жидкости делают смесь материалов пригодной для трафаретной печати. [c.470]

Ксерорадиографический метод основывается на способности высокоомного полупроводникового слоя, нанесенного на проводящую подложку, удерживать электрический заряд и изменять его величину в зависимости от интенсивности действующего электромагнитного излучения. [c.527]

При этом глубина фрезерования диэлектрической подложки составляет 0,5—1 мм, что обеспечивает необходимую электрическую изоляцию между линейками автокатодов, а их электрические выводы могут осуществляться за счет отрезки впаянной фольги или приклейкой проводящим клеем соответствующих выводов. Экспериментальные исследования [342] показали хорошую стабильность автоэмиссии таких линейчатых автокатодов. Матричные катоды из графита типа МПГ-6 наиболее удобны для применения в диодном режиме. Одним из вариантов использования таких матриц кроме плоских дисплейных экранов являтюся специальные электронные приборы, требующие достаточно большого эмиссионного тока каждого элемента, например, для подогрева термокатодов. [c.257]

Рис. 7.13. Конструкция дисплейного экрана с обратной геометрией I — автоэмисси-онный катод на основе пасты с нанотрубками 2 —проводящая серебряная пленка 3 — диэлектрическая подложка 4 — стеклянная подложка 5 — пленка Сг с ITO 6 — люмино4юр трех 1(ветов 7 — траектории электронов

При Л. п. необходимо равномериое распределение примеси в объёме кристалла или по толщине эпитаксиального слоя. При направленной кристаллизации из расплава равномерное распределение примеси по длине слитка достигается поддержанием постоянной её концентрации в расплаве (за счёт его подпитки) либо программированным изменением коэф. распределения примеси. Последнее достигается изменением параметров процесса роста. Повысить однородность распределения примесей в монокристаллах можно воздействуя на расплав магн. полем. Магн. поле, приложенное к проводящему расплаву, ведёт к возникновению пондеромоторных сил. Последние резко снижают интенсивность конвекции и связанные с ней флуктуации темп-ры и концентрации примесей. В результате однородность кристалла повышается. Однородного распределения при эпитаксии из жидкой фазы достигают кристаллизацией при пост, теми-ре в случае газофазной эпитаксии, обеспечивая пост, концентрацию примеси в газовой фазе над подложкой. [c.579]

МДП-транзисторы могут быть как с нормально открытым, так и с нормально закрытым каналами. МДП-транаистор с нормально открытым, встроенным каналом показан на рис. 3 на примере МДП-транзистора с каналом -типа. Транзистор выполнен, на подложке р-типа. Сверху подложки методами диффузии, ионной имплантации или эпитаксии формируются проводящий канал -типа и две глубокие "-области для создания омич, контактов в области истока и стока. Область затвора представляет собой конденсатор, в к-ром одной обкладкой служит металлич. электрод затвора, а другой — канал П. т. Если между затвором и каналом приложить напряжение, то в зависимости от его знака канал будет обогащаться или обедняться подвижными носителями заряда. Соответственно, сопротивление канала будет уменьшаться или возрастать. В показанной на рис. 3 МДП-структуре с каналом -типа напряжение, плюс к-рого приложен к затвору, а минус — к каналу (истоку или стоку), вызывает обогащение электронами приповерхностного слоя полупроводника под затвором. Обратная полярность напряжения на затворе вызывает обеднение канала электронами аналогично П. т. с управляющим р — -переходом. [c.8]

R, проводимостью подложки G. Через эти параметры определяются такие величины, как коэф. замедления л = L (здесь с — скорость света в свободном пространстве), волновое сопротивление Zg = VL , затухание а = k,%lk(RlZ - - Zg ). Часто при р = 1 в области частот, для к-рой справедливы телеграфные ур-ния, вместо коэф. замедления используют эфф, диэлектрич. проницаемость вдф = я, поскольку в этой области я = = I i, где i — погонная ёмкость П. л. в отсутствие подложки. Дисперсионные характеристики n WIk) высших типов волн в П. л. близки к дисперсионным характеристикам волн в диэлектрич. волноводе. Эти типы волн используются для создания на основе П. л. высокодобротных резонаторов. Поле в П. л, локализовано вблизи проводящей полоски, если коэф. замедления волн в П. л. (рис. 2, кривые О, 1, 2) выше, чем в двуслойном волноводе (рис. 2, кривая 3). В противном случае возможно излучение волны полоской, т. е. трансформация волны в П, л. в волну двуслойного волновода. Излучение возможно также на неоднородностях в П. л. (повороты, разрывы, навесные элементы и т. п.). область значений я, лежащая выше кривой 3, наз. областью дискретного спектра, а ниже — областью непрерывного спектра, поскольку в последнем случае коэф. замедления и длины волн (частоты) могут принимать любые значения. [c.29]

Один из принципов построения С. э.-л. п. связан с деформацией поверхности непроводящей или слабопроводящей мишени из вещества, обладающего малой вязкостью или высокой эластичностью. Деформации, к-рые возникают под действием сил прп-.тяжевия между зарядами, наносимыми пучком на поверхности мишени, и её проводящей подложкой, изменяют ход световых лучей, что в сочетании с использованием систем щелей позволяет модулировать падающий яа мишень свет (рис. 1). G помощью источника света 1 и линзы 3 первая система щелей 2 отображается в плоскости второй системы щелей 5, расположенной так, что свет, прошедший через щели первой, перехватывается прутками второй, если поверхность мишени 4 не де- [c.469]

Карбид титана, являющийся перспективным материалом для высокотемпературной электроники, нашел применение в качестве проводящей фазы в керметных резистивных пленках для интегральных схем [270, 271]. Пленки, содержащие АЬОз и Ti в соотношении 1 1 по массе, осаждают ионно-плазменным распылением на нагретые до 600 °С поли-коревые подложки. Пленки Ti -AljOa, толщина которых составляет 20—300 нм, имеют электронографически аморфную структуру, сохраняющуюся до 1000 °С. Эти пленки значительно превосходят по стабильности структуры пленки традиционных резисторов Ti-АЬОз, в которых при 1000 °С наблюдается увеличение размера зерен до 50 нм и изменение фазового состава. [c.204]

Вполне реальными для широкого практического освоения в ближайшем будуш ем являются процессы получения высококачественных моно-кристаллических слоев кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов на изолирующих (в том числе некристаллических) подложках большой площади, а также процессы эпитаксиального выращивания многослойных гетерокомпозиций типа металл—диэлектрик-полупроводник. В последнем случае, помимо традиционных эпитаксиальных технологий, целесообразно использовать интенсивно разрабатываемые в последние годы процессы создания скрытых проводящих и диэлектрических слоев, путем высокодозовой ионной имплантации ( ионного синтеза ) и последующего термического отжига. Успешная реализация последних требует детального исследования закономерностей дефектообразования и механизма протекающих процессов на различных этапах ионного синтеза и последующей твердотельной эпитаксии. Пока такого рода исследования проводятся в основном в применении к кремнию. На очереди другие важнейшие полупроводниковые материалы. [c.86]

Одним из носителей, получившим широкое распространение, является носитель, используюш,ий деформацию термопластической среды [86]. Основой термопластического носителя является нечувствительная к свету смола. Чтобы сделать ее светочувствительной, термопластик объединяется с фотопроводящим материалом, причем возможны два типа структуры однослойная, когда фотопроводник растворен или диспергирован в слое термопластика, и двухслойная, когда термопластический слой нанесен на слой фотопроводника. Фото-термопластический слой или термопластический и фото-проводяш,ий слои наносятся на покрытую тонким прозрачным проводящим слоем подложку, например стеклянную. [c.157]

Кроме перечисленных материалов, следует отметить фототер-мопластические слои, в которых регистрирующей средой является термопластическая пленка, нанесенная на прозрачный полупроводниковый слой. Роль подложки выполняет стеклянная пластинка с нанесенным на нее тонким прозрачным проводящим слоем, например слоем окиси олова. Поверх него нанесены слои фотопроводника и термопластика. [c.152]

Фотоэлектреты широко применяются в технике ксерографии (сухая фотография), используемой в современных фотокопировальных устройствах. Типичный ксерографический процесс отличается от описанного выше процесса поляризации фотоэлектрета, поскольку используется деполяризация электрета светом. Элек-трофоточувствительная пластина, представляющая собой проводящую подложку, покрытую тонким слоем фотоэлектрета, предварительно заряжается в темноте коронным разрядом. На пластину проецируется изображение, подлежащее репродукции. Из-за малой темновой проводимости гомозаряды сформированного электрета сохраняются достаточно долго. В освещенных местах заряды релаксируют, создавая скрытое электрическое изображение, которое затем с помощью пигментных порошков переносится на бумагу [75]. [c.164]

В аппаратуре, осуществляющей перенос изображения, фото-полупроводниковый фект используется следующим образом некоторые полупроводники (селен, селенистый кадмий, сернистый кадмий и др.), имеющие в темноте высокое удельное электрическое сопротивление порядка 10 omJ m , под воздействием света резко снижают сопротивление. Для реализации этого эффекта (рис, 7-1) на проводящую основу 1 наносят тонкий слой фотополупроводника 2, чаще селена (рис. 7-1,а). В темноте с помощью коронного электрического разряда под воздействием потенциала 5— 15 кв поверхность слоя полупроводника заряжают (рис. 7-1,6). На этой поверхности образуется равномерно заряженный слой. Далее на поверхность с помощью оптической системы экспонируется изображение оригинала (рис. 7-1,в). На участках, оказавшихся освещенными, заряд стекает на проводящую подложку. Поверхности, не подвергавшиеся освещению (соответствующие темным линиям и участкам оригинала), сохраняют электрический заряд. В результате получается некоторый потенциальный рельеф (рис. 7-1,г), образующий скрытое изображение. [c.110]

Качественно новые возможности ускорения процесса появляются в том случае, когда окисел либо сам электропрово-ден, ли>бО приобретает поверхностную проводимость в результате взаимодействия с раствором, либо, наконец, существует на проводящей (металлической или окисной же) подложке в виде достаточно тонкой пленки, не препятствующей туннельному проникновению электронов в этот проводник или из него к месту очередного электрохимического акта на внешней поверхности. Тогда любой избыточный заряд полностью делока-л изуется, равновесно распределяясь по всему электроду, а сопряженные акты растворения атомов металла и кислорода совершенно освобождаются от жесткой пространственной связи друг с другом и реально превращаются в две самостоятельные электрохимические реакции. Растворение становится действительно электрохимическим процессом, подобным коррозионному. [c.12]

Поэтому и с точки зрения термодинамики, и с точки зре- ия материального баланса, процесса можно считать, что пассивирующая пленка (независимо от вариаций в. механизме ее утолщения) не замещает первоначальный хемосор бцион-ный слой и не перекръгвает его, а растет за счет образования промежуточных слоев между ним и подложкой из металла или проводящего окисла. В результате В1нешний -слой отделяется от подложки рядом дополнительных реакционных (или миграционных) потенциальных барьеров, и в нем становится возможным В Се более глубокое анодное понижение активности низшего окисла (недостижимое при непосредственном контакте с подложкой), прогрессивно затрудняющее растворение катионов по реакции (3). [c.24]

I — подложка 2 = проводящий слой (электрод) 3 = слой электролюминофора 4 защитный слой 5 второй электрод [c.606]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...