Кварцевые пленки-подложки

Кварцевые пленки-подложки [c.21]

Пленки получены испарением при давлении 1,33. 10" Па на кварцевые полированные подложки. Погрешность [c.783]

Аналогично металлическим, кварцевые пленки можно легко получать напылением кварца в вакууме на тщательно отполированное стекло или бесструктурную подложку, находящуюся на стекле. В качестве такой подложки может быть использован полистирол, метилметакрилат, коллодий либо металлические напыленные слои из металлов с малой миграционной способностью на стекле (хром, алюминий) [2 15]. [c.21]

Облегчить отделение кварцевой пленки можно следующим образом. В испаритель вместе с кварцем, предназначенным для образования пленки, помещается некоторое количество хлористого натрия так, чтобы при полном испарении и конденсации его на стеклянной пластинке образовалась пленка толщиной 10—20 А. Вследствие значительного различия в температурах плавления (1700°С для кварца и 800° С для хлористого натрия) вначале испаряется хлористый натрий, образуя на стекле подложку, на которой и происходит конденсация собственно кварцевой пленки. Для отделения такой пленки достаточно погрузить стекло в чистую дистиллированную воду, опуская его медленно под небольшим углом. Воду можно подогреть до 30—40° С. Слой хлористого натрия растворяется, и освобожденная кварцевая пленка всплывает на поверхность воды. После этого, как уже было сказано выше, пленку промывают в спирте или другой жидкости с малым поверхностным натяжением и просушивают. [c.22]

Диспергирование по первому способу может быть осуществлено, например, следующим образом [31]. Порошок растирают в агатовой ступке с обезвоженным этиловым спиртом в течение примерно 1 мин. После этого полученную массу переносят в пробирку с тонким дном, которую помещают в кювете с веретенным маслом. Через масло ко дну пробирки передаются интенсивные колебания от ультразвукового кварцевого генератора. Частоту колебаний выбирают опытным путем по наилучшим результатам. Эти колебания интенсивно взмучивают и перемешивают порошок. Поэтому во время взятия пробы порошок находится весь во взвешенном состоянии. Процесс взмучивания длится 5—6 мин. После этого с помощью петли или пипетки набирают несколько капель спирта и быстро переносят их на заранее подготовленную пленку-подложку, помещенную на объективную сетку. Спирт растекается по пленке, и после его высыхания частицы прочно удерживаются на пленке. [c.33]

Для проверки выражения (5) были проведены специальные опыты по смачиванию пленок молибдена, напыленных на кварцевые подложки в виде отдельных островков (рис.7, см. вклейку). Для получения пленок молибдена такой структуры подложки плавленого кварца экранировались металлической сеткой с размером ячеек 35—40 и 135 140 мкм. Толщина напыленного молибдена составляла > 3000 А. При такой толщине коэффициент формы зародыша / оо [c.26]

Естественно, что более строгий учет формы коксовых частиц, попадающих в расплав, или анализ влияния шероховатости самой подложки, по которой приходится двигаться расплавленной пленке, мог бы несколько изменить указанную цифру. Однако разброс данных по вязкости расплава, полученных в различных экспериментальных работах, даже для кварцевого стекла (см. рис. n-lV-28) оказывается существенно выше этой цифры, и поэтому подобное уточнение вряд ли целесообразно. [c.269]

В первую очередь электронный луч применяют для размерной обработки твердых труднообрабатываемых материалов, таких, как алмаз, вольфрам, титан, твердые и высоколегированные сплавы, ковар, инвар, кварц, керамика, рубин, кристаллы кремния, германия, резистивные пленки на ситалловой и кварцевой подложках. [c.616]

Сварку лучом лазера медных проводников диаметром 50 мкм с медной пленкой толщиной 0,4. .. 0,45 мкм на адгезионном подслое хрома толщиной 0,05 мкм выполняли на лазерных установках СУ-1 и УЛ-2. Образцы сваривали внахлестку (рис. 13.14, а). Разрушающее усилие при срезе в зависимости от материала подложки колебалось в пределах 0,1. .. 0,15 Н с разрушением подложки из стекла С41 и до 0,56 Н подложки из кварца. Такая разница в прочности объясняется тем, что при использовании нетермостойкого стекла С41 в подложке образовались трещины с глубиной залегания 45. .. 50 мкм, по которым и происходило разрушение. В термостойкой кварцевой подложке трещин не наблюдалось. На термостойком стекле СО-21 получены такие же разрушения, как и на кварцевой подложке. [c.516]

Коэффициент пропускания зеркал, представляющих собой тонкие пленки серебра (20—30 нм), нанесенные на кварцевые или другие подложки, определяется выражением [c.54]

В случае, когда температура неоднородна по площади, с которой собирается рассеянное излучение, регистрируется интегральный профиль стоксовой линии, с помощью которого можно восстановить пространственное распределение температуры. Такая задача решена для случая, когда тонкая пленка кремния, нанесенная на сапфировую или кварцевую подложку, нагревается сфокусированным лазерным пучком [c.185]

Кварцевую муку добавляли в качестве наполнителя для повышения химической стойкости пленки, приближения ее коэффициента термического расширения к коэффициенту материала подложки, уменьшения расхода смол, повышения вязкости композиции. [c.72]

Твердость пленок можно измерять по маятниковому прибору на стеклянной подложке. По этому методу определяют условную твердость, выраженную отношением, в процентах, времени затухания колебаний маятника на поверхности пленки к времени затухания колебаний на поверхности стекла. Так, например, условная твердость однослойной пленки натуральной льняной олифы 1 5—20%, глифталевой олифы 10—15%. Сопротивление лакокрасочных пленок истиранию можно оценивать количеством кварцевого песка (кг), израсходованного при падении его струи с высоты 1800 мм на пленку под углом 45° и отнесенного к единице толщины пленки. [c.272]

Ф. А. Королевым и В. И. Гридневым был предложен оригинальный вариант интерферометра Фабри—Перо с отражателями, представляющими собой дифракционные решетки. Такие интерферометры применяются для длинноволновой инфракрасной области спектра и для миллиметрового диапазона длин волн. Дело в том, что в этих областях спектра практически отсутствуют подходящие материалы для изготовления полупрозрачных покрытий. В качестве таких отражателей можно использовать дифракционные зеркала . Они представляют собой тонкие металлические пленки серебра (толщиной 20—30 нм), нанесенные испарением в вакууме на кварцевые или другие подложки. В этих металлических слоях с помощью резца наносятся прозрачные штрихи. Прозрачные штрихи обеспечивают необходимое пропускание, а отражение от непрозрачных частей решетки оказывается вполне достаточным для обеспечения нужных характеристик интерферометра. [c.131]

Естественно, возникает вопрос, почему металлические частицы не привариваются к толстой окисной пленке на подложке Ведь металлы прочно соединяются при напылении на пластинки окислов, например на кварцевое стекло. Это происходит по двум причинам. Во-первых, энергия активации окислов выше энергии активации большинства металлов, и поэтому для осуществления взаимодействия необходима соответственно более высокая температура в контакте. Во-вторых, температура в контакте частицы с окисной пленкой на металле будет существенно ниже контактной температуры между напыляемой частицей и компактным окислом, поскольку в первом случае сильно сказывается влияние высокой теплопроводности металла. [c.144]

Пленки получены испарением при давлении 1,33-10" Па на кварцевые полированные подложки. Угол падения потока излучения 0°. Погрешность измергния 2% [c.783]

Напыление кварца на подложку. Если предварительно на стекле нанести бесструктурную подложку, например коллодиевую, формваровую и т. п., то для отделения пленки кварца необходимо стекло с напыленной пленкой погрузить в растворитель, соответствующий примененной подложке. Предварительно кварцевую пленку процарапывают на квадратики со стороной 3—4 мм. После растворения подложки пленки кварца освобождаются и могут быть выловлены на сеточки для дальнейшей промывки, сушки и монтажа в объектодержателе. [c.22]

Мы рассмотрели наиболее часто применяющиеся типы пленок-подложек. Все они, за исключением кварцевых, просты в обращении, легко получаются. Особенно просто получаются коллодие-вые пленки. Описанные пленки-подложки достаточно прочны в том смысле, что при надлежащей толщине они выдерживают необходимые манипуляции с ними, монтаж, сушку, нанесение препаратов и пр. При слишком малой толщине обращение с пленками сильно затрудняется из-за повышающейся их хрупкости. [c.27]

На установке проводилась обработка тонких пленок различных материалов (Сг, Мо, Bi, А1, Ni, Си, F jOg, Si), нанесенных на подложки из оптического стекла К-8, кварцевого стекла, лавсановой пленки, В результате выявлено, что при плотностях [c.162]

Сварка инфракрасным излучением (ИК-сварка). Принцип сварки состоит в использовании в качестве источника тепла инфракрасного излучения, получаемого при накаливании силитовых стержней, спиралей из хромистой стали, стержневых кварцевых ламп и др. Для интенсификации процесса сварка осуществляется на подложке из поролона, микропористой резины и толстых прорезиненных тканей черного цвета. Упругость подложек, плотно прижатых к пленкам, обеспечивает необходимое давление при сварке. [c.213]

Рис. 1.21. Клок-схема установки для получения углеродных пленок методом химического газофазного осаждения (52) I — высоковольтный источник 2 — манометры, ротаметры и стабилизаторы расхода газа 3 — цилиндрическая вакуумная камера 4 — водоохлаждаемые токовводы 5 — смотровое окно 6 — верхний электрод 7 — нижний плектрод 8 — нагреватель 9 — подложка 10 — компьютер II — ограничительный резистор 12 — форвакуумный насос 13 — натекательный вентиль 14 — электромагнитные клапаны 15 — электролизер 16 — интерфейс 17 — кварцевое смотровое окно 18 — П.З.С. видеокамера

На рис. 5.10(2 и 5.106 представлены типичные вольт-амперные характеристики пленок с нанотрубками типа А (кварцевая подложка) и с нанотрубками типа В (кремниевая подложка). Заметный автоэмиссионный ток с пленок типа А начинался при напряженности поля 16 В/мкм, когда плотность тока составляла 0,03 А/см , но уже при напряженности поля 30 В/мкм плотность тока достигала 0,1А/см . Автоэмиссия с пленок типа В достигает тех же значений плотности тока при более высоких напряжениях, что связано с большим диаметром нанотрубок типа В. [c.206]

Слои тугоплавких металлов, нанесенные на нагревостойкие материалы (кварцевое стекло), можно заш,и-щать, покрывая их тонким слоем двуокиси ремния. Для этого металлизированные детали помещают в камеру, откачиваемую насосом предварительного разрежения, и при 850°i обрабатывают в парах этилсиликата. При этой температуре этилсиликат диссоциирует и образующаяся двуокись кремния конденсируется на пове рхности деталей в виде пленки, толщина которой при 850 °С увеличивается со ско ростью 0,03 мкм/мин. Твердость пленки возрастает при повышении температуры подложки, однако в связи с опасностью быстрого роста зерен эта температура не должна превышать 900 °С. Пленки алюминия на стекле нельзя подвергать действию высоких температур, их можно покрывать надежной защитной пленкой путем напыления двуокиси К ремния в вакууме. Для этого кварцевый штабик диаметром около 1 mim помещают в плотную спираль из вольфрамовой проволоки диаметром 0,5 мм. Кварц легко испаряется образующаяся пленка слабо окрашена окислами вольфрама в коричневый цвет. [c.258]

Углефафитовые материалы используют в качестве электродов, нагревателей, торцовых уплотнителей. В зависимости от условий эксплуатации к соединению углеграфитовых материалов с металлами предъявляются требования достаточной прочности (по углеграфитовому элементу), герметичности, малого электросопротивления в зоне контакта, в ряде случаев повышенной коррозионной стойкости. Диэлектрики в электронных микросхемах служат в качестве подложки, на которую в вакууме наплавляют тонкие металлические пленки, к которым затем присоединяют металлические проводники. В качестве диэлектриков используют си-таллы различных марок фотоситаллы, кварцевое стекло, стекла С41, на которые в вакууме напыляются медные пленки толш,иной 0,4. .. 0,45 мкм по адгезионному подслою хрома или титана толщиной 0,05 мкм. [c.515]

Многие реальные физические процессы хорошо описываются моделью агрегации, ограниченной диффузией [40]. Это прежде всего относится к таким процессам, как электролиз, кристаллизация жидкости на подложке, осаждение частиц при напылении твердых аэрозолей. На рис. 17 представлена структура пленки NbGe2, обладающая фрактальностью. Она была получена на кварцевой подложке, которую нагревали до температуры 840°С, сверху подложки под давлением (13, 33 Па) подавали смесь гелия с парами германия, а в газовую мишень разбрызгивали ниобий. При взаимодействии ниобия с германием образовывались аэрозоли в виде [c.38]

Зная толщину пленки, можно определить сдвиг фезь р. Прин цип измерения заключается в следующем. На стеклянные (иЛи кварцевые) подложки I ч 4 наносятся слои исследуемой пленки 2 и 3 таким образом, что в средней части имеется участок без покрытия (рИС. 141). [c.233]

Несмотря на то, что данный метод был разработан для определения сил взаимодействия макрочастиц, все же были сделаны попытки использовать пружинные весы для измерения сил отрыва прилипших микроскопических частиц. Для этого на стеклянный шарик (рис. 11,17), прикрепленный к кварцевой пружине, наносилась липкая пленка, которая приводилась- в соприкосновение с запыленной поверхностью. При опускании столика происходит отрыв частицы от подложки. В приборе Текенова липкий состав наносился на нить, а сила адгезии определялась по прогибу этой нити. Однако эти методы не дали точных результатов, так как в момент соприкосновения пленки с запыленной поверхностью неизбежен сдвиг прилипшей частицы, что приводит к искажению полученных результатов. [c.54]

Кроме этих методов применяют методы, в которых происходит отрыв частиц, прилипших к поверхности. Для этой дели -1- применяют приборы, схема которых несколько отличается от приведенных на рис. III, 10—III, 13. На стеклянный шарик 3 (см. рис. III, 12), прикрепленный к кварцевой пружине, наносили липкую пленку, которую приводили в соприкосновение с запыленной поверхностью. При опускании столика происходил отрыв частицы от подложки. В приборе Текенова [92] липкий состав наносили на нить, а силу адгезии определяли по прогибу этой нити. В этих условиях нить прибора являлась своеобразным динамометром. [c.84]

При более высоких температурах образуются аморфно-кристаллические пленки с низкими электрическими характеристиками. Сплошность термических пленок на металлах сохраняется лишь до определенной толш,ины, при превышении которой возникающие в пленке напряжения вызывают ее растрескивание. Чиело веществ, на которых образуются сплошные (когерентные, однородные) пленки, весьма ограничено. Прежде всего следует назвать тантал, ниобий, алюминий и кремний. Наиболее широкое применение получили термические пленки на кремнии. Они образуются в атмосфере сухого кислорода при Г= 1300 н-1600 К при окислении во влажном кислороде или парах воды температура может быть понижена до 800 К. Во всех случаях получаются аморфные пленки, имеющие структуру ближнего порядка, сходную со структурой кварцевого стекла. Химическая или топографическая неоднородность кремниевой подложки может вызвать появление в аморфном оксиде кристаллической фазы, имеющей структуру а-кристобали-та, присутствие которой ухудшает электрические свойства пленки и может вызвать нарушение ее сплошности. [c.257]

Температурный контроль в реальном времени проводился в вакуумной камере для эпитаксиального наращивания пленок [5.29]. Подложка (кристалл полуизолирующего арсенида галлия) лежит на плоском нагревателе, температура которого изменяется от 25 °С до 600 °С. Спектр диффузного отражения aAs при облучении кристалла светом кварцевой лампы регистрировался в ближнем ИК-диапазоне через каждые 2 с в течение всего процесса, длящегося около 1 ч. Показано, что температура подложки ниже температуры нагревателя на 1004-150 °С. Погрешность измерения оценивается величиной 0,5 °С. [c.129]

С целью определения этой функции для сажи был проведен эксперимент на пленках углерода, осажденных в вакууме на кварцевую подложку. Оптические постоянные определялись методом отражеикя — пропускания на спектрофотометрах СФ-4 и СФ-10 [5]. [c.26]

Первое исследование полосы ГО-колебаний было выполнено на PbS [133]. Толщины пленок, определенные по отражению и пропусканию в диапазоне 1 эВ, варьировались в пределах 200— 500 А. Было обнаружено небольшое различие в поглощении пленок, напыленных на холодные (комнатная температура) и подогретые подложки в первом случае пленки обладали большими коэффициентами затухания. Измерения проводились следующим образом пленка приклеивалась термопластиком (капроцеллю-лоза) к кварцевой пластине, вырезанной перпендикулярно оси С. Далее солевая подложка растворялась в воде. После тщательной промывки в деионизированной воде пленка сушилась на воздухе. Кварцевая пластина изготавливалась в виде призмы с малым углом для подавления многократной интерференции при больших длинах волн. На фиг. 5.48 представлены экспериментальные и теоретические зависимости пропускания от длины волны для двух образцов пленок PbS. Расчетная кривая была получена на основе данных табл. 5.5. Измерения были выполнены также и при температуре жидкого азота на пленке, нанесенной на нагретую подложку. Экспериментальные и теоретические данные вполне удовлетворительно согласуются между собой. Интересно отметить, что если принять поверхностную плотность заряда 10 см 2 (см. 4, п. 6) и толщину пленки 500 А, то можно объяснить высокую концентрацию носителей. [c.391]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...