Анализ текстур

МЕТОДЫ АНАЛИЗА ТЕКСТУР. [c.265]

Наиболее универсальным и доступным из них является рентгенографический метод. Он позволяет получить информацию о текстуре в слое толщиной в десятые доли миллиметра. Электронографический метод в силу сильного поглощения электронов пригоден для анализа текстуры в весьма тонких поверхностных слоях и пленках микронных толщин. Основным преимуществом дифракционных методов перед другими является то, что они не только легко позволяют установить наличие или отсутствие текстуры и ее симметрию, не разрушая изделия, но и дают возможность установить кристаллографические символы каждой из текстурных компонент. [c.265]

Кроме дифракционных методов, для анализа текстур используют и некоторые физические методы, основными из которых являются оптический, магнитный и ультразвуковой. [c.265]

Рассмотрим несколько подробнее рентгенографический метод анализа текстур. Прежде всего с помощью этого метода легко устанавливается наличие или отсутствие текстуры. При отсутствии текстуры линии (или кольца) на дебаеграмме (рентгенограмме, снятой на фотопленку) зачернены равномерно (рис. 160,а). При наличии текстуры равномерность почернения линий исчезает. На линиях выявляются отдельные интерференционные максимумы почернения, расположенные вдоль этих [c.265]

Анализ текстуры крупнозернистого материала может быть осуществлен и на дифрактометре с помощью текстурной приставки. При этом необходимо использовать специальное устройство, позволяющее перемещать образец с достаточной скоростью в процессе съемки и тем самым подставлять в отражающее положение большое число кристаллитов. [c.272]

На соотношении (1) основывается предложенный в работах [1,2] неразрушающий метод контроля текстуры в ферромагнитных листах по кривым (Я —а), которые подобны кривым (М а), получаемым при классическом методе анализа текстуры (а — угол между намагничивающим полем и направлением прокатки). Установлено влияние внутренних напряжений на вторую гармонику кривой (Я —а), обусловленное тем, что а следовательно, и зависят от величины внутренних напряжений в материале и угла 0 между а и Я. [c.98]

См. ниже Анализ текстур . [c.110]

Образование текстуры после рекристаллизационного отжига в холоднокатаных листовых материалах влечет за собой появление анизотропии магнитных свойств. Исследование магнитной анизотропии дисков, отштампованных из исследуемых листов, дает возможность [14] выполнять количественный анализ текстуры, если предварительно рентгеновскими методами установлен характер текстуры в данном материале, т. е определено, какая плоскость кристаллитов стремится установиться по плоскости прокатки и какое направление кристаллитов устанавливается вдоль направления прокатки. [c.229]

Анализ текстур электронографическим методом описан в [211, 329, 330], новые методы исследования текстур —в [372, 373]. [c.775]

АЛГОРИТМЫ АНАЛИЗА ТЕКСТУРЫ ПОВЕРХНОСТИ [c.4]

Для ориентировочной оценки текстуры крупнозернистого материала может быть успешно использован металлографический анализ по фигурам травления. [c.272]

Во-первых, это неоднородность, связанная с рассеянием текстурных ориентировок. Поскольку данная идеальная ориентировка устанавливается не скачком, а путем постепенной переориентировки решетки в процессе пластической деформации, то величина рассеяния прежде всего зависит от степени деформации. С ее увеличением рассеяние уменьшается от десятков до нескольких градусов. Во многокомпонентных текстурах при одной и той же общей степени деформации рассеяние разных текстурных компонент оказывается неодинаковым. Анализ этого явления на медной проволоке показал, что рассеяние ориентировки <100> примерно в два раза больше, чем ориентировки <111>. Причина этого еще однозначно не установлена. Наиболее естественно предположить, что это связано с тем, что ориентировка <100> формируется позднее, чем <111>. По-видимому, при неодновременном формировании разных компонент текстуры та из них, которая начинает формироваться при более высоких степенях деформации, должна в общем случае быть более рассеянной. [c.283]

Эта скорость является результатом конкурирующего действия движущих и тормозящих сил, который определяется взаимодействием большого числа факторов. В разных условиях и на разных стадиях процесса решающую роль играет какой-то из этих факторов. Поэтому в каждом конкретном случае необходимо из сопоставления данных анализа локальных ориентировок и усредненных текстур в деформированном состоянии на разных стадиях рекристаллизации, из данных о кинетике усиления одних и ослабления других ориентировок, о состоянии примесей и их распределении, решать вопрос о том, какой из процессов (зарождения или роста) является ведущим в данном случае и в силу каких причин. [c.407]

Вместе с тем, как показал тщательный структурный анализ (рентгеноструктурный и электронномикроскопический), компоненты текстуры деформации 111 и 100 различаются по степени наклепа. Компонента Ш более наклепана — выше плотность дислокаций, больше разориентировки между соседними ячейками, меньше размеры ячеек, но больше разброс по размерам, чем у компоненты 100 . Следовательно, в объемах Ш , с одной стороны, больше скорость формирования центров рекристаллизации, которая начинается в холоднокатаных листах примерно при 500° С, а с другой — выше скорость распада пересыщенного раствора тормозить зарождение разных текстурных компонент можно в этих условиях с помощью разной скорости нагрева. [c.415]

Анализ рентгенограмм (рис. 1.39, табл. 1.2) показывает, что консолидация ИПД порошка Си, так же как и в рассмотренном выше случае Ni, приводит к росту отношения максимальных интенсивностей рентгеновских пиков (111) и (200), что можно объяснить различным уширением, влиянием кристаллографической текстуры, различной формой профиля рентгеновских пиков. [c.59]

Анализ функции распределения ориентировок (ФРО) холоднокатаной наноструктурной Си, полученной РКУ-прессованием, (рис. 3.18а) показал, что ее текстурные компоненты подобны тем, которые характерны для холоднокатаной крупнокристаллической Си (рис. 3.18 ) [248-253], т. е. 112 (111), 123 (634) и 110 (112). Разница состоит в том, что ориентационная плотность вблизи Bs-ориентировки 110 (112) понижена в случае наноструктурной Си. Близость между кристаллографическими текстурами исследованных холоднокатаных крупнокристаллического и наноструктурного состояний Си обнаружена и в работах [56, 98]. [c.150]

Рентгеновский анализ — один из основных методов исследования элементов кристаллической структуры. В частности, по рентгенограммам можно судить о химическом и фазовом составе исследуемого объекта, текстуре, существовании в нем напряжений первого и второго рода и т. д. Все эти вопросы имеют первостепенное значение в металловедении, особенно при выборе режима и контроле качества термообработки. [c.199]

Для исследования возможности создания такой текстуры использовался пермендюр, содержащий 2% ванадия. До температуры фазового перехода этот сплав имеет ОЦК решетку, а направлением легкого намагничивания является направление [111] [4]. Металлы с ОЦК решеткой обладают несколькими системами скольжения, поэтому условия деформации сложны и строгое теоретическое предсказание возникающих при различных схемах деформации текстур затруднено [5]. В связи с этим в дальнейшем анализу подвергается только одна из выбранных схем деформации образца — осаживание в условиях всестороннего неравномерного сжатия. [c.203]

Изменению структуры поверхностных слоев при трении посвящена такая обширная литература, что ее анализ и систематизация могли бы дать некоторые общие направления в улучшении износостойкости узлов трения. К этим изменениям относятся дефекты кристаллической решетки, фазовые и структурные превращения, текстура, упрочнение и разупрочнение поверхностных слоев и т. д. Не менее многообразен состав пленок, образующихся на поверхности при работе в различных средах адсорбционных пленок из окружающей среды, пленок химических соединений, пленок, перенесенных с контртела, и т. д. [c.11]

При холодной деформации металла происходит преимущественная ориентировка кристаллитов в каком-то из направлений текстура). В материале при этом появляется технологическая анизотропия. Текстуры могут быть исследованы методами рентгеноструктурного анализа. [c.271]

Рентгеноструктурный анализ применяется при определении фазового состава, растворимости элементов в твёрдом состоянии, фазовых превращений, величины кристаллитов, изучении преимущественной ориентации кристаллитов (текстуры), напряжённого состояния и др. [c.153]

Рентгеноструктурный анализ —один из наиболее распространенных физических методов исследования и контроля материалов и деталей в лабораториях заводов и научно-исследовательских институтов. Он позволяет определять фазовый состав материалов, состав твердых растворов, размеры и форму кристаллов, внутренние напряжения, преимущественные ориентировки кристаллов (текстуры) и другие параметры. [c.3]

ОСНОВНЫМИ МЕТОДАМИ анализа текстур являются дифракционные рентгенографический, электронографический и нейтронографический. Основанные на одних дифракционных принципах эти методы различаются но глубине проникновения дифрагирующих излучений в изучаемый объект и тем самым по толщине слоя материала, о текстурированностп которого дает информацию данный метод. [c.265]

Суш,ественный прогресс в рентгеноанализе текстур и количественной оценке веса разных компонент и степени рассеяния текстур достигнут в последние годы благодаря использованию ионизационных методов регистрации дифрагированного рентгеновского излучения. Количественный анализ текстур, особенно многокомпонентных, относительно сложен. Он требует построения по данным, полученным из рентгенограмм, специальных полюсных фигур и их анализа. [c.266]

При анализе текстуры по полюсным фигурам, по> строенным по данным рентгеновского анализа, необходимо учитывать их ограниченность, связанную с недостаточно высокой чувствительностью метода. Интенсивность дифрагированных лучей от тех текстурных компонент, вес которых невелик, будет также малой и может оказаться незамеченной регистрирующим устройством на общем фоне рассеянного рентгеновского излучения. В результате эти слабые текстурные компоненты будут отсутствовать на полюсной фигуре. Вместе с тем роль таких слабых компонент, особенно в процессах тексту-рообразования при рекристаллизации, часто оказывается решающей. Поэтому в случаях, когда слабые компоненты могут играть важную роль, для их выявления нужно применять специальные локальные методы (например, дифракцию электронов или метод фигур травления). [c.271]

Оптический метад анализа текстур основан на использовании кристаллографической анизотропии скорости химического растворения. При правильном подборе режима травления на поверхности кристаллитов можно получить фигуры травления, хорошо наблюдаемые в световом микроскопе. Форма этих фигур травления и их ориентировка в плоскости шлифа зависят от того, какой кристаллографической плоскостью hikdi ориентирован соответствующий кристаллит параллельно плоскости шлифа и как эта плоскость hikili повернута вокруг нормали к плоскости шлифа. [c.272]

Магнитный метод анализа текстур менее универсален, чем описанные выше. Но он весьма широко используется для многих ферромагнитных материалов, обладающих анизотропией магнитных свойств (трансформаторная и динамная сталь и др.) - Метод основан на том, что образец из магнитно анизотропного материала при намагничивании стремится ориентироваться направлением легкого намагничивания вдоль магнитного поля. При этом создается крутящий момент, величина которого зависит от положения образца. Определение этого крутящего момента при разных положениях образца и позволяет судить об анизотропии магнитных свойств (константе магнитной анизотропии). Метод весьма эффективен для анализа рассеяния текстуры, однако не позволяет расшифровывать кристаллографические па-раметры текстуры. Благодаря своей простоте метод широко используется как контрольный в производственных условиях. В сочетании с рентгеновским методом может быть полезен и для анализа текстур. [c.274]

Таким образом, необходимо отдавать себе отчет в ограниченности симметрийного анализа текстур. Он дает информацию только о симметрии текстуры, в том чис- [c.276]

Дифрактометрию целесообразно применять тогда, когда необходимы точные количественные измерения интегральной интенсивности или распределения интенсивности в зависимости от угла дифракции, а также анализ интенсивности диффузного фона. Наиболее часто дифрактометрия используется при количественном фазовом анализе, прецизионном измерении периодов решетки и определении величины напряжений, при анализе формы и ширины интерференционного максимума, анализе текстур. [c.121]

Рис. 5.34. Схема движения образца при дифракто-метрическом анализе текстуры

Для анализа аксиальной текстуры достаточно иметь одну ОПФ, построенную для плоского образца, вырезанного перпендикулярно оси текстуры для анализа текстуры прокатки получают ОПФ для двух образцов, вырезанных перпендикулярно НН (параллельно плоскоств листа) и перпендикулярно НП. Анализ таких ОПФ по сравнению с анализом ППФ позволяет проводить приближенный, полуколичест-венный анализ компонент текстуры. Наиболее существенный недостаток анализа ОПФ связан с тем, что не удается проанализировать Рьы для достаточно большого числа полюсов (особенно для кристаллов с кубической решеткой). [c.137]

Текстура образцов изучалась рентгеновским методом на дифрактометре ДРОН-0,5 с помощью приставки ГП-2 в отфильтрованном медном. излучении с использованием сцинтилляцион-но-го счетчика и дифференциальной дискриминации. Применялась схема съемки на отражение по методу Шульца [1]. Для анализа текстуры использовался метод, описаиный в работе (2]. Изучались распределения интенсивности рентгеновского отражения от плоскостей 0002 , 1010 , 1011 1120 (для определения текстуры а-фазы) и 220 , 200 , 211 и 222 (для о пре-деления текстуры 1р-фазы) в поперечных сечениях прутков. [c.44]

При волочении, например, все кристаллиты ориентируются определенным кристаллографическим направлением [иу у] вдоль направления протяжки, занимая, однако, вокруг оси [иу у] произвольное положение, а при прокатке — определенной кристаллографической плоскостью Ьк1] параллельно плоскости прокатки и одновременно определенным крясталлографическим направлением [цуш] параллельно направлению прокатки (об анализе текстур см. Рентгеноструктурный анализ ). [c.715]

Исследуемые алгоритмы были реализованы в виде пакета программ. Программная оболочка (интерфейс пользователя) выполнен в виде стандартного приложения для операционной среды М8 1пс1о У8. Результаты вычислений представляются в виде числовых значений и графиков. Поскольку пакет предназначен для анализа текстуры изображения поверхности исследуемого материала, исходными данными для его работы являются графические файлы формата р т размером 768x576 пикселов по строке и столбцу соответственно. Число градаций се- [c.7]

Прямое отношение к сказанному имеет вопрос о влиянии скорости и температуры деформации на характер аксиальных текстур. Этот вопрос мало освещен в литературе. В общем случае повышение скорости и температуры деформации усиливает неоднородность и многоком-понентность текстур. Однако анализ закономерностей и причин этого затрудняется наложением процессов рекристаллизации, которые успевают в той или иной мере совершиться в ходе самой деформации.и последующего охлаждения. [c.284]

Рентгенографические методы анализа широко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов. Широкому распространению рентгенофафического анализа способствовали его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто недоступных другим методам исследований. Вследствие высокой проникающей способности рентгеновских лучей для осуществления анализа не требуется создание вакуума. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный состав материалов (рентгенофазовый анализ), тонкую структуру кристаллических веществ - форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла, координаты атомов в пространстве, степень совершенства кристаллов и наличие в них микронапряжений, наличие и величину остаточных макронапряжений в материале, размер мозаичных блоков, тип твердых растворов, текстуру веп ес1в, плотность, коэффициент термического расширения, толидину покрытий и т.д. [c.158]

Результатом многих процессов изнанливания являются частицы износа. Для их выделения из смазочного материала и классификации используют метод феррографии. Анализ частиц износа часто является важной частью триботсхнических испытаний. Другими видами потерь при изнашивании, по которым следует приводить данные в случае их значимости, являются шум в узле трения, нагрев сопряжения, перенос материала, образование трещин, изменение цвета рабочих поверхностей, задиры на поверхности и изменения в ее текстуре. [c.199]

И. В. Южаков, В. П. Юдин и В. И. Рыбин испытали на износ сталь 40Х2Н2МА после НТМПО [74]. Результаты рентгенострук-турного анализа поверхностных слоев показали некоторое расширение линий, что свидетельствует об анизотропии свойств структуры за счет появления кристаллической текстуры мартенсита. [c.26]

Механизм образования устойчивых полос скольжения подтверждается данными рентгеноструктурного анализа, выполненного с помощью специально сконструированной приставки в процессе циклического нагружения. На рис. 1, б — з приведены рентгенограммы, снятые с поверхности образцов стали 0Х18Н10Ш на разных стадиях испытания. Дебаевские кольца для образца в исходном состоянии (рис. 1, д) и после его нагружения (рис. 1, е, ж) имеют различную ширину, т. е. с увеличением числа циклов происходит накопление микронапряжений, сопровождаемое частичным образовахшем текстуры зерен. При дальнейшем испытании, [c.75]

Сменный набор приставок к дифрактометрам ДРОН-2,0 и ДРОН-3 позволяет проводить качественный и количественный фазовый анализы, исследовать твердые растворы, получать полный набор интегральных интенсивностей максимумов от монокристаллов, изучать текстуры при высоких (до 2000 °С) и низких (до — 180°С) температурах н т. д. [c.493]

Физические основы механизма связи радиационного роста моно-и поликристаллов а-урана исследовались в работе [42]. На рис. 126 приведена экспериментальная зависимость коэффициента радиационного роста поликристаллов а-урана в функции от плотности полюсов [010] вдоль направления роста, рассчитанной из данных по коэффициенту термического расширения образцов. Результаты эксперимента показывают, что при малой степени выраженности текстуры радиационный рост поликристаллов увеличивается слабее, чем это следует из расчета по методу индексов роста (рис. 127, кривая 2). Однако при плотности полюсов [010] больше 55% радиационный рост резко увеличивается и при 80% достигает величины, характерной для монокристаллов. Анализ поведения кристаллов в поликристаллическом агрегате а-урана приводит к двум различным предположениям о характере влияния межкристаллитного взаимодействия на процесс роста а-урана 1) межзеренные напря- [c.210]

Анализ экспериментальных данных показал, что при образовании поверхности методом среза величина нормальных и ка сательных напряжений, действующих на металл, превышает предел текучести в 1,5—5 раз. При этом не только разрываются атомные связи в плоскости среза или в направлении сдвига слоя металла, но и происходит всесторонняя упруго-пластическая деформация. Поэтому вид, количество и размер поверхностных дефектов (величина выступов и впадин) после механической обработки зависят от соотношения пластической деформаций Ттах И напряжений хрупкости Отах. Специальными исследова- ниями было установлено, что если Ттах>сТтах, то более вероятна пластическая деформация, если 0тах >Ттах, происходит хрупкое разрушение материала. Поэтому в зависимости от вида и режима механической обработки (точения, фрезерования, шлифования) схема напряженного состояния материала может быть различной и, следовательно, будут изменяться текстура деформированных слоев металла, вид, размер и характер макро- п микрогеометрии поверхности (рис. 78, 79). В соответствии с современными представлениями, механизм образования поверхности кристаллических тел методом среза имеет свои особенности. Энергия кристаллов, находящихся на поверхности, превышает энергию кристаллов в объеме. Дело в том, что под воздействием тангенциальных напряжений поверхностный слой сжимается, а глубинные слои оказывают ему сопротивление. Поскольку поверхностный слой очень тонкий, во многих случаях он не выдерживает и разрывается. Кроме того, на вновь образованной поверхности имеются некомпенсированные химические связи, компенсация которых идет за счет адсорбции, образования плен и др. Вот почему поверхность, образованная механической обработкой, всегда имеет повышенное количество суб-микроскоппческих двумерных и точечных дефектов — вакансий, дислокаций, примесных атомов, микротрещин и др. (рис. 80, а). [c.117]

При исследовании ТИ с целью извлечения количес 1вен-ной информации об объектах, явлениях и процессах, протекающих в поле наблюдения, проводятся анализ и обработка ТИ. В большинстве случаев при этом отпадает необходимость исходить при оценке качества изображений из свойств зрительной системы человека. Типичными параметрами ТИ, используемыми при их анализе и обработке, являются гистограмма распределения яркости элементов изображения (прямая или нормированная к общему числу элементов) площадь объектов при их классификации текстура— пространственная организация элементов в пределах конечного участка изображения, описываемая опре-дел. статистич. характеристиками распределения яркости или цветности корреляц, характеристики изображений, в т. ч. межстрочная и межкадровая корреляция. [c.56]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...