Электронографический метод

Для определения структуры и типов соединений, образующих пленку, используют электронографический метод на массивных образцах — метод дифракции электронов на отражение, а для исследования тонких пленок, предварительно отделенных от металла — метод на прохождение. [c.436]

Наиболее универсальным и доступным из них является рентгенографический метод. Он позволяет получить информацию о текстуре в слое толщиной в десятые доли миллиметра. Электронографический метод в силу сильного поглощения электронов пригоден для анализа текстуры в весьма тонких поверхностных слоях и пленках микронных толщин. Основным преимуществом дифракционных методов перед другими является то, что они не только легко позволяют установить наличие или отсутствие текстуры и ее симметрию, не разрушая изделия, но и дают возможность установить кристаллографические символы каждой из текстурных компонент. [c.265]

Однако изучение тонких поверхностных слоев по стандартной рентгеновской методике является малоэффективным. Толщина слоя металла, обычно участвующего в отражении и формирующего картину структурных изменений, находится в пределах 10" — 10" см. Поэтому структурные изменения в тонких приповерхностных слоях анализируются с помощью электронографического метода. Используя дифракцию электронов, можно исследовать слои порядка 10" —IQ- см и меньше. Для анализа более толстых слоев металла в этом случае прибегают к химическому или электролитическому травлению. Наилучшим способом снятия слоев является электролитическое полирование, при котором не происходит, как при химическом травлении, возможного вытравливания структурных составляющих и снимается равномерный слой металла по всей поверхности. Однако сам процесс снятия слоя приводит к перераспределению имеющихся в металле напряжений, а также к возникновению значительных микронапряжений. Следует особо подчеркнуть, что при неравномерном распределении структурных изменений по глубине исследуемого объекта, что всегда имеет место при трении, любая дополнительная обработка поверхности приводит к неоднозначным результатам исследования и становится вовсе недопустимой при оценке структурных изменений, вызванных влиянием ПАВ различного рода смазок. [c.17]

После этого необходимо найти уравнения для величин, поддающихся измерению, с целью связать эксперимент и теорию. Можно, в частности, вычислить функции, описывающие ближний и дальний порядок в соответствии с определением этих величин рентгеновским и электронографическим методами. Другой задачей будет вычисление теплосодержания в функции температуры. Здесь можно сослаться на экспериментальные исследования Сайкса и Джонса [153, 154, 357, 358]. Можно далее изучить температурную зависимость электросопротивления. [c.81]

Структура и строение пленок могут быть определены с помощью рентгеновского и электронографического метода исследования, а также с помощью электронного микроскопа. Метод рентгеновского исследования позволяет установить кристаллическую структуру пленок и определить параметры решетки. [c.639]

Электронографический метод используют для определения состава и структуры пленок путем съемки на отражение или на прохождение через тонкие прозрачные пленки, отделенные с поверхности металла. [c.38]

В последнее время возобновились исследования жидких металлов и аморфных пленок электронографическим методом. Исследователи считают, что аморфные пленки, получаемые напылением металлов и сплавов на различные подложки в вакууме или закалкой жидкости, представляют собой надежные объекты для изучения структуры ближнего порядка соответствующей жидкости, ибо структура вещества в аморфном состоянии близка к структуре жидкости [35, с. 162—178]. [c.25]

Наряду с рентгено- и электронографическими методами анализа, значительное место в исследовании металлов занимает анализ выделением компонентов структуры. Выделение может быть проведено химически или электрохимически с помощью буферных растворов и при определенных значениях тока, найденных из поляризационных кривых [193, 208]. В качестве электролита можно использовать, например, спиртовый раствор хлористого водорода. [c.65]

Электронографический метод [5, 6] наиболее целесообразно использовать для изучения твердых веществ, встречающихся только в высокодисперсном состоянии и поэтому малодоступных для рентгенографии, однако можно применять его вообще для расшифровки атомного строения любых соединений, образцы которых могут быть приготовлены в виде тонких пленок. Большую специальную область представляет собой электронография молекул в газах. Дифракция электронов успешно применялась и для анализа структуры жидкостей, аморфных тел, полимеров. [c.38]

Природа анодных окисных пленок изучалась электронографическим методом на прохо.ждение и отражение. [c.50]

А рентгенографическим, 1,03 0,02 А нейтронографическим и 1,02+ 0,02 А электронографическим методами [2711 . [c.146]

Успешное изучение субмикроскопических участков поверхности стало возможно в результате применения структурной электронографии, основанной на электронной дифракции. В отличие от рентгенографического, электронографический метод позволяет исследовать более тонкие поверхностные слои, порядка нескольких атомных слоев. [c.86]

Металлографическим, рентгеноструктурным, электронномикроскопическим, электронографическим методами, а также методом радиоактивных индикаторов и другими установлены причины, обусловливающие ускорение и улучшение приработки двигателей внутреннего сгорания на маслах с оптимальным содержанием растворенной и коллоидной серы. [c.210]

Исследования ориентации поверхностных слоев могут быть произведены рентгенографическим или электронографическим методами. [c.216]

Хорошим примером иллюстрации водородной связи могут служить связи в димерах жирных кислот. Например, как было показано спектроскопическим и электронографическим методами, димер муравьиной кислоты имеет структуру [c.437]

Электронографический метод 121 Электроны энергетические уровни 189 Электрополирование 658 Электросопротивление сплавов (удельное) 156—158 Элементарные частицы 260 Элинвар 957 [c.1204]

При обычных температурах толщина окисных пленок составляет от 10—20 до 80—100 А. Эти пленки не всегда имеют кристаллическое строение. Часто они близки к аморфному, чему еще способствуют внутренние напряжения, возникающие при образовании фазовых окислов на сравнительно жесткой основе, которой является металл. Для таких металлов, как железо, алюминий, титан и др., определена структура окисных пленок с помощью электронографического метода. [c.26]

Анализ текстур электронографическим методом описан в [211, 329, 330], новые методы исследования текстур —в [372, 373]. [c.775]

В ряде работ [141], [148] были исследованы электронографическим методом состав и структура пленок, образующихся на титане в различных условиях пассивации. С этой целью пленки в большинстве случаев отделялись с поверхности металла в безводном растворе брома в метиловом спирте и исследовались на прохождение . В некоторых случаях съемка проводилась методом отражения. [c.108]

В статье излагаются результаты исследования тонких слоев химических соединений, образующихся на поверхности металла при сульфидировании в соляных ваннах по различным методам, разработанным в СССР и за рубежом. Применение комплексного метода позволило точно установить, в каких случаях на гюверхности металла образуются сульфиды, нитриды и другие структурные составляющие, и по сопоставлению этих результатов с результатами испытаний на трение и износ определить значение различных структур. Электронографический метод применяется для этой цели впервые, и результаты показывают, что сочетание его с рентгеноструктурным методом существенно повышает ценность получаемых данных. [c.168]

В результате развития электронографического метода исследования поверхности твердого тела сделан значительный шаг вперед в области изучения структур поверхностных окисных и гидро-окисных слоев на металлических материалах [1—4]. [c.24]

Для окончательного решения этого вопроса необходимо проведение специальных работ по рентгенографии с привлечением электронографических методов исследования. [c.158]

Параллельно с исследованиями кинетики окисления проводили определение фазового состава образующейся на сплавах окалины рентгеноструктурным и электронографическим методами. [c.47]

С целью более детального описания кристаллических фаз в Приложении I в столбце Состояние приводятся принятые в литературе названия кристаллических модификаций (или минералов) и обозначения кристаллических фаз греческими буквами. Нумерация кристаллических модификаций римскими цифрами дается в соответствии с приведенной в основных таблицах справочника. Модификации, существующие только при высоком давлении, обозначаются в. д. . Для фаз, исследованных только в виде пленок электронографическим методом, в графе Состояние указывается пленка . [c.418]

Особенность электронографического метода состоит в том, что электронный пучок рассеивается веществом приблизительно в I f раз сильнее, чем рентгеновские лучи, и проникновение электронов в вещество невелико в сравнении с рентгеновскими лучами. Максимальная толщина окисных пленок, поддающихся злектронографированию, при съемке на просвет, составляет около 100 нм. При съемке методом отражения (применяя касательный к поверхности пучок электронов) можно анализировать окисные пленки толщиной порядка 1 нм и даже обнаруживать наличие мономолекулярного окисного слоя, т.е. фиксировать переход от хемисорбции к окислению. Электронография позволяет изучать процесс зародышеобразования, а при электронномикроскопическом исследовании фольговых образцов — кристаллическую структуру неметаллических включений (микродифракция). Таким образом, чувствительность метода весьма высока, и основное достоинство его заключается в возможности исследования малых объемов вещества. [c.22]

В работе М. Нагаяма и М. Коэна [49] электронографическим методом исследована структура пленок, образованных при анодной поляризации на монокристаллическом железе. Определение структуры пленки, полученной при потенциале +0,05 в (выдержка 1 час, толщина 15 А) методом отражения, показало наличие окисла кубической структуры со средним параметром решетки 8,37 0,04 А. Это можно объяснить тем, что нленка состоит из FegOi и ВаОз. Исследование анодной пленки, отделенной от поверхности поликристаллического образца, пассивировавшегося при +1,09 el час, также показывает кубическую структуру с параметром 8,40 + 0,04 А. [c.39]

При электронографическом изучении сплава Ga—Sn [31, с. 87—88] не наблюдалось существенного изменения межатомных расстояний или числа квазиструктур при перегревах до 270° С. При этом следует отметить, что электронографическим методом удалось зафиксировать координационные сферы олова в сплаве Ga—Sn [c.26]

Харада и др. [525, 528] изучали рентгенографическим методом частицы Аи диаметром 60—230 А, получаемые испарением металла в инертном газе. Рентгенографический метод лишен многих недостатков электронографического метода и позволяет проводить измерения с очень высокой точностью. Сводные результаты для параметра решетки малых частиц Аи приведены в табл. 14 [525, 528]. Видно, что в пределах погрешности измерений параметр решетки даже самых малых частиц не отличается от такового у массивного металла. [c.190]

Как известно, тепловое расширение тел является существенно ангармоническим эффектом, весьма чувствительным к изменению силовых констант решетки. Методом MG найдено, что линейный коэффициент расширения кластеров А.г (п = 3, 5, 7, 13) не зависит от температуры (7 < 28К) и их размера, а его значение оказывается примерно в 10 раз больше, чем у массивного кристалла [552]. Однако Харада и др. [525, 528] рентгенографически не обнаружили отличия коэффициента теплового расширения аэрозольных частиц золота диаметром 60—230 А от такового у массивного металла в области температур 20—80°С. С другой стороны, Пугачев и Чуракова [553] электронографическим методом установили повышение коэффициента линейного расширения поликристаллических пленок Аи толщиной 50 — 100 А на 15—20% по сравнению с массивным золотом (Т = = 90 Ч-280К). Но этот эффект, возможно, обусловлен неконтролируемым нагреванием пленок электронным пучком. [c.195]

В противоположность электронографическому методу образцы для нейтронографических исследований из-за малого эффективного сечения атома при рассеянии нейтронов должны иметь толщину по крайней мере несколько миллиметров. Интересно отметить некоторые возможности нейтронографии, когда практически бессилен и рентгенографический, и электронографический методы. С помощью нейтронной дифракции можно устанавливать в кристалле взаимное расположение атомов, принадлежащих соседним элементам по периодической системе, определять расположение очень легких атомов в соединениях, содержащих тяжелые атомы. Методами нейтронографии определено расположение атомов водо- [c.65]

Окись алюминия, образующаяся на алюминии, может иметь различную кристаллическую структуру. При кратковременном воздействии воздуха получается отчетливая электронограмма, отвечающая металлическому алюминию. С течением времени электронограмма становится все более тусклой и в конце концов остается только сплошной фон. Линий, отвечающих окиси алюминия, обнаружить не удается. Может быть пленка окиси алюминия чрезвычайно тонка, мелкокристаллична или даже аморфна. Иначе ведет себя пленка алюминия, полученная конденсацией из пара на стеклянной пластинке в высоком вакууме. Такая пленка металла годами сохраняется в сухом или влажном воздухе, не обнаруживая следов окисной нленки [35, стр. 48]. Это подтверждает предположение об исключительно малой толщине пленки окиси, что не позволяет обнаружить ее электронографическим методом. [c.91]

В работе [1] эта система вновь исследована в интервале концентраций О— 50% (ат.) Sb методом электронографического анализа тонких пленок. Обнаружены 5- и е-фазы. Установлено [2], что 8-фаза (AggSb) имеет ромбическую структуру, аналогичную структуре usTi а = 5,99 А, Ь = 5,24 А, с = 4,85 А. Сверхструктура, указанная М. Хансеном и К. Андерко (см. т. I, рис. 30), не обнаружена. По данным работы [1], периоды решетки е-фазы имеют следующие значения а = 4,813 0,005 А, Ь = 2,979 0,003 А, с = 5,215 0,005 А однако сравнение данных электронографического метода [1] для -фазы с окончательными результатами рентгеновского исследования [3] позволяет считать данные работы [1] для 8-фазы ненадежными. [c.40]

Исследование закономерностей анодного окисления индия проводилось различными методами. В работе применялся гальваностатическнй метод, методы снятия кривы спада потенциала и кривых катодного восстановления анодных С КИС ных пленок. Исследование структуры анодных о . исиых пленок осуществлялось электронографическим методом на прохождение и отражение. Состояние поверхност, локгрода изучалось под металлографически.м микроскопом. [c.41]

П. Д. Данков, обосновывая процессы образования поверхностных пленок, с помощью электронографических методов исследования доказал существование фазововыраженного оксида [4, 12]. Он отметил, что особенно легко растут оксиды на металлах в условиях газового электрического разряда. Этот эффект П. Д. Данков связывал с более высоким химическим потенциалом кислорода в этих условиях. Так, в атмосфере озона или активированного кислорода вследствие более глубокого проникновения кислорода в металл образуется более толстая пленка. [c.11]

Большие возможности дает электронографический метод. При исследовании пограничных слоев политена и гуттаперчи, имеющих в цепи главных валентностей тысячи углеродных атомов, была обнаружена система тонких и четких колец, которые свидетельствуют об ориентации цепей высокополимера в основном нормально к покрываемой поверхности. [c.19]

Не может быть двух мнений о том, что именно диффузионная барьерная пленка объясняет пассивность металлов, пассивных только по второму определению. Видимая пленка PbS04 на свинце, погруженном в H2SO4, или пленка фторида железа на стали, погруженной в водный раствор НР — это примеры защитных пленок, которые изолируют металл от окружающей среды. Но на металлах, пассивных согласно первому определению, основанном на значительной анодной поляризации, пленки обычно невидимы и, например, на нержавеющих сталях или на хроме, они настолько тонки, что не могут быть определены электронографическим методом. В течение последних 125 лет идет дискуссия о механизме пассивности металлов и сплавов этого типа. Довод в пользу того, что причиной пассивности всегда является пленка продуктов реакции, основывается на возможности изолировать тонкие окисные пленки от пассивного железа, например, погружением металла в водный раствор йода в йодистом калии или в раствор йода в метиловом спирте [15, 16] и извлечением из рас- [c.69]

Вассерман и Броквэй [13] электронографическим методом показали, что важным продуктом окисления PbS является ланар-кит РЬО PbS04. Это было подтверждено тем же методом Зим-киной и Шмелевым [55, 12]. [c.368]

Значение AS процесса, как будет показано ниже, необходи- мо знать для расчета конкретных условий равновесия системы, поэтому практическая ценность третьего закона в области температур, далеких от абсолютного нуля, состоит а том, что с его помощью удается рассчитать химическое или фазовое равновесие, опираясь только на калориметрические данные. Особенно удобно применять метод абсолютных энтропий для расчетов равновесий с участием идеальных газов, поскольку для последних имеются формулы статистической термодинамики, позволяющие находить энтропии различных веществ по заданным термодинамическим параметрам и известным молекулярным постоянным частиц газа или пара (геометрия молекул, межатомные расстояния, частоты колебаний др.). Такие данные получают спектральными, электронографическими и другими нетермодинамическими методами. [c.57]

ОСНОВНЫМИ МЕТОДАМИ анализа текстур являются дифракционные рентгенографический, электронографический и нейтронографический. Основанные на одних дифракционных принципах эти методы различаются но глубине проникновения дифрагирующих излучений в изучаемый объект и тем самым по толщине слоя материала, о текстурированностп которого дает информацию данный метод. [c.265]

Кинетика пластического течения на начальной стадии деформирования и природа поверхностных источников сдвигообразо-вания широко изучались в 30—40-х годах. В результате этих исследований было установлено, что начальные акты пластического течения, как правило, связаны с поверхностными слоями кристалла [55, 56]. Позднее также на основании рентгенографических исследований аналогичный вывод был сделан в работе [57]. В дальнейшем гипотеза о преимущественном пластическом течении в приповерхностных слоях кристалла на начальных стадиях деформирования получила подтверждение электронографическими, поляризационно-оптическими, металлографическими и другими методами исследования. Наиболее сильно влияние поверхностных слоев на общий процесс макроскопической деформации проявляется на монокристаллах металлов и химических соединений в специфических условиях внешней среды (газовой, жидкой, в присутствии поверхностных пленок и т. д.) [54]. Однако апомально [c.22]

Анализируя изменение параметра решетки наночастиц, следует учитывать отмеченную в разделе 3.1 возможность перехода от менее плотных ОЦК- и ГПУ-структур к более плотной ГЦК-структуре при уменьшении размера частиц. Так, по электронографическим данным [241], при уменьшении диаметра d частиц Gd, ТЬ, Dy, Ег, Ей, Yb от 8 до 5 нм сохранялись гексагональная плотноупакованная структура и параметры решетки, характерные для массивных металлов при дальнейшем уменьшении размера частиц наблюдалось заметное сокраш ение параметров. Однако одновременно с этим менялся вид электроно-грамм, что свидетельствует о структурном превраш ении — переходе от ГПУ- к ГЦК-структуре, а не об уменьшении параметров ГПУ-решетки. Действительно, в наночастицах редкоземельных металлов рентгеновским методом обнаружен структурный [c.72]

Эти данные получены на плоских образцах 3X10X15 мм методом послойного электронографического анализа, предложенного Д.В.Игнатовым. Состав окалины после окисления в течение 5 - 100 ч в интервале 1000 - 1200°С представлен в табл. 5-8. Эти данные получены тем же методом при окислении образцов сплавов промышленной чистоты (табл. 9). [c.38]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...