Перескок

В первом случае в результате хаотического теплового движения отдельные атомы основного металла время от времени меняют места в своей кристаллической решетке, совершая перескок из одного положения в другое. Этот процесс перемещения однородных атомов происходит непрерывно и хаотически по направлению и не изменяет концентрации. [c.320]

Ниже примерно 10 К расположен последний диапазон, в котором проводимость обусловлена перескоком электронов от одного примесного атома к другому. Такая проводимость называется примесной проводимостью она пропорциональна избыточной концентрации донорных атомов Мд—Мд), так что [c.199]

Рис. 13.16. Соотношения равновесной С р и неравновесной С концентрации вакансий в железе в условиях термического цикла сварки (скорость охлаждения в диапазоне 870...770 К 20 К/с) 7V — частота перескоков атомов

Рассматриваемый случай может возникнуть, например, при исследовании движения тела в вязкой среде, когда масса тела пренебрежимо мала. При однозначной функции / х) такая динамическая модель оказывается вполне корректной, однако в случае неоднозначности /(х) хотя бы на некотором интервале изменения х можно прийти к противоречивой модели. В последнем случае возникающее противоречие устраняется или при помощи дополнительного постулата о мгновенном перескоке изображающей точки в некоторое положение на фазовой прямой, которое определяется или из энергетических соображений, или при помощи рассмотрения предельных движений системы второго порядка при стремлении малого параметра ц к нулю. [c.24]

В жидкости молекулы не только колеблются около положения равновесия, но и совершают перескоки из одного положения равновесия в соседнее, эти перескоки молекул являются причиной текучести жидкости, ее способности принимать форму сосуда. [c.71]

Рассмотрим, следуя Френкелю, диффузию атомов по вакансиям. Допустим, что в кристаллической решетке рядом оказались атом и вакансия, как показано на рис. 6.19. Вследствие достаточно большой флуктуации энергии атом может перескочить в соседнюю вакансию, находящуюся справа. После такого перескока, являющегося элементарным актом самодиффузии, вакансия переместится влево на одно элементарное межатомное расстояние б. Вероятность перехода атома из узла в вакансию определяется выражением (6.108). Очевидно, что она должна быть обратно пропорциональна времени т оседлой жизни атома (вакансии) в узле, тогда [c.200]

До сих пор мы говорили, в основном, о движении вакансий по кристаллу, которое связано с движением атомов. В отличие от вакансий, которая всегда рядом имеет атомы, сидящие в узлах, атом по кристаллу движется с меньшей скоростью. Это обусловлено тем, что атом для того, чтобы совершить элементарный скачок, должен еще некоторое время ждать , когда к нему подойдет вакансия. Вероятность того, что рядом с атомом окажется вакансия, очевидно, равна отношению числа вакансий п к обш,ему числу атомов в решетке N, а это отношение, как мы видели, равно концентрации вакансий п/М=ехр[ Еф/(квТ)]. Поэтому полная вероятность Р того, что одновременного рядом с атомом окажется вакансия и атом совершит перескок в эту вакансию, равна произведению вероятностей [c.202]

Очевидно, VTO частота перескока пропорциональна вероятности перескока [c.202]

Наложение внешнего однородного поля вдоль оси л изменяет зависимость U(x). Потенциальная энергия иона в этом поле должна изменяться с расстоянием линейно. Таким образом, кривая V (х) представляет собой результат наложения зависимости, изображенной на рис. 8.5, и наклонной прямой (рис. 8.6). Из рис. 8.6 следует, что вероятность перескока иона из положения / в положение 2 увеличивается, а вероятность обратных перескоков уменьшается. Это происходит потому, что за счет наложения поля потенциальный барьер в первом случае уменьшается на AL/, а во-втором — увеличивается на AU. Если заряд иона равен е, то AU= =еЕд/2. Естественно, что число перескоков в единичное время в направлении J- 2 теперь больше, чем в обратном направлении. В результате этого в диэлектрике устанавливается асимметричное распределение зарядов, т. е. создается некоторый дипольный момент. [c.285]

Если к диэлектрику внешнее поле не приложено, то в различных анионных вакансиях эти переходы происходят хаотически и поляризация не возникает. Приложение электрического поля приводит к тому, что перескоки становятся в значительной степени согласованными. При этом возникает преимущественная направленность перескоков и, таким образом, появляется результирующий дипольный момент. Время релаксации электронной тепловой поляризации достаточно велико 10 —10 с. [c.288]

Проводимость, связанная с носителями, возбужденными в локализованные состояния, расположенные в хвостах зон, т. е. вблизи Еа или Ев (рис. 11.6). Если ток переносится также дырками, то проводимость, осуществляемая в этом случае путем перескоков, определяется выражением [c.361]

Проводимость, связанная с носителями, которые совершают перескоки между локализованными состояниями вблизи уровня Ферми. Этот процесс аналогичен прыжковой проводимости по примесям в сильно легированных компенсированных полупроводниках. В области локализованных состояний электрон с заданной энергией не может удалиться достаточно далеко от своего центра локализации. Хотя может существовать перекрытие волновых функций некоторых состояний, отвечающих достаточно близким потенциальным ямам, его недостаточно для того, чтобы проводимость системы при Т=0 К была отлична от нуля. В области локализованных состояний стационарный перенос заряда может происходить лишь путем перескоков носителей [c.361]

Здесь вероятность перескока [c.362]

R — расстояние, на которое осуществляется перескок а — некоторый коэффициент, зависящий от степени перекрытия волновых функций (при значительном перекрытии множитель, зависящий от перекрытия, в (11.6) равен нулю) Vф — множитель, зависящий от спектра фононов. Значения Vф могут меняться в широком интервале. Для многих аморфных полупроводников можно принять Тф (10 2 10 3) с-. [c.362]

Аморфные диэлектрики в виде тонких пленок находят широкое применение в микроэлектронике. Во многих таких диэлектриках,, так же как и в аморфных полупроводниках, проводимость (весьма незначительная ) осуществляется путем перескоков из одного локализованного состояния в другое. Энергия активации этого процесса значительно ниже, чем энергия активации примесной проводимости в кристаллических диэлектриках. [c.371]

Нерегулярный, хаотический характер пичков, наблюдающийся в реальных случаях, можно объяснить следующим образом. Каждая мода имеет определенную пространственную структуру и черпает энергию в основном в тех областях кристалла, где напряженность ее поля велика. Поэтому каждая мода обладает в какой-то степени своим запасом инверсной населенности. Опыт показывает, что в каждом пичке происходит возбуждение малого количества продольных мод и в большинстве случаев лишь одной поперечной моды. Перескок генерации с одних мод на другие приводит к неравномерности временных интервалов, разделяющих пички, и к хаотическим пульсациям их интенсивности. Значительную роль в нарушении регулярности пичков играют пространственно-временные флуктуации накачки и неоднородности кристалла, вследствие которых различные участки кристалла не дают одновременной генерации. Спектральная ширина излучения отдельного пичка составляет 0,01—0,05 см . Полная спектральная [c.297]

Характер теплового движения молекул в жидкостях более сложный, чем в твердых телах. Согласно упрощенной модели тепловые движения. молекул жидкости представляют нерегулярные колебания относительно некоторых центров. Кинетическая энергия колебаний отдельных молекул в какие-то моменты может оказаться достаточной для преодоления межмолекулярных связей. Тогда эти молекулы получают возможность скачком перейти в окружение других молекул, тем самым поменяв центр колебаний. Таким образом, каждая молекула некоторое время i, называемое временем оседлой жизни , находится в упорядоченном строю с несколькими ближайшими молекулами. Совершив перескок, молекула жидкости оказывается среди новых молекул, выстроенных уже другим образом. Поэтому в жидкости наблюдается только ближний порядок в расположении молекул. [c.9]

Как указано выше, газы также обладают вязкостью, но механизм межмолекулярного взаимодействия, проявляющегося в этом свойстве, в них иной, нежели в жидкостях. Исходя из представлений о молекулярной структуре жидкостей (см. п. 1.1), можно предположить, что в этих средах при повышении температуры возрастает кинетическая энергия колебательных движений молекул, учащаются их перескоки , в результате чего облегчается относительный сдвиг слоев. Макроскопически это обнаруживается в уменьшении вязкости. [c.15]

Вследствие того что положение атомов на вогнутой стороне границ более стабильно, чем на выпуклой, частота атомных перескоков на вогнутую сторону будет большей, чем в обратном направлении. В результате границы между зернами одной фазы, стремясь к уменьшению своей энергии, на стадии собирательной рекри- [c.324]

Обратный перескок происходит при та 1 = 0,8. [c.385]

Если температура жидкости на входе в канал меньше Tw, то по длине канала происходит ее монотонное возрастание, при котором Т стремится в пределе к (рис. 5.3). При расчете же по схеме (5.15) при достаточно большом т, , которое получается при малых скоростях или больших шагах по пространственной координате, наблюдается следующее явление. При подходе численного решения достаточно близко к на каком-то его шаге происходит перескок за значение т. е. температура жидкости превышает температуру стенки. Поскольку разность Tw — [c.161]

Однако зависимость у(Т) часто обусловлена не экспоненциальным ростом концентрации носителей, как в полупроводниках п ехр(-Ж/кТ), а ростом подвижности р схр(-ШкТ). Это связано с тем, что дрейфовая подвижность ионов мала и осуществляется путем их перескока с ловушки на ловушку, разделенных потенциальным барьером (так называемая прыжковая электропроводность). Вероятность таких тепловых перескоков прямо пропорциональна ехр(-ЖД Т). [c.99]

При снижении q за пределы точки Б происходит переход ( перескок ) пленочного режима в пузырьковый. Эти перескоки можно избежать и сделать переходный режим устойчивым, если задавать не тепловую нагрузку, а тепловой напор At = t — t . Тогда любую точку переходного режима можно реализовать при обогреве поверхности, например, конденсирующимся паром. Тепловой поток при этом будет уменьшаться по мере ухудшения условий теплообмена (участок АБ графика). [c.147]

В этом примере возмущенное движение, начиная с указанного момента, теряет связь с медленным происходит срыв с медленной кривой (релаксация к другому положению равновесия, т. е. перескок на нижнюю ветвь). [c.170]

Каждая частица такой системы — элементарный магнитный диполь — может находиться только в двух состояниях, и если энергию нижнего мы примем за нуль, энергия верхнего будет равна Д. Движение частицы состоит при этом в перескоках из одного состояния в другое в общем смысле движение как раз и заключается в изменении состояния. Микроскопическое же состояние всей системы можно описать, )жазав, в каком из этих дв)ос возможных состояний находится каждая частица. [c.91]

Своеобразная трактовка разрезов-трещин как нетривиальных форм равновесия упругих тел с физически нелинейными характеристиками, предложенная В. В. Новожиловым [195, 196], помогает понять возможную причину образования щелевидных областей или пустот. Известно, что при увеличении расстояния между атомами твердого тела меясатомное усилие возрастает до максимума, а затем падает. Равновесие атомов, взаимодействующих по закону нисходящей ветви этой кривой, неустойчиво. Атомный слой, находящийся между двумя другими фиксированными слоями, имеет одно положение неустойчивого и два положения устойчивого равновесия. Поэтому различные причины (тепловые флуктуации, местные несовершенства кристаллической решетки, растягивающие напряжения от внешней нагрузки) создают условия для преодоления потенциального барьера при переходе (через максимум силового взаимодействия) от устойчивого состояния равновесия к неустойчивому. Видимое проявление неустойчивости сводится к перескоку атомного слоя (точнее, его части) в новое положение, что характерно для явления, носящего назваипо устойчивости в большом . [c.69]

Процесс перескока атомов из одного регулярного цоложения равновесия в другое Френкель назвал диффузией дырок, или свободных мест, в решетке. Оба процесса — перемещение вакантных мест (дырок) и движение атомов в межатомном пространстве, т. е. движение диссоциированных атомов — осуществляют диффузию в твердом теле. [c.199]

Ясно, что в первом случае (рис. 11.5,6) представление о запрещенной зоне сохраняет точный смысл имеется область энергий, где плотность, состояний тождественно равна нулю. Предполагается, что таким энергетическим спектром обладают прозрачные некристаллические вещества. Во втором случае весь энергетический интервал Еу<Е<Ес заполнен дискретными уровнями, т. е. запрещенная зона в том смысле, как мы обсуждали ранее, здесь не существует. Тем не менее указанная область Ес—Е принципиально отличается от разрешенных зон. Так, электроны, локали- зованные здесь на дискретных уровнях, могут участвовать в переносе заряда только путем перескоков. При Т->0 К вероятность последних стремится к нулю, так что их вклад в электропроводимость полностью исчезает. В силу этого область энергий, занятую локализованными состояниями, также можно называть запрещенной зоной. [c.358]

Средняя энергия активации перескоков АЕ тем меньше, чем-выше плотность состояний. При сильной локализации электрон перескакивает лишь на ближайшее локализоваЕшое состояние. Таким образом, [c.362]

В области низких температур электроны и дырки, локализованные на диекретных уровнях, м огут перемещаться по кристаллу лишь путем прыжков (перескоков) с одного уровня на другой. Для преодоления потенциального барьера, разделяющего примесные атомы, требуется энергия активации. В случае малой концентрации примесных атомов расстояния между ними получаются большими, а поэтому вероятность перескока оказывается небольшой и значения подвижности (скорость дрейфа носителей заряда в электрическом поле с напряженностью 100 В/м) также очень малы. Прыжковую проводимость можно обнаружить лишь при настолько низких температурах, что концентрация свободных носителей заряда становится совсем небольшой (но при Т = 0 тепловая активация невозможна). Представление об изолированных атомах примеси оправдано лишь в том случае, если не перекрываются ни их силовые поля, ни волновые функции электронов, локализованных на этих уровнях. [c.120]

Характер теплового движения молекул в жидкостях сложнее, чем в твердых телах. Согласно упрощенной, но, по-видимому, качественно верной модели, тепловые движения молекул жидкости представляют нерегулярные колебания относительно некоторых центров. Кинетическая энергия колебаний отдельных молекул в какие-то моменты может оказаться достаточной для иреодоления межмолекулярных связей. Тогда эти молекулы получают возможность скачком перейти в окружение других молекул, тем самым поменяв центр колебаний. Таким образом, каждая молекула некоторое время называемое временш оседлой жизни , находится в упорядоченном строю с несколькими ближайшими соседками . Совершив перескок, молекула жидкости оказывается среди новых молекул, выстроенных уже другим образом. Поэтому в жидкости наблюдается только ближний порядок в расположении молекул. Скачки молекул совершаются хаотически, новое место никак не предопределено прежним. Непрерывно и в большом количестве совершающиеся скачкообразные переходы молекул с места на место обеспечивают диффузию молекул и текучесть жидкостей. Если на границе жидкости приложена сдвигающая сила, то, как и в газах, появляется преимущественная направленность скачков и возникает течение жидкости в направлении силы. [c.11]

Механизм сопротивления жидкостей сдвигу отличается от такового в газах. Поскольку движение жидкости является результатом направленного движения перескакивающих молекул, то чем меньше перескоков, тем большее сопротивление оказывает жидкость сдвигающим усилиям, т. е. тем больше вязкость жидкости. С повышением температуры растет кинетическая энергия молекулярного движения и увеличивается число перескоков, что воспринимается как уменьикние вязкости. Изменение давления мало влияет на вязкость жидкости. [c.11]

Пусть имеется замкнутая полость, стенки которой нагреты до некоторой температуры Т и излучают и поглощают фотоны. При излучении фотона атом переходит с более высокого энергетического уровня на более низкий энергетический уровень. При поглощении фотона наблюдается перескок атома с более низкого энергетического уроння на более высокий. Таким образом, [c.74]

Переползание краевых дислокаций является процессом, контролирующим степень искажения кристаллической решетки и дислокационную структуру деформированного металла. Для переползания краевой дислокации необходима самодиффузия. Используя выражение для коэффициента самодиффузии D = a /x—Doexp —E sJ IkT), где а — параметр решетки т — усредненное время перескока атома, определяющее развитие самодиффузии при данной температуре Т, К сд 38 Гпл — полуэмпи-рическая зависимость энергии активации самодиффузии от температуры плавления, можно приближенно определить температурную границу, выше которой возможно переползание 7 пер=38 7 пл/А1п(т1)о/а ). [c.256]

При взаимном перемещении поверхностей трения молекулы-"вор-синки" как бы изгибаются в противоположные стороны, Иа самом деле происходит сдвиг с перескоком элементов квазикристаллической структуры пленки. На восстановление ориентации молекул в прежнее положение - перпендикулярно поверхности тел - требуется некоторый промежуток времени, который можно рассматривать как время релаксации. [c.69]

Основным видом теплового движения атомов в твердых телах является колебательное движение около положений равновесия с амплитудами, малыми по сравнению с постоянной решетки. Однако при достаточно высоких температурах оказываются заметными скачкообразные перемещения атомов на расстояния порядка постоянной решетки. Такие перемещения, многократно повторяясь, приводят к беспорядочному блужданию атомов по объему тела — диффузии. При определенных условиях, когда вероятности перескоков атомов в противоположных направлениях оказываются различными, на это беспорядоч-пое блуждание может накладываться и упорядоченное перемещение, преимущественно совершающееся в каком-нибудь направлении и приводящее к возникновению пап-равлеиного диффузионного потока атомов. [c.234]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...