Селенид кадмия

Селенид кадмия Сульфид кадмия Сульфид свинца Теллур Теллурид висмута кадмия свинца рубидия цезия Титанат бария Фторид лития Фосфид индия Хлорид серебра [c.576]

В так называемых селеновых вентилях в качестве запорного слоя используются соединения селена, в частности селенид кадмия. [c.278]

Для селеновых вентилей применяется возможно более чистый селен, содержащий селена не менее 99,99%, так как от степени чистоты очень сильно зависят такие параметры, как плотность тока, обратное напряжение и др. Селен может быть кристаллическим и аморфным. В производстве полупроводниковых вентилей используется кристаллическая модификация с температурой плавления 220° С. Роль акцепторной примеси исполняют собственные атомы, не вошедшие в кристаллическую решетку. Запирающий слой в виде селенида кадмия образуется при формовании у подложки. Благодаря повышенным плотностям тока и более широкому диапазону рабочих температур селеновые вентили в отличие от меднозакисных могут быть использованы в разных промышленных устройствах. Однако по своим параметрам они не могут конкурировать [c.278]

Сульфид кадмия Селенид кадмия Сульфид свинца [c.99]

Для структур, использующих селенид кадмия и сульфид кадмия с удельным сопротивлением, соответственно 10 и 10 [c.176]

Рис. 4. Давление насыщенного пара селенида кадмия

Еще более сложным является вопрос управления проводимостью в пленках не элементарных полупроводников, а полупроводниковых соединений. В настоящее время имеется опыт по изготовлению пленок таких соединений, как сернистый кадмий, селенид кадмия, сернистый свинец и др. При осаждении полупроводниковых пленок в большинстве случаев имеет место частичное разложение исходного вещества на отдельные компоненты. В связи с этим практически невозможно получить пленку стехиометрического состава. [c.165]

Для получения селенидов кадмия и цинка в качестве материала для анода может быть использована цинковая жесть, а для катода — сплав селена с платиной. Электролит при получении селенида цинка состоит из азотной или серной кислоты, а при получении селенида кадмия — сульфат натрия или нитрат кальция. [c.82]

Несмотря на то, что работа по применению фосфоров из селенида кадмия для трубок цветного телевидения вследствие эффекта старения оказывалась безуспешной, исследования по преодолению этого недостатка продолжаются [443]. [c.277]

Поликристаллический селенид кадмия получают осаждением из водных растворов солей кадмия с помощью НгЗе. Монокристаллы выращивают из газовой фазы и из расплава под давлением. Тонкие пленки получают методом вакуумного термического испарения. Селенид кадмия применяется для изготовления фоторезисторов и в качестве оптического материала, прозрачного в ИК-диапазоне. [c.661]

Несмотря на то что работа по применению фосфоров из селенида кадмия для трубок цветного телевидения вследствие эффекта старения оказались безуспешной, исследования по преодолению этого недостатка продолжаются. В области термоэлектриков селенид висмута служит заменителем тел-луридов свинца и висмута. В настоящее время значительный интерес представляют компактныетермоэлектрическиенриборы, НС имеющие движущихся частей, с помощью которых при подводе тепла к прибору можно создавать электрический ток (эффект Зеебека) или осуществлять охлаждение или нагрев. [c.658]

Детально изучены оптические и люминесцентные характеристики полупроводниковых наночастиц. На рис. 3.2 были показаны спектры поглощения наночастиц селенида кадмия и зависимость энергии максимума полосы поглощения от радиуса наночастиц. Оптические свойства нанополупроводников характеризуются и так называемым голубым сдвигом при уменьшении размеров кристаллитов, а также появлением люминесценции. Интенсивная лю- [c.72]

Монокристаллы dSe, так же как и dS, обычно получают с электронной электропроводностью за счет отклонения от стехиометрического состава (недостаток селена). Отжиг кристаллов dSe с электропроводностью п-типа в парах селена приводит к образованию на их поверхности слоя с дырочной электропроводностью. Подвижность электронов при комнатной температуре 0,058 м /(В -с), дырок — 0,005 м /(В -с). Селенид кадмия применяют в электролюминесцентных устройствах и в фотоэлементах. [c.99]

У селенового элемента (рис. 82, а) опорным электродом служит алюминиевая пластина 1, покрытая слоем висмута 2. На пластину наносится слой аморфного селена 3, подвергнутый термообработке и осернению, который обладает дырочной проводимостью (р-проводи-мость). Сверху этого слоя наносится сплав олова и кадмия 5. Атомы кадмия проникают в слой селена и играют роль донорной примеси, образуя в селене слой селенида кадмия 4, обладающий электронной проводимостью ( -проводимостью). Следовательно, внутри селена создается переход р—п, обладающий вентильными свойствами. Благодаря этому слою селеновый элемент пропускает ток в одном направлении (прямом) — от алюминиевой пластины к сплаву олова с кадмием и не пропускает его в обратном направлении. [c.119]

Из соединений селена известны селенид кадмия (СёЗе), селенид свинца (РЬ5е), селенид ртути (HgSe). Селенид ртути — кристаллическое вещество, получаемое сплавлением компонентов в вакууме при 254 [c.254]

Давление пара. Селенид кадмия испаряется, как и ч еле-нид цинка, — конгруэнтно [37], но с полной диссоциацией в газовой фазе на компоненты [41]. Испарению dSe отвечает реакция [c.47]

Теп-лоемкость. Тедлоемкость dSe при низких температурах измерялась в двух работах. В 4>аботе [69] измерения Выполнены только при 80° К с точностью 7%, Ср = 4,0 кал/(моль X X град). Демиденко [70] измерена атомная теплоемкость Ср и С селенида кадмия со структурой вюрцита в интервале 55—300° К в адиабатическом калориметре с точностью 0,3%. Сглаженные значения С, [c.93]

Рис. 63. Вольтамперная характеристика микропленочного полевого триода из селенида кадмия

Кадмий красный Красный Сульфид кадмия (С(18) и селенид кадмия (Сс18е) СТУ 30-14226-64 [c.233]

Кроме селенида кадмия используется в качестве полупроводника и селенид свинца РЬ5е. В нем может быть получена электронная проводимость при избытке свинца, дырочная — при избытке селена используются и некоторые примеси. Потенциал запрещенной зоны у селенида свинца равен 0,26 В. Его используют при изготовлении термоэлектрических генераторов ширина запрещенной зоны у теллурида свинца очень близка к запрещенной зоне селенида свинца. Находит применение сплав теллурида висмута и селенида висмута. Он представляет собой твердый раствор с максимальной в зависимости от соотношения компонентов шириной запрещенной зоны 0,31 В. Этот материал применяется для изготовления различных термоэлементов, а также наряду с селенидами и теллуридами, взятыми в отдельности, для фоторезисторов и фотоэлементов, о которых сказано в 5-5, г. [c.279]

Данные по селениду кадмия, цинка и ртути приведены в табл. 3. Величина АУ/Уо приводится без учета сжатия обеих фаз, обусловленного изменением давления от атмосферного до давления, при котором проводится эксперимент. В фазовых превращениях (при низких давлениях особенно) обаруживается некоторый гистерезис по давлению. Среднее из двух значений давлений принято за истинное равновесное давление фазового перехода однокомпонентной системы. Как следует из данных табл. 3, при давлениях, превышающих 20000 кГ1см , появляется модификация С(15е со структурой МаС1. [c.39]

Показана возможность получения селенидов кадмия, свинца, ртути, олова, висмута, хрома и ряда других металлов IV—VI групп Периодической системы, а также селенидов индия. Однако, как показали исследования Л. Я. Марковского, который подробно изучал химизм процессов восстановления селенидов цинка и редко" е-мельных металлов, методом восстановления селенитов нельзя получить хороших чистых продуктов. Для селенида цинка нужна очень высокая температура (при этом имеются большие потери цинка и селена), для селенидов РЗЭ прочность окислов не позволяет полностью удалить кислород из конечного продукта. [c.77]

Сульфиды и селениды кадмия можно получать по методу Фрерихса взаимодействием паров кадмия с Нг5 или НгЗе [99]. [c.80]

Одновременно с селенидом кадмия в зависимости от условий ведения процесса в осадок выпадает сульфид и сульфат кадмия, а также свободный селен. Состав и выход осадка зависят от температуры, кислотности среды, скорости добавления солей и не зависят от исходной концентрации ЫагЗОз и времени выдержки. Хотя по этому методу и разработаны две схемы получения dSe, однако практически их трудно осуществить, так как сложно добиться получения однофазного продукта. [c.125]

Хейну и Банке [247] поместили dSe в стальную аппаратуру с внутренним нагревом, работающую под повышенным давлением аргона (рис. 46). Для кристаллизации сначала с помощью охлаждающего устройства, не показанного на рисунке, снижали температуру на дне тигля, чтобы началось образование зародышей, а затем понижалась температура общего нагрева. Вначале давление аргона составляло 7 атм, а при температуре плавления 1240 25°С достигало 15,5—17,6 атм. Монокристалл селенида кадмия, полученный в графитовом тигле, имел диаметр 13 мм и весил 17 г. [c.125]

Оптические свойства dSe и пленки из селенида кадмия подробно описаны в монографии [46], а также в работе [259]. Пленки получают напылением в вакууме на подложку с температурой 20°С или нагретую до более высоких температур. Пленки в зависимости от толщины и скорости напыления или условий спекания могут быть низко- и высокоомными, что связано с взаимодействием конденсирующихся компонентов в определенных участках подложки. [c.127]

В работе [150] Л. М. Прокатор описывает метод нанесения спеченных слоев dSe, обеспечивающий получение слоев с высокой фоточувствительностью в области низких освещенностей на большой поверхности, равномерных по толщине и фотоэлектрическим параметрам. Для нанесения слоев (толщиной в среднем 30 мкм) использовали селенид кадмия dSe марки чистый завода Красный химик . Его наносили на стеклянные подложки методом седиментационного осаждения. Слои селенида кадмия при этом отличались высокой прочностью сцепления с подложкой и устойчивостью па воздухе. При хранении в течение года без защитной пленки фотоэлектрические параметры слоев не изменяются. [c.277]

Как уже указывалось в 1, ряд промежуточных фаз, образованных металлами второй и третьей групп периодической системы элементов Д, И, Менделеева с элементами шестой и пятой групп, обладает полупроводниковыми свойствами. Все эти соединения имеют общую формулу АВ и существуют в очень узком интервале концентраций, описываемом этой формулой. Такие соединения обладают либо кубической решеткой типа алмаза, либо гексагональной решеткой. При этом атомы металла расположены таким образом, что их ближайшими соседями являются атомы металлоида. Примером соединений с алмазной решеткой могут служить арсениды и фосфиды галлия и индия ОаАз, ОаР, 1пАз, 1пР. Сульфиды и селениды кадмия и ртути — Сс15е, С(15, Н 5е— обладают гексагональной решеткой. [c.81]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...