Электронов коэффициент выхода

Н, eui>2Ф, поэтому для них выравнивание вероятно. Коэффициент выхода электронов эмиссии на один ион трудно определить. Он зависит от ряда факторов, в том числе от энергии ионов, и меняется в широких пределах. [c.67]

Здесь Р1 представляет собой коэффициент выхода электронов (постоянная скорости реакции), — коэффициент реакции рекомбинации, Аг+ — однозарядный ион аргона, Аг — атом аргона в возбужденном состоянии и /IV — квант излучения с частотой V. [c.475]

Для щелочных металлов обычно еМг<2Ф, поэтому потенциальное вырывание невозможно, а для ионов Аг, Не, Н. еы,->2Ф, поэтому вырывание вероятно. Коэффициент выхода электронов эмиссии на один ион трудно определить. Он зависит от ряда факторов, в том числе от энергии ионов и меняется в широких пределах. [c.87]

Теперь рассчитаем основные размеры этой части секции и ее характеристики. Важно, чтобы были обеспечены необходимая стабильность энергии на выходе и максимальное значение электронного коэффициента полезного действия. Такой расчет можно произвести с помощью приведенных ранее формул (5.8), (5.10), (5.2), (5.3) методом подбора. В связи с этим целесообразно использовать приведенный на рис. 37 график, с помощью которого по вычисленному [c.116]

Баланс энергии дуги. Как для катодной, так и для анодной областей дуги можно составить подробную схему баланса энергии. Например, для участка анода основные составляющие баланса следующие в) приход — потенциальная и кинетическая энергия электронов, конвективная и лучистая теплопередача от столба плазмы б) расход — плавление, излучение и теплоотвод в материал анода. Однако механизм явлений в переходных областях дуги пока недостаточно ясен, поэтому проводить точный расчет всех составляющих баланса энергии трудно. В катодной области остается неизвестной доля ионного тока, коэффициент аккомодации энергии ионов для данного катода, изменение работы выхода электронов вследствие эффекта Шоттки и т. п. [c.74]

Выражение (8.53) находится в полном согласии с данными опыта. Коэффициент к = hiq действительно является константой, а Fo == A/q должен зависеть от свойств катода, так как работа выхода электрона характеризуется глубиной потенциальной ямы, в которой находится электрон, и определяется свойствами данного металла. Заметим, что наблюдается совпадение между значением работы выхода, определяемым из результатов опытов по фотоэффекту, и данных, полученных при исследовании термоэлектронной эмиссии — физического процесса, в котором работа выхода играет основную роль. [c.434]

В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, которые получили от первичного пучка энергию, достаточную для их выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отраженная от тела. При малых Ер ( <10 эВ) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов уменьшается и при р>0,1 кэВ дает лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно вторичные электроны имеют энергию от О примерно до 50 эВ. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эВ. Неупруго отраженными условно принято считать вторичные электроны, энергия которых превышает 50 эВ. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов называется коэффициентом неупругого отражения r =N2 ( р> >50 3B)/iVi (в Ni входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на значение т) не сказывается). [c.582]

Дополнительно к механическим устройствам стабилизации зазора применяют электронные измерительные устройства, которые сигнализируют о выходе зазора за пределы допустимых значений и регулируют коэффициент усиления измерительного тракта в функции величины зазора, поддерживая неизменно/ чувствительность прибора к основному контролируемому параметру. [c.28]

Работа прибора основана на определении комплексного коэффициента отражения электромагнитной энергии от полупроводниковой структуры, находящегося в функциональной зависимости от параметров структуры. При контроле в волноводе изменяются фаза и амплитуда стоячей волны. Изменение фазы определяют с помощью специального устройства, имеющего на выходе электронно-лучевую трубку. Компенсация фазовых изменений, вносимых образцом, производится механическим фазовращателем, положение ручки которого при компенсированной фазе показывает реактивное сопротивление измеряемого образца. Стрелочным прибором измеряют амплитуду электромагнитных волн в минимуме и по этому показанию определяют активное сопротивление образца. Размеры щелевого излучателя 4 X X 0,2 мм в 8-миллиметровом диапазоне радиоволн. [c.251]

Принцип действия основан на сравнении коэффициентов отражения электромагнитных волн сверхвысоких частот от двух соседних участков контролируемого материала. Прибор состоит из преобразователя и электронного блока с выходом на самописец. Отличается от аналогичных приборов повышенной чувствительностью, меньшими габаритными размерами и массой. [c.261]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Наряду со световой тепловой микроскопией интенсивно развивается аппаратурно-методическое обеспечение электронной тепловой микроскопии, в которой контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а такими характеристиками материала, как работа выхода электронов при термоэлектронной или фотоэмиссии, коэффициент вторичной электронной эмиссии и т. д. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта. Высокая разрешающая способность этих методов обеспечит получение большого объема информации по сравнению с тепловой микроскопией. [c.493]

Свойства материала, способствующие износостойкости контактов электрофизические — высокие электро- и теплопроводность, параметры дуги, значения работы выхода электронов и потенциала ионизации коэффициент Томсона и угол смачивания близки нулю. Высокое поверхностное натяжение в жидком состоянии. Малый атомный объем и термо-э. д. с. в паре с медью и алюминием [c.279]

Анализ работ по автоэлектронной эмиссии показывает, что материалы автокатодов, предназначенных для работ в условиях высокого технического вакуума, должны обладать специфической совокупностью свойств, таких, как низкие и стабильные значения работы выхода электронов и коэффициента катодного распыления, а также высокие значения механической прочности, электро- и теплопроводности. Кроме того, материалы автокатодов должны быть технологичными и достаточно доступными. [c.5]

От — коэффициент термо-ЭДС Ф — работа выхода электрона у — удельная электрическая проводимость [c.11]

Наиболее трудоемкими и наименее надежными механизмами автоматизированных СНК, как правило, являются устройства сканирования. В процессе сканирования должен поддерживаться постоянный зазор между преобразователем, источником поля и контролируемым изделием. Движение преобразователя и контролируемого изделия относительно друг друга может быть поступательным, вращательным, сложным возвратно-поступательным и др. Особенностью систем сканирования СНК и диагностики является высокая точность их изготовления. Они могут быть электронными, электромеханическими, гидравлическими, пневматическими и др. Дополнительно к механическим устройствам стабилизации зазора применяют электронные измерительные устройства, которые сигнализируют о выходе зазора за пределы допустимых значений и регулируют коэффициент усиления измерительного тракта в функции величины зазора, под- [c.36]

Диэлектрическое зеркало изготовляется, как обычно, из чередующихся слоев с высоким и низким показателем преломления, например слоев двуокиси кремния и титана. Эти материалы обеспечивают хорошую устойчивость к бомбардировке электронами, высокое сопротивление и выход вторичных электронов, а также большой коэффициент отражения считывающего света (для этОго изготовляется 19 слоев). [c.198]

На выходе телевизионного тракта в системе голографического телевидения необходимо получить не изображение голограммы в виде пространственной модуляции яркости экрана электронно-лучевой трубки, а пространственную модуляцию какого-либо оптического параметра среды коэффициентов пропускания (отражения), преломления или длины оптического пути. [c.176]

Разница между двумя значениями Р характеризует разброс в скоростях, а следовательно, и в энергиях электронов на выходе волноводного группирователя. Приведенный на рис. 9 интервал выходных фаз равен 2я/10. По рис. 8 можно найти, что этому интервалу выходных фаз соответствует интервал входных фаз 2 )2 = , а коэффициент / = 2. Отметим, что в данном примере на 0,1 периода сгруппируется 66% всех частиц. При этом длина секции I оказывается равной 0,38. Коэффициент группировки в данном случае равен отношению амплитуд фазовых колебаний. В примере, показанном на рис. 9, он равен 6,7. Значения приведенных скоростей сгруппированных частиц не меньше 0,17 и не больше 0,58. При длине волны 10,22 см это соответствует кинетической энергии 15 и 115 кэв. [c.39]

Никель. Серебристо-белого цвета металл — Ni с температурой плавления 1452 С выпускается нескольких марок с содержанием до 99,99% Ni при использовании электровакуумной плавкп. В интервале 25— 600 С значение ТК1 = 1,55-10 Иград. Электрические свойства отожженного никеля р = 0,0683 ом-мм 1м, TKR = 6,8-10 Иград. Никель применяют в качестве оснований (кернов) оксидных катодов, которые активируют окислами в. основном щелочноземельных металлов (ВаО, SrO), с целью снижения работы выхода. Для упрочнения никеля-используют присадку марганца (2,3—5,4%) из марганцовистого никеля изготовляют прочные сетки и траверсы небольших приемно-усилительных ламп. Алюминированный никель в виде ленты, покрытой тонким слоем алюминия (8—15 мкм), обладает высоким коэффициентом теплового излучения (до 0,8) такую ленту используют для анодов небольших электронных ламп. Допустимая для никеля температура в вакууме составляет 800° С. [c.299]

Свойства проводников. К важнейшим параметрам, характеризующим свойства проводниковых материалов, относятся 1) удельная проводимость у или обратная ей величина — удельное сопроти13ление р, 2) температурный коэффициент удельного сопротивления ТКр или р, 3) коэффициент теплопроводности 4) контактная разность потенциалов и термоэлектродвижущая сила (термо-ЭДС), 5) работа выхода электронов из металла, 6) предел прочности при растяжении сГр и относительное удлинение перед разрывом А///. [c.190]

Разряд с холодным катодом. Очень часто в напылительных установках используется холодный катод, выполняющий одновременно и роль распыляемой мишени (рис. 2.5). Дело в том, что при ионной бомбардировке из металла змиттируются не только ионы, но и электроны вследствие вторичной ионно-электронной эмиссии. Эта эмиссия сильно облегчается благодаря тому, что необходимая для нее энергия поставляется не столько за счет кинетической энергии иона, падающего на катод, сколько за счет энергии, выделяющейся при его нейтрализации в металле. Происходит следующая картина при соударении иона с поверхностью металла из металла выходят два электрона один из них присоединяется к иону, второй эмит-тируется. При этом если энергия ионизации бомбардирующей частицы превышает работу выхода электрона из металла в два и более раза, то эмиссию электронов могут вызывать даже самые медленные ионы. Для примера укажем, что энергия ионизации аргона равна 15,7 эВ, а термодинамическая работа выхода электрона равна 4,1 эВ для меди, 3 эВ для алюминия и т. д. Поэтому коэффициенты ионно-электронной эмиссии 7, т. е. число электронов, эмиттируемых [c.66]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

На рис. 2.19 представлены графики зависимостей корреляционных отношений г 2 (кривая 2), rili (кривая 3) и коэффициента корреляции Ri2 (кривая 1) от задержки времени т для узкополосных случайных сигналов на входе п выходе нелинейной си-стемы с насыщением (типа вольт-амперной характеристики электронной ламны). Для сигналов с малыми амплитудами система линейна. Чем больше амплитуда входного сигнала, тем больше нелинейные искан ения на выходе. В радиотехнике степень нелинейности принято оценивать с помощью так называемого клир- фактора коэффициента, представляющего собой отношение мощности паразитных гармоник к мощности первой гармоники при возбуждении системы гармоническим сигналом (первой гармоникой). Очевидно, что понятие клир-фактора применимо и для механических колебательных систем. [c.77]

Выло найдено, что диффундирующие на поверхность вольфра-тиового покрытия атомы молибдена снижают работу выхода электронов, если их количество достигает 5% всего количества этомов вольфрама на поверхности. Эффект Киркендалла на границе раздела молибден — вольфрам не является вредным, ели поры молибденовой подложки и вольфрамового покрытия не объединяются, увеличивая перенос материала с помощью взаимной диффузии [207]. При 1900 К за 4- 10 ч коэффициент граничной диффузии вольфрама в молибден Drp=10 -r Ч-10- см /с [117]. [c.134]

Концентрация вакансий ио границам зерен на несколько порядков выше их концентрации в теле зерна. Энергия, необходимая для образования вакансий, существенно меньше в искаженной кристаллической решетке на границе зерна. Мигрируя под воздействием поля напряжений, вакансии выходят из тела зерна на границу и перемещаются вдоль нее как по каналу. Коэффициент диффузии по границе значительно выше, чем в теле зерна. Мигрирующие по границам вакансии могут сливаться, образуя сдвоенные вакансии, которые более устойчивы термодинамически и более подвижны, чем одиночные. В ходе дальнейшего слияния вакансий о-бразуются их колонии, перерастающие в поры, которые можно обнаружить сначала при помощи электронного микроскопа [Л. 24], а затем и оптического (Л. 21, 22]. [c.81]

Автоэлектронные катоды на основе углеродных пленочных структур (алмазоподобные пленки, нанотрубки и т. д.) являются эмиттерами с достаточно большой площадью и практически неизвестным числом эмиссионных центров, поэтому точное описание таких катодных структур весьма проблематично. К тому же, индивидуальные характеристики каждого эмиссионного центра могут изменяться в широких пределах. Это связано с тем, что эмиссионные свойства, например, нанотрубки сильно зависят от ее диаметра, структуры, наличия дефектов и т. д., поэтому использование для оценки величины работы выхода электронов только прямых Фаулера—Нордгейма не является правомерным, т. к. не известны ни сама работа выхода электронов (р, ни коэффициент усиления поля р, ни площадь эмиттирующей поверхности А. Совместное использование графиков Фаулера—Нордгейма с данными энергетического распределения автоэлектронов позволяет точно определить эти параметры [269]. [c.211]

Результаты воздействия цезия на автоэмиссионные свойства а— С пленок показаны на рис. 5.21. Пороговая напряженность электрического поля уменьшается при одновременном осаждении s и С по сравнению с нецезированной а—С пленкой. Образцы, результаты испытаний которых представлены на рис. 5.21, напылялись при одной и той же энергии ионов и величине потоков ионов С и s, поэтому напыленные пленки, по-видимому, имеют одинаковую морфологию поверхности и, соответственно, одинаковые коэффициенты усилия электрического поля. Из этого можно утверждать, что уменьшение порогового поля связано с уменьшением работы выхода электронов вследствие напыления цезия. Кроме того, рис. 5.21 показывает, что пороговое напряжение уменьшается при увеличении времени напыления s от 30 мин до 1 часа. Ви- [c.217]

KjJ у, коэффициент усиления магнитного усилителя регулятора, определяется из опыта. Подавая на вход мапнитного усилителя постоянное напряжение до 1 мв, измеряют изменение напряжения на выходе первого каскада электронного усилителя - при выведенной обратной связи) между клеммами 5, 6. Отношение приращения выходного напряжения к входному определяет коэффициент Кь Загем при закороченном входе магнитного усилителя подают постоянное напряжение 1 в на сетку первой лампы прибора (клеммы 9, 10) и измеряют напряжение на выходе каскада. Отношение приращений напряжений на выходе и на входе определяет коэффициент усиления первого каскада Ki- Величина определяется как отношение [c.240]

Коэффициент рассеяния тепла при 1о(Г, см-, сек Излучательная способность прн ЮСЮ—17lXi° Работа выхода электронов, эв Период полураспада (а-распад), годы 51 Зак 1Я № 239 [c.801]

В последней модификации, описанной в [176], ПВМС адресовался управляющими сигналами в УФ-диапазоне в отсутствие фотокатода, работа которого требует поддержания в приборе весьма высокого вакуума. Использовалась фотоэмиссия стенок МКП (квантовый выход p =jQ 7 , изготовленной из полупрово-дящего стекла. Управление электронным потоком на выходе МКП 4 (с-м рис. 3 33) осуп1ествлялось путем иодачи управляю щих напряжений на сетку 5 и прозрачный электрод 8. Для электрической развязки между МКП и сеткой, а также между сеткой и мембраной 7 напылялись толстые слои двуокиси кремния 6, электрическая прочность которых составляла несколько сот вольт, Металлическая тонкая сетка использовалась в качестве ускоряющей, и, кроме того, имелась другая сетка на втором слое двуокиси кремния, служащая каркасом для мембраны—пленки нитроцеллюлозы толщиной 40 нм. Мембрана отвечала необходимым требованиям, т. е. обладала прочным спеплением с каркасом, необходимой гибкостью и прочностью в провисающей части, однородностью толщины и свойств по апертуре, высоким электрическим сопротивлением, устойчивостью к бомбардировке электронами и высоким коэффициентом вторичной электронной [c.202]

Микроканальный умножитель [8.83] представляет собой пластину из полупроводящего стекла, в которой протравлено большое-число микроканалов. Диаметр этих каналов, как правило, равен около 10 мкм, а количество каналов на один квадратный сантиметр — более 10 . На поверхность пластины наносятся электроды,, оставляющие выходы каналов открытыми. Во время работы умножителя к этим электродам прикладывают электрическое напряжение порядка 1 кВ. Пластина работает в вакууме. Стенки каждого канала представляют собой распределенный динод. Электроны, попавшие в канал, ускоряются внешним полем и в результате многократного соударения со стенками канала размножаются, как это происходит в обычном электронном умножителе. Образуюш,ийся при этом на стенках канала положительный заряд стекает в электрод, пластины, так как ее материал имеет заметную проводимость. Коэффициент усиления электронного потока одной такой пластиной достигает величины 10 . Если же используются две микроканальные пластины, одна вслед за другой, как два каскада усиления, то коэффициент усиления достигает 10 . Рабочая поверхность пластины может быть больше 10 см , а неоднородность коэффициента усиления — не более 5 %. [c.196]

В самом деле, получение коэффициента диффузии в работе [79] для мембран с d—0,1 м,м в 3-10 раз меньшего по сравнению с коэффициентом диффузии для толстых мембран 0,9 мм), может быть связано с образованием в тонком приповерхностном слое момбран (толщиной с 0,9 мм) микро-и макролунок, заполненных молекулярным (газообразным) водородом под большим давлением. Прохождение водорода через эти лунки в более глубоко лежащие слои металла затруднено, так как лунки являются ловушками водорода, поступающего с поляризуемой поверхности водород в виде протонов по достижении внутренней поверхности лунки приобретает электрон, превращаясь в атом, атомы молизуются на границе метал —газ (в лунке). Ю. А. Нехендзи [86], моделируя этот процесс путем электролитического наводороживания полого герметически закрытого стального цилиндра с толщиной стенки 3 мм, получил давление молекулярного водорода во внутренней полости цилиндра, равное 30 МПа (300 атм). Выход водорода из коллекторов возможен только после его диссоциации на атомы. Для этого необходимо, чтобы давление и температура были такими, что количество диссоциированного водорода было выше равновесной концентрации водорода, растворенного в кристаллической решетке стали. Соседние объемы металла, окружающие коллектор, в результате его роста подвергаются деформации сжатия. Эти области деформированного металла и становятся единственными путями диффузии водорода в глубь металла. [c.25]

Весьма эффективно происходит ФЛ при рекомбинации электронов и дырок в монокристалах прямозонных полупроводников (GaAs, InP и т.д.). Вероятность излучательной рекомбинации электрона и дырки для прямозонных полупроводников на 5-6 порядков выше, чем для непрямозонных (Si, Ge и т. д.). Например, коэффициент излучательной рекомбинации при 300 К составляет примерно 2 10 см с для Si и 7 10 ° см с для GaAs [2.34]. Квантовый выход ФЛ для GaAs при комнатной температуре составляет примерно 0,07, остальные 93 % поглощенных квантов полностью превращаются в тепло. Величина энергетического выхода ФЛ в этом случае еще меньше. [c.55]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...