Рассеяние нормальное

Фиг. 40. Схема переходов при комбинационном рассеянии (нормальный эффект комбинационного рассеяния).

Характер рассеяния размеров деталей в партии приблизительно можно описать соответствующим теоретическим законом рассеяния (нормальный закон, законы равной вероятности, Симпсона, Максвелла и др.). [c.275]

Сварочные выпрямители с трансформатором с нормальным магнитным рассеянием имеют пологопадающие или жесткие внешние характеристики (типов ВС и ВДГ). Их применяют для сварки плавящимся электродом в среде защитных газов. [c.189]

Уравнение кривой нормального распределения (11) показывает, что среднее квадратическое отклонение а является единственным параметром, определяющим форму кривой нормального распределения. Чем меньше величина а, тем меньше рассеяние размеров (кривая менее растянута) чем больше величина а, тем рассеяние размеров больше (кривая более растянута). На рис. 26, б показаны кривые нормального распределения при о = 1/2 а = 1 и о = 2. [c.69]

Для приведения кривой нормального распределения к тому же масштабу, в котором вычерчена кривая рассеяния фактических размеров, необходимо ординаты, вычисленные по обычным формулам, умножить на величину интервала размеров (ДL) ( на величину, равную полному числу деталей в партии (н). [c.69]

Полагая, что рассеяние фактических размеров соответствует нормальному закону распределения, можно определить вероятность соблюдения заданного допуска обработки по исследуемой операции. [c.70]

На одношпиндельном револьверном автомате изготовляются специальные ролики из пруткового материала. Требуется по данным фактических измерений диаметров роликов в партии деталей (номинальный размер 18 мм), изготовленных методом автоматического получения размеров, построить кривую рассеяния фактических размеров диаметров отрезанных роликов установить характеристику рассея- ния размеров сопоставить полученную кривую с теоретической кривой нормального распределения, определить вероятность соблюдения заданного допуска мм) и, таким образом, вероятность появления брака. [c.71]

Рис. 27. Кривая рассеяния фактических размеров и кривая нормального распределения

По этим данным строится кривая нормального распределения непосредственно на графике рассеяния фактических размеров (рис. 27). [c.74]

Из уравнения кривой нормального распределения следует, что среднее квадратичное отклонение является единственным параметром, определяющим форму кривой нормального распределения. На рис. 5.3 показаны кривые нормального распределения, ординаты которых определены при а = 1 1,5 2. Форма кривых позволяет сделать вывод, что чем меньше величина а, тем меньше кривая растянута и, следовательно, меньше рассеяние размеров. Таким образом, величина а определяет рассеяние размеров и характеризует степень влияния случайных погрешностей. [c.62]

Комбинацию этих двух эффектов называют просто эффектом размера источника , а его величина при поочередном наблюдении черного тела в печи и ленточной вольфрамовой лампы в нормальных условиях достигает значений в несколько десятых долей процента. Это показано на рис. 7.36. Величину компонента, обусловленного дифракцией, нетрудно вычислить [13]. На рис. 7.36 он показан штриховой линией. При сравнении вольфрамовой ленты шириной 2 мм, но очень длинной, с черным телом в печи эффект размера источника будет достигать примерно 0,2%. При сравнении двух черных тел эффект размера источника будет зависеть от различия в распределении яркостей в двух печах. Как и во всех процессах дифракции и рассеяния, эффект возрастает очень быстро при малых углах и очень медленно спадает при больших углах, как ясно из рис. 7.36. [c.379]

Заметим, что рассмотренная система описывает распространение волн в плоскослоистой плазме при нормальном падении [100] или задачу двухканального рассеяния скалярных частиц [50]. [c.270]

Относительно величины следует сделать некоторые предположения. Она может отличаться от вследствие того, что при рассеянии электронов из нормального состояния число возможных конечных состояний уменьшается, так как электронные уровни в сверхпроводящем состоянии изменены. Отношение 1 /1 будет зависеть от механизма рассеяния. Для рассеяния на статических дефектах Гейзенберг принял [c.297]

Решеточная компонента теплопроводности. Даже в тех случаях, когда слишком мало и в нормальном состоянии не наблюдается, в сверхпроводящем состоянии Wjf уменьшается с температурой весьма быстро, так что при очень низких температурах ограничивается только рассеянием фононов на статических дефектах или на границах. Таким образом, из экспериментов ниже 1° К можно получить надежные сведения о решеточной проводимости. [c.302]

II в нормальном тенло переносится в основном электронами, единственным возможным объяснением аномалии может служить рассеяние электронов на этих границах. [c.305]

В работе [245] обсуждается рассеяние нормальных и радиальных сдвиговых волн на дисковидной трещине, находящейся [c.109]

При проведении исследований, чтобы сопоставить графически и определить, насколько полученная кривая рассеяния фактических размеров приближается к теоретической кривой нормального распределения, обе кривые надо начертить совмещенно в одинаковом масштабе. С этой целью рассчитывают данные, необходимые для построения кривой нормального распределения. Для сокращения расчетов и упрощения примерного построения кривой нормального распределения можно ограничиться определением только трех параметров максимальной ординаты Ушах (при X = 0), ординаты для точек перегиба у (при X = о) и величины поля рассеяния . [c.69]

Рассеяние средних групповых размеров меньше, чем рассеяние размеров отдельныХидеталей. Если рассеяние размеров в партии обработанных деталей подчиняется закону нормального распределения со средним квадратическим отклонением а, то рассеяние средних групповых размеров будет следовать тому же закону со средним квадратическим отклонением, которое равно в этом случае — =-, где т— [c.76]

При нормальном ходе технологического иронесса нолучепная кривая рассеяния случайных погрешностей пр]]блнжается к кривой нормального распределения (кривой Гаусса), уравнение которой имеет вид [c.61]

На возникающих дефектах сварки определенных размеров образуются узлы закрепления доменов, которые обра 1уют суммарное размагничивающее поле дефектов. Линии концентрации напряжений и деформаций соответствуют линиям значений нормальной составляющей поля рассеяния Нр, измеряемого на поверхности изделия. [c.215]

Рис. 4.4. Кривые нормального распределения и поля рассеяния при различных зиачеинях а

Задача 1. Полагая, что погрешности составляющих и замыкающего размеров подчиняются закону нормального распределения, а границы их вероятного рассеяния (6а) совпадают с границами полей допусков, можно принять (см. гл. 4) TAj = 6а . или = = TAj/d), соответственно 7у4д = 6а д нлн = TAJ . При этом у 0,27 % изделий размеры замыкающих звеньев могут выходить за пределы поля допуска. [c.259]

Пример. Определить номинальное значение замыкающего размера и его допуск для ступенчатого пала (рис. 11.7). Опггаеы, что рассеяния отклонений разме-])ов подчиняются закону нормального распределения, размахн полностью вписы-иаются в поля допусков, кривые распределения симметричны относительно середины полей допусков. Тогда /гу= I. [c.260]

Эффект трехфотопного рассеяния является заметным в буквальном смысле слова при мощности падающего синего света около 0,1 Вт зелеио-желто-красное свечение кристалла пиобата лития легко видио невооруженным глазом. Зеленому свечению в даггном случае соответствуют холостые частоты, лежащие в инфракрасном диапазоне. По мере приближения к нормальным частотам решетки кристалла эффект параметрического рассеяния непрерывно переходит в обычное комбинационное рассеяние. [c.411]

Существуют иные способы введения нормальных координат. Один из них основан на матричном представлении систем уравнений малых колебаний с последующим введением операций ортогоналиэации этот способ распространяется также на те сл> чаи, когда функция рассеяния не существует. Таким образом, приходят к понятию о бинормальных координатах. Эти коорди-Н.ЗТЫ, по существу, соответствуют рассмотренным выше функциям /а> так [c.269]

Схема использования Fi(q) и Fiiq) такая же, как и в случае ядер. В основу кладется формула Розенблюта, описывающая рассеяние электрона на точечном протоне. Она отличается от формулы Мотта при Z=1 выражением в квадратных скобках, которое учитывает наличие у протона нормального (1) и аномального (цан) магнитных моментов [c.271]

В случае высоких температур (Т Псло) наиболее вероятно испускание и поглощение фононов с большими энергиями порядка Йсоо. Но поэтому из формулы (6.85) получаем, что концентрация фононов (ПфУ Т/ Нао). Как показано в квантовой теории твердого тела (см., например, кн. Абрикосов А. А. Введение в теорию нормальных металлов. М., 1972), взаимодействие фононов с электронами описывается матричным элементом гамильтониана взаимодействия, зависящим от импульса рассеяния, и полная вероятность W рассеяния с испусканием (или, аналогично, с поглощением фонона) оказывается пропорциональной Г/й.. Отсюда время релаксации т 1/WП/Т. Это соотношение определяет и <Яэл>. Следовательно, /Сэл=соп81, т. е. теплопроводность не зависит от температуры. [c.196]

Зондгеймер считает, что по существу в проводниках наблюдается три широких класса явлений, в которых обнаруживается масштабный эффект. Во-первых, это наиболее простое проявление масштабного эффекта, заклю-чающ,ееся в возрастании удельного сопротивления образцов, представляющих собой очень тонкие проволочки или фольги (ленточки), по сравнению со значением, которое оно имеет в массивном образце. Такое увеличение возникает вследствие ограничения нормальной средней длины свободного пробега электронов благодаря рассеянию па границах образца и может быть использовано для определения отношения I к физическому размеру образца а. [c.204]

В Лейдене, Кембридже, Оксфорде и в США производились измерения теплопроводпости сверхпроводников (как в нормальном, так и сверхпроводящем состояниях). Эти измерения могут быть качественно интерпретированы с точки зрения двухжидкостной модели сверхпроводимости, в которой предполагается, что сверхтекучие электроны не несут энтропии и не взаимодействуют с решеточными волнами. Так, в сверхпроводящем состоянии электронная часть теплопроводности уменьшается, а решеточная возрастает. В промежуточном состоянии наблюдается добавочное рассеяние границами сверхпроводящей и нормальной фаз как элel тpoнoв так и решеточных волн. Вследствие отсутствия теории сверхпроводимости нельзя сделать каких-либо количественных выводов по этому поводу, а также объяснить некоторые наблюдающиеся на опыте особенности. [c.225]

Клеменс [124] оценил упомянутый дополнительный тепловой поток следующим образом. Поток состоит из двух частей из добавки к Qn, возникающей вследствие условия Ф О, и теплоты, вызванной тем, что при переходе электронов из сверхпроводящего в нормальное состояние поглощается некоторая энергия, которая затем высвобождается при обратном процессе. В (25.6) последним эффектом мы пренебрегли, воспользовавшись в (25.5) выражением для справедливость такого пренебрежения вытекает из следующих рассуждений. Так как / = 0, / = / и так как в сверхпроводниках в стационарном состоянии электрическое поле 7 = 0 или по крайней мере мало ), то / будет порядка L,j (/sTr/QгдеЬ — коэффициент переноса (14.11), в котором учтено рассеяние статическими дефектами и вклад токов только в нормальных областях. Тепло, переносимое / порядка КТ, т. е. меньше на множитель(isTT/Q . Вторая добавка к имеет порядок так как скрытая теплота перехода из нормального в сверхпроводящее состояние на один электрон Эта добавка равна примерно Ь КТ IQ К Т рУТ, что значительно больше тенла, переносимого В свою очередь меньше на множитель порядка КТи-р.1%, поэтому циркуляционный механизм не дает заметного вклада в полную электронную теплопроводность ) отсюда вытекает, что в (25.5) должна фигурировать именно С . [c.298]

Остаточное сопротивление в сверхпроводящем состоянии. Для тех образцов Sn, In, Та, Т1, V п Nb, для которых были проведены исследования, электронная теплопроводность в нормальном состоянии при Г р. и ниже определялась рассеянием на примесях. Вообш,е говоря, то же самое относится к различным сплавам и загрязненным образцам РЬ и Hg. Данные для этих образцов можно, таким образом, использовать для проверки выражения (25.8) для за исключением случаев, когда велико, что, естественно, усложняет картину. Пока решеточная проводимость несуш е-ственна, отношение должно описываться (25.8). Если больше [c.300]

Рядом авторов было высказано предположение о том, что анохмально высокое теплосопротпиление в промежуточном состоянии может быть обусловлено рассеянием электронов либо фононов на внутренних границах между нормальными и сверхпроводящими областями. Для чистых металлов в области температур жидкого гелия, где как в сверхпроводящем состоянии, так [c.305]

Недавно Уилкинсон и др. [221] изморили когерентное и некогерентное рассеяние нейтронов на электронах ванадия, свинца и ниобия выше и ниже Т0ЧК11 перехода. Ни в одном из этих случаев не было обнаружено изменения когерентного рассеяния или диффузного фона. Этот результат показывает, что при переходе в сверхпроводящее состояние не нронсходпт зал1етных изменении электронного распределения. Исследование рассеяния Нейтронов на ядрах в свинце и ниобии показало, что при переходе не происходит резко выраженного изменения колебаний атомной решетки ). Эти же авторы показали, что полное сечение для тепловых нейтронов у олова в нормальном и сверхпроводяш,ем состояниях одинаково в пределах 1 %. [c.672]

Поскольку приближение независимых частиц Блоха удовлетворительно объясняет свойства нормальных металлов, можно думать, что сверхпроводимость возникает вследствие какого-либо явления, не учтенного в этой теории. Одним из них является корреляция в расиоложенны электронов, вызванная кулоновскими силами и рассмотренная в теории Гейзенберга [7]. Последний предположил, что электроны с энергиями вблизи границы Ферми образуют решетку, стремясь расположиться так, чтобы уменьшить энергию кулонов-ского взаимодействия между собой. Другим таким явлением может быть магнитное взаимодействие между электронами, рассмотренное Уэлкером [18]. Кроме того, к таким явлениям отиосится электрон-фон о иное взаимодействие, первоначально введенное для рассмотрения рассеяния электронов, которое определяет сопротивление металла. Это взаимодействие дает вклад в энергию как нормальной, так и сверхпроводящей фаз и в первую очередь обусловливает переход. [c.682]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...