Глубина проникновения электрического поля

В периодическом магнитном поле магнитное состояние ферромагнетика характеризуется динамической петлей гистерезиса, которая значительно отличается от петли в статическом поле. Рост потерь на перемагничивание обусловлено возникновением потерь на вихревые токи. При исследовании магнитных свойств в переменных полях необходимо учитывать скин-эффект, т. е. эффект неполного проникновения магнитного поля в глубину образца. Глубина проникновения h поля в ферромагнетик определяется выражением h = где р. — проницаемость Y — удельная электрическая проводимость образца / — частота магнитного поля. [c.107]

Известно, что для идеального проводника глубина проникновения волны в металл ничтожно мала, тангенциальная составляющая электрического поля исчезает Е,, = 0), а тангенциальная составляющая магнитного поля (Н п) терпит разрыв. В результате прозрачная дифракционная решетка с чередованием проводящих и непроводящих элементов ведет себя (для достаточно длинных волн) как весьма эффективный поляризатор, пропускающий лишь ту волну, в которой вектор Е перпендикулярен штрихам решетки ( х)- Такие поляризаторы все шире используются в оптических экспериментах. [c.303]

Величину Y кТ/Нле п называют дебаевским радиусом и обозначают обычно через О. Дебаевский радиус характеризует быстроту уменьшения потенциала электрического поля в ионизованном газе или, другими словами, глубину проникновения внешнего электрического поля в ионизованный газ. [c.636]

При больших длинах и токовых нагрузках линий целесообразно использовать коаксиальный фидер из двух алюминиевых труб. Фидер не имеет внешнего магнитного поля, а если толщина стенки более двух-трех глубин проникновения тока,— то и внешнего электрического поля. Токонесущая способность увеличивается в. 3 раза, если по внутренней трубе пропускать воду. Герметичность фидера особенно ценна в кузнечных цехах с загрязненной атмосферой. [c.173]

Тепловую обработку пищевых продуктов следует проводить в контейнерах из диэлектрика, не греющегося в электрическом поле СВЧ. Этому требованию удовлетворяют контейнеры из жаропрочного стекла пирекс , фарфора, полиэтилена, пропилена, фторопласта. Размеры кусков пищевых продуктов хотя бы в одном измерении не должны превосходить двух-трех значений глубины проникновения поля. Установлено, что загрузка рабочей камеры в форме низкого цилиндра, высота которого в 2—5 раз меньше диаметра, наилучшим образом удовлетворяет условиям СВЧ-нагрева [30]. [c.311]

Особую активность приобретают системы автоматического регулирования толщины стенки труб в процессе их горячей прокатки. Подобная система разработана для контроля бесшовных труб диаметром 29—102 мм с толщиной стенки 1,75—8,0 мм, изготовленных из углеродистых, легированных и высоколегированных сталей. При нагревании ферромагнитных сталей до температуры выше 800 °С их магнитная проницаемость уменьшается до единицы. При этом уменьшается их удельная электрическая проводимость. Благодаря этому резко увеличивается глубина проникновения переменного электромагнитного поля в металл, что позволяет измерять стенки сравнительно большой толщины при достаточно высокой частоте тока питания вихретокового преобразователя. [c.340]

Представляла интерес оценка масштаба изменения вещества в зоне температурного воздействия импульсного электрического разряда на твердую минеральную фазу /132/. С этой целью рассматривалась задача о глубине проникновения в твердую фазу изотермы, равной температуре, при которой в интересующих нас минералах возможны фазовые превращения. Здесь применимы решения расчета поля температур при решении подобной задачи о температурных напряжениях вблизи канала разряда /133/. Поле температур в области г > го может быть представлено в виде [c.203]

Индукционный нагрев металлических изделий основан на использовании явлений электромагнитной индукции, теплового действия электрического тока и поверхностного эффекта. Нагрев изделий, подлежащих закалке, осуществляется при помощи специальной установки (рис. 26), которая состоит из следующих основных элементов генератора высокой частоты 1, электродвигателя 2, трансформатора 3, индуктора 4, батареи конденсаторов 6. Сущность закалки токами высокой частоты заключается в том, что изделие 5, подвергающееся закалке, помещается в индуктор 4 с таким расчетом, чтобы между ним и индуктором был воздушный зазор в 2—4 мм. Ток высокой частоты от машинного генератора поступает в индуктор. Вокруг индуктора создается переменное магнитное поле, под воздействием которого в закаливаемом изделии индуктируются вихревые токи. Благодаря явлению поверхностного эффекта максимальная плотность тока будет сосредоточена на поверхностном слое изделия. Толщина слоя, по которому идет ток максимальной плотности, называется глубиной проникновения тока. Под действием индукционного тока поверхностный слой изделия быстро нагревается до закалочных температур, а сердцевина изделия нагревается до температур, лежащих ниже линии Р8К, благодаря чему в ней не происходит никаких структурных превращений и изменений механических [c.47]

Напряженность электрического поля убывает по мере удаления от поверхности шины в глубь ее по закону экспоненты. При этом глубина проникновения А есть то расстояние от поверхности шины, на котором амплитуда напряженности электрического поля убывает в е раз, где е — основание натуральных логарифмов. [c.8]

Удельное электрическое сопротивление в зависимости от температуры Сопротивление отрезка проволоки длиной 1 м Глубина проникновения поля высокой частоты в зависимости от частоты [c.629]

Это заключение делается неверным, когда —размера пар. С другой стороны, мы не учли, что пары заряженные и их движение означает возникновение электрического тока и магнитного поля. Последние должны затухать на расстоянии порядка глубины проникновения 6. Следовательно, полученная формула верна лишь при р < 8. Ниже мы предположим, что б , т. е. х 1. [c.357]

Электрон теряет энергию при столкновениях. Однако столкновения с примесями неэффективны, ибо они упругие, а столкновения с квазичастицами редки (с ехр(—Д/Т)). Поэтому единственным процессом, который дает энергетическую релаксацию, является излучение фононов. При низких температурах характерное время такого процесса Тр велико. Это приводит к тому, что глубина проникновения для величины т) велика по сравнению с корреляционной длиной I (порядка 5 для чистого сверхпроводника). Обозначим эту величину через поскольку она определяет также пространственное изменение электрического поля в сверхпроводнике. [c.488]

Индукционные тигельные печи также работают по принципу трансформации тока — в них отсутствует железный сердечник. Печь (рис. 50) представляет собой тигель из набивной массы или жароупорного бетона, находящийся внутри катушки (индуктора). Последняя сделана из медных водоохлаждаемых труб, по которым проходит электрический ток. Вследствие переменного электромагнитного поля, создаваемого индуктором в металле, загруженном в тигель, создаются вихревые токи, вызывающие разогрев и плавление металла. Вихревые токи наводятся на поверхности загруженной шихты наивысшая интенсивность их у стенок тигля, где выделяется около 90% тепла. Толщина поверхностного слоя, в котором выделяется основное тепло, называется глубиной проникновения. Под действием электродинамических сил жидкая ванна находится в движении. [c.123]

Температура x — константа Больцмана), вмёсто щ входит Vf /3 VF — фермиевская скорость). Отсюда видно, что глубина проникновения электрического поля волны в полупроводник определяется наименьшей из величин дебаевским радиусом или длиной волны. [c.247]

Согласно диамагнитной гипотезе, в односвязном теле при наличии внешнего магнитного поля существует единственное распределение токов. Флуктуации происходят вблизи этого стабильного распределения. За исключением лишь области самых высоких частот, изменение токов с изменением внешнего магнитного поля происходит адиабатически, и поэтому диссипации энергии не возникает. Электрические поля в теле существуют лишь при переменных внешних полях и только на расстояниях от поверхности, не превышающих глубину проникновения магнитного поля. При достаточно высоких частотах эти флуктуирующие электрические поля должны давать вклад в дпссипацию энергии, описываемую членом с нормально электропроводностью сверхпроводящей фазы, как это вытекает из двухжидкостной модели. Возможно также, что возникает диссипация, связанная с релаксационными процессами в распределении сверхпроводящих токов. Здесь мы не будем рассматривать поведения сверхпроводников в полях столь высокой частоты. [c.701]

Экспериментальные доказательства необходимости упомянутой связи не очень многочисленны, но весьма убедительны. Во-первых, это—изменение глубины проникновения магнитного поля с концентрацией примесей индия (последняя изменяется от нуля до 3% см. гл. VIII). Наблюдалось уменьшение глубины проникновения почти в 2 раза, хотя в критической температуре не было заметно почти никакого изменения. По мнению Пиннарда, изменение глубины проникновения поля означает уменьшение длины свободного пробега электронов благодаря наличию примесей атомов индия и соответствующее уменьшение длины когерентности. Во-вторых, это—изменение глубины проникновения поля в монокристалле олова в зависимости от его ориентации ). Глубина проникновения имеет максимум, когда угол 6 между осью кристалла и осью четвертого порядка равен 60° и уменьшается для всех других углов (см. гл. VIИ). Это изменение не может быть объяснено предположением о тензорном характере параметра Л в уравнении Лондона, поскольку такое предполоягение приводило бы к монотонной зависимости от величины угла. Пиппард наблюдал соответствующее изменение в высокочастотном сопротивлении нормального олова, что опять не может быть объяснено простым учетом тензорного характера проводимости для объяснения приходится привлекать теорию аномального скин-эффекта. В последнем случае средняя длина свободного пробега электрона больше толщины скин-слоя, так что электрическое поле, действующее на электрон, существенно изменяется на протяжении длины свободного пробега. В-третьих, это—зависимость глубины проникновения поля от параметров металла данная зависимость будет рассмотрена позднее с позиции модифицированной теории Пиппарда (см. п. 26). [c.705]

Здесь имеется аналогия с фоторефрактивным голографическим преобразователем изображений, который рассматривался выше. Там запись изображений осуществляется во внешнем поле, промодули-рованном за счет записи когерентным светом синусоидальной решетки здесь внешнее поле оказывается также промодулированным, но за счет системы электродов на поверхности кристалла. Однако относительно низкая пространственная частота внешнего поля (v л л 1.5 лин/мм) практически не позволяет, по крайней мере для двумерных изображений, восстановить записанное изображение в первом порядке дифракции считывающего света на решетке внешнего поля. Чтобы это можно было сделать, желательно увеличить пространственную частоту электродной структуры. Однако глубина проникновения внешнего поля в кристалл пропорциональна расстоянию между электродами. Поэтому увеличение частоты электродной стр уктуры должно привести к уменьшению слоя кристалла, в котором происходит запись изображения, и, следовательно, к уменьшению чувствительности и дифракционной эффективности ПВМС, В работе [8.92] было предложено использовать ФРК для электрически управляемой записи информации. В простейшем варианте такая запись может быть осуществлена, например, на ПВМС ПРИЗ [c.201]

Рнс. 10,24, Схема, поясняющая геометрию эффекта Азбеля — Канера (циклотронный резонанс в металле), часто используемая при описании этого явления, Радиочастотное электрическое поле может быть перпендикулярным или параллельным направлению статического магнитного поля В при этом поля Е и В лежат в плоскости поверхности образца. Глубина проникновения радиочастотного поля (скин-слой) показана на схеме затенением. На правом рисунке показана орбита электрона. На верхнем участке орбиты электрон прн каждом обороте движется в скин-слое и подвергается действию радиочастотного электрического поля при этом электрон либо приобретает энергию от этого поля, либо отдает свою энергию полю. [c.362]

Выражение (9.3) описывает волну с частотой со, распространяющуюся со скоростью jn и затухающую по закону ехрХ -X (—(nkxj ). Коэффициент k представляет собой мнимую часть комплексного коэффициента преломления и характеризует поглощение в веществе. Этот коэффициент называют коэффициентом экстинкции. Из (9.3) видно также, что п есть не что иное, как обычный показатель преломления света в кристалле. На практике обычно измеряют интенсивность света I, которая пропорциональна квадрату напряженности электрического (или магнитного) поля в электромагнитной волне. Из (9.3) следует, что интенсивность световой волны, распространяющейся в кристалле, уменьшается с глубиной проникновения х по закону [c.305]

Непроникновение статического электрического ноля в сверхпроводники. Теория в своей первоначальной формулировке не давала ответа на вопрос о том, проникает ли электрргческое поле в сверхпроводник на глубину X или его границей являются поверхностные заряды. Решение этого вопроса нужно было искать экспериментальным путем. Отпет был дан работой Г. Лондона [118], который пытался заметить небольшие изменения емкости конденсатора при переходе его пластин в сверхпроводящее состояние. Он использовал конденсатор, пластины которого были изготовлены из ртути и разделены тонким слоем. слюды. Если бы проникновение существовало, то, несмотря на некоторые технические трудности, наблюдаемый эффект должен был в 4 раза превышать ошибку эксперимента. Поскольку изменений емкости не было обнаружено, в настоящее время предполагается, что статическое электрическое поле не может существовать внутри сверхпроводника. [c.645]

Электрическое поле может супдестиовать на расстояниях порядка глубины проникновения при высоких частотах (обычно в микроволновой области). Это создает нормальный ток и вызывает диссипативные процессы, которые можно наблюдать экспериментально. [c.694]

При интерпретации экспериментальных данных но сверхпроводникам обычно используется двухжидкостпая модель. Электрическое поле, возникающее за счет изменения во времени магнитного поля в области проникновения, действует на нормальную компоненту и вызывает потери. Впервые эта задача была рассмотрена Лондоном [108] впоследствии Пиппард [109] отметил, что в большинстве экспериментов средняя длина свободного пробега больше, чем глубина проникновения, и дал полуколнчественную теорию, учитывающую этот факт. Математическая теория аномального скин-эффекта была развита Рейтером и Зондгеймером [51], а также Максвеллом, Маркусом и Слэтером [110]. [c.751]

Величина d= jv. = yJkTVI i Ke N) характеризует быстроту уменьшения потенциала поля в плазме с увеличением расстояния от данного заряда е, т. е. глубину проникновения внешнего электрического поля в плазму, и называется [c.361]

Для устранения влияния контакта, а также влияния других мешающих факторов, касающихся геометрии объекта контроля, применяют многопа-раметровый метод с формированием сигнала путем вариации топографии электрического поля (изменения распределения напряженности поля в контролируемом объеме). Изменение топографии поля осуществляется, например, коммутацией электродов многоэлементного ЭП, смещением плоскостей разноименно заряженных электродов, изменением диэлектрической проницаемости в зазоре между электродами ЭП и контролируемой поверхностью. На ркс. 7 приведена схема сечения девятиэлементного ЭП, электроды которого соединяются в две комбинации, соответствующие большой глубине проникновения поля (рис. 7, а) и малой глубине проникновения поля (рис. 7, б) в объект контроля, Емкость ЭП в обоих соединениях имеет монотонную зависимость от зазора между электродами ЭП и объектом контроля с наибольшей крутизной (чувствительностью к зазору) в контактной зоне. Зависимость разности емкостей от зазора имеет экстремальную точку, в которой чувствительность ЭП к зазору равна нухю. Подбором крутизны зависимостей емкости ЭП в некоторых случаях можно переместить в желаемую зону. Простое вычитание зависимостей емкостей ЭП с различной топографией, приведенное на рис. 7, соответствует линейной аппроксимации этих зависимостей. Большую точность и расширение зоны компенсации дает решение системы [c.171]

Сокращение электрических потерь в холодном тигле. Основная часть тигля расположена в зоне наибольшей концентрации магнитного поля индуктора. В ИПХТ-М обычной конструкции применяются секции с внутренним водяным охлаждением, примеры сечений которых показаны на рис. 34, а, причем поперечные размеры и толщина сечения секций значительно превышают глубину проникновения тока в их материал. Легко видеть, что длина пути протекания тока в холодном тигле такой конструкции в 2—4 раза больше, чем в индукто ре. В результате электри-4e iIHe потери в тигле в несколько раз превышают потери в индукторе и достигают 60—70% мощности печи. Однако эти потери можно существенно сократить, изменив конструкцию секций тигля — перейти К так называемым пластинчатым, или клиновым, тиглям с наружным водяным охлаждением (рис. 34, б) [52] или к тиглям с разрезными секциями (рис. 34, в) [53]. Разрезы в секциях тигля заполняются электроизоляционным материалом [54], что затрудняет протекание вихревых токов в секциях тигля. [c.61]

ОРБИТА электронная — траектория движения электрона вокруг ядра в атоме или молекуле ОРБИТАЛЬ —волновая функция одного электрона, входящего в состав электронной оболочки атома или молекулы и находящегося в электрическом иоле, создаваемом одним или несколькими атомными ядрами, и в усредненном электрическом поле, создаваемом остальными электронами ОСЦИЛЛЯТОР как физическая система, совершающая колебания ангармонический дает колебания, отличающиеся от гармонических гармонический осуществляет гармонические колебания квантовый имеет дискретный спектр энергии классический является механической системой, совершающей колебания около положения устойчивого равновесия) ОТРАЖЕНИЕ [волн происходит от поверхности раздела двух сред, и дальнейшее распространение их идет в той же среде, в которой она первоначально распросгра-нялась диффузное характеризуется наличием нерегулярно расположенных неровностей на поверхности раздела двух сред и возникновением огражен1 ых волн, идущих во всех возможных направлениях зеркальное происходит от поверхности раздела двух сред в том случае, когда эта поверхность имеет неровности, размеры которых малы по сравнению с длиной падающей волны, а направление отраженной волны определяется законом отражения наружное полное сопровождается частичным поглощением световой волны в отражающей среде вследствие проникновения волны в Э1у среду на глубину порядка длины волны полное внутреннее происходит от поверхности раздела двух прозрачных сред, при котором преломленная волна полностью отсутствует] [c.257]

Последующие исследования [51, 52] относились только к прямоугольному параллелепипеду, по большей части из однородного материала. Используя метод Г. А. Гринберга [50], В. А. Пейсахо-вич получил выражения для напряженностей поля (2.47), распределения источников теплоты и полных мощностей при произвольном соотношении сторон сечения Ь X с1 и глубины проникновения б [51 ]. Если начало координат расположено в центре сечения (рис. 3.11), то составляющие напряженности электрического поля равны [c.127]

Возрастание глубины проникновения переменного электрического поля в цитоплазму приводит к росту числа белковых молекул, притягиваемых этим полем к мембране, что объясняет наблюдаемое при ультраструктурных исследованиях [53, 67] увеличение размеров элементов подструктур в области резких искажений формы мембраны. [c.73]

Закон затухания электрического поля внутрь металла при аномальном скин-эффекте не экспоненциален, и потому понятие глубины проникновения не имеет в этом случае того буквального смысла, как в (86,5). Ввиду наличия в подынтегральном выражении в (86,21) осциллирующего множителя созкх, интеграл определяется (при заданном х) в основном областью значений к 1/х. Существенное убывание функции Е (х) происходит. [c.444]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...