Дебаевский радиус

Электропроводность смеси в условиях термической электризации была исследована oy [728]. Смесь состояла из твердых заряженных частиц (размером 1 мк или менее), электронов (образующихся только благодаря термической электризации) и атомов газа. Было установлено, что сечение столкновений между электронами (индекс е) и заряженными твердыми частицами (индекс р) при кулоновском взаимодействии намного превосходит сечение столкновений, скажем, между атомами гелия (индекс а) и электронами, взаимодействующими по закону одной пятой . Вследствие большого дебаевского радиуса в этом случае сочетание диффузного рассеивания и пространственного заряда обусловило более низкую электропроводность, чем в ионизованном газе с подобной концентрацией электронов. [c.466]

Пример 4. Определим дебаевский радиус поляризации для сварочной высоко-ионизированной плазмы при /7=10 Па, 7 = 10 ООО К и л.= 10 см [c.52]

Вывод при сварке в вакууме размер дебаевского радиуса на три порядка меньше размеров столба дуги, поэтому дугу можно считать все еще квази-нейтральной. [c.52]

Дебаевский радиус поляризации 52 Деионизация 46 [c.552]

Для выполнения этого условия необходимо, чтобы линейный размер объема плазмы г значительно превосходил так называемый дебаевский радиус п., т. е. [c.435]

Величину Y кТ/Нле п называют дебаевским радиусом и обозначают обычно через О. Дебаевский радиус характеризует быстроту уменьшения потенциала электрического поля в ионизованном газе или, другими словами, глубину проникновения внешнего электрического поля в ионизованный газ. [c.636]

Определить дебаевский радиус для плазмы при температуре 10 К, если в одном кубическом метре содержится 10 молекул. [c.172]

Характерным расстоянием взаимодействия между частицами в плазме является дебаевский радиус хц 1766), о учетом которого [c.398]

Ряс. 1. Нарушение квазинейтральности плазмы на длине порядка дебаевского радиуса экранирования го. [c.595]

В каждой из контактирующих сред на нек-рое расстояние от П. простирается слой, в к-ром элементный состав и хим. состояние, атомная и электронная структуры и, следовательно, динамич., электронные, магн. и др. свойства вещества существенно отличаются от его свойств в объёме. Толщина этого слоя зависит от природы соприкасающихся сред и внеш. условий и определяется характерной длиной, присущей рассматриваемому физ. явлению (см. Размерные эффекты. Квантовые размерные эффекты). Напр., толщина слоя со специфич, электронными свойствами определяется длиной экранирования электрич. поля в среде и изменяется от 10 см в металлах до величин 10 — 10" см и более в полупроводниках, плазме и электролитах (см. Дебаевский радиус экранирования). [c.653]

Дальнейшее развитие теории зонда применительно к системе, содержащей твердые частицы и ионизованный газ, выполнено Димиком [165]. В работе [3921 приведены дальнейшие подробности относительно дебаевского радиуса и критической температуры, при которой ионная оболочка становится электронной, что подтверждается указанными выше результатами [737]. [c.463]

Найдем, как рассасывается неоднородность электронной плотности, созданная в плазме. Считаем поэтому в (7.79) заданным величину к=2л1К. При большой неоднородности (т. е., как мы покажем, при — электронного дебаевского радиуса), когда [c.130]

Анализ выражений (766), (768) и (769) показывает, что чем выше плотность плазмы, тем меньше масштаб декомпенсации злрядов и в пространстве, и во времени.При увеличении температуры дебаевский радиус увеличивается, что связано с подавлением эффекта разделения зарядов тепловым двп- жением частиц. [c.389]

Изучение структурных и энергетических закономерностей пластической деформации в приповерхностных слоях материалов в сравнении с их внутренними объемными слоями имеет важное значение для развития теории и практики процессов трения, износа и схватывания. При этом следует отметить, что. поверхностные слои кристаллических материалов имеют, как правило, свои специфические закономерности пластической деформации. Так, например, в работе [11 при нагружении монокристаллов кремния через пластичную деформируемую среду силами контактного трения было найдено, что в тонких приповерхностных слоях на глубине от сотых и десятых долей микрона до нескольких микрон величины критического напряжения сдвига и энергии активации движения дислокаций значительно меньше, чем аналогичные характеристики в объеме кристалла. Было также показано [2], что при одинаковом уровне внешне приложенных напряжений по поперечному сечению кристалла в радиусе действия дислокационных сил изображения эффективное напряжение сдвига значительно выше, чем внутри кристалла. Поэтому поверхностные источники генерируют значительно большее количество дислокационных петель и на большее расстояние от источника по сравнению с объемными источниками аналогичной конфигурации и геометрии при одинаковом уровне внешних напряжений. Высказывалось также предположение, что облегченные условия пластического течения в приповерхностных слоях обусловлены не только большим количеством легкодействующих гомогенных и различного рода гетерогенных источников сдвига [3], но и различной скоростью движения дислокаций у поверхности и внутри кристалла [2]. Аномальное пластическое течение поверхностных слоев материала на начальной стадии деформации может быть обусловлено действием и ряда других факто-зов, например а) действием дислокационных сил изображения 4, 5] б) различием в проявлении механизмов диссипации энергии на дислокациях, движущихся в объеме кристалла и у его поверхности причем в общем случае это различи е, по-видимому, может проявляться на всех семи фононных ветвях диссипации энергии (эффект фононного ветра, термоупругая диссипация, фонон-ная вязкость, радиационное трение и т. д.) [6], а также на электронной [71 ветви рассеяния вводимой в кристалл энергии в) особенностями атомно-электронной структуры поверхностных слоев и их отличием от объема кристалла, которые могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на вели- [c.39]

Д. э. с. в плазме является областью с сильно нарушенной квазинейтральностъю плазмы толнцша его составляет неск. дебаевских радиусов. Частица с зарядом е при пролёте через Д. э. с. набирает энергию = еДф, к-рая в сильных полях может во много раз превышать среднюю кинетич. энергию (темп ру) частиц плазмы еЛср >Те, (. [c.562]

ДЕБАЕВСКИЙ РАДИУС ЭКРАНИРОВАНИЯ — характерный пространственный масштаб в плазме, электролитах или полупроводниках, на к-ром экранируется поле заряж. частицы за счёт накапливающегося вокруг неё облака зарядов противоположного знака. Д. р. э. впервые был введён в 1923 П. Дебаем (Р. Debye) в развитой им теории сильных электролитов. С учетом экра-ппровки электрич. потенциал ф (г), создаваемый вокруг заряж. частиц с зарядом Ze е — заряд электрона, [c.571]

Если ф-цию gat, выразить через /д, то получается замкнутая система ур-ний для ф-ций /ц, JE, В. Это оказывается возможным, напр., для разреженной плазмы при не очень больших отклонениях от состояния равновесия, когда осн. роль играют мелкомасштабные флуктуации с радиусом корреляции г , дебаевского радиуса экра)шрования). В разрежеиной плазме число частиц ND н сфере с дебаевским радиусом много больше единицы. По этой причине, в отличие от разреженного газа, [c.361]

К важнейшим свойствам П. относится квазинейтраль-яость. Она соблюдается, если линейные размеры области, занимаемой П., много больше дебаевского радиуса экранирования [c.595]

В квазидебаевском режиме диаметр отверстия линзы выбирается меньше дебаевского радиуса акрапироеания для ионов но [c.616]

Пристеночная проводимость с диффузным рассеянием. Если поверхность гладкая (т. е. размер неровности б Гд — дебаевского радиуса экранирования) и скорость электрич. дрейфа параллельна ей, то П. п. создают те электроны, к-рые пронизывают дебаевский слой и диффузно рассеиваются непосредственно на поверхности. Это имеет место, напр., в осесимметричных системах с внешними (полоидальными) магн. и электрич, полями. [c.118]

Термодинамика и статистическая физика (1986) -- [ c.279 , c.281 ]

Теплоэнергетика и теплотехника Общие вопросы (1987) -- [ c.213 ]

Физическая теория газовой динамики (1968) -- [ c.226 ]

Основы теории металлов (1987) -- [ c.47 ]

Краткий справочник по физике (2002) -- [ c.125 ]

Физическая кинетика (1979) -- [ c.140 , c.145 , c.185 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...