Бурштейна сдвиг

Бозе — Эйнштейна закон распределения 138 Брэгга условие 113 Бурштейна сдвиг 185 [c.294]

В случае, когда нагревание кристалла проводится с помощью оптических пучков с интенсивностью до 0,1-Ь1 кВт/см , возможно влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства образца сдвиг Бурштейна (кажущееся увеличение ширины запрещенной зоны кристалла вследствие вырождения электронного газа при высокой концентрации свободных носителей) увеличение внутризонного погло- [c.125]

Иная ситуация имеет место в вырожденных полупроводниках. Слабое вырождение приводит к уменьшению коэффициентов поглощения на частотах, близких к краю собственного поглощения. Сильное же вырождение вообще сдвигает край поглощения в сторону более коротких волн. Этот эффект называют сдвигом Бурштейна. Он отчетливо проявляется в полупроводниках с малой плотностью состояний у дна зоны проводимости (или у потолка валентной зоны), в которых сильное вырождение достигается при сравнительно малых уровнях легирования. Так, в InSb легирование донорами (концентрация 5 10 м ) приводит к сдвигу длинноволновой границы собственного поглощения с 7,1 до 3,5 мкм. Во многих же случаях сдвиг Бурштейна маскируется другим эффектом сильного легирования — изменением плотности состояний у краев энергетических зон. Это изменение происходит вследствие размытия примесных уровней в примесную зону и слияния последней с зоной проводимости или с валентной зоной. [c.322]

БУРШТЕЙНА — МОССА ЭФФЕКТ — сдвиг края области собств. поглощения полупроводника в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости (вырождение). Так, в кристалле hiSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при Т= =300 К) длине ВО.ЛНЫ 1=7,2 мкм после легирования oбpaчr a донорами до концентрации. 5-10 см- [c.233]

Аррениуса закон 17, 84 Биения 62, 133, 156 Брюстера угол 44, 74, 99 Бурштейна—Мосса сдвиг 125 Видность полос интерференции 28 Волокно оптическое 9, 70, 103, 110, 127, 180, 188, 206 Время жизни 192 [c.221]

Сравнение показывает, что для GaAs я-типа согласие между экспериментальными значениями коэффициента поглощения и значениями, рассчитанными по модели ГЛГ — МЭС, не такое хорошее, как для материала р-типа [51]. Такие общие черты поведения экспериментально полученных зависимостей а (Я) при изменении концентрации свободных электронов по, как сдвиг Бурштейна [65] и уменьшение наклона кривой а(Е) при увеличении п, присущи также и расчетным зависимостям а(Е). Трудность может быть связана с тем, что на значения коэффициента поглощения в сильно легированном теллуром GaAs rt-тнпа могут влиять преципитаты [66, 67]. [c.185]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...