Зарядовой плотности волна

Для статич. Д. п. (5) совпадает с критерием стабильности среды относительно спонтанного появления волн зарядовой плотности. Существует ряд правил сумм для мнимой части Д. п., в частности [c.699]

Т. э. возможен не только в квантовых системах, состоящих из одной частицы. Так. напр., низкотемпературное движение дислокаций в кристаллах может быть связано с туннелированием конечной части дислокации, состоящей из многих частиц. В такого рода задачах линейную дислокацию можно представить как упругую струну, лежащую первоначально вдоль оси у в одном из локальных минимумов потенциала У ,.х. у). Этот потенциал не зависит от а его рельеф вдоль оси х представляет собой последовательность локальных минимумов, каждый из к-рых находится ниже другого на величину, зависящую от приложенного к кристаллу механич. напряжения. Движение дислокации под действием этого напряжения сводится к туннелированию в соседний минимум определ. отрезка дислокации с последующим подтягиванием туда оставшейся её части. Такого же рола туннельный механизм может отвечать за движение волн зарядовой плотности в диэлектрике Пайерлса (см. Пайерлса переход). [c.176]

Первая стадия представляет собой превращение структуры типа В2 в фазу с несоразмерной структурой и является фазовым превращением второго рода. На второй стадии происходит превращение этой несоразмерной фазы в соразмерную фазу, которое является фазовым превращением первого рода. Характерной особенностью первого превращения является увеличение интенсивности рефлексов типа 1/3 при понижении Т. Кроме того, на этой стадии положение указанных рефлексов не соответствует точно положению 1/3 обратной решетки. Если смещение положений рефлексов обозначить как 1/3 (1— У) (110) и 1/3 (1—б) (111), то можно отметить, что величины У и б невелики, соответственно 0,045 и 0,012. Появление таких рефлексов соответствует модуляции решетки, однако при этом период элементарной ячейки не является кратным целому числу периодов ячейки исходной фазы. Указанную модуляцию решетки авторы попытались рассмотреть с помощью концепции волн зарядовой плотности. [c.64]

Зарядовой плотности волна 242 Зондхаймера эффект 219 Зонной структуры расчеты 43, 225, 252, 258, 266, 272, 287, 293, 298, 308 [c.669]

Энергия В. к. не изменяется при смещении всей электронной решётки относительно однородного положит. фона. Поэтому во внеш. электрич, поле Е решётка улектроноБ движется как целое относительно фона. Такой механизм электропроводности, паз, ф р е л и-X о в с к о й проводимость ю, характерен для всех структур, в к-рых образуются волны зарядовой плотности, частным случаем к-рых является В, к. [c.274]

ВОЛНЫ ЗАРЯДОВОЙ ПЛОТНОСТИ в металлах— периодич. перераспределение в пространстве электронного, ионного и суммарного зарядов, обусловленное малыми периодич. смещениями попов около их поло кений равновесия в кристаллич. решётке [1]. Состояние с В.з.п. обнаруживается по рассеянию рентг. лучей, быстрых электронов и нейтронов для него характерно присутствие дифракц. пиков исходной решёт- [c.331]

Из-за движения электронов между цепочками, а также из-за электростатич. взаимодействия волн зарядовой плотности на разных цепочках пайерлсовские смещения ниже точки фазового перехода упорядочиваются [c.520]

В стандартной зонной схеме твёрдых тел в диэлектриках и полупроводниках заполненные зоны отделены от пустых запрещённой зоной (анерге-тич. щель) Sg, а в металлах есть зоны, заполненные частично, и электроны могут двигаться по этим зонам в слабом электрич. поле (см. Зонная теория). Структура зов в однозлектронном приближении связана с симметрией кристаллич. решётки. П. м.— д. может быть связан с изменением решётки, т. е. со структурным фазовым переходом. Такова природа П. м.— д. во мн. квазиодномерных соединениях и кеазидвумерных соединениях (слоистых). В этом случае переход паз. Пайерлса переходом или переходом с образованием волны зарядовой плотности. С изменением симметрии решётки связаны П. м.— д. и в др. веществах, напр. переход белого олова в серое ( оловянная чума ). С изменением ближнего порядка связаны П. м.— д., происходящие при плавлении мн. полупроводников (см. Дальний и ближний порядок). Так, в Ое И 31, имеющих в твёрдой фазе решётку типа алмаза, при плавлении меняется ближний порядок и они становятся жидкими металлами. [c.577]

Описание ТЛ на основе разложения (1) требует учёта производных ф по координатам (градиентов) [напр., в виде (ф ) - - 02(ф )) , И2 > 0]. Такой случай имеет место при описании волн зарядовой плотности, магнитной атомной структуры типа спиновой волны и др. ФП 2-го рода из высокосимметричной фазы фв= О в однородную низкосимметричную фазу фо= onst О происходит при Я2 — о, а в неоднородную (несо- [c.16]

Величина имеет простой смысл ср. поля частиц системы, действующего на данную частицу, а В, ведёт к увеличению (уменьшению) вероятности сближения двух бозе- ферми-)частиц, изменяя соответств. образом нх взаимодействие. Самосогласованному характеру величины И отвечает зависимость матрицы плотности (3) от решений ур-ния (5), к-рое становится нелинейным и может поэтому иметь более одного набора решений. Так, при выполнения нек-рых условий возможно сосуществование двух решений ур-ния (5), отвечающих однородному и неоднородному состояниям системы, каждое из к-рых устойчиво в своей области плотностей и темп-р. Это соответствует фазовому переходу со спонтанным варушеиием трансляц. симметрий и с появлением волн зарядовой плотности. [c.414]

Вейман с сотрудниками предположили, что указанная фаза с несоразмерной структурой соответствует состоянию, когда сосуществуют волны зарядовой плотности трех типов, имеющие волновые числа 1/3 - НО , 1/3 111 и 1/3 12lj>. При превращении фазы с несоразмерной структурой в фазу с соразмерной структурой происходит расщепление рефлексов (111) и (110) вследствие тригональных искажений фазы В2 в направлениях (111). Эти тригональные искажения изменяются в зависимости от Т, однако при их возникновении и исчезновении имеется температурный гистерезис. Ясно, что рассматриваемое превращение является превращением первого рода. Рефлексы типа 1/3 при этом точно соответствуют положениям 1/3. При понижении Т появляется моноклинная мартенситная фаза. Полностью процесс превращения в этих сплавах описывается последовательностью исходная фаза->несоразмерная фаза (кубическая) -> соразмерная фаза (тригональная) -> мартенситная фаза (моноклинная). Температура начала превращения несоразмерной фазы в соразмерную М <М на 5—10°. Однако обычно промежуточную фазу рассматривают, не разделяя на области несоразмерной и соразмерной фаз, а температуру превращения обозначают M g. Тем не менее поверхностный рельеф, обусловленный промежуточной фазой, возникает при более низкой Mg. [c.64]

В кристаллах TTF—T NQ, так же как и в другом типе квазиодномерных кристаллов — КСР, аномалия (провал в зависимости (р)) по мере понижения температуры и приближения к ФП становится гигантской. Эта аномалия в конечно.м итоге приводит к умножению элементарной ячейки при ФП с отщеплением оптической ветви (или ветвей). Одна из отщепленных ветвей оказывается мягкой, и именно она обусловливает связь фононного спектра с волнами зарядовой плотности, что и приводит к высокой 6з ниже ФП. [c.120]

Физический механизм плазменных колебаний легко наглядно представить в пределе й 0. Флуктуации электронной плотности V приводят к локальному отклонению зарядовой плотности от равновесной (ибо положительный фон все время остается однородным) таким образом, появляется локальный объемный заряд. В результате электростатического взаимодействия между электронами и фоном возникает возвращающая сила, которая стремится восстановить равновесное распределение электронов. Однако электроны обладают кинетической энергией и поэтому проскакивают мимо своего равновесного положения, так что процесс начинается снова, но идет уже в противоположном направлении. Следовательно, колебания, которые обусловлены дальнодействую-щими кулоновскими взаимодействиями, полностью доминируют и подавляют звуковые волны в пределе й 0. [c.81]

См. также Периодический потенциал Уравнения Хартри — Фока I 343, 344 для свободных электронов I 333—337 п волны зарядовой плотности II 299 п восприимчивость Паули II 285 и глубина зоныэ в приближении свободных электронов I 335 и магнетизм свободных электронов I 334, 335 [c.413]

Хотя обычная теорид зонных структур, по-видимому, вполне успешно объясняет данные эффекта дГвА, Оверхаузер (см. [315, 316] и обзор с полной библиографией [317]) предложил для К радикально отличную электронную структуру, совместимость которой с экспериментальными результатами является пока спорным вопросом. Первоначальное предложение [315], основанное на данных оптических измерений, заключалось в том, что основное состояние К содержит волну спиновой плотности, но в дальнейшем Оверхаузер предположил, что более вероятна волна зарядовой плотности. Наличие волны любого типа означает, что поверхность Ферми нестабильна и в основном состоянии почти сферическая ПФ искажается, превращаясь в лимонообразную поверхность с осью, расположенной вдоль вектора волны, и с анизотропией линейных размеров, составляющей несколько процентов. [c.242]

Чтобы объяснить отсутствие подобной анизотропии в ПФ, восстановленной по данным эффекта дГвА, Оверхаузер вначале предположил, что вектор волны зарядовой плотности всегда располагается вдоль магнитного поля в экспериментах по эффекту дГвА. Это означает, что площадь, соответствующая измеряемой частоте дГвА, всегда равна площади сечения, нормального к большой оси лимона , и должна, как это и наблюдается в действительности. [c.242]

Джульяни и Оверхаузер [166] предположили, что волны зарядовой плотности имеют преимущественные кристаллографические направления (близкие к <110>), так что образец разбивается на отдельные домены. Это опять привело бы к значительному уменьшению анизотропии лимона и могло бы способствовать объяснению расхождения, которое в обзоре Оверхаузера названо трудностью с эффектом де Гааза — ван Альфена . Однако, как указали О Ши и Спрингфорд [312], такая доменная гипотеза привела бы к значительному размытию фазы (т.е. к интерференции между осцилляциями от различных доменов) и к изменению амплитуды с направлением, в то время как в хороших образцах наблюдается поразительное постоянство амплитудыКроме того, интерференция способствовала бы такому уменьшению абсолютной амплитуды, которое трудно было бы согласовать с результатами экспериментов, описанных в гл. 9, из которых находится величина , хорошо согласующаяся с определениями, основанными на совершенно иных методах. [c.243]

До недавнего времени данные экспериментов, которые могли бы подтвердить справедливость соотношения (5.23), казались противоречивыми, однако затем были выявлены различные не учтенные ранее источники ошибок и теперь, как можно видеть из табл. 5.5, нет причин сомневаться в правильности формулы (5.23). Это опровергает предположение [15], что данные экспериментов по эффекту дГвА в К при высоком давлении свидетельствуют в пользу гипотезы волн зарядовой плотности, предложенной Оверхаузером (см. п. 5.3.1). [c.291]

Кроме сверхпроводников известны и другие примеры проводников, в которых ток переносится не отдельными квазичастицами, а связан с коллективными состояниями электронов. Хоропю известный вид проводников с коллективным механизмом проводимости, отличный от сверхпроводников - это проводники с электронным кристаллом. Примеры электронных кристаллов — это вигнеровский кристал, а также волны зарядовой и спиновой плотности в квазиодномерных проводниках. [c.79]

Смотреть страницы где упоминается термин Зарядовой плотности волна : [c.332] [c.565] [c.256] [c.258] [c.338] [c.457] [c.515] [c.633] [c.117] [c.335] [c.520] [c.521] [c.571] [c.637] [c.693] [c.8] [c.122] [c.447] [c.243] [c.649]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...