Титанат висмута

Слоистый титанат висмута (монокристалл) [c.183]

Простейший пьезоэлектрический преобразователь можно представить в виде пластины, изготовленной из кварца или искусственной пьезокерамики. Для изготовления пьезокерамики применяют цирконат титанат свинца (ЦТС), титанат висмута (ТВ) и др. Пластину прикрепляют к воспринимающему внешние колебания основанию, на другой стороне пластины располагают груз массой тп. Собственная частота сейсмической системы такого преобразователя [c.605]

Селенид кадмия Сульфид кадмия Сульфид свинца Теллур Теллурид висмута кадмия свинца рубидия цезия Титанат бария Фторид лития Фосфид индия Хлорид серебра [c.576]

Эти материалы типа Б разделяются на два класса IV и V. Класс IV имеет одну группу, а класс V — шесть групп — от а до е . Все они имеют в качестве основной кристаллической фазы твердые растворы класс IV — титанатов стронция и висмута разные группы класса V а и б — титанатов бария и висмута в — ниобатов свинца, стронция и кальция г, д и е — титаната и цирконата бария. Отличительной особенностью материалов типа Б является большая диэлектрическая проницаемость (наименьшее значение у класса IV выше 900) и повышенное значение tg 6 (допустимые значения для разных групп в пределах 0,002—0,05 при 20 С), р от 3 до 5 МВ/м. Основное применение материалов типа Б ограничивается конденсаторами низкой частоты и постоянного тока. [c.240]

В табл. 23.40 приведены значения электрической прочности й плотности для керамики М-900 на основе твердого раствора титанатов стронция и висмута, полученные на образцах, изготовлен [c.244]

Для получения материалов Т-900, М-900 и Т-1000 группы а классов IV и V используют композиции титанатов стронция и висмута. Эти материалы синтезируются из чистых оксидов стронция, олова, висмута и титана. Кроме того, для улучшения технических свойств материалов к ним в небольшом количестве добавляют оксиды цинка и марганца. [c.245]

Для получения материалов, предусмотренных группой а классов IV и V, используют композиции титанатов стронция и висмута марок Т-900, М-900 и Т-1000. Эти материалы синтезируются из чистых окислов стронция, олова, вис- [c.353]

У разных рецептур низкочастотной конденсаторной керамики минимальные значения диэлектрической проницаемости по ГОСТ 5485-64 лежат в пределах от 900 до 8 ООО, при максимально допустимых значениях tg O в пределах от 0,002 до 0,03. Диэлектрическая проницаемость этих материалов имеет большую зависимость от температуры, а также зависит и от напряженности электрического поля. У материала с диэлектрической проницаемостью 900, с кристаллической фазой из твердого раствора титанатов стронция и висмута, диэлектрическая проницаемость в рабочем интервале температур должна изменяться в пределах 30% по сравнению с ее значением при 20° С. [c.240]

Керамит класса IV. К этому классу принадлежит СВТ керамика (стронций — висмут — титан). Ее кристаллическая фаза образована твердым раствором титаната- стронция SrTiOg и титаната висмута [c.149]

Другим примером может служить керамика СВТ. Она содержит твердый раствор титаиата стронция SrTiOs и титаната висмута [c.154]

Бифталат аммония обладает также слабым отражением от плоскости (001) с. 2й = 5,24 нм [13]. Для этой же области спектра испытаны слоистые кристаллы титаната висмута 2с1 — 6,57 нм) [4], приблизительно в семь раз уступающие по отражающей [c.313]

Большинство кислородно-октаэдрических сегнетоэлект-риков являются хорошими изоляторами. Их электропроводность не превышает 10 " Ом см Некоторые другие кислородно-октаэдрические сегнетоэлектрики (например, титанат висмута, феррит висмута и т. д.) имеют несколько большую электропроводность — около 10" Ом [c.24]

В табл. 6.6 сравнивается количество импульсов выборки, необходимых для 30% переключения пяти сравниваемых сегнетоэлект-рических. материалов — трех монокристаллов и двух видов керамики. Из таблицы следует сильное различие между материалами. В [51] указывается также на возможность прогноза допустимого числа переключающих импульсов п для данного материала исходя из величины его коэрцитивного поля Исключением является лишь слоистый титанат висмута Bi4Ti30i2, что, очевидно, обусловлено необычным механизмом переключения, характерным для этого моноклинного кристалла (при воздействии переключающего поля происходит поворот Рс на 10° со 180-градусным переключением с-составляющей Рс, равной лишь 0,08 Рс). Несмотря на достаточно большую сохраняемость информации у некоторых сегнетоэлектриков, ни один из них, по-видимому, еще не нашел практического применения в качестве рабочей среды матричных ЗУ или логических элементов. Тем не менее такие принципиальные особенности устройств, основанных на переключении по-,182 [c.182]

В связи с исследованием диэлектрических свойств были синтезированы некоторые титанаты висмута. Например, Сканави с сотрудниками [2] высказали предположение о существовании соединений В12Т120, и В12Т1зОд. [c.407]

Особо жесткие требования предъявляются к материалам для матричных ЗУ, в которых /Сппг должен быть больше 0,9. Этому требованию удовлетворяют лишь некоторые монокристаллы — титаната бария, ТГС, гуанидиналюминийсульфата (ГАС), слоистого титаната висмута (СТВ). Их ЛГип достигает 0,95, однако после 10 —Ю пере- [c.215]

Из сегнетоэлектрических монокристаллов с ППГ наилучшими параметрами для ЗУ обладает триглицинсульфат (ТГС). В кристалле ТГС отсутствует явление усталости, он имеет минимальную коэрцитивную силу (15—30 кВ/м) при /Сппг = 0,9, но гигроскопичен и водорастворим, а низкая точка Кюри (49° С) в ряде случаев не обеспечивает необходимого интервала рабочих температур. Кристаллы ВаТ10з имеют вид мелких пластинок, что затрудняет построение на их основе матричных ЗУ. Кристаллы слоистого титаната висмута (СТВ) расщепляются, подобно слюде, на тонкие пластинки, что позволяет изготовлять ЗУ с малым переключающим напряжением, несмотря на довольно большую коэрцитивную силу (220—620 кВ/м). Ввиду высокой (670° С) СТВ термостабилен, а благодаря наклонному положению вектора к плоскости пластинки применим в ЗУ с оптическим считыванием. [c.217]

С электронной поляризацией, обусловленной тепловым движением, связан довольно широкий круг процессов, происходящих в твердых диэлектриках фотодиэлектрический эффект в кристаллах люминесцирующих широкозонных полупроводников диэлектрическая релаксация, обусловленная наличием центров окрашивания в ионных кристаллах, диэлектрическая релаксация электронов, захваченны.х донорны.ми центрами в оксидных полупроводниках наконец, существенное повышение на низких частотах диэлектрической проницаемости в поликристаллических веществах типа рутила, перовскита или стронций-висмут титаната (СВТ). Последний из перечисленных диэлектриков находит важное техническое применение. [c.72]

Этот вид керамики, основанный на титанатах бария (BaTiOg), стронция (SrTiOg), висмута (В1дОзЗТЮ2) и др., характеризуется очень высоким значением диэлектрической проницаемости (до 10 ООО) и ее зависимостью от напряжения, частоты, температуры, высоким значением tgo, который с частотой /=10 гц уменьшается. [c.217]

Величина tg б сегнетоэлектриков также зависит от напряженности электрического поля и имеет соответствующий максимум. У титаната бария максимум tg б в зависимости от напряженности электрического поля несколько смещен по сравнению с расположением максимума диэлектрической проницаемости в область более слабых полей на участок, соответствующий наиболее быстрому росту диэлектрической проницаемости. Величина tg б титаната бария при частоте 50 гц в слабых электрических полях лежит в пределах 0,02—0,03. Сверхвысокая диэлектрическая проницаемость керамического сегнетоэлектрика — титаната бария — представляет интерес с точки зрения использования его в малогабаритных конденсаторах. Однако такие конденсаторы обладают низкой температурной стабильностью емкости. В этом отношении значительно лучше керамические материалы со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью не сегнетоэлектрического типа, например, описанная в 2-4 стронций-висмут-титанатная керамика. Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами вследствие изменения их диэлектрической проницаемости при изменениях напряженности электрического поля и величина зарядов сегнетоэлектрического конденсатора нелинейно изменяется с изменением напряжения. Эта нелинейность связана с тем, что при циклическом изменении напряжения заряд сегнетоэлектрического конденсатора изменяется по закону петли гистерезиса (рис. 2-17). При увеличении напряжения от нуля происходит увеличение заряда по первоначальной кривой зарядки, достигающей насыщения при [c.39]

Добавки окиси лития вводились ранее LI]в цирконат-титаната свинпа с пелью стабилизации его свойств, при этом, согласно работе С1], окись лития в количестве 0,25-1,0 вес. % не оказывала особого влияния яа спекаемость керамики (температура спекания 1250°) хотя, как было показано нами С2,ЗЛ, окись лития способствует спеканию керамикиТ иРЬТ( 0 - РЫ Ге Nby ) О Кроме того, известно, что добавки висмута совместно с другими элементами [4] заметно снижают температуру получения качественной керамики цирконат-титаната свинца. [c.146]

Пьезокерамика ЦТСНВ-1 разработана на основе цирконат — титаната свинца с добавками натрия и висмута. Обладает малой сегнетожесткостью. Применяется в электромеханических преобразователях, работающих в режиме приема и режимах излучения малой и средней мощности при небольщих сжимающих механических напряжениях в интервале температур от —60 до -fl50° . [c.160]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...