Диэлектрическая релаксация

Отметим, что такая же температурная зависимость обычно наблюдается для времени диэлектрической релаксации (см. формулу (3.3)) и вообще характерна для термически активированных процессов. На рис. 2.7,в,г показаны температурные зависимости долговечности полимера и керамического диэлектрика, которые оказываются подобными. [c.56]

Дебаевское время релаксации. Дебаю [16] принадлежит изящное рассмотрение диэлектрической релаксации полярных молекул в жидкостях ). Главный его результат — выражение для зависимости ориентационной части поляризуемости от частоты (О внешнего поля Е ехр(—гоз/) [c.486]

Время диэлектрической релаксации ха. Согласно уравнениям Максвелла, величина В1/1Л имеет размерность време- [c.261]

Рассмотрим в общих чертах влияние вязкости и диэлектрической релаксации на волновые моды, обсуждавшиеся ранее. Нам нужно теперь принять во внимание полную систему уравнений (7.9.46) — (7.9.48) с решениями вида (7.10.2) мы, однако, ограничимся случаем продольной ориентации волн и невозмущенного поля оР, т. е. оР = oPs. Уравнение (7.10.19) в приближении где Q и <7 определены соотнощениями [c.505]

Первая из этих величин является малым параметром, аналогичным 8 , характеризующим влияние вязкости, а вторая — влияние диэлектрической релаксации. Наличие диссипативных процессов приводит к тому, что частота со или О становится, вообще говоря, комплексной, так что решения (7.10.2) будут иметь вид [c.505]

Диэлектрическая релаксация 439, 505 Длинноволновое приближение 456 Доменная стенка 404, 524 Домены сегнетоэлектрика 30 [c.550]

Энергия активации для диэлектрической релаксации в жидкости составляет примерно /з ее значения для твердого тела она уменьшается с ростом температуры. [c.339]

Таблица ел. Времена диэлектрической релаксации спиртов [26] [c.246]

Любой необратимый процесс, отличный от теплопроводности, — химические реакции, диффузия, влияние электрического, магнитного и гравитационного полей, ионная проводимость, диэлектрическая релаксация и т. д. — математически может быть описан с помощью подходящих химических потенциалов. Гл. 10 рассмотрены многие процессы, описываемые на основе понятия химического потенциала. Все эти процессы вынуждают систему эволюционировать к равновесному состоянию, в котором соответствующее химическое сродство обращается в нуль. Поскольку химический потенциал играет центральную роль в описании неравновесных процессов, выведем в этом разделе общее выражение для химического потенциала. [c.142]

При питании жидкокристаллической ячейки переменным электрическим полем быстродействие оптического отклика в иреде лах, определяемых амплитудой поля и вязкостно-упругими параметрами ЖК, очевидно, растет с частотой питающего напряжения вплоть до частот, равных обратному времени диэлектрической релаксации ЖК. Поэтому важно иметь iia TOry питающего напряжения, обеспечивающую необходимое быстродействие и лежащую в области максимальной чувствительности структуры. Как указывалось в подпараграфе 34.J, этому требованию наи-лучшим образом удовлетворяют структуры с гете переходом. [c.159]

После выключения света изменение коэффициента преломления и фотосигнал уменьшаются до нуля со скоростью диэлектрической релаксации кристалла. Это особенно заметно в кристаллах, сильно легированных железом. Для них время релаксации составляло 200 с, что соответствовало удельному сопротивлению 7 10 Ом см. [c.307]

С электронной поляризацией, обусловленной тепловым движением, связан довольно широкий круг процессов, происходящих в твердых диэлектриках фотодиэлектрический эффект в кристаллах люминесцирующих широкозонных полупроводников диэлектрическая релаксация, обусловленная наличием центров окрашивания в ионных кристаллах, диэлектрическая релаксация электронов, захваченны.х донорны.ми центрами в оксидных полупроводниках наконец, существенное повышение на низких частотах диэлектрической проницаемости в поликристаллических веществах типа рутила, перовскита или стронций-висмут титаната (СВТ). Последний из перечисленных диэлектриков находит важное техническое применение. [c.72]

Последнее уравнение носит название уравнения Дебая для диэлектрической релаксации. В этом уравнении Ь — феноменологический коэффициент, характеризующий явле- [c.30]

Брекенридж [4] указал, что связанная пара вакансий противоположного знака обладает электрическим дипольным моментом. Он изучал влияние образования пар вакансий на величи у диэлектрической проницаемости и на диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах на разных частотах. Это влияние он приписывал движению пары вакансий. Время, необходимое для того, чтобы вакансия и атом скачком обменялись местами, определялось по времени диэлектрической релаксации (гл. 13), которое и измерялось. (Дипольный момент может изменяться на низких, но не на высоких частотах.) В кристаллах Na l частота релаксации при 85 °С составляла 1000 Гц. [c.665]

Провести анализ явления диэлектрической релаксации диэлектрика в постоянном электрическом поле, используя производство энтропии в виде (1.14а) без учета вязких эффектов и тепло- массоперепоса. [c.107]

К более серьзным неточностям может привести оценка возможной разницы энергий различных конфигураций Бернала — Фаулера. Было найдено, что диэлектрическая проницаемость изменяется примерно обратно пропорционально температуре вплоть до температур жидкого воздуха. При более низких температурах диэлектрическая релаксация становится слишком слабой, чтобы можно было проводить точные измерения. Однако Джиок обнаружил, что вблизи температур жидкого воздуха у льда наблюдается некоторый тепловой гистерезис. Это показывает, что, возможно, не все конфигурации эквивалентны в смысле энергии. Кроме того, небольшая анизотропия, которой обладает лед, дает основание считать, что конфигурация, поляризованная вдоль гексагональной оси (т. е. с диполями, ориентированными вдоль гексагональной оси), имеет больший дипольный момент, или меньшую эиергию. Действительно, в направлении гексагональной оси диэлектрическая проницаемость приблизительно на 15% больше, чем в направлении какой-либо другой оси. Если считать, что этот эффект обусловлен разностью энергий конфигураций, то мы получим, что точка Кюри для льда [c.321]

Каков же механизм диэлектрической релаксации во льду Эмпирическим путем вполне четко определено простое время релаксации релаксационный механизм связан с энергией активации, составляющей около 13 ккал1моль. [c.322]

Необходимо иметь в виду, что-дефекты Бьеррума не представляют собой вполне свободно движущиеся заряды. Обычные заряды в проводнике двигаются непосредственно под действием приложенного поля. Искажения же могут передвигаться лишь вследствие поворота молекул в решетке. По мере увеличения поляризации кристалла остается все меньше и меньше молекул, которые еще могут повернуться в результате устанавливается некоторый баланс между ориентирующим влиянием поля и дезориентирующим действием теплового движения. Иначе говоря, статистика больших чисел конкурирует с полем. Поэтому рассматриваемый механизм обусловливает скорее диэлектрическую релаксацию, чем ионную проводимость. [c.325]

Дед можно также рассматривать как протонный полупроводник. Мы не хотим подробно обсуждать эту достаточно большую область исследования, которую плодотворно изучали Шеррер и его сотрудники [16, 17], тем более, что мы не анализировали детально их результатов, но нам кажется, что их общие заключения вполне обоснованы. Ограничимся лишь несколькими замечаниями. Некоторые ионы передвигаются особенно хорошо в кристаллах льда НзО" , НО , Р , NH4 . (Относительные растворимости солей во льду точно еще не известны, так как при определении этих величин возникают трудности, связанные, например, с ионным обменом.) Поместим в лед молекулу НР. Эта молекула стремится захватить дефект Бьеррума с положительным зарядом. Поскольку дефекты Бьеррума также подчиняются закону действующих масс вида Св Св =К, концентрация дефектов Бьеррума с отрицательным зарядом будет возрастать, а время диэлектрической релаксации уменьшится. Этим же объясняется то обстоятельство, что температурный коэффициент диэлектрической релаксации во многих случаях для льда с примесями меньше, чем для чистого льда. [c.337]

Эти же рассуждения можно повторить и для N11 , если поменять ролями положительные и отрицательные ионы. Однако это был бы несколько другой вариант, так как согласно некоторым данным [12] положительные и отрицательные ионы, по-видимому, передвигаются с разными скоростями. Это же справедливо и для дефектов Бьеррума. Действительно, добавление кислот приводит к увеличению времени диэлектрической релаксации, так как возникает относительно большее число дефектов Бьеррума с отрицательным зарядом, которые передвигаются медленнее, чем дефекты с положительным зарядом. Кроме того, при наличии достаточного количества водородных ионов может возникнуть такая ситуация, когда время будет того же порядка величины, что и Хр. В этом случае проводимость определяется не только частотой перехода, но зависит также от скорости диэлектрической релаксации ). [c.338]

Из значения температурного коэффициента диэлектрической релаксации следует, что энергия активации для этого процесса Q Ъккaл мoль. Ббльшая часть этой энергии, видимо, представляет собой половину энергии, необходимой для разделения пары дефек- [c.338]

В работе [ 22] также сравниваются наблюдаемые времена релаксации спектров т. с известными временами диэлектрической релаксации растворителей т . В целом значения т, были почти в 10 раз меньше, чем, причем последние п два раза силшше зависели от температуры. Авторы объяснили такой результат тем, что для каждого типа релаксации необходим свой тип движений молекул. Для диэлектрической релаксации может потребоваться согласованное движение нескольких ассоциированных молекул растворителя, тогда как для спектральной релаксации - лишь небольшие смешения той молекулы растворителя, которая находится в присущем данному флуо-рофору окружении. Такое различие в величинах т. и предсказали ранее Бахшиев и Мазуренко [ 15, 23]. [c.245]

Известно, что даже в простых растворителях, таких, как прог анол, наблюдается несколько значений времен диэлектрической релаксации. Мазуренко и др. [24, 25] проанализировали влияние этих индивидуальных времен релаксации на спектральную релаксацию 4-АР. В работе [ 22] первоначальные потери энергии в нулевой момент времени связаны с образованием эксиплексов, а болео медлсппый сдвиг спектров - с общей релаксацией растворителя. Мазуренко изучил мгновенные и стационарные спектры 4-АР в пропаноле и описал эти данные тремя временами спектральной релаксации. [c.245]

Оно наблвдается не только в явлении поляризации люминесценции,но и в диэлектрической релаксации при описании диффузии и подвижности ионов. Причину этого нетрзг иального совпадения нужно видеть в [c.244]

ПОЛНИТЬ данные, полученные с помощью метода диэлектрической релаксации при изучении заторможенного вращения в твердом теле. Иногда анализ спектров ЯМР позволяет более детально изучить кристаллическую структуру вещества так, например, были получены данные о положении молекул воды в гипсе Са504 - НгО. В ряде случаев с помощью метода ЯМР можно получить информацию о расстояниях между ядрами в кристаллах. [c.83]

Одной частотой релаксации обладает малое число материалов. Характерным примером такого материала является лсд из дистиллированной, воды при низких температурах. При температуре — 10 С время релаксации льда т=0,6-1()- с диэлектрическая проницаемость мгновенной поляризации Ём = 3,5 прирост проницаемости за счет релаксационной поляризации Абрел = 78. Используя эти исходные данные, можно рассчитать по формулам (9-43) — (9-47) частотные характеристики диэлектрических свойств льда (рис. 9-7). Частоте релаксации / С0и/(2я) = 1/(2лт) = 2,7 кГц соответст- [c.149]

Смотреть страницы где упоминается термин Диэлектрическая релаксация : [c.243] [c.46] [c.122] [c.276] [c.276] [c.371] [c.371] [c.465] [c.485] [c.439] [c.447] [c.486] [c.507] [c.339] [c.339] [c.226] [c.245] [c.246] [c.249] [c.256] [c.132] [c.150] [c.309] [c.212]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...