Материал аморфно-кристаллический

Фторопласт-4 (фторлон-4) политетрафторэтилен (— F — Fj—) является аморфно-кристаллическим поли.мером. До температуры 250 °С скорость кристаллизации мала и не влияет на его механические свойства, поэтому длительно эксплуатировать фторопласт-4 можно до температуры 250 °С. Разрушение материала происходит при температуре выше 4i5° . Аморфная фаза находится в высокоэластическом состоянии, что придает фторопласту-4 относительную мягкость. При весьма низких температурах (до —269 °С) пластик не охрупчивается. Фторопласт-4 стоек к действию растворителей, кислот, щелочей, окислителей. Практически он разрушается только под действием расплавленных щелочных металлов и элементарного фтора, кроме того, пластик не смачивается водой. Политетрафторэтилен малоустойчив к облучению. Это наиболее высококачественный диэлектрик. Фторопласт-4 обладает очень низким коэффициентом трения (/ = 0,04), который не зависит от температуры (до 327 °С когда начинает плавиться кристаллическая фаза). [c.453]

Частичную кристаллизацию получают прерыванием процесса на начальной стадии термической обработки. Из-за плотной упаковки атомов кристаллизованный материал занимает меньший объем, чем этот же материал с аморфной структурой. В результате поверхностные слои толщиной не более 1 мкм, в которых вырастают кристаллиты на начальной стадии, сжимают центральный слой ленты с аморфной структурой. Такая слоеная структура ленты (кристаллическая — аморфная — кристаллическая) обеспечивает линейность кривой намагничивания материала. [c.135]

Механические свойства. Привлекательность аморфных сплавов для использования в технике, как уже отмечалось, определяется сочетанием особых физических свойств с высокой прочностью. Они обнаруживают экстремально высокую твердость, превышающую твердость материала в кристаллическом состоянии в 2—4 раза, а их прочность близка к прочности нитевидных кристаллов. Последняя, как известно, приближается к теоретической прочности. Предел текучести составляет 0,1—0,2 Е. [c.304]

Смешанные (а м о р ф н о - к р и с т а л л и ч е с к и е) материалы — частично закристаллизованные аморфные. Частично кристаллическую структуру имеют многие полимеры. Стекло определенных составов при выдержке при повышенных температурах начинает кристаллизоваться благодаря образующимся мелким кристалликам оно теряет прозрачность, превращаясь в аморфно-кристаллический материал — ситалл. [c.9]

Целый ряд пластмасс по своему строению представляет аморфный или аморфно-кристаллический материал. Примером материалов аморфного строения могут служить полистирол, акриловое стекло и поливинилхлорид строение полиэтилена, полиамидов и фтористых пластмасс аморфно-кристаллическое. При нагревании аморфных пластмасс их механические свойства изменяются равномерно. Вблизи определенной температуры материал размягчается и становится пригодным для формовки в горячем состоянии. Иное положение у аморфно-кристаллических пластмасс. Здесь при одних температурах происходит размягчение или застывание аморфной составляющей, а при других — кристаллической. Таким образом, изменение механических свойств происходит вблизи температур, с которыми связано изменение состояния одной из составляющих. [c.64]

Большое влияние на скорость коррозии строительных силикатных материалов оказывает их пористость и структура. Разрушение пористых материалов протекает не только на поверхности, но и в толще материала. При замкнутых, не сообщающихся друг с другом порах разрушительное влияние агрессивных сред проявляется в меньшей степени, чем при наличии открытых пор, когда агрессивная жидкость легко проходит в толщу материала. При кристаллической структуре материала коррозионный процесс протекает более медленно, чем при аморфной. Так, например, кристаллический кремнезем (кварц) хорошо сопротивляется воздействию растворов щелочей, в то время как аморфный кремнезем легко в них растворяется. [c.18]

Полученные к настоящему времени многочисленные экспериментальные данные свидетельствуют о существовании в аморфных твердых телах, так же как и в кристаллах, разрешенных и запрещенных участков энергетического спектра, т. е. о наличии разрешенных и запрещенных зон. Однако в запрещенной зоне аморфных веществ имеются какие-то разрешенные состояния, отчасти подобные обычным локальным уровням в кристаллических твердых телах, связанных, например, с примесями или дефектами. В то же время эксперименты дают основание утверждать, что уровни, расположенные в запрещенной зоне некристаллического материала, могут быть обусловлены не только атомами примеси, но и другими причинами, связанными со структурой данного вещества. [c.355]

Материал тела представляет собой сплошную среду. Допущение о сплошности позволяет отвлечься от реальной структуры данного материала (кристаллическая, зернистая) и рассматривать его как аморфный, непрерывно заполняющий любой элемент объема тела. [c.8]

Электротехническая керамика — камнеподобный материал, получаемый спеканием массы заданного состава и состоящий из кристаллической и аморфной фаз. Свойства распространенных электрокерамических материалов приведены в табл. 23.24. [c.557]

Широкое применение в качестве электроизоляционного материала находит электротехнический фар( х)р, который является основным керамическим материалом, используемым в производстве широкого ассортимента низковольтных и высоковольтных изоляторов и других изоляционных элементов с рабочим напряжением до 1150 кВ переменного и до 1500 кВ постоянного тока. Электротехнический фарфор, как и любая керамика, состоит из кристаллической, аморфной и газовой фаз. Его свойства определяются химическим и фазовым составом, микро- и макроструктурой и технологией изготовления. [c.238]

Сернистый свинец встречается в природе в виде материала галенита (свинцовый блеск) и может быть получен искусственно несколькими способами. PbS бывает в аморфной и кристаллической модификациях. Сернистый висмут получают сплавлением висмута с серой в отсутствии кислорода. Кристаллы относятся к ромбической системе и имеют серо-черный цвет. Сернистый кадмий получают различными способами он может быть аморфным и кристаллическим. Цвет его зависит от модификации и содержания примесей. Чувствителен к рентгеновскому излучению. [c.264]

Отдельные составляющие твердой фазы теплозащитного материала могут находиться в кристаллическом либо в аморфном состоянии. Механизм переноса тепла в этих состояниях резко отличен. В свою очередь кристаллы подразделяются на проводники и диэлектрики в зависимости от того, что является основным носителем тепловой энергии электроны или колебания кристаллической решетки — фононы. В последнем случае проводимость определяется длиной свободного пробега, т. е. расстоянием, на котором сохраняется правильная структура кристаллической решетки или так называемый дальний порядок. Аморфные диэлектрики, у которых зерна кристаллов расположены хаотично, имеют меньший коэффициент теплопроводности по сравнению с кристаллическими диэлектриками, у которых структура более упорядочена. При 50 К коэффициент теплопроводности кристаллического кварца в 150 раз выше, чем у аморфного кварцевого стекла. [c.75]

Процессы плавления и течения пленки расплава у кристаллических и аморфных веществ имеют определенные различия. Кристаллические вещества плавятся при постоянной температуре Гр, при этом вязкость жидкой фазы оказывается столь малой, что вся расплавленная масса практически мгновенно сносится с поверхности материала под действием аэродинамических сил (рис. 8-1). В итоге темпе- 187 [c.187]

К числу параметров термодинамического состояния в зависимости от необходимости учета различных процессов, протекающих в термодинамической системе, относят плотность, температуру, тензор деформаций и другие аргументы, а также параметры, учитывающие внутреннюю структуру рассматриваемого тела. В зависимости от внутренней структуры материала тела - кристаллической, аморфной, высокомолекулярной и т.п. - внешние воздействия вызывают соответствующие структурные изменения. На макроуровне эти изменения описываются конечным, хотя и, в общем случае, достаточно большим количеством скалярных, векторных и тензорных величин, называемых внутренними параметрами состояния системы. Характер этих параметров, как и их изменение, вследствие протекающих в теле термомеханических процессов, определяется макроструктурным анализом их микромеханизма [47]. [c.181]

Использование в качестве матричного материала аморфного углерода, а армирующих волокон (из кристаллического углерода) — графита позволило создать композит, выдерживающий нагрев до 2500 °С. Такой углерод-углеродный композит перспективен для заатмосферной авиации. Недостаток углеродной матрищ>1 состоит в возможном окислении и абляции — уносе массы с поверхности потоком газов. С целью предотвращения окисления и абляции композит покрывают тонким слоем карбида кремния. [c.870]

Из реверсивных носителей наиболее широкое распространение получили носители из материалов на основе недоокиси теллура (ТеОж), ванадия (УОг) с ярко выраженными фазовыми переходами и др. Материалы на основе композиции недоокиси теллура с селеном, сурьмой, оловом, германием и другими материалами обладают свойствами изменять свое фазовое состояние (аморфное —кристаллическое) в узком диапазоне температур и сохранять его после быстрого охлаждения. Переход из одного фазового состояния в другое зависит от режима разогрева и охлаждения материала. Отражающая способность аморфной и кристаллической структур пленки различна, и на этом контрасте основан процесс воспроизведения. Принцип записи с предварительным стиранием сигнала на таком реверсивном носителе иллюстрируется рис. 11.3. На рис. П.3,а показаны дорожки с записанной информацией в виде зон с различным фазовым состоянием пленки халькогенида. Для стирания и записи используют сфокусированные пятна лазера различной протяженности и интенсивности (см. нижнюю дорожку рис. 11.3,а), с тем чтобы обеспечить различные режимы нагрева и охлаждения материала на дорожке (рис. 11.3,6). Шаг дорожек обычно составляет 1,6 мкм, интервал бита 0,6. ..0,8 мкм, излучаемая 126 [c.126]

Фторопласт-4 является аморфно-кристаллическим полимером. Разрушение материала происходит при температуре выше 415°С. Он стоек к воздействию растворителей, кислот, ш,елочей, не смачивается водой. Применяют его для изготовления труб, вентилей, кранов, насосов, мембран, уплотнительных прокладок, манжет и др. [c.29]

В обычных условиях полной криотвллизации не происходит. В связи с этим в реальных полимерах структура обычно двухфазная наряду с. кристаллической фазой имеется и аморфная. Кристалличность придает полимеру повышенную теплостойкость, болыцую жесткость и прочность. Степень кристалличности зависит от материала и метода обработки, причем увеличение скорости охлаждения обуславливает уменьшение вре мели на образование правильного кристаллического порядка. [c.22]

Химическая стойкость материала зэлисит также от его структуры. Мкл очясленными исследованиями установлено, что при кристаллической структуре материала его стойкость выше, чем при аморфной. [c.31]

Вещества, обладающие способностью вращать плоскость по- яяризации, называют оптически активными. Этот эффект наб-,г1Юдается у ряда кристаллических и аморфных тел. Начнем наше рассмотрение с анализа экспериментального материала. [c.153]

В разделах 4.1 -4.2 приводится анализ многочисленных фактов, при помощи которого стирается четкая грань мезвду кристаллическими и аморфными материапалш. Показано, что, с точки зрения структуры, более правильным бьшо бы описывать любой материал такой характериспжой, как "степень кристаллич-иосги", поскольку реальные материалы в большинстве с воем содержат в той или иной пропорции как упорядоченные области, так и области, в которых заметная упорядоченность отсутствует. [c.7]

В кииге изложены узловые вопросы фиаики твердого тела межатомные взаимодействия, основы электронной теории твердого тела, симметрия к структура кристаллов, динамика кристаллической решетки, основные представления физики реальных кристаллов и аморфных материалов, фазовые превращения, физические свойства твердых тел. В отличие от других книг по физике твердого тела пособие начинается с вопросов образования твердых тел (межатомных взаимодействий и энергии связи). Это облегЧ1ает восприятие материала. [c.2]

Специалисты полагают, что удешевление фотоэлементов за счет перехода к аморфному кремнию вместо монокристалличе-ского сделает метод прямого преобразования солнечной энергии в электрическую конкурентноспособным по сравнению с другими методами получения энергии. Подробное описание солнечных батарей на аморфном кремнии дано в i[68]. В настоящее время наиболее перспективным материалом считается определенным образом приготовленный аморфный сплав кремния с водородом, фотогаль-ванический эффект в котором был открыт в 1974 г. К 1978 г. КПД солнечных батарей на этом материале достиг 6%. Эта величина в 3—4 раза меньше достигнутой на кристаллических Si и GaAs, однако в последних максимальные значения КПД были получены через 20 лет после открытия соответствующего эффекта. Это подтверждает несомненную перспективность аморфных материалов для использования в солнечных батареях. Для успешной реализации этих батарей необходимо выполнение ряда условий, таких, как большой коэффициент оптического поглощения (в широкой области спектра), эффективный сбор носителей электричества на обеих сторонах полупроводникового материала (пленки), достаточно большой внутренний потенциал, определяющий ЭДС элемента. Эти условия определяются оптическими и электрическими свойствами аморфных полупроводников и в конечном счете энергетическим спектром электронов. Поэтому далее мы перечислим некоторые характерные свойства этих материалов, достаточно тесно связанные с картиной распределения состояний электронов по энергетическим зонам. [c.284]

Аморфные полупроводники изготовляют в виде тонких пленок напылением или осаждением на подложку. Если температура подложки невысока, попадающие на нее атомы не имеют достаточной энергии для перемещения (миграции) и не могут выстроиться в кристаллическую рещетку. В результате образуются пленки с некристаллической структурой, характерной особенностью которых по сравнению со стеклами является отсутствие эфф< кта размягчения. В процессе нагрева такой материал при некоторой температуре переходит из твердого некристаллического состояния в кристаллическое. [c.13]

В рабочей камере установки расположены электроды для создания и поддержания плазмы тлеющего разряда, держатели мишени распыляемого материала и подложек. Для получения гидрогенизированного аморфного кремния устанавливают на держатель мишень из кристаллического кремния, откачивают рабочую камеру, а затем заполняют ее смесью аргона и водорода до давления 1,3—0,1 Па. При подаче напряжения на электроды между ними возникает тлеющий разряд, газ ионизируется и его ионы под действием электрического поля бомбардируют мишень. Мишень распыляется и ее частицы [c.16]

Процент выхода годных полупроводниковых элементов, их характеристики зависят от степени очистки, однородности исходного материала, степени его легирования к др. Наиболее жесткие требования к полупроводниковым мятепиялям предъявЛ-Яют при производстве транзисторов и интегральных схем. В таких приборах, как фото- и тер.морезисторы, допускается использование поли-кристаллических аморфных веществ. [c.81]

Изнаишвание более жестких и хрупких полимерных материалов происходит в основном в результате микрорезания. На интенсивность изнашивания сильно влияет характер надмолекулярной структуры материала. При трении с фаничной смазкой преобладание кристаллических областей в структуре полимера над аморфными обеспечивает его более высокую твердосп, и износостойкость. Между тем увеличение степени кристалличности снижает износостойкость полимера при абразивном изнашивании. Это объясняется тем, что даже при повышении твердости полимера за счет увеличения кристаллических областей она остается в несколько раз ниже твердости абразива, поэтому повышение твердости оказывается неэффективным. Уменьшение эластичности гюлимера создает более благоприятные условия для начала срезания абразивными частицами микрообъемов материала при срезе опреде- [c.129]

Керамика представляет собой твердый плотный-материал, получаемый спеканием неорганических веществ, включая минералы и окислы, и состоящий из аморфной и кристаллической фаз. Содержание аморфной фазы в современных радиокерамических материалах невелико их электрофизические свойства обусловлены в основном составом и структурой поликристаллов. Название керамика происходит от греческого слова керамикос — глиняный одиако при изготовлении радиокерамики обычно глина используется в незначительном количестве, а название сохранилось, главным образом, из-за особенностей технологии производства. [c.141]

Обнаруженные различия могут быть объяснены несколькими причинами. Во-первых, в данных работах наноструктурные материалы были получены различными методами и метод получения мог существенно повлиять на измеряемые характеристики. Например, за счет возможного введения в материал примесей или микропор [1]. Во-вторых, полученные наноструктурные ферромагнетики могли значительно отличаться зеренной структурой и, следовательно, возможно изменение в механизме насыщения, например благодаря суперпарамагнетизму [234]. В-третьих, в ИПД материалах могут изменяться межатомные расстояния и проявляться признаки аморфного состояния, т. е. состояние кристаллической рещетки претерпевает фундаментальные изменения [12, 57]. [c.155]

В предыдущей главе отмечалось, что кристаллическая среда проявляет постоянную оптическую анизотропию в виде двойного -лучепреломления. В 1816 г. Брюстером было установлено, что некоторые изотропные материалы, когда в них возникают напряжения или деформации, становятся оптически анизотропными, как кристаллы. Все рассматривавшиеся нами явления, связанные с прохождением света через двоякопреломляющие пластины, свойственны естественным и искусственным кристаллам с постоянным двойным лучепреломлением, а также и изотропным аморфным материалам с временным двойным лучепреломлением. Почти все прозрачные материалы становятся под действием нагрузки двояко-преломляюгцими. В зависимости от материала величина двойного лучепреломления определяется напряжениями или деформациями или же теми и другими одновременно. Однако в линейно упругих материалах, в которых напряжения и деформации связаны линейной зависимостью, оптические эффекты можно в равной мере относить и к напряжениям, и к деформациям. Это свойство временного двойного лучепреломления при действии нагрузки называют фотоупругостью. [c.61]

Так как многократно повторяющимся деформациям лучше сопротивляются материалы с низким модулем упругости и достаточной эластичностью, вязкие кристаллические полимеры обладают большей стойкостью к износу, чем аморфные полимеры в стеклообразном состоянии. После перехода аморфных полимеров в состояние каучукообразной эластичности их модуль упругости, правда, понижается, но одновременно понижается и механическая прочность. Улучшение стойкости к абразивному износу аморфных полимеров может быть достигнуто понижением переходной температуры с помощью пластификаторов, которые (помимо снижения модуля упругости) обеспечивают при температурах обычного применения материала и достаточную вязкость. [c.86]

Ряд термопласти.чных полимеров обладает способностью к кристаллизации (типичными кристаллизующимися термопластами являются, например, широко распространенный полиэтилен и политетрафторэтилен, иначе фторопласт), которая, однако, никогда не распространяется на весь объем материала. В нем наряду с кристаллической всегда сохраняется и некоторая стекловидная аморфная фаза. Степень кристалличности зависит не только от вида материала, но и от технологии его изготовления. Кристаллические структуры возникают вследствие объединения групп цепных молекул (обычно лишь на отдельных участках их длины), причем процессу кристаллизации способствует ориентация молекул под действием внешних растягивающих усилий. Свойства частично кристаллических полимеров со стекловидной аморфной фазой в сравнении с полностью аморфными материалами более стабильны по отношению к изменениям температуры. Частично кристаллические полимеры имеют при этом определенную температуру плавления, которая для аморфных полимеров не существует. [c.33]

Для теплозащитных материалов наиболее важен третий участок области твердого состояния материала — диапазон высоких температур, который простирается от температуры Дебая до температуры плавления или сублимации данного вещества. В соответствии с данными рис. 3-12 для большинства чистых веществ — проводников электричества (в основном это металлы) можно принять, что коэффициент теплопроводности в этом диапазоне практически не изменяется с температурой (кривая 3). У кристаллических диэлектриков, например окислов AI2O3, 2гОг и т. д., теплопроводность в этой области падает обратно пропорционально температуре (кривая 2). У большинства аморфных материалов (стекло, некоторые полимеры) заметно некоторое увеличение коэффициента теплопроводности с ростом температуры (кривая 1). Интересно отметить, что разность между теплопроводностью кристаллических и аморфных диэлектриков быстро убывает с ростом температуры и в точке плавления исчезает совсем. Чистые металлы имеют максимальные значения [c.76]

Представленная выше схема изменения коэффициента теплопроводности может не соответствовать поведению реальных теплозащ.итных материалов. Это связано не только с тем, что при высоких температурах часть компонент теплозащ,итного материала может переходить из аморфного состояния в кристаллическое, что, как отмечалось, совершенно изменяет не только характер зависимости А, от температуры, но и саму величину коэффициента теплопроводности. Практически решающим обстоятельством оказывается разложение при нагреве части первоначальной массы вещества и образование дополнительной пористости. Появление внутри покрытия значительных объемов, заполненных газом, изменяет механизм распространения тепла. Этому вопросу будет уделено большое внимание в гл. 4. Будет показано, что при температурах менее 1000 К увеличение пористости приводит к резкому уменьшению коэффициента теплопроводности, тогда как при более высоких температурах наличие пористости в материале является причиной многократного увеличения А- с температурой (за счет переноса тепла излучением). [c.77]

Абсолютная величина удельного электросопротивления графита и характер его температурной зависимости определяются структурой материала. Дефекты микроструктуры и макроструктурные неоднородности приводят к увеличению удельного электросопротивления. Удельное электросопротивление углеродных материалов уменьшается при повышении температуры обработки и образует минимум в интервале температур 300—1300 К, Этот минимум обусловлен, с одной стороны, падением электросопротивления аморфного углерода, который обладает полупроводниковыми свойствами, а с другой стороны, ростом электросопротивления упорядоченного (кристаллического) углерода, обладающего свойствами полуметалла. В процессе термообработки количество аморфного углерода уменьшается. [c.26]

Малый объемный вес, связанный с наличием большого количества пор, приводит обычно к малым значениям X. Однако нельзя принимать значениях исключительно на основании объемного веса материалов. Помимо пор, имеет значение характер твердых частей материала, а именно молекулярный (химический) их состав, строение (аморфное или кристаллическое) и пр. Величины твердых составных частей материалов (без пор) составляют примерно для неорганических материалов Х=2-ьЗ,5, а для органических 0,25 -н 0,35 KKOAjM час град. [c.41]

Удивительно высокая пластичность некоторых металле отмечалась исследователями неоднокрагтно. Так, в 1920 году англичанин Розенгейн установил, что поведение холоднокатаного эвтектического сплава Zп u-AI отлично от поведения Дфугих кристаллических материалов и подобно поведению смолы или стекла при температуре выше температуры их размягчения. Он предположил, что часть прокатанного материала во время деформации переходит в аморфное состояние. В 1928 году Дженкинс при растяжении образце из сплава Сс1-8п и РЬ-8п получил удлинение 400 %. Он показал, что удлинение зависит от скорости и времени растяжения. [c.235]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...