Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Рентгеновский анализ кристаллов

РЕНТГЕНОВСКИЙ АНАЛИЗ КРИСТАЛЛОВ  [c.35]

Растворимость Си в (Сг) определена в работе [4] при двух температурах, а в работе [7] — при трех температурах методом рентгеновской дифракции при анализе кристаллов Сг, селективно вьщеленных из сплава после изотермической выдержки. Эти данные приведены в табл. 39.  [c.113]

Рентгеновский анализ применяют для исследования структур кристаллов и дефектов на определенной глу-  [c.23]


Рентгеновский анализ показал, что значения оо2 в кристаллите обожженной композиции на основе прокаленного кокса больше,  [c.72]

Структурный рентгеновский анализ металлов основан на способности атомных плоскостей кристаллов отражать  [c.59]

Спектр поглощения получается разложением рентгеновских лучей кристаллом спектрографа, предварительно прошедших через тонкую пластинку изучаемого вещества. Приборы для рентгеновского спектрального анализа называются спектрографами.  [c.60]

Как показывает рентгеновский анализ, шелк имеет кристаллическое строение. Кристаллы в волокнах шелка расположены параллельно их осям, в отличие от волокон хлопка, в которых кристаллы расположены под некоторым постоянным углом.  [c.223]

В гл. 6 и 16 рассматривается кинематическое рассеяние в (совершенных) кристаллах. Выделим здесь некоторые моменты, касающиеся рентгеноструктурного и электронографического анализов. Автор, возможно, недостаточно четко отметил, что в связи с изучением сложных и сверхсложных структур в рентгеновском анализе приходится решать трудную экспериментально-техническую задачу — достаточно точно (с ошибкой 1—2%) измерить интенсивности огромного числа отражений, исчисляемых тысячами и десятками тысяч [3]. Помимо этого фундаментальной проблемой, которая сейчас интенсивно разрабатывается, является математическая теория методов прямого определения знаков и фаз указанного огромного массива структурных амплитуд (см. [4—6], там же ссылки на предшествующую литературу).  [c.6]

Сведения о строении металлов дает также рентгеновский анализ, позволяющий определить размещение атомов в кристалле и механизм атомных перемещений в процессе превращений, а также определить природу тех или иных фаз и структур, имеющихся в сплавах.  [c.10]

Ю м. При анализе с помощью дифракции нейтронов применяются излучения с длиной волны около 10 м. При использовании для анализа кристаллов дифракции электронов применяется излучение, длина волны которого гораздо короче длин волн, используемых при дифракции нейтронов и рентгеновских лучей. Условия Брэгга также достаточно хорощо выполняются и в случае дифракции электронов.  [c.39]

Исследование строения металлов при помощи электронного микроскопа и рентгеновский анализ показали, что строение реальных кристаллов металлов в отличие от идеальных характеризуется большим количеством несовершенств (дефектов), влияющих на свойства металлов. В ряде случаев искажение кристаллической решетки вызывается дислокациями — нарушениями правильного кристаллического строения вследствие отклонения отдельных атомов или их групп от положения устойчивого равновесия. Дислокации возникают в процессе кристаллизации металла из расплава.  [c.61]


Фтористые белые эмали содержат обычно от 6 до 12% фтора (по синтезу). Согласно данным рентгеновского анализа глушащими частицами являются кристаллы NaF и в некоторой степени СаРг. Другие соединения фтора обнаруживаются чрезвычайно редко и только в эмалях, сильно отличающихся по составу от обычно применяемых.  [c.121]

Внутреннее строение кристаллов, т. е. расположение атомов в криста.1-лической решетке, изучают посредством рентгеноструктурного анализа, использующего рентгеновские лучи.  [c.36]

Хотя изложение основ рентгеноструктурного анализа не является задачей этой книги, упомянем здесь об интерференционном методе исследования кристаллов, в котором используют дискретные рентгеновские спектры характеристические лучи) — резкие пики, появляющиеся на сплошном фоне рентгеновского излучения при больших ускоряющих потенциалах. Кристаллографическими исследованиями было установлено, что в любом кристалле можно обнаружить определенные плоскости, в которых атомы или ионы, составляющие его решетку, упакованы наиболее плотно. Такие плоскости отражают монохроматическое рентгеновское излучение, и, следовательно, может происходить интерференция волн, отраженных различными плоскостями. Очевидно, что усиление отраженной волны произойдет лишь под вполне определенным углом 0 (рис. 6.78). Если разность хода (А = АО + ОВ) равна целому числу длин волн, то  [c.351]

Благодаря методу Лауэ решаются две задачи огромной важности. Во-первых, открывается возможность определения длины волны рентгеновских лучей, если известна структура той кристаллической решетки, которая служит в качестве дифракционной. Таким образом создалась спектроскопия рентгеновских лучей, послужившая для установления важнейших особенностей строения атома (ср. 118). Во-вторых, наблюдая дифракцию рентгеновских лучей известной длины волны на кристаллической структуре неизвестного строения, мы получаем возможность найти эту структуру, т. е. взаимное расстояние и положение ионов, атомов и молекул, составляющих кристалл. Таким путем был создан структурный анализ кристаллических образований, легший в основу важнейших заключений молекулярной физики.  [c.231]

Под рентгенографическим анализом понимается совокупность разнообразных методов исследования, в которых используется дифракция рентгеновского излучения - поперечных электромагнитных колебаний с длиной волны 10 -10- Л. Применение рентгеновского излучения для исследования кристаллических веществ основано на том, что его длина волны сопоставима с расстоянием между упорядоченно расположенными атомами в решетке кристаллов, которая для него является естественной дифракционной решеткой. Сущность рентгенографических методов анализа как раз и заключается в изучении дифракционной картины, получаемой при отражении рентгеновских лучей атомными плоскостями в структуре кристаллов.  [c.158]

Дебай Питер Иозеф Вильгельм (1884—1966) ученый физик-химик, голландец по происхождению, работавший в Германии и США. Известен как один из авторов так называемой Дебай — Хюкелевской полуфеноменологической теории (1923), учитывающей эффект электростатических сил в таких средах как ионизированные растворы или плазмы. Наряду с Борном, Карманом и Эйнштейном уточнил Квантовую теорию теплоемкости. Вместе с П. Шеррером разработал новую методику рентгеновского анализа кристаллов в порошке, получившую широкое распространение в рентгеноструктурном анализе. Независимо от А. Комптоиа дал теорию Эффекта Комптона , вместе с Комптоном получил формулу для изменения длины волны рассеяния излучения, самостоятельно Дебай дал упрощенный вариант этой формулы, способствующий укреплению представления о кванте света как о частице (фотон). С именем Дебая связаны также дебаевская энергия, дебаевское уравнение дисперсии диэлектрической постоянной, дебаевское уравнение состояния твердого тела, дебаевское уравнение теплоемкости молекулы, содержащие так называемую дебаевскую функцию, дебаевская длина, дебаевский 7 закон, дебаевская теория колебаний кристалла, дебаевская единица, Дебая — Валлера уравнение н др.  [c.577]


Методом рентгеновского анализа кристаллов, электролитически выделенных из сплавов дуговой плавки, было обнаружено соединение AgBejj это соединение имеет тетрагональную решетку, аналогичную решетке MoBei , а = 7,284 0,005 А, с = 4,246 0,005 А [2]. Исходя из характера кривой ликвидуса сплавов, богатых Ве, можно предполагать, что химическое соединение AgBejj образуется по перитектической реакции.  [c.24]

Предположим, что микроскопич еским методом установлены границы Х Х+А) и У/У+Л), представленные линиями d и и ef на рис, 228, и что дри передвижении вдоль ef У-фаза становится более стабильной, в то время как в области df травлением нельзя ясно дифференцировать фазы X и У. В этом случае более эффективно применение рентгеновских методов. С этой целью должны быть проведены эксперименты с высокотемпературной камерой на образцах, составы которых простираются через диаг)рамму от фазы X к Y. Эти опыты могут показать, чгго упорядоченная фаза X и неупорядоченная фаза У существуют каждая в ограниченной области а диаграмме и что имеется промежуточная двухфазная область (Х+У). В этом случае, как показ.ано на рис. 231, а, должен тоже существовать трехфазный треугольник (A+X+Y), который граничит с двухфазными областями А+ X) и (Л + У). В соответствии с этим можно ожидать изменения в направлении границы Л-твер-дого раствора там, где она касается вершины треугольника. После такого цредположения должны быть сделаны повторные попытки подобрать реактивы для травления с целью разделить фазы X и Y. Есл1И это окажется невозможным, то должно быть проведено тщательное изучение вида кристаллов, ряда сплавов, выбранных на основании данных рентгеновского анализа, составы которых располагаются в области А + Х) и переходят в область (А + X + Y). Если, например, мы рассмотрим сплавы, обозначенные 1, 2, 3, 4 и 5 на рис. 23, в. то для многих систем будет найдено, что тогда как сплавы 1, 2 и 3 дают структуры одного типа, в трехфазных сплавах 4 и 5 будут существовать кристаллы иного вида и размера.  [c.364]

Превращение турбостратного графита в трехмерные кристаллы графита начинается, как показал рентгеновский анализ, при достижении среднего диаметра образования 100 А. Следовательно, при 1300—1400° С в жидкости могут находиться частицы размером того же порядка.  [c.57]

Применение качественного рентгеновского анализа к бокситу ограничено следующим. Интенсивность дифракционных линий вещества зависит не только от концентрации кристаллов и числа отражающих плоскостей, но и от упорядоченности кристаллической решетки у них. Кроме того, для отражения рентгеновских лучей необходима определенная минимальная величина когерентных областей решетки. Эта минимальная величина зависит от длины волны применяемого рентгеновского излучения и структуры соответствующего кристаллического вещества. Поэтому невозможно дать общее правило. По Глокеру, частицы с линейными размерами менее IО мкм уже показывают значительное расширение линий при одновременном ослаблении интенсивности.  [c.31]

Рассмотрим теперь образование кластеров в исходном твердом растворе (матрице). С помощью рентгеновского анализа или электронной микроскопии можно обнаружить кластеры определенного размера, формы и состава, называемые обычно зонами Гинъе — Престона. Эти зоны, впервые обнаруженные в сплавах алюминий — медь, обычно представляют собой небольшие пластинки толщиной всего в несколько (а возможно, один) атомных слоев они отличаются от матрицы по составу и могут отличаться по величине межатомных расстояний, но их структура переходит в структуру матрицы непрерывным образом. Интерпретация эффектов, наблюдаемых при исследовании дифракции рентгеновских лучей в сплавах на ранних стадиях старения,— проблема очень сложная, и в течение многих лет было неясно, следует ли приписывать эти эффекты образованию зон Гинье — Престона или небольших частиц когерентных выделений. Такие когерентные выделения в отличие от зон Гинье — Престона имеют кристалли-  [c.250]

Рентгеновский анализ применяют для исследования структур кристаллов и дефектов на определенной глубине внутри металла. Рентгеновские лучи проникают через тело, непроницаемое для видимого света, поэтому возможно обнаружить внутренннн дефект, не разрушая металла. Глубина проникновения рентгеновских лучей в сталь составляет 100 мм. Исследование дефектов, лежащих на большой глубине, осуществляют с помощью 7-лучей.  [c.13]

Доказательство того, что металлические кристаллы способны деформироваться упруго в очень тонких слоях или разрушаться на небольших участках тонких слоев, слегка наклоненных по отношению к плоскостям скольжения, приведено на стр. 225—226. Наличие местно распределенных упругих деформаций в металле (после наклепа) обнаруживается астеризмом (рассеянно удлиненными пятнами) в диффракционной решетке металлов при рентгеновском анализе. См. Seitz, цит. на стр. 65.  [c.70]

Чтобы избегнуть этих и других не упомянутых здесь затруднений (вытекающих по мнению Цвикки из этой гипотезы), приходится допустить, что в кристаллах происходят небольшие, но конечные периодические изменения, заключающиеся в незначительных колебаниях расстояний внутри решетки. На первичную решетку идеального кристалла, которую можно определить рентгеновским анализом, налагаются вторичные искажения—небольшие периодические колебания плотности или расстояний между элементами в решетке. Структурно нечувствительные свойства обусловливаются первичной решеткой, а структурно чувствительные—вторичными искажениями.  [c.79]

При температурах обжига глины 1100—1200° С муллит распоз-лается рентгеновским анализом, а при температуре 1250+1300° С кристаллы муллита настолько увеличиваются в размерах, что становятся видимыми под микроскопом.  [c.60]

Рентгеновское исследование кристаллов проводилось на дифрактометре УРС-50ИМ. Анализ дифрактограмм показал, что структура твердых растворов близка к структуре сульфоиодида сурьмы. Индексация линий позволила определить параметры решетки. С увеличением процентного содержания мышьяка параметры решетки а, в, с уменьшаются (рис. 2). Это, по-видимому, обусловлено тем, что размеры атомов растворенного компонента (Аз) [4] меньше размеров атожзв растворителя.  [c.131]


Количество алюминия и подогревающей добавки варьировалось с учетом получения заданной термичности шихты и состава сплава. Плавки проводились в графитовых тиглях, реакция возбуждалась сверху от электрической дуги. Полученные сплавы перед травлением очищались от окисной пленки и шлаковых включений механическим способом. Для выделения кристаллов интерметаллического соединения сплавы растворялись в едком кали и соляной кислоте различных концентраций. Сплавы и выделенные кристаллы подвергались химическому и рентгеновскому анализам. Рентгенограммы снимались по методу порошка на УРС-50И в медном излучении.  [c.32]

Условие Брэггов было введено братьями Брэгг оно играет, в частности, важную роль в определении расстояния I между отражающими слоями кристалла методом рентгеновского анализа при известных /. и  [c.243]

Рентгеновский анализ служит для изучения кристаллической структуры металлов. Этот метод основан на дифракции рентгеновских лучей рядами атомов кристаллической решетки. Рентгеновские лучи представляют собой электромагиитиые волны с длиной волны 0,0005—0,2 нм. Благодаря малой длине волны эти лучи возбуждают электроны атомов или ионов, находящихся в узлах кристаллической решетки. Поэтому атомы пионы сами становятся источниками электромагнитных колебаний. Лучи, рассеянные отдельными атомами или ионами, взаимодействуют (интерферируют) между собой. Вследствие упорядоченного расположения атомов в кристалле интерференция рассеянного излучения происходит таким образом, что в одних направлениях колебания усиливаются, в других ослабляются и гасятся. Возникающая интерференционная картина может быть истолкована как отражение лучей от отдельных кристаллографических плоскостей, подчиняющееся уравнению Вульфа—Брегга.  [c.50]

Дальнейшие данные о строении металлов дает рентгеновсюий анализ, позволяющий определить размещение атомов в кристалле и механизм атомных перемещений в процессе превращений и глубже изучить. прирОлТу сплавов. С помощью рентгеновского анализа можно также определить природу тех или иных фаз и структур, имеющихся в сплавах. Так, например, микроструктура твердых растворов, наблюдаемая в микроскоп, не отличается от микроструктуры чистых металлов, а рентгеновский анализ позволяет не только установить отличия между ними,, но и определить тип и природу твердого раствора.  [c.15]

По закону Брэгга (2.4) для отражения необходима определенная связь между 0 и Я рентгеновские лучи с длиной волны X, падающие на трехмерный кристалл под произвольным углом, вообще говоря, отражаться не будут. Чтобы выполнить условие закона Брэгга, потребуется подбирать или длины волн, пли углы падения (производя сканирование). Обычно такое сканнрсванне производят экспериментально, выбрав область непрерывного изменения значений Я или 0 (чаще 0). (Стандартные методы структурного анализа кристаллов, основанные на дифракции, разработаны именно для этой цели. В современных исследованиях применяются трн метода (иногда несколько модернизированных ио отношению к описанным ниже).  [c.65]

Обломки кристаллов силикоферрита, отобранные под микроскопом из шлака I, подвергали рентгеновскому анализу (аналитик А. А. Кашаев). Съемка монокристаллов позволила установить, что силикоферрит отноаится к ромбической сингонии с параметрами решетки а = 3,0 0,2 А 6 = 5,8 0,2 А и с —  [c.141]

Сущность идеи Лауэ при постановке соответствующего эксперимента заключается в следующем кристалл К, расположенный на подставке, освещается рентгеновским излучением непрерывного спектра, исходящего из рентгеновской трубки (рис. 6.41). Излучение с длиной волны, удовлетворяющей условию (6.49), дифрагируя на кристаллической решетке, дает соответствующую дифракционную картину (так называемую лауэграмму). Анализ лауэ-граммы позволяет получить сведения о кристаллической структуре.  [c.164]

Этот краткий перечен . возможностей рентгеновских исследований показывает, сколь большое значение имеет дифракция на пространственной структуре для решения основных проблем кристаллографии, которая до широкого внедрения методов рентгеноструктурного анализа оставалас . в основном описательной наукой, классифицировавшей кристаллы главным образом по их внешней форме и применявшей косвенные методы.  [c.352]

На основании дифракционных явлений были созданы приборы, позволяющие измерить с большой точностью длины волн рентгеновского излучения. Это открыло дорогу к широкому кругу экспериментов в области физики рентгеновских лучей, приведших к открытию новых явлений, например эффекта Комптона (см. 2). Основанный на этих явлениях рентгеноструктурный анализ остался и до настояидего времени одним из очень эффективных методов изучения структуры вещества. Использование дифракции на кристаллах для управления рентгеновскими лучами лежит в основе рентгеновской оптики, получившей особенно большое развитие в последние годы.  [c.52]

Наибольший интерес представляют прямые методы наблюдения и исследования дислокаций, их скоплений и точечных дефектов. К ним относятся исследования с помощью ионного проектора, рентгеновской топографии и прямые световые и электрономикроскопические исследования. Прямые методы дают наиболее ценную информацию о дефектах в кристаллах, однако неприменимы для количественных оценок при изучении металлов, подвергнутых значительной пластической деформации, или технических сплавов сложного состава. В этом случае приходится применять косвенные методы исследования рентгеноструктурный анализ с оценкой формы и интенсивности интерференционных максимумов механические испытания измерение внутреннего трения, электрических и магнитных характеристик.  [c.94]

Рентгенографические методы анализа широко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов. Широкому распространению рентгенофафического анализа способствовали его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто недоступных другим методам исследований. Вследствие высокой проникающей способности рентгеновских лучей для осуществления анализа не требуется создание вакуума. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный состав материалов (рентгенофазовый анализ), тонкую структуру кристаллических веществ - форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла, координаты атомов в пространстве, степень совершенства кристаллов и наличие в них микронапряжений, наличие и величину остаточных макронапряжений в материале, размер мозаичных блоков, тип твердых растворов, текстуру веп ес1в, плотность, коэффициент термического расширения, толидину покрытий и т.д.  [c.158]

Как известно [75, 76], пластическая деформация материалов приводит к значительному увеличению плотности таких дефектов, как дислокации (или их скопления), дефекты упаковки, вакансии (или нх комплексы), междоузельные атомы и т.д. Поля искажений этих дефектов кристаллического строения вызывают смещения атомов из узлов, что приводит к упругим микродеформациям. Если размер блоков достаточно мал (-10" см), это приводит к заметному расширению дифракционных пиков на дифрактограммс. Наличие в поликристал-лическом образце микроискажений (т.е. присутствие кристаллов с вариацией периода решетки) также приводит к расширению пиков на дифрактограмме. В настояи ,ее время развит1)1 три метода (аппроксимации или интегральной ширины, гармонический анализ формы рентгеновских линий, метод моментов), основанные на анализе формы дифракционных линий, с помощью которых могут быть найдены размеры блоков и величина микродеформаций в случае их раздельного и совместного присутствия в исследуемом образце. Зачастую имеется однозначная связь между величиной микродеформаций и плотностью хаотически распределенных дислокаций.  [c.160]



Смотреть страницы где упоминается термин Рентгеновский анализ кристаллов : [c.258]    [c.453]    [c.219]    [c.618]    [c.453]    [c.377]    [c.520]    [c.428]    [c.14]    [c.255]    [c.156]    [c.315]   
Смотреть главы в:

Пособие по электротехническим материалам  -> Рентгеновский анализ кристаллов



ПОИСК



Рентгеновский анализ

Структурный анализ кристаллов, дифракция нейтронов рентгеновских лучей



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте