Дебаевская длина

Здесь Lb—так называемая дебаевская длина экранирования. Физический смысл этого параметра хорошо известен (см., например [c.56]

LJ) = у tt k-gT/e NX — дебаевская длина экранирования [c.312]

Кроме того, приближение ОЦ состоит в обрыве этого ряда на квадратичном члене. Принято вводить параметр Л, имеющий размерность квадрата длины (Л иногда называют дебаевской длиной затухания) [c.350]

Рис. 14.2.2. Зависимость дебаевской длины волны X =

Значение величины А, непостоянно и, как видно из формулы (2.1), зависит от концентрации раствора, заряда ионов, температуры. Например, в случае нейтральной воды при 298 К (Сн + = Сон- = 10 г-ион/л) дебаевская длина Я, = 9,6 нм, а в 0,1 молярном растворе одно-одновалентного электролита = 0,96 нм. [c.39]

Если тело движется в воздухе с числами М > 1 и если соответствующая длина свободного пробега между столкновениями молекул одного-порядка или меньше характерного размера тела (высота примерно меньше 90—100 кл ), то перед ним формируется ударная волна. Если окружающая среда представляет собой плазму, подобную плазме ионосферы или космоса, и если тело имеет поверхностный заряд, то длиной свободного пробега будет дебаевская длина, которая в ионосфере может иметь порядок нескольких сантиметров. Поэтому при сверхзвуковом движении аппаратов могут возникать условия для формирования электрогидродинамической ударной волны. [c.552]

Если окружающая среда представляет собой плазму, подобную плазме ионосферы, и тело имеет электростатический (поверхностный) заряд, то соответствующей длиной свободного пробега между столкновениями будет дебаевская длина ). В ионосфере дебаевская длина может иметь порядок нескольких сантиметров следовательно, если скорость тела превышает звуковую (или тепловую) скорость ионов, то могут возникнуть условия для образования ударной волны. Возникающую в таких условиях ударную [c.460]

Движения интегралы 62—67 Двухатомный газ, уравнение состояния 234—244 Двухкомпонентная смесь 353 Дебаевская длина 460 Дебаевский радиус 226 Де-Бройля длина волны 159, 166 [c.544]

Дальнейший процесс распространения ударной волны по газу еще более низкой плотности, как отмечают авторы [И], существенным образом связан с механизмом плазменных колебаний. Ударная волна доходит до такой поверхности, где дебаевская длина становится сравнимой с масштабом длины оставшегося наружного слоя. Расчеты показывают, что это происходит на радиусе, где начальная плотность 0 г/см . Частицы в ударной волне на таком радиусе ускоряются до энергий 10 Гэв, совпадающих с наибольшими наблюдаемыми энергиями космических лучей. [c.638]

Параметр д называется дебаевской длиной экранирования для собственного материала к = = I и Ld = Loj. Знак производной dY/dz в соотношении (1.6) положителен, если энергетические зоны изогнуты вверх (У < 0) и отрицателен при У > О (изгиб зон вниз). [c.19]

Более точно физический смысл дебаевской длины экранирования можно выяснить, анализируя случай малых изгибов зон ( У <<1). Используя разложение экспонент в степенные ряды и ограничиваясь квадратичными членами, легко показать, что в этих условиях F k,Y) = Уи решение (1.6) имеет вид [c.20]

Два последних числа следует рассматривать как сугубо ориентировочные, поскольку соотношение (1.8) получено в предположении, что вырождение отсутствует. Для металлов и вырожденных полупроводников тепловую энергию кТ следует заменить на энергию Ферми ), а под е понимать диэлектрическую проницаемость одной решетки, без электронного вклада (обычно е = 1). Такой расчет дает для алюминия F= 11,6 эВ, о = 1,8- см ) дебаевскую длину экранирования д S 0,05 нм. [c.20]

В диэлектриках с заметной ионной проводимостью электростатическое экранирование, по крайней мере частично, может осуществляться за счет накопления ионного заряда в приповерхностной области. В итоге дебаевская длина экранирования станет еще меньше. [c.21]

Таким образом, для истощенного слоя характерна достаточно слабая, квадратичная зависимость потенциала от координаты величина по физическому смыслу соответствует ширине истощенного слоя. Истощенный слой образует на поверхности потенциальный барьер для основных носителей заряда, этот барьер часто называют "барьером Шоттки". Ширина барьера Шоттки может достигать нескольких дебаевских длин (например, 5 4,21д для >5-= 10). [c.24]

Очевидно, решение уравнения Пуассона в квазиравновесном случае будет иметь точно такой же вид, как (1.6). Роль дебаевской длины экранирования будет играть величина [c.30]

Классический размерный эффект по дебаевской длине. [c.37]

Для горячей разреженной плазмы найти выражение для дебаевской длины в смеси ионизованных газов. [c.383]

В области температур выше дебаевской длина свободного пробега, определяемая процессами взаимодействия электрона с колебаниями решетки, обратно пропорциональна абсолютной температуре [c.28]

Дебаевская длина Ьв является характеристическим параметром области пространственного заряда. Как правило, Ьв значительно меньше, чем если же это не так, то простая одномерная диаграмма, иллюстрирующая область пространственного заряда, уже не будет справедливой. Это следует иметь в виду при использовании пленок для исследования поверхности. Необходимость решать двумерное уравнение Пуассона существенно осложняет задачу. Для упрощения ее при анализе поверхностных свойств полупроводника лучше всего обеспечить условие й ЪЬв. Если й<ЪЬв, приходится решать двумерную задачу. [c.367]

Средняя длина свободного пробега свободных носителей характеризует роль процессов рассеяния в механизме переноса [88]. Рассеяние может происходить на фононах, примесях, дефектах решетки и т. д. Когда средняя длина свободного пробега становится сравнимой с дебаевской длиной, происходит совмещение объемных и поверхностных процессов рассеяния. Эта ситуация была детально проанализирована Грином [89, 90]. Если средняя длина свободного пробега достаточно велика, она может оказаться сравнимой с (1 или Хс. Тогда эти размеры могут оказаться лимитирующими в явлениях переноса, если рассеяние на поверхности играет существенную роль [84, 91]. [c.367]

Заряд в плазме в стационарном случае экранируется на расстояниях порядка дебаевской длины / /) = Однако высокочастотные [c.57]

При температуре ниже дебаевской следует учитывать другие механизмы переноса, в частности перенос фононами, вклад которых до сих пор не рассматривался. Фононы обеспечивают теплопередачу в неметаллических веществах, где нет газа свободных электронов. В металлах и сплавах при низких температурах вклад фононов в теплопроводность оказывается заметным. Возникает поток фононов, взаимодействующих с другими фононами, электронами и атомами примесей, причем каждому такому акту соответствует своя длина свободного пробега. При высоких температурах средняя длина свободного пробега при электрон-фононном взаимодействии значительно больше, чем при фонон-фононном. Таким образом, по отношению к электронам решетка находится во внутреннем тепловом равновесии и рассмотренная выше термо-э.д.с. диффузионного происхождения оказывается основной. При низких температурах длина свобод- [c.272]

Если N/V— 10 см , то d=2 10 см", что по порядку величины совпадает с размерами зоны Бриллюэна, а минимальная длина волны Хо = 2л/Ав=3-10- см имеет порядок постоянной кристаллической решетки а. В решетке не могут распространяться волны с Я< 2а, и максимальная, или дебаевская, частота колебаний, по которой берется интеграл в (6.16), в этой модели [c.172]

Динамическая модель по Дебаю. П. Дебай в 1912 г. предложил простую модель, в которой кристаллическая решетка заменяется упругим континуумом (упругой непрерывной изотропной средой), имеющим, однако, конечное число степеней свободы, равное 3N, где N — число атомов в кристалле. Эта модель неплохо описывает низкочастотные акустические колебания, когда длина нормальной волны много больше межатомных расстояний. Учет конечности числа степеней свободы производят, обрывая спектр на частоте Qfl (ее называют характеристической дебаевской частотой)— такой, чтобы выполнялось условие нормировки [c.135]

Заряжение поверхности полупроводника вызывает возникновение разности потенциалов между поверхностью и объемом полупроводника и, следовательно, искривление энергетических зон. При заряжении поверхности отрицательным знаком энергетические зоны изгибаются вверх, так как при перемещении электрона из объема на поверхность его потенциальная энергия увеличивается рис. 8.29). При положительном зарял ении поверхности зоны изгибаются вниз. Изгиб простирается в глубь полупроводника примерно на дебаевскую длину экранирования 1д. [c.244]

КОГО электрода, величина его определяется типом металла, дебаевской длиной экранирования /д не только в металле, но и в полупроводнике, или р -слоях, и геометрией металлического слоя контакта. Например, коэффициент к для меди равен, Кл/см 9,8 10 , для алюминия 3,3 10" , для щелочноземельньгх металлов <1,0-10 и т.д., в то время как усредненное значение поверхностных состояний находится в пределах 10" ...10 . [c.177]

Дебай Питер Иозеф Вильгельм (1884—1966) ученый физик-химик, голландец по происхождению, работавший в Германии и США. Известен как один из авторов так называемой Дебай — Хюкелевской полуфеноменологической теории (1923), учитывающей эффект электростатических сил в таких средах как ионизированные растворы или плазмы. Наряду с Борном, Карманом и Эйнштейном уточнил Квантовую теорию теплоемкости. Вместе с П. Шеррером разработал новую методику рентгеновского анализа кристаллов в порошке, получившую широкое распространение в рентгеноструктурном анализе. Независимо от А. Комптоиа дал теорию Эффекта Комптона , вместе с Комптоном получил формулу для изменения длины волны рассеяния излучения, самостоятельно Дебай дал упрощенный вариант этой формулы, способствующий укреплению представления о кванте света как о частице (фотон). С именем Дебая связаны также дебаевская энергия, дебаевское уравнение дисперсии диэлектрической постоянной, дебаевское уравнение состояния твердого тела, дебаевское уравнение теплоемкости молекулы, содержащие так называемую дебаевскую функцию, дебаевская длина, дебаевский 7 закон, дебаевская теория колебаний кристалла, дебаевская единица, Дебая — Валлера уравнение н др. [c.577]

Дебаевская длина экранирования I для ЗпОа с концентрацией электронов 10 — 101 см составляла 10 —Ю см.. [c.47]

Это верно для пленок, толщина которых больше дебаевской длины экранирова- [c.50]

Теоретически диффузный слой ионов распространяется на весь объем воды, практически же его толщину определяют дебаевской длиной X. Так, для симметрично-валентного электролита в предположении, что один вид ионов сорбируется на поверхности частицы, а другой составляет противоионы [21 ], [c.38]

Дебаевская длина представляет собой эффективный свободный пробег между столкновениями заряженных частиц, обусловленными дально-действ5 ющими (или кулоновскими) силами. Она определяется по формуле Ло = уТсТТШш , где к — постоянная Больцмана, Т — температура в ° К, Пе — плотность электронов, е — заряд электрона. [c.460]

Как следует из табл. 1.3, эффективная ширина ОПЗ при малых изгибах энергетических зон равна дебаевской длине экранирования. Для слоя истощения получается такой же, как в (1.15). Эффективная ширина слоев сильного обогащения или сильной инверсии может быть значительно меньше например, если при сильном обогашении 1 = 10, то = Ю д. При таком же значении истощенный слой имеет ширину lVe/= tVd= 6,3 Lp. [c.27]

Эту величину называют радиусом экранирования. Дело в том, что при введении в плазму пробного точечного заряда вокруг него образуется область сильного электрического поля, ограниченная сферой, радиус которой равен Г ) (радиус Дебая, или дебаевская длина). Таким образом, радиус Дебая — это характерный пространственный масштаб областей декомпенсации плазмы, а рассматриваемому нами случаю соответствует условие X Го- Время Ь, в течение которого сохраняются области декоменсапии, пропорционально го/Уе, где скорость Уе электронов (наиболее быстрых частиц) определяется из соотношения ТОе /2 к Т (тое — масса электрона). Тогда характерный временной масштаб декомпенсации плазмы [c.119]

В очень тонких пленках (менее 0,1 мкм) и при высоких концентрациях носителей (п 10 см ) дебройлевская длина волны может стать сравнимой с дебаевской длиной и даже с толщиной пленки. Этот диапазон толщин и концентраций носителей стал в последнее время доступным для исследования благодаря эпитаксиальным пленкам халькогенидов свинца. Можно ожидать сильного искажения области пространственного заряда, обусловленного эффектами квантования, однако детальные исследования пока еще не проведены. [c.368]

Анализ, проведенный Жауэром и Фогелем, показывает, что отношение D/Ls (D — коэффициент диффузии, Ls — дебаевская длина в собственном полупроводнике) должно превосходить скорость роста v примерно в десять раз, для того чтобы объем полупроводника находился в равновесии с жидкой фазой. К тому же, когда D/L меньше v примерно в десять раз, жидкая фаза находится в равновесии с поверхностью твердой фазы. При скоростях роста, лежащих внутри этих пределов, введение примесей зависит от скорости роста. Дебаевская длина в соответствии с выражением (3.5.14) равна [c.112]

Рассеяние рентгеновских лучей, как известно, имеет место в направлениях 0, удовлетворяющих условию Вульфа — Брэггов (см. 10.2) 2d sin =--тХ, где d — расстояние между атомными плоскостями 0 — угол скольжения падающих лучей ш = 1, 2, 3,. . . . В случае дебаевских волн роль постоянной d решетки играет длина гиперзвуковой волны Л. Кроме того, в отличие от рассеяния рентгеновских лучей на дискретных центрах, акустическая решетка имеет синусоидальное распределение плотности, т. е. в этом случае взаимное усиление лучей в результате интерференции возможно только при т=1 [c.122]

Исчерпывающая проверка теории Казимира была сделана Берманом, Симоном и Зиманом [46] на алмазе. Вследствие высокой дебаевской температуры и высокой температуры максимума теплопроводности алмаза оказалось возможным в области гелиевых температур исключить все побочные процессы рассеяния. Однако нужно было вводить нонравки на конечную длину образца. Было найдено, что ниже 6°К. Средний свободный [c.251]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...