Простые кристаллические структуры

Простые кристаллические структуры [c.14]

Нитриды, большинство карбидов и некоторые бориды переходных металлов являются типичными фазами внедрения и имеют простые кристаллические структуры соотношение атомных радиусов неметалла (г ) и металла (г ) не более 0,59. Если указанное отношение больше 0,59, то образуются более сложные структуры, так как размеры пустот оказываются недостаточными для размещения атомов неметалла, что приводит к искажению структуры [15, 18]. [c.409]

Если учесть, что переохлаждение расплава повышается с увеличением скорости теплоотвода, то можно объяснить примерно одинаковое переохлаждение РЬ и Bi в капельках диаметром 15 мкм различной их теплопроводностью [66]. РЬ, обладающий примерно в четыре раза большей теплопроводностью, чем Bi, несмотря на более простую кристаллическую структуру, переохладился до 80° С. С увеличением скорости охлаждения уменьшается время ожидания первого центра, и переохлаждение повышается. В табл. 10 приведены значения [c.140]

Второй фильм воспроизводит более сложный объект — тело вращения, напоминающее простейшую кристаллическую структуру и представляющее собой шесть равномерно окрашенных сфер, соединенных попарно ци- Рис. 6.6 линдрами, и более сложное движение — движение различных частей тела с разными скоростями. Осью вращения служит вертикальный цилиндр,положение которого не зависит от угла рассматривания и не меняется на проекциях. Как и в первом случае, учитывался только горизонтальный параллакс. На рис. 6.5 приведены три проекции, которые отличаются друг от друга только расстояниями между кругами, причем смещение кругов при смене ракурса рассматривания неодинаковое для шаров большего диаметра оно больше. [c.123]

Различные металлы кубической сингонии с простой кристаллической структурой имеют обычно простую зависимость коэффициента расширения от температуры вплоть до точки плавления. Правило, установленное Грюнайзеном (1-е правило. Грюнайзена), утверждает, что коэффициент расширения металлов приблизительно одинаков (рис. 2.2). Если использовать в качестве единицы измерения по оси абсцисс приведенную температуру Г/Гпл, т.е. абсолютную температуру Т, деленную на абсолютную температуру плавления, а в качестве единицы измерения по оси ординат — изменение объема, отнесенное к объему, полученному экстраполяцией до абсолютного нуля, то получатся кривые, изображенные на графике. Только при низкой температуре кривые [c.37]

Простые кристаллические структуры.................. 40 [c.15]

Для описания кристаллических структур был создан специальный символический язык. Человеку, изучившему этот кристаллографический язык, легко восстановить структуру кристалла по нескольким символам. Здесь будет изложен ряд простых идей, положенных в основу создания этого языка. Этих идей будет достаточно для геометрического описания простых кристаллических структур. [c.20]

ПРОСТЫЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ [c.40]

Ниже мы кратко опишем некоторые простые кристаллические структуры, представляющие общий интерес к ним относятся, в частности, структуры хлористого натрия, хлористого цезия, гексагональная структура с плотной упаковкой, структура алмаза и кубическая структура сульфида цинка. [c.40]

По структуре карбиды легирующих элементов можно подразделить на две группы с простой кристаллической решеткой (являющиеся фазой внедрения) и со сложной кристаллической решеткой в узлах которой расположены атомы металла и атомы С. [c.163]

Плотнейшие упаковки составляют основу строения большинства кристаллических твердых тел. С точки зрения плотнейшей упаковки особенно просто описываются структуры окислов сульфидов и галогенидов, в которых основу плотнейшей упаковки составляют крупные анионы кислорода, серы и галогенов, а катионы, входящие в химическую формулу кристалла, распределяются в пустотах плотнейшей упаковки по определенному симметричному узору. Отдельные кристаллы отличаются типом плотнейшей упаковки, сортностью и числом заселенных катионами пустот, 30 [c.30]

Зона Бриллюэна есть своеобразный геометрический образ форма ее зависит только от кристаллической структуры решетки, а не от природы действующих в ней сил. Так как обратная решетка, а следовательно, и зона Бриллюэна определяются только основными векторами прямой решетки, то зона Бриллюэна одна и та же как для простых, так и для базисных решеток одной сингонии (например, для простой гранецентрированной решетки и для решетки типа алмаза). В случае простой кубической решетки зона Бриллюэна представляет собой куб (рис. 27). [c.65]

Кристаллические структуры металлов непосредственно определяются характером межатомных связей. Так, в самых простых металлах — щелочных и щелочноземельных, имеющих во внешней оболочке по одному-два s-электрона,— при низких температурах [c.167]

В первом приближении кристаллическое тело заменяется его моделью или расчетной схемой в виде идеального кристаллического тела. Строение идеальных кристаллических тел отличается строгой упорядоченностью расположения атомов, образующих кристаллические решетки. Наименьшая периодически повторяющаяся часть кристаллической решетки называется элементарной ячейкой. Простейшую кристаллическую ячейку можно представить в виде параллелепипеда со сторонами а, Ь, с и углами при вершинах а, р, у, как показано на рис. 7.1. В вершинах этого параллелепипеда находятся атомы вещества. Совместив ряд таких элементарных ячеек, получим кристаллическую структуру, изображенную на рис. 7.2, с размерами ka, mb, пс. При этом положение любого атома определяется в косоугольных осях Оху г вектором [c.127]

Кристаллическая структура фаз внедрения определяется соотношением атомных радиусов неметалла (Кх) и металла (Км). Если К.х/Км<59, то атомы металла в этих фазах расположены по типу одной из простых кристаллических решеток кубической (К8, К12) или гексагональной (Г12), в которую внедряются атомы неметалла, занимая в ней определенные поры [c.33]

В топке и газоходах котла минералы неорганического вещества топлива не только меняют свою первоначальную кристаллическую структуру, но и разлагаются на более простые соединения, а также реагируют между собой и с газовой средой. [c.15]

Методы измерения твердости материалов прочно вошли в практику контроля качества и проведения научных исследований. Научная и практическая ценность этих измерений заключается в том, что по величине твердости можно судить о многих важных характеристиках свойств материалов, а часто и определять их. Из результатов многочисленных исследований следует, что твердость материала зависит от его кристаллической структуры и связана со многими механическими и физическими характеристиками, с пределами текучести, прочности, усталости, с ползучестью и длительной прочностью, сжимаемостью, коррелируется также с некоторыми магнитными и электрическими свойствами. Измерение твердости является простым, но высокочувствительным методом исследования механизма пластической деформации, старения, наклепа, возврата, рекристаллизации и других фазовых и структурных превращений. [c.22]

Кирпич, бетой й стекло легко разрушаются при растяжении или ударе и отлично противостоят большим нагрузкам на сжатие. Ключом к пониманию столь разного поведения материалов служат их кристаллические структуры (у металлов они простые, у силикатов — сложные), а также дефекты кристаллической структуры, называемые дислокациями (смещениями). [c.45]

В наших дальнейших расчетах используем простейшие представления и допущения молекулярно-кинетической теории, отмеченные в предыдущем параграфе, и будем рассматривать перенос в неметаллах, которые при затвердевании имеют аморфную или кристаллическую структуру. [c.173]

Многочисленные исследования показывают, что устойчивость к облучению керамики, имеющей связи катион— кислород , уменьшается в следующем порядке Be, А1, 2т, Si — О. Наиболее устойчивой связью оказывается ионная, менее устойчивы ковалентная и молекулярная. Исследователи отмечают, что наиболее устойчивы к облучению кристаллические структуры с плотной упаковкой. Наибольшая устойчивость присуща простым структурам с высокой симметрией в отличие от анизотропных. В табл. 7 приведены данные изменения линейных размеров некоторых материалов технической керамики при облучении. [c.32]

В случае аллотропического превращения, как и при затвердевании жидкого сплава, выделяется тепло, и, на кривых охлаждения наблюдаются температурные остановки в виде горизонтальных площадок. Однако тепла здесь выделяется в несколько раз меньше, чем при затвердевании. Изменение кристаллической структуры при аллотропическом превращении совершается в твердом состоянии, поэтому называется вторичной кристаллизацией. В простейших случаях, например, когда аллотропическое превращение происходит в чистом металле, входящем в структуру затвердевшего сплава, оно происходит для любого состава сплава при постоянной температуре (фиг. 65, б) на горизонтальной линии NM. [c.105]

Первая подгруппа—литий, натрий и калий — ист и н-ные металлы — имеют простые кристаллические структуры и обладают в большей или меньшей степени св ойствам и, характерными дляметалличеокогосостояния. [c.20]

Уменьшение свободной энергии при распаде пересыщенного твердого раствора будет наибольшим при выделении равновесных кристаллов АтВп, однако зарождение таких кристаллов, имеющих, как правило, сложную пространственную решетку, возможно только при достаточно высоких температурах. При невысоких температурах старения зарождаются неравновесные выделения с более простой кристаллической структурой. [c.159]

Можно заключить, что в пределах нескольких экстинкционных расстояний может быть установлено некоторое приближение к двухволновой ситуации. Для высокосимметричных ориентаций простых кристаллических структур на два основных пучка может приходиться всего несколько процентов энергии. Средняя суммарная интенсивность слабых пучков тогда медленно уменьшается с толщиной, до тех пор пока при нескольких тысячах ангстрем (что лежит за пределами обычного диапазона наблюдений для электронов с энергией 100 кэВ) интенсивность не станет составлять 1 % от всей энергии. Слабые пучки продолжают осциллировать, в то время [c.338]

При температурах выше 570°С структура окалины состоит из трех окислов РегОз, Рез04 и РеО, причем основным слоем окалины является окись РеО. Скорость окисления возрастает при переходе через эвтектоидную температуру (570°С), что является следствием более ускоренной диффузии атомов (рис. 335) сквозь простую кристаллическую решетку вюстита, кристаллизующегося, как и фазы внедрения, с дефицитом в неметаллических атомах (кислорода). [c.449]

В металле свободные электроны определяют не только электрические и другие свойства, но и кристаллическую структуру. Наличие свободных электронов обусловливает ненаправленный и ненасыщенный характер металлической связи. Большинство металлов кристаллизуется в структурах, отвечающих плотнейшей шаровой упаковке атомов с максимальными координационными числами, равными 12 (ГЦК- и ГПУ-решетки). Ряд металлов также кристаллизуется в виде простых ОЦК-структур с координационным числом 8. Рдин и тот же элемент в зависимости от внешних условий может кристаллизоваться в виде различных структур (явление полиморфизма). Например, Li и Na при низких температурах образуют плотноупакованную гексагональную решетку, а при комнатных — кубическую объемно-центрированную. Практически многие металлы обладают свойством полиморфизма. [c.84]

Самый простой метод расчета заключается в применении лореицовской теории диэлектриков [27]. Если все диполи в веществе одинаковы и расположены параллельно, то совместно они дают составляющую ноля в месте расположения данного иона, пропорциональную намагниченности коэффициент пропорциональности зависит от кристаллической структуры 15 случае кубической решетки имеем [c.431]

Согласно формуле (32.3), имеед - = 0,189 К Q зависит от кристаллической структуры, которая неизвестна. Ван-Дейк и Ауэр [189] воснользрвались значением Q для простой кубической решетки, а именно 16,8 Хебб и Перселл без всяких обоснований применяли значения 17,9. [c.499]

Показатель степени п во втором слагаемом равен приблизительно 10. Это слагаемое учитывает отталкивание и позволяет оправдать рассмотрение кристаллической структуры в виде системы плотно упакованных твердых сфер (для них п = оо). Имеется один простой случай, когда можно предсказать величину гп, не прибегая к сложному расчету. Рассмотрим ионный кристалл Na l. Притяжение между ионами Na- " и С1 представляет собай электростатическое кулоновское притяжение. Поэтому для одновалентных ионных кристаллов согласно закону Кулона т = 1, А = е . [c.22]

Идеальный, кристалл можно построить путем бесконечного зако нбмерноТо повторения в пространстве одинаковых структурных единиц. Структурная единица наиболее простых крйсталлЬв (например, меди и серебра) состоит из бдного атома, в более сложных она может содержать несколько атомов или молекул. Кристаллическая структура описывается с помощью периодически повторяющейся в пространстве элементарной- части кристаллической решетки, имеющей фор,му параллелепипеда и называемой элементарной ячейкой, с каждой точкой которой связана некоторая группа атомов. Эта группа атомов, называемая базисом, повторяется в пространстве и образует кристаллическую структуру. [c.50]

Ферриты-ш пинели имеют кристаллическую структуру типа минерала шпинели MgAl204 и химическую формулу Me Fef 04, где Ме + — ион двухвалентного металла, а ионы железа Fe + — трехвалентны. В случае простых ферритов Me представляет собой один из двухвалентных ионов переходных элементов, например Мп, Ni, Со или Mg возможна также комбинация этих ионов твердые растворы ферритов или смешанные ферриты). Трехвалентные ионы железа в МеРе204 могут быть полностью или частично заменхены другими трехвалентными ионами, например А1Н или Сг + (смешанные ферриты-алюминаты или ферриты-хромиты). [c.709]

В таблице 7.1 приведены результаты расчета устойчивых кристаллических структур простых металлов методом псевдопотенциала в сравнении с экспериментальными данными [32]. При этом из теоретических данных выбраны те, которые лучше других совпадают с экспериментом. Таблица показывает, что расчет методом псевдопотенциала в настоящее время позволяет объяснить кристаллические структуры большинства простых металлов, причем как обладающих высокосимметричными ГПУ, ГЦК и ОЦК структурами, так и искаженными. Это означает, что на основе квантовой теории твердого тела в настоящее время активно создается физическая теория кристаллических структур. [c.169]

Значительно более сложным оказывается теоретическое объяснение кристаллических структур переходных и редкоземельных металлов, а также неметаллов. Ограничимся лишь следующими простыми представлениями. Для переходных и редкоземельных металлов превалирующим оказался эффект сферической симметрии замкнутых оболочек, определяющих принадлежность структур этих металлов к одной из высококоординационных структур. Последовательность этих структур при изменении атомного номера вдоль М, 4d, Ъй рядов оказывается примерно одинаковой [c.170]

Относительно просто реализуется переплав без загрязнения стержневых заготовок. При этом конец заготовки оплавляют в индукторе [3, 4], либо электронным пучком, плазменным факелом или электрической дугой [5]. Однако такой переплав в принципе можно использовать только для вакз умного рафинирования металла, для формирования слитка с заданной кристаллической структурой или заданным сечением либо для заливки форм заранее приготовленным сплавом. [c.7]

Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитаксией, а сами пленки — эпитаксиальньши. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества — гетероэпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Структурному совершенству зародышей способствует также низкая скорость их роста, которая достигается при малой степени пересыщения пара осаждаемого материала или его раствора (при эпитаксии из жидкой фазы). Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. Большую роль при этом играют винтовые дислокации (рис. 2.8). В простейшем случае онн представляют собой одноатомную, ступеньку, начинающуюся у оси [c.70]

Поскольку атомы в металлах объединены электронным газом, а кристаллическая структура их.относительно проста, плотно упакованные ряды атомов при нагрузке скользят один по другому особенно легко и разрушение долго не наступает. До того как разорваться, стальной образец довольно сильно растягивается, увеличиваясь в длину. В нeкotopыx [c.44]

Следует подчеркнуть, что уравнение Д,ебая не имеет всеобщего характера. Оно применимо лишь для твердых тел со сравнительно простой криоталлической структурой (главным образом для элементов, а также для некоторых простейпшх соединений). Это уравнение оказывается несправедливым для твердых тел со сложной кристаллической структурой (в частности, для анизотропных кристаллов). Оно также не передает характера температурной зависимости тех твердых тел, в которых имеют место фазовые переходы (вблизи точек этих фазовых переходов). Наконец, поскольку при высоких температурах это уравнение вырождается в уравнение закона Дюлонга и Пти, оно не отражает температурной зависимости теплоемкости твердых тел при высоких температурах. [c.158]

Электронное строение и типы связей элементов периодической системы - ключ к пониманию структуры и свойств простых и сложных веществ, образованных этими элементами Два или более атомов располагаются друг около друга так, как это энергетически выгодно. Это справедливо независимо от того, сильно или слабо связана группа атомов, содержит эта фуппа лишь несколько или 10 атомов, является расположение атомов упорядоченным (как в кристалле) или неупорядоченным (как в жидкости). Группа атомов устойчива тогда и только тогда, когда энергия атомов, расположенных вместе, ниже, чем у отдельных атомов. Единственной физической причиной конкретной кристаллической структуры любого элемента и его модификаций является перекрытие валентных и подвалентных оболочек его атомов, приводящее к образованшо определенных межатомных связей. Число протяженность и симметрия орбиталей атомов данного конкретного элемента полностью определяют число, длин , ориентиров и энергию межатомных связей, образующихся в результате перекрытия этих орбита-лей, а следовательно, размещение атомов в гфостранстве, т е. кристал-лическ то структуру, основные физико-химические свойства элемента. [c.30]

Влияние внешних сил на мартенситное превращение не ограничивается только простым смещением температуры превращения. На рис. 1.29 показаны кривые напряжение — деформация при растяжении монокри-сталлических образцов из сплава, % (по массе) Си—14,0А1—4,2Ni при разных температурах испытания в направлении приблизительно <001) исходной фазы. Характерной особенностью является то, что в зависимости от температуры испытаний кривые состоят из двух или большего числа ступеней. Методами нейтронографического и рентге-ноструктурного анализов при воздействии напряжений установлено, что каждая стадия обусловлена мартенситным превращением, отмеченным на рисунке. Указанные на этом рисунке фазы у, P i. и ai — это мартенсит, имеющий кристаллическую структуру, показанную на рис. 1.30, (6—(3). Периоды решетки каждой из этих фаз приведены [17] ниже [c.50]

Кристаллическая структура мартенсита, имеющего многостадийную псевдоупругость, является длиннопериодной слоистой структурой во всех случаях с одной и той же плоскостью базиса (см. рис. 1.30). Следовательно, эти структуры отличаются только последовательностью укладки. Превращение между ними происходит путем перехода одного монокристалла мартенсита в другой. В связи с этим кристаллография мартенситно-мартенситных превращений объясняется сравнительно просто. [c.53]

Здесь мы описали простейшие типы сверхструк-турных превращений, при которых кристаллическая структура в целом остается неизменной, и сверхструктура характеризуется только упорядоченным расположением атомов. В некоторых случаях образование сверхструктуры может сопровождаться незначительным изменением кристаллической структуры. Например, в сплаве uAu упорядоченная структура, показанная на рис. 30, тетрагональна, хотя отношение осей близко к еди-нице . [c.46]

Скольжение одной атомной плоскости целиком по другой соответствует простому перетаскиванию ковра. Но ведь можно попытаться и в кристалле создать складку Конечно, без повреждений идеальной кристаллической структуры и введения в нее дефектов при этом не обойтись. Но что делать лес рубят — . щепки летят. Итак, впору давать объявление разы-, скивается дефект , [c.153]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...