Резонанс вторичный

В рассматриваемом подходе система резонанса имеет вид вторичные вихри — звуковые волны — вторичные вихри, и в качестве обратной связи выступает звуковая волна. [c.138]

Это значение выбрано с целью получения простого выражения (4-32) для проводимости контура Включив образец, вторично настраивают схему в резонанс и находят новые значения емкости (кривая 2 на рис. 4-11, а) и напряжения контура 11". В момент резонанса индуктивная проводимость контура равна его емкостной проводимости, поэтому полная проводимость содержит только активную составляющую. Напряжение на контуре без образца при первом резонансе (рис. 4-10, а) [c.79]

Возможен и обратный порядок измерения настройка в резонанс при включенном образце и вторичная настройка контура без него. [c.81]

Опытное определение частот свободных колебаний полосы основано на явлении резонанса, отмечаемого резким возрастанием амплитуды. С этой целью к полосе прикладывают периодическую возмущающую силу, постепенно увеличивают частоту ее колебаний и наблюдают за изменением амплитуды колебаний полосы. Частота колебаний возмущающей силы в момент первого резкого увеличения амплитуды (состояние резонанса) совпадает с основной (первой) частотой свободных колебаний полосы. Продолжающееся увеличение частоты возмущающей силы вызывает сначала уменьшение амплитуды, а затем ее вторичное резкое увеличение. В этот момент частота силы совпадает со второй главной частотой полосы. Дальнейшее увеличение частоты возмущающей, силы дает при каждом скачке амплитуды последовательные значения главных частот. [c.114]

Устройство воспроизводит ударные импульсы чистые по форме и свободные от резонансов. Максимальные ударные ускорения и диапазоны длительностей ударных импульсов приведены в табл. 5 для выталкивающих катушек с различным числом витков. Основное преимущество устройств электромагнитного типа —стабильность воспроизводимых ударных импульсов, получаемых при достижении заданного напряжения па конденсаторах. Недостаток — влияние сильных магнитных полей на датчик силы и вторичную аппаратуру обработки результатов измерения, однако это влияние можно уменьшить тщательной экранировкой элементов. При применении лазерного измерителя скорости погрешность аб- [c.369]

Уравнение (62) описывает свойства идеализированного датчика, у которого рабочий диапазон частот сверху не ограничен. На практике верхняя граница рабо чего диапазона частот датчика ограничена вторичными резонансами в пружинах (17) [c.162]

Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) параметры линий 179 понятие 179 применение 181 структура линий 179 Электроны вторичные 62 каналирование 70, 71 Оже 62, 70 отраженные 62 эффективная масса 294 Электрохимическая коррозия био 249 [c.351]

Вторичные релаксационные переходы помимо динамических механических испытаний четко обнаруживаются также и в некоторых других случаях. Измерения диэлектрических потерь [77, 331—334] и ядерный магнитный резонанс [335, 336] относятся [c.132]

Из оптики известно, что эшелетт обладает способностью сосредоточивать почти всю энергию упавшей волны в одной из гармоник вторичного поля. При коротких длинах волн это объясняется просто энергия трансформируется в ту гармонику, направление распространения которой совпадает с направлением луча, зеркально отраженного от одной из граней зубца. Как оказывается, зеркальный резонанс наблюдается и в средневолновом диапазоне. Линия (3.2) изображена на рис. 99, 100 кружочками. Вершины хребтов и дно ущелий обозначены штриховой линией. Наличие максимума интенсивности минус первой гармоники вблизи линии (3.2) при Ф = О объясняется зеркальным резонансом. Этот резонанс четко выражен, как только длина волны становится короче периода решетки. На рис. 99 зеркальный резонанс ответствен за наличие глубокого ущелья вблизи рас- [c.151]

Сточки зрения применения решеток в спектральных приборах наибольший интерес представляют описанные выше области высокой концентрации излучения и поляризующее действие решетки в этих областях. Данные о величине и положении максимумов для ряда углов наклона граней приведены в табл. 2. Относительная доля энергии W вторичного поля, приходящаяся на л-й порядок спектра, для приведенных в таблице значений Я // при Я-поляризации всегда равна единице. Значения XJI вычисляются из условий существования геометрических резонансов I и II. Исключение составляет случай п = 1 для всех ijj, когда существование второго максимума обусловлено одновременным выполнением соотношений взаимности и закона сохранения энергии. Для неполяризованного излучения коэффициент отражения можно получить как среднее арифметическое из коэффи- [c.190]

С таким излучателем Буше исследовал различные формы отражающих донышек и сравнивал данные с результатами, полученными при работе свистка, не имевшего ни резонансной (задней) камеры, ни рупора (кривая 6 на рис. 29). Как показывают графики, наилучшей формой отражателя следует считать полусферу несколько худшие результаты дает плоский отражатель. При этом не следует забывать, что хотя применение согласующего рупора и камеры вторичного резонанса позволило увеличить интенсивность на 10 дб по сравнению со свистком без рефлектора (ср. кривые [c.46]

В отличие от автомобилей без подрессоривания кабины у автомобилей с вторичным подрессориванием возникает четыре резонансных режима по виброперемещениям. Наибольшее увеличение амплитуды виброперемещений подрессоренных масс, в том числе и кабины, имеет место при первом резонансе. На этом режиме амплитуды виброперемещений рамы и кабины возрастают в 2...2,5 раза. [c.228]

К параметрическим искажениям относятся автопараметрический резонанс и детонация. Первый вид искажений наблюдается в громкоговорителях (см. разд. 6), второй — в системах записи звука (см. разд. 10). Автопараметрический резонанс выражается в появлении субгармоник, т. е. колебаний с частотами, кратными дробной величине частоты основного колебания. Характер этих искажений сходен со звучанием нелинейных искажений на низких частотах. Детонация сигнала выражается в изменении частоты вторичного сигнала по отношению к частоте первичного. Эти искажения прослушиваются и в виде плавания частоты сигнала, а при быстрых изменениях — в виде хрипов и дребезжания. [c.290]

Если присоединить образец к контуру, то емкость контура возрастет на С , а активная проводимость — на gx (рис. 4-5, г). При той же частоте настроим вторично контур с образцом в резонанс, емкость образцового конденсатора будет иметь при этом значение С , напряжение при втором резонансе и неизменном токе [c.85]

Включив образец, вторично настраивают контур в резонанс и фиксируют значения С и и". Пользуясь этими данными, вычисляют Сд. и бд.. [c.87]

Включив образец вторично, настраивают контур в резонанс. Поскольку емкость контура возросла, резонансная частота должна уменьшиться (4-42). По значениям резонансных частот со и находят емкость образца С , а по значению полосы пропускания 2 1 и показаниям вольтметра при резонансах 1/ и находят tg б, (4-45). [c.90]

Вставив между указанными пластинками образец, вторично настраивают линию в резонанс и находят [c.131]

После установки образца в резонатор он вторично настраивается в резонанс перемещением поршня. Одновременно автоматически происходит поворот шкалы, по которой сразу отсчитывают значение е . Для определения tg необходимо при помощи калиброванного потенциометра совместить резонансную кривую с контрольными точками /, 2, 3, 4 и 5 на экране. По шкале потенциометра находят полосу Д/, а по формуле (5-76) tg б . [c.147]

Источником высокого напряжения для испытания диэлектриков при частотах до нескольких килогерц может служить повысительный трансформатор с железным сердечником. Испытания при частотах в диапазоне от 10 кгц до 10 Мгц могут выполняться при помощи резонансных трансформаторов (без железа) и ламповых генераторов. Резонансный трансформатор имеет вторичную обмотку, которая вместе с емкостью объекта образует контур, возбуждаемый на собственной частоте колебаний. Возможность получения высокого напряжения только на одной частоте, зависящей к тому же от емкости образца, является недостатком данного способа. В ламповых генераторах частота может изменяться такой генератор обычно снабжен вторичным (нагрузочным) контуром, собранным по схеме резонанса напряжений. [c.173]

Для наблюдения явления парамагнитного резонанса испытуемый образец вносят в ячейку с волноводом или объемным резонатором, помещенную между полюсами магнита. Источник переменного модулирующего напряжения вырабатывает пилообразное напряжение, которое подается в усилитель мощности и служит для питания катушки электромагнита или для модуляции СВЧ генератора. В контрольную ячейку помещается исследуемый образец и от источника вводится энергия СВЧ. Выходной сигнал этой ячейки поступает на прие.мник или болометрический детектор, мост, синхронный усилитель и гальванометр. Болометр включается в плечо моста, который балансируется нри бездефектном образце. Возникновение дефекта и связанного с ним резонансного поглощения приводит к разбалансу моста, сигнал с частотой модуляции усиливается синхронным усилителем и гальванометр фиксирует появление дефекта. В тех случаях, когда линии поглощения очень острые (например, когда полость дефекта заполняется некоторыми газами), применяется модуляция СВЧ источника, а выходной сигнал ячейки детектируется балансным смесителем СВЧ приемника, усиливается и после вторичного детектирования наблюдается на осциллографе. развертка которого производится пропорционально частоте СВЧ источника. Появление дефекта фиксируется по форме кривой на осциллографе. В этом случае можно использовать другой вид индикатора. Измеряя расстояние между пиками поглощения (по частоте или напряженности магнитного поля), можно судить о составе материала дефекта, а по ширине пика на определенном уровне контролировать его структуру. Резонансные частоты не зависят от размеров образца, поэтому результаты контроля свидетельствуют об эффектах, связанных только с материалом изделия или дефекта. [c.458]

Подать сигнал 7 В частотой, на которую настраивается избирательная ячейка. Схема включения приборов для настройки избирательной ячейки показана на рис. 5.3. Переменным конденсатором магазина С1, присоединяя к нему переключателем постоянные конденсаторы разного значения, настроить контур Ь1 в резонанс по максимальному показанию второго вольтметра. В случае понижения напряжения менее 7 В (при наступлении резонанса) его нужно повысить аттенюатором звукового генератора до указанного значения. Напряжение вторичной обмотки контура Ы должно быть 5 В. Количество витков этой обмотки можно определить так заданное напряжение 5 В нужно умножить на число витков временной контрольной обмотки — 10 витков, а затем произведение разделить на напряжение, измеренное вторым вольтметром на зажимах контрольной обмотки при резонансе. Полученное число и будет искомое количество витков. [c.99]

Определив количество витков вторичной обмотки контура Ы, временную обмотку нужно снять и вместо нее намотать нужную, припаять выводные проводники, а затем заизолировать ее лакотканью. После этого следует снова проверить значение напряжения на вторичной обмотке Ы при резонансе. Если выходное напряжение не будет равно примерно 5 В, подгонять его точно не нужно. Далее к контуру Ы нужно присоединить контур 2. На контакты Л и снова подать напряжение 7 В от звукового генератора заданной частоты и переменным конденсатором С1 емкостного магазина снова настроить контур Ы в резонанс при разомкнутом тумблере 8В1. При этом напряжение на контактах Л и Б, как и прежде, должно быть равным 7 В, а в точках 5 и 4 контура Ы примерно равным 5 В, После этого включить тумблер 7 99 [c.99]

Вследствие большого показателя преломления при частотах, близких к резонансу, вторичное излучение испытывает многократное отражение, прежде чем покинуть кристалл. Из-за эффектов реабсорбции и комбинационного рассеяния на фононах (вероятность которого возрастает при приближении к резонансу) спектральное распределение вторичного излучения может зависеть от размеров кристалла. При низких температурах рассеяние в основном сопровождается рождением фононов, поэтому уменьшается интенсивность излучения, соответствующего бесфононным переходам, и увеличивается интенсивность стоксовых компонент (см. ниже Правило Стокса). [c.16]

Вследствие большого показателя преломления при частотах, близких к резонансу, вторичное излучение испытывает многократное отражение, прежде чем покинуть кристалл. Из-за эффектов реабсорбции и комбинационного рассеяния на фононах (весьма вероятного вблизи резонанса) спектральное распределение вторичного излучения может зависеть от размеров кристалла. При низких температурах рассеяние в основном сопровождается рождением фононов, следовательно, интенсивность излучения, соответствующего бесфононным переходам, уменьшается и увеличивается интенсивность стоксовых компонент. Эффекты комбинационного рассеяния фотонов люминесценции внутри кристалла с ростом температуры уменьшаются, так как при повышении температуры вследствие антистоксового комбинационного рассеяния возрастает роль обратных переходов поляритонов из состояний с энергией < о в состояния с энергией Е Ео вблизи дна экситонной зоны, характеризующиеся большой плотностью. [c.579]

Отметим интересный факт, заключающийся в том, что анизотропия не наблюдается в сравнительно слабых нолях. По-видимому, она не связана с антиферромагнитными свойствами. Открытие анизотропии, обладающей более низкой симметрией, чем кубическая, было совершенно неожиданным. То обстоятельство, что ориентация бинарной комнонетпы может быть разной в различных гелиевых экспериментах, создает впечатление, что ее направление определяется какими-то вторичными причинами — возможно, отклонениями от сферической формы или наиряжениями в кристалле. Вероятно, это связано с результатом Блини, который наблюдал более низкую, чем кубическая, симметрию в своих экспериментах по парамагнитному резонансу при температуре жидкого воздуха и при более низких температурах (см. п. 34). Было бы желательно получить данные о х ДРУгих направлений, не совпадающих с направлением кубической оси. [c.551]

В главе представлены ядерно-физические константы, характеризующие взаимодействие нейтронов с ядрами среды в энергетической области от 0,0253 эВ примерно до 20 МэВ. Перечень приводимых ядерно-фнзиче-ских констант далеко не полностью отражает всю совокупность существующих в настоящее время данных, и поэтому для получения информации, например, по параметрам резонансов, угловым и энергетическим распределениям вторичных HeiiTpoHOB или другим данным следует обратиться к специальной справочной литературе или к библиотекам оцененных нейтронных данных. В них приводятся рекомендованные значения ядерно-физических констант в форме, допускающей их [c.1099]

Изобретение феррозондов связывают с именами немецких ученых Ашенбреннера и Губо [9]. Ими был предложен и опробован феррозонд кольцевого типа. В качестве сердечника они использовали железную проволоку, покрытую шеллаком. Обмотка возбуждения наматывалась непосредственно на сердечник, измерительная размещалась на специальном каркасе и настраивалась в резонанс на частоту второй гармоники. Амплитуда э.д.с. удвоенной частоты была пропорциональна измеряемой компоненте поля, действующей в направлении нормали к плоскости витков вторичной обмотки. Магнитометр предназначался для измерения короткопериодичных магнитных возмущений, обусловленных ионосферными явлениями. Постоянная составляющая геомагнитного поля уравновешивалась с помощью магнита, размещенного вблизи феррозонда. [c.40]

При этом они исходят из того, что первичной пассивной реакцией тела человека на вибрацию является механическал реакция, без знания которой неЛь я количественно объяснить возникновение вторичной, физиологической реакп ги. Так, для вибраций в диапазоне частот 1—70 гц Р. Керман [1J предложил упрощенную анеханическую модель человеческого тела в виде нескольких сосредоточенных масс, соединенных пружинами и демпферами <рис. 1). Эта модель позволяет объяснить получаемые экспериментально явления резонанса отдельных частей человеческого тела [2—4] и в первом приближении дает представление о распространении низкочастотного возбуждения вдоль вертикальной оси тела человека. [c.30]

Для жестких роторов турбоагрегатов В. И. О л и м п и е в [Л. 50] показал, что резона1/сные колебания обратной процессии и другие вторичные резонансы, возникающие во вращающемся роторе вследствие статического прогиба под действием неизменной нагрузки, несущественны. [c.129]

Многие современные физические методы исследования металлов основаны на изучении взаимодействия объекта с каким-либо видом электромагнитных волн. Помимо классических (оптических, рентгеновских и электронно-микроскопических) методов, используются ядерный магнитный и электронный парамагнитный резонанс [1] методы исследования поверхности (Оже-электронная спектроскопия и дифракция медленных электронов) электронная спектроскопия для химического анализа ионный микрозонд [2] и др. Во всех случаях изучается поглощение. рассеяние падающих или испускание вторичных электромагнитных волн (или пучка электронов, ионов) частицами исследуемой системы. При некоторых энергиях падающего излучения, совпадающих с энергиями соответствующих переходов в системе, интенсивность эффекта возрастает — такие методы являются резонансными. В частности, резонанс укван-тов на атомных ядрах заключается в резком возрастании вероятности поглощения (или рассеяния) у-квантов с энергией, соответствующей возбуждению ядерных переходов. [c.161]

Если одновременно выполняются условия автоколлимации, условие Ф = 90° — 2л ) при ф > О и ij) < 45°, условие sin ф = —n/N, я = N/2, iV = 2, 3,. ., то эффект двойного отражения максимален. Тогда во всем пространстве надэшелеттом существуют четыре попарно встречные плоские волны одинаковой амплитуды первая падающая, вторая с номером п, распространяющаяся в направлении к источнику, две другие — однородные плоские волны, скользящие вдоль решетки. Наблюдается геометрический резонанс I, являющийся частным случаем двойного зеркального резонанса (см. гл. 3). Этот геометрический резонанс также имеет место, если при ф > 45° одновременно заменить —ф -> ф. 90° — и —п п. Дифракционные свойства эшелетта сильно связаны и с проявлением резонансов, известных под названием аномалий Вуда, и ряда других, объясняемых с помощью соотношений взаимности в теории решеток [100]. Совокупность перечисленных выше факторов в основном определяет характер вторичного [c.185]

Приращения поляризационных констант, характеризующие оптическую индикатрису вещества, и Гци — коэффициенты линейного электрооптического эффекта — полярные тензоры, формально тождественные тензору обратного пьезоэффекта. Поэтому при рассмотрении линейного электрооптического эффекта, наблюдаемого только в пьезоэлектрических кристаллах и поляризованных текстурах, необходимо учитывать вклад в измеряемый полный эффект вторичного или ложного электрооптического эффекта, на деле являющегося пьезооптическим эффектом, обусловленным прису1цим конкретной электрооптической среде обратным пьезоэлектрическим эффектом. Чистый или первичный линейный электрооптический эффект наблюдается в зажатом кристалле, у которого запрещены деформации при наложении поля соответственно в свободном кристалле измеряется сумма первичного и вторичного эффектов. Вклад вторичного эффекта в полный особенно велик у поляризованных сегнетоэлектриков с большим коэффициентом электромеханической связи. Он может достигать десятков процентов, резко возрастать при использовании электрооптического кристалла в полосах частот, близких к частотам механических резонансов и их гармоник. Это способствует значительному уменьшению управляющих напряжений в подобных режимах. [c.199]

Важным требованием к системам с синхронизацией мод является полное устранение отражений, которые могут иметь место от оптических компонентов как внутри, так и вне резонатора. Отражение от оптических поверхностей, параллельных плоскостям зеркал резонатора, является причиной образования вторичных резонаторов, которые существенно нарушают процесс синхронизации мод, удлиняют основной импульс и являются причиной появления множества стохастически распределенных импульсов. Такие резонансы могут исключаться скашиванием граней лазерного стержня, расположением граней кюветы с красителем под углом Брюстера к лучу или нанесением просветляющих диэлектрических покрытий. [c.257]

V Добротность контура определяют по формуле Q=(i) i/g , где gK = (oA i. Включив образец, вторично настраивают схему в резонанс и находят новые значения емкости Сг и напряжения контура U". Так как частота не меняется, емкость при второй настройке в резонанс Сз+Сх должна равняться емкости отсюда [c.380]

Рабочая характеристика подобного панельного, или мембранного, поглотителя очень сходна с характеристикой резонатора Гельмгольца, но только для гораздо более низких частот. У резонаторов Гельмгольца практически нет верхней частотной границы, но нижняя граница есть она определяется предельно допустимыми габаритами резонатора и лежит вблизи 100 Гц. Собственная частота панельного поглотителя зависит от массы панели и глубины воздушного пространства за ней полезный диапазон частот такого поглотителя простирается от 40 до 400 Гц. Для более высоких частот трудно подобрать достаточно легкую оболочку. Такой поглотитель можно изготовить из любого материала, отвечающего следующим основным требованиям подходящая масса, достаточное затухание и достаточная гибкость. Масса и глубина воздушного слоя определяют резонансную частоту затухание не позволяет самой панели стать вторичным источником звука и обеспечивает поглощение энергии гибкость мембраны создает возможность низкочастотного резонанса. Незадемпфированные жесткие панели могут только ухудшить положение в результате появления гармоник. Однако этим обстоятельством [c.159]

При рассмотрении машин, применяемых для испытаний деталей автомобиля на усталостную прочность, будем придерживаться классификации по способу генерации силы, остальные параметры, характерные для машин данного типа, можно отнести к вторичным. По этому признаку можно выделить два основных класса машин с использованием и без использования резонанса для генерации силы. Возбуждение циклической нагрузки в каждом из этих классов машин может производиться различными способами гидропульсационным электромагнитным и электродинамическим с помощью центробежных сил от кривошипрю-шатунного механизма изменением положения вектора нагрузки относительно детали пневматическим и т. п. [c.126]

Общепринятой в настоящее время [Маслоу, 1984] является точка зрения, согласно которой в следе отсутствует субгармонический резонанс, тогда как в слое смешения он является стандартным каналом развития вторичной неустойчивости [Веретенцев, Рудяк, 1987а]. Возможность или невозможность реализации субгармонического резонанса при взаимодействии двух возмущений антисимметричной моды - основного и субгармонического - легко понять из простой кинематической модели, когда след моделируется двумя рядами вихрей с завихренностью разных знаков (дорожка Кармана, см. рис. 6.19а). В результате первичной неустойчивости на частоте ( (или с длиной волны X) исходного основного возмущения образуется дорожка Кармана из вихрей, расположенных в шахматном порядке. Вторичная неустойчивость, следствием которой является спаривание вихрей в каждом из рядов, реализуется на длине волны Тк. Возмущение, развивающееся на этой длине волны. [c.372]

Характерной реакцией СНР является присоединение алкильных радикалов, образующихся в результате вторичных реакций при фотоокислении полиуретанового пленкообразователя [23, с. 323]. Поэтому по изменению концентрации СНР, контролируемой методом электронного парамагнитного резонанса, относительно их исходной концентрации в покрытии можно судить о скорости фотоокислення, пленкообразователя и влиянии на нее различных пигментов. [c.53]

SBl и подать напряжение с выходной обмотки контура Ы на контур L2. Переменным конденсатором второго емкостного магазина С2 настроить в резонанс контур L2 также по максимальному показанию только третьего вольтметра, подключенного к временной обмотке контура L2. При этом нужно следить за тем, чтобы входное напряжение, подаваемое от генератора звуковой частоты, было все время 7 В, а при его изменении подстроить напряжение аттенюатором генератора. Нужное количество витков вторичной обмотки контура L2 определить так же, как это производилось для контура L1. Вторичная обмотка контура L2 должна быть выполнена с отводом от средней точки, т. е. двухплечевой с выходным напряжением в каждом плече 0,4 В, т. е. в точках 5 и 4 и в точках 4 я 5, а в точках 3 и 5 должно быть 0,8 В. Определив число витков вторичной обмотки контура L2, ее наматывают вместо временной контрольной обмотки с одинаковым количеством витков от среднего вывода в каждом плече и изолируют (рис. 5.2). [c.100]

При испытании конденсатора большой емкости последний подключают последовательно с образцовой катушкой к соответствующим зажимам на приборе. К подводящим проводам предъявляются те же требования, что и в первом случае. Образцовая катушка высокой добротности должна иметь такую индуктивность, чтобы получить резонанс на желаемой частоте. Вначале замыкают накоротко испытываемый коиденсатор (непосредственно на обкладках), и контур на заданной частоте настраивается в резонанс записываются значения Q и Сь Затем перемычка, замыкавшая накоротко образец, снимается, контур вторично настраивается в резонанс и отмечаются значения Сг и Сг. Значения Q определяют с учетом множителя т в момент резонанса. Заменив объект испытаний последовательной эквивалентной схемой, находят [c.59]

Перед измерениями необходимо установить с помощью переключателя нужный диапазон частот и по шкале частот— требуемую частоту. После включения питания и прогрева ламп необходимо проверить установку на нуль стрелок вольтметров. Установку на нуль вольтметра Множитель Q производят ручкой установки нуля этого вольтметра, предварительно уменьшив выходное напряжение генератора до нуля, для чего вращают до упора ручку регулировки напряжения. Установку на нуль вольтметра Q производят ручкой установки нуля этого вольтметра, предварительно замкнув накоротко задние зажимы на верхней панели, предназначенные для включения катушки. Перед испытанием образца диэлектрика к задним зажимам на верхней панели подключают такую катушку, чтобы можно было настроить контур в резонанс на данной частоте при емкости измерительного конденсатора около 60—65 пф. Не включая испытываемого образца, настраивают измерительный контур в резонанс и отмечают при этом значения емкости С1 и добротности рь Затем, присоединив к передним зажимам испытываемый образец, вторично настраивают контур в резонанс и отмечают значения Сг и Рг значения Q определяют с учето.м множителя т в момент резонанса. [c.61]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...