Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Структура линий ЭПР

Характерные особенности ЭПР — тонкая и сверхтонкая структура спектра. Тонкая структура спектра ЭПР проявляется в возникновении группы линий, положение и интенсивность которых сильно зависит от ориентации монокристалла во внешнем поле. Анализ спектра в этом случае сводится к вычислению элементов матрицы Линии ЭПР часто имеют  [c.181]

Подводя итоги, перечислим факторы, влияющие на форму линии ЭПР 1) релаксационные процессы (характеризуются временами Тг и Гг) 2) анизотропия 3) наличие тонкой и сверхтонкой структуры 4) явление насыщения 5) скин-эффект 6) неоднородность внешнего поля Н .  [c.181]


Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) параметры линий 179 понятие 179 применение 181 структура линий 179 Электроны вторичные 62 каналирование 70, 71 Оже 62, 70 отраженные 62 эффективная масса 294 Электрохимическая коррозия био 249  [c.351]

N11 + Н—> ННз)- На основе изучения тонкой структуры электронных спектров и спектров ЭПР установлено, что молекула НИ 2 вращается в матрице вокруг оси, параллельной линии, соединяющей атомы водорода.  [c.135]

Во-вторых, если S 1/2, то, так как в состояния (1) с разными значениями М снин-орбитальная связь вносит различные поправки, возникают начальные расщепления спиновых уровней энергии, пе зависящие от постоянного магнитного поля. Магнитные подуровни иерсстают быть эквидистантными, правило отбора AM == J- 1 становится, вообще говоря, несправедливым и вместо одной линии поглощения появляется несколько линий — возникает, как говорят, тонкая структура спектра ЭПР.  [c.72]

Исследования АПР представляют интерес, поскольку тепловое движение атомов, дефекты кристаллич. структуры и ряд других факторов по-разному влияют на форму линий АПР и ЭПР. Из спектров АПР, к-рые по форме могут отличаться от спектров ЭПР, можно получить дополнительную информацию о симметрии локального внутрикристаллич. поля парамагнитного кристалла. Исследование формы линий АПР позволяет оценить влияние нарушения симметрии кристаллич. поля в результате наличия дислокаций и случайных деформаций решётки. Эти факторы, вообш,е говоря, приводят к ушире-нпю линий АПР по сравнению с линией ЭПР. АПР используется для исследований металлов и полупроводников, применение метода ЭПР в к-рых затруднено из-за скин-эффекта. Метод АПР позволяет непосредственно измерять параметры спин-фононного взаимодействия. Такие измерения проводятся с моночастотным звуком определённой поляризации  [c.28]

К причинам уширения линии ФМР (как и в описанных ЯМР и ЭПР) относят спин-спино-вый и спин-решеточный механизмы релаксации. Наиболее узкая линия ФМР в совершенных монокристаллах (А// = 42,2 А/м) зарегистрирована в соединении УзРе50[2 (иттрие-вый феррит со структурой граната). Кроме влияния дефектов, в этом кристалле ширина линии ФМР определяется дипольным (магнитостатическим) взаимодействием и магнито-стрикцией. При введении редкоземельных примесей наблюдается максимум на кривой температурной зависимости ширины линии и анизотропия спектра ФМР изменение ширины линии в зависимости от ориентации оси легкого намагничивания кристалла.  [c.182]


Характерные особенности ЭПР — тонкая и сверхтонкая структура спектра, положение и интенсивность отдельных линий которого зависит от ориентации монокристалла во внешнем поле, а также от взаимодействия между -)лектронными и ядерными магнитными моментами.  [c.188]

В микроволновой Р. при давлениях газов 10 — 10 мм рт. ст. ширина линии определяется peдни временем X между соударениями молекул друг с другом А = = 1/2ЯТ. Уширение линий может быть обусловлено "акже сдвигом резонансных частот для отдельных частиц, напр, из-за Доплера эффекта и неоднородности магнитного поля iio в различных точках исследуемого образца или из-за не-разрешешюй сверхтонкой структуры (неоднородное уширение). В случае ЭПР играет роль обменное в з а м о-действие, приводящее к обменному сужению линий.  [c.306]

Из теории групп вытекает, что влияние одного лишь тригонального поля (Сзн или Сз), как и влияние одного лишь спин-орбитального взаимодействия, пе приводит к расш еплению уровней Аз, Е, (переходы, которые соответствуют узким линиям Я, К ж В), согласуюш емуся с опытом. В частности, Аа и Е Я) не расщепляются, а Я ) и В) дают только две компоионты. Поэтому для расчета тонкой структуры этих линий необходимо учесть комбинированное действие тригонального поля и спин-орбитального взаимодействия. С точки зрения теории групп можно определить число и типы компонент тонкой структуры указанных уровней, если эти два возмущения рассматривать последовательно одно за другим в произвольном порядке (еще раз отметим, что при квантово-механическом расчете оба возмущения следует рассматривать одновременно). Будем вначале учитывать тригональное поле, а затем спин-орбитальное возмущение. Если считать, что симметрия тригонального поля есть Сз -, то имеем следующее расщепление уровней Аз -5 Аг, Е - Е ", + Е" , -> А1 + Е" . Учет спин-орбитального взаимодействия приводит к дальнейшим расщеплениям А Е / + + Е /,, 2Е - > ЕТ/, + Е /., АгЕ / А -> Е1 / , т. е. окончательно получаем Аз + ЩЛ Е1 + Е1, а Е1+Ь Е + Щ,, а Еу, -Ь 6Еу, -Ь Е и что соответствует экспериментальным данным, если учесть, что расщепление основного состояния получается лишь во втором приближении но спин-орбите и имеет порядок 0,38 см [182] в согласии с данными ЭПР [183, 184]. Переход от симметрии Сз к Сд не дает дополнительных расщеплений, так как полученные дуплеты уже не могут быть расщеплены согласно теореме Крамерса (ион Сг имеет нечетное число (3) с1-электронов).  [c.63]

В тех случаях, когда симметрия ближайшего окружения парамагнитного атома невысокая, эта структура приобретает сложный характер. В качестве иллюстрации на рис. 7 приведен спектр ЭПР М1Р в монокристалле МдРа [232]. Спектр записан при НЦС4 на Я 3 сл (Г = 290° К). Благодаря неэквивалентному расположению атомов фтора каждая линия сверхтонкой структуры расщеплена на 15 компонент. Интенсивности компонент уже не подчиняются биноминальному закону. В этой ориентации постоянного магнитного поля должно наблюдаться 30x15 резонансных Л1ШИЙ поглощения.  [c.76]

Регибридизация химических связей. Что происходит с разорванными связями при расколе кристалла (или при ионном травлении), как протекает релаксация поверхности после ее образования Эти центральные для физики поверхности вопросы, естественно, не могут быть разрешены в рамках структурных исследований на отре-лаксировавших квазиравновесных поверхностных фазах. Весьма информативными в этом отношении являются спектры ЭПР от неспаренных электронов оборванных связей. Наиболее детально исследованы спектры ЭПP fY атомарно-чистых поверхностей Si, Ge и графита. У последнего в зр -гибридизации находятся атомы призматических граней (разорванные о-связи). Сигналы ЭПР от этих материалов представлены на рис.5.2, а. Сопоставление ширин линий АН в ряду С, Ge и Si (табл.5.1) соответствует последовательному изменению констант спин-орбитальной связи для этого ряда и является одним из доказательств того, что это сигналы действительно от атомов данных материалов, а не примесей. Для кремния это подтверждается также обнаруженной сверхтонкой структурой (СТС) от изотопов Si , обладающих ядерным спином.  [c.153]

Исследование парамагнитных свойств моноокиси методом ЭПР [17] показало, что SiO обладает сильными парамагнитными свойствами ( 10 парамагнитных центров, в см ). Линия поглощения ЭПР характеризуется g = 1,999 Ю АНр = 7,7 0,1 гс, имеет лоренцову форму и не имеет структуры. Парамагнитные свойства обусловлены неспаренными электронами на концах олигомерных цепей, содержащих в среднем 200 мономерных звеньев  [c.16]


Тепловое движение атомов, дефекты крист, структуры и ряд др. факторов по-разному влияют на форму линий АПР и ЭПР, поэтому из спектров АПР можно получить дополнит, информацию о симметрии локального внутрикрист. поля парамагн. кри-  [c.15]


Смотреть страницы где упоминается термин Структура линий ЭПР : [c.179]    [c.647]    [c.263]    [c.74]    [c.76]    [c.890]    [c.32]    [c.352]    [c.44]    [c.580]    [c.180]    [c.305]    [c.74]    [c.75]    [c.890]   
Смотреть главы в:

Металловедение и термическая обработка стали Т1  -> Структура линий ЭПР



ПОИСК



Анализ обобщенных структур устройств на многопроводных связанвых линиях

Выбор оптимальной структуры машин-автоматов и автоматических линий

Выбор структуры автоматических линий

Выбор структуры компоновки многопоточных автома, тических линий

Выбор структуры компоновки однопоточных автоматических линий

ГАЛЬЯН Е.М. Математическая модель автоматической линии сложной структуры для метода статистических испытаний

Гонкая структура инфракрасных полос линий

Задача 5. Изучение структуры резонансной линии лития Комбинационное рассеяние и инфракрасное поглощение света

Зеемана эффект на линиях с различными сверхтонкой структуро

Интенсивность линий вращательной структуры

Исследование тонкой структуры линии Релея в кристаллах

Исследование тонкой структуры линии рассеянного света в жидкостях с большой объемной вязкостью и малой сдвиговой вязкостью

Критерии выбора структуры компоновки линии

Л11- - ИГТД Тонкая структура резонансных линий—квадрупольные эффекты Тонкая структура, обусловленная диполь-дипольным взаимодействием

Линии Выбор структуры и технических

Линии с ветвящейся структурой — Структурные схемы

Линия автоматическая с переменной структурой

Линия тонкая структура

Методы определения разрешенной во времени структуры линии излучения импульсного твердотельного лазера

Моделирование — Анализ существующих моделирования 122„ 124 — Схема состояния одной элементарной структуры линии

Моменты атомных ядер и сверхтонкая структура спектральных линий

Мулкпшлетвая структура резонансных линии и жидкостях Энергетические спектры, наблюдаемые методами непрерывного воздействия

Мультиплетная структура резонансных линий в жидкостях Энергетические спектры, наблюдаемые методами непрерывного воздействия

Надежность и выбор структуры компоновки автоматических линий

Наложение крыла линии Релея на область компонент тонкой структуры

Направление основных композиционных линий и линейная структура кадра

Производительность автоматических линий и структура их компоновки

Расчет оптимального числа наладчиков линий со сложной структурой

Расчет оптимального числа наладчиков поточных и автоматических линий со сложной структурой

Расчет оптимальной структуры автоматических линий

Расчет структур иа основе двухпроводных связанных полосковых линий

Сверхтонкая структура линий

Сверхтонкая структура линий влияние изотопии

Сверхтонкая структура спектральных линий

Сверхтонская структура спектральных линий

Связь сверхтонкой структуры спектральных линий с изотопным составом элементов

Сопряжение волноводно-диэлектрической структуры с регулярной линией передачи

Спектральная линия, форма спекл-структуры, пространственная

Спин-орбитальное взаимодействие. Мультиплетность энергетических уровней Мультиплетность линий излучения. Правило отбора для L. Правило отбора для Правило отбора для J. Мультиплетная структура спектров щелочных элеменМультиплетность спектров щелочно-земельных элементов. Мультиплетность спектров атомов с тремя оптическими электронами. Правило мультиплетностей Эффект Зеемана

Строение спектральных линий. Контур, ширина и сверхтонкая структура

Структура автоматической линии

Структура автоматической линии оптимальная

Структура и длительность ремонтного цикла автоматических линий

Структура и компоновки переналаживаемых линий для групповой сборки изделий (А.И. Федотов, Золотаревский)

Структура и производственный состав гибких автоматизированных цехов, участков и линий

Структура машин-автоматов и автоматических линий

Структура мод и уменьшение ширины спектральных линий

Структура себестоимости поковок,изготовляемых на автоматизированных линиях и комплексах

Структуры иа трехпроводиых связанных полосковых линиях

Стыкование электрифицированных линий с различными системами тока и структура управления электроснабжением и энергетическим хозяйством

Тонкая структура и ширина линии релеевского рассеяния света в газах

Тонкая структура линии рассеяния, классическая и релаксационные теории, распространения звука в маловязких жидкостях

Тонкая структура линии рассеянного света в стеклах и жидкостях с большой вязкостью

Тонкая структура линий водорода

Тонкая структура линий водорода ионизованного гелия

Тонкая структура рэлеевской линии рассеяния

Установки и методы исследования тонкой структуры линии рассеянного света

Флагообразная структура линий

Характер уширеиия и структура спектральных линий

ШЕВЯКОВ Н.Н., ДЬШПШЦ Е.С., СУЛТАН-ЗАДЕ Н.М., РАССАНОВ Ю.Б. Методика исследования автоматических линий со сложной структурой

Ширина компонент тонкой структуры линии Релея

Экспериментальное наблюдение тонкой структуры линии Релея в стеклах и жидкостях с большой вязкостью

Экспериментальные исследования поляризации, ширины и интенсивности компонент тонкой структуры линии Релея

Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) структура линий

Эффект Зеемаиа на линиях со сверхтонкой структурой

Ю ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ АТОМА С ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМ ПОЛЕМ Мультиплетная структура термов атомов и линий излучения как результат спин-орбиталыюго взаимодействия



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте