Проводимость активная

Удельная электрическая проводимость Полное сопротивление Полная проводимость Активная проводимость Реактивная проводимость Активная мощность [c.29]

Электрическое сопротивление активное реактивное полное Удельное электрическое сопротивление Электрическая проводимость активная реактивная полная Удельная электрическая проводимость Напряженность магнитного поля Магнитодвижущая сила Магнитная индукция Магнитный поток Векторный потенциал Индуктивность взаимная индуктивность [c.43]

Электрическая проводимость, активная сименс S См Сименс равен электрической проводимости проводника сопротивлением 1 П [c.81]

Внутреннее сопротивление щелочных аккумуляторов вследствие меньшей проводимости активных веществ и электролита значительно выше свинцовых. [c.22]

Проводимость активная электрическая. ...............8 [c.273]

Сименс — [См S], (сим) — единица электрической проводимости (активной, реактивной, полной, комплексной) в СИ. По ф-ле V.4.33 (разд. V.4) при г= 1 Ом имеем = 1 Ом = 1 См. Сименс равен электрической проводимости участка электр. цепи (проводника) сопротивлением 1 Ом. Ед. названа в честь нем. электротехника [c.321]

Принцип сохранения вихрей 420 Пробой диэлектрика 490 Проводимость активная 501 [c.620]

Электрическое сопротивление, электрическое сопротивление реактивное Электрическая проводимость, активная реактивная [c.192]

Удельное электрическое сопротивление Удельная электрическая проводимость Магнитное сопротивление Магнитная проводимость Активная мощность Электромагнитная энергия [c.192]

Реактивная проводимость Активная проводимость Активная мощность [c.103]

Прежде чем переходить к описанию работы оптического квантового генератора, сделаем замечание о смысле принятого для него названия. Для формирования потока направленного излучения в активной среде используются процессы излучения атомов или молекул, квантовых систем, обладающих дискретным набором возможных значений энергии и испускающих кванты энергии — фотоны. Это определяет целесообразность применяемого термина оптический квантовый генератор , или, сокращенно, — ОКГ ). В радиотехнических ламповых генераторах, в которых используется движение электронов проводимости и частоты излучения низки, квантовые эффекты существенной роли не играют, и возможно классическое описание большинства происходящих в них явлений. [c.779]

При вычислении диамагнитной восприимчивости (10.13) предполагалось, что в твердом теле все электроны связаны со своими атомами. Это, очевидно, справедливо для диэлектриков. Однако в металлах, а также в полупроводниках при высоких температурах имеются электроны проводимости. Электронный газ также проявляет магнитную активность. Поэтому при вычислении магнитной восприимчивости твердых тел, имеющих электроны проводимости, наряду с восприимчивостью атомных остовов следует учесть магнитную восприимчивость электронного газа. Вопрос о поведении электронов проводимости в магнитном поле мы обсудим позже, а сейчас перейдем к обсуждению природы парамагнетизма. [c.324]

Активная электрическая проводимость (проводимость. Нрк. электропроводность) участка цепи G — величина, обратная активному сопротивлению этого участка, т. е. величина, равная отношению силы тока / в участке к напряжению U на концах участка [c.122]

В первом приближении (пренебрегая активным сопротивлением катушки и магнитным сопротивлением остальных участков цепи) индуктивность Е, электрическое сопротивление г и проводимость у можно выразить формулами [c.144]

Иными словами, на нелинейный элемент нужно подать такое постоянное напряжение, чтобы попасть на падающий участок вольт-амперной характеристики и, кроме того, обеспечить, чтобы отрицательная дифференциальная крутизна ф (и) в рабочей точке была по модулю больше активной проводимости в системе. Данные требования отвечают выбору омического сопротивления Ra в соответствии с неравенством Ra> 1/ ф (п) I- [c.189]

Однако в действительности в схеме появляются паразитные емкости, индуктивности и активные проводимости, которые вызывают дополнительные погрешности и становятся заметными уже на звуко- [c.70]

Это значение выбрано с целью получения простого выражения (4-32) для проводимости контура Включив образец, вторично настраивают схему в резонанс и находят новые значения емкости (кривая 2 на рис. 4-11, а) и напряжения контура 11". В момент резонанса индуктивная проводимость контура равна его емкостной проводимости, поэтому полная проводимость содержит только активную составляющую. Напряжение на контуре без образца при первом резонансе (рис. 4-10, а) [c.79]

Отсюда найдем активную проводимость контура [c.80]

Общая активная проводимость [c.81]

Найдем добротность Q, и активную проводимость контура (кривая / на рис. 4-12 б). При резонансе [c.82]

Активная проводимость диэлектриков при переменном токе Уа обычно значительно больше, чем при постоянном (у), а тангенс угла потерь даже на высоких частотах не падает ниже Ю". Следовательно, существуют другие механизмы потерь, кроме обусловленных током сквозной проводимости. Эти механизмы связаны с поляризацией диэлектрика. [c.108]

Стандартизация в национальных рамках не может развиваться эффективно без учета аналогичных работ, проводимых в других странах. Требования национальных стандартов должны быть согласованы с соответствующими требованиями стандартов, действующих в других странах. Таким образом, проведение работ по стандартизации в международном масштабе является объективной необходимостью. После окончания второй мировой войны возник ряд международных организаций по стандартизации, в работе которых принимали активное участие главным образом передовые в промышленном отношении страны. [c.157]

Возможности С. м. в генераторах и усилителях мощного излучения расширяются в случаях, когда проводимость активной среды обладает резонансной зависимостью от частоты или (и) — в случае среды с пространственной дисперсией — от постоянной распространения волны. Для С. м. используются и геом, факторы — различия в связи между активной средой и модами, обладающими разной пространственной структурой. [c.485]

Коэф. затухания волн возрастает с увеличением порядка гармоники, т. к. при увеличении частоты увеличивается сопротивление провода и уменьшается его самоиндукция вследствие поверхностного эффекта и кроме того проводимость активней утечки, обусловленная главн. обр. явлением короны, также возрастает с увеличением частоты. Так. обр. затухание высших гармоник будет итти тем быстрее, чем вьппе порядок гармоники, и блуждающая, или стоячая, волна будет с течением времени постепенно очищаться от высших гармоник, и ее форма будет при ее распространении все больше и больше приближаться к синусоиде основной гармоники. Последнее обстоятельство имеет существенное значение, т. к. при очищении волны от высших гармоник будет сглаживаться фронт волны и крутизна последнего будет уменьшаться, благодаря чему волна сделается менее опасной для изоляции линии и включенных в последнюю аппаратов. [c.87]

Найти величину проводимости активного вещества, необ-ходимз ю для возникновения генерации в лазере на длине волны, 1,06 мкм. Длина резонатора 0,6 м, диаметр зеркал 20 мм, коаффициент отражения от поверхности зеркала 0,99. [c.148]

Две другие кривые на фиг. 56 показывают поведение безразмерной акустической проводимости (активной и реактивной компоненты), т. е. действительную и мнимую часть проводимости p z) на конце х = 0. Если возбуждающий поршень, расположенный в точке ос = 0, создаёт силу постоянной амплитуды, воздействующую на воздух в трубе [что будет в случае равенства (23.27), если Z < ZЛ, югда излучаемая мощность будет [c.285]

Титан имеет довольно высокую (1668 °С) температуру плавления и плотность 4,5 г/см . Благодаря высокой удельной прочности и превосходным противокоррозионным свойствам его широко применяют в авиационной технике. В настоящее время его используют также для изготовления оборудования химических производств. В ряду напряжений титан является активным металлом расчетный стандартный потенциал для реакции + + 2ё Ti составляет —1,63 В . В активном состоянии он может окисляться с переходом в раствор в виде ионов [1]. Металл легко пассивируется в аэрированных водных растворах, включая разбавленные кислоты и щелочи. В пассивном состоянии титан покрыт нестехиометрической оксидной пленкой усредненный состав пленки соответствует TiOj. Полупроводниковые свойства пассивирующей пленки обусловлены в основном наличием кислородных анионных вакансий и междоузельных ионов Ti , которые выполняют функцию доноров электронов и обеспечивают оксиду проводимость /г-типа. Потенциал титана в морской воде близок к потенциалу нержавеющих сталей. Фладе-потенциал имеет довольно отрицательное значение Ер = —0,05В) [2, 3], что указывает на устойчивую пассивность металла. Нарушение пассивности происходит только под действием крепких кислот и щелочей и сопровождается значительной коррозией. [c.372]

Жидкости-электролиты представляют собой растворы каких-либо веществ в воде, либо расплавы солей сульфидов, окислов и т. п. Ионы, находившиеся ранее в узлах кристаллической решетки, в электролите приобретают большую подвижность и могут служить носителями тока. Проводимость электролита зависит от природы, концентрации и коэффициента активности ионов. Все эти параметры сильно зависят от температуры электролита. В растворе ионы обычно менее активны из-за сольватирования их молекулами растворителя, что видно из приведенных ниже данных В. В. Фролова о числе ионов п, и удельной проводимости [c.35]

Растворимость газов в металлах. Жидкие и твердые металлы, а также системы, образованные в результате металлической связи, могут растворять в себе газы только в атомарном состоянии, причем те, которые имеют в атомах непарные электроны (Н N), но не образующие ионных связей с металлами, как это характерно для активных окислителей (F, С1). В малоактивных металлах кислород может растворяться без образования оксидов (Au Ag). Ине ртные газы, атомы которых не имеют неспаренных электронов, в металлах растворяться не могут. Кислород растворяется в металлах в виде своих соединений, обладающих металлообразным характером (субоксиды -металлов, низшие оксиды d-металлов, обладающие металлической проводимостью). [c.287]

На долгом пути нашей совместной работы были неудачи и успехи. При этом Игорь Фомич никогда не снимал с себя ответственности за неудачи, также как и не присваивал себе все лавры в случае успех, а отдавал дань каждому по справедливости. При его активном экспериментальном участии, а он любил и ценил экспериментальную работу, были разработаны контактные и бесконтактные методы измерения проводимости на очень малых кристаллах до сверхнизких температур. Это позволило получить новый богатый материал по физике квазиодномерных проводников, который он в дальнейшем обобщил в своей обзорной статье, опубликованной в 1972 г. Эта работа в течение долгого времени была настольной книгой для физиков, изучающих низкоразмерные проводники. По данным Американского института информатики через 15 лет после ее выхода она все еще оставалась одной из наиболее цитируемых работ. [c.226]

Притяжение между электронами. Из приведенных выше свойств сверхпроводников следует, что сверхпроводимость связана с какихм-то изменением в поведении электронов проводимости. При этом кристаллическая решетка активно участвует в создании сверхпроводящего состояния (изотопический эффект ). [c.267]

Изготовление образцов щелочных металлов. В теории предполагается, что одновалентные щелочные металлы первой группы (литий, натри11, калий, рубидий, цезий) наиболее соответствуют идеализированной модели металла с почти свободнылш электронами проводимости, слабо взаимодействующими с ионной решеткой. Подгруппу благородных металлов первой группы (медь, серебро, золото), которые также относятся к одновалентным в твердом состоянии, обычно считают несколько менее пригодной для сравнения с теорией. В связи с этим мы опишем способы приготовления образцов щелочных металлов, с которыми трудно работать вследствие их высокой химической активности. [c.182]

В полупроводниковых лазерах, в отличие от лазеров на примесных кристаллах, активным веществом служит сама кристаллическая матрица полупроводника, а примеси лишь служат источником носителей заряда электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. При создании с помощью накачки избыточного (по сравнению с равновесным) числа электронов и дырок позможно возвращение к состоянию равновесия посредством оптического межзонного перехода — фоторекомбинации. Вероятность фоторекомбинации велика лишь для прямозонных полупроводников, таких, у которых максимум энергии.в валентной зоне и минимум энергии в зоне проводимости соответствуют одному и тому же значению квазиимпульса. По этой причине все полупроводники, на которых получена генерация, являются прямозонными. Перечислим важнейшие свойства полупроводниковых лазеров [c.946]

Полученный результат имеет важное значение. Оказывается, что для определения активной проводимости достаточно уменьшить (или увеличить) емкость колебательного контура относичельно ее значения при резонансе на величину АС,, соответствующую снижению напряжения при резонансе 11 до и 1]/2 =0,7070, Отрезок 2АС,, соответствующий 0,707 С, где О — напряжение при резонансе, получил название ширины резонансной кривой. [c.80]

Методы изнерений tg б основаны на применении генератора неизменной частоты, но с изменяющимся током для измерения tg б используется зависимость постоянной составляющей анодного тока генераторной лампы от активной проводимости колебательного контура. Возрастание активной проводимости при включении в контур образца с потерями сопровождается уменьшением амплитуды высокочастотных колебаний. Это, в свою очередь, вызывает [c.85]

Введение безразмерного параметра tgS удобно потому, что он не зависит от формы и размеров участка изоляции, а определяется лишь свойствами диэлектрического материала. Если к конденсатору или другому электроизоляционному элементу приложено напряжение с угловой частотой м и действующим значением и, то отношение проходящих в нем тока проводимости 1 р=и/К , (где - активное сопротивление элемента на частоте ш) и тока смещения Е, =исоС (где С - емкость). можно выразить так Так как Ка= /(уоЛ), а С=й) Л (где Л - приведенная длина), то [c.106]

Краткие сведения по изготовлению полупроводниковых ИС Полупроводниковые структуры ИС сформировываются в монокристаллическом теле полупроводника с помощью технологических операций. Создаются различные области, обладающие дырочной (Р-область) н электронной (N-область) проводимостями Основной частью полуироводниковьк микросхем являются NP- или Р переходы. Обраэаванные области в полупроводнике соответствуют по своим функциям определенным дискретным элементам активным (транзистор, диод) и пассивным (резистор, конденсатор и др.). Объемные то-коведущне дорожки создаются нанесением на поверхность полупроводника ин- [c.92]

На скорость и направление электроосмотического переноса влаги через мембрану (покрытие) оказывает влияние знак электрического заряда на стенках капилляра пленки. Электроосмотическая активность пленки снижается с уменьшением величины заряда. На защитное действие покрытия оказывает влияние ионная провохщмость полимерной пленки, которая зависит от свойства и структуры полимера. Наличиа преимущественно катионной проводимости свидетельствует об отрицательном заряде, а анионной проводимости — о положительном заряде пленки. [c.128]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...