Диэлектрических потерь измерение

В таблице приведены величины тангенсов угла диэлектрических потерь, измеренные на частоте 1000 гц, для электродов из алюминия и его сплавов, окисленных в воде при температуре 200° С. [c.207]

Диэлектрических потерь измерение 506 Диэлектрической проницаемости измерение 506 ДО-2 (пластмасса) 54, 66, 76, 80 Добротности измерение 521, 527 Доза излучения 456 ДСВ-2-Р-2М (пластмасса) 50, 66, 76, 82 ДСВ-4-Р-2М (пластмасса) 50, 66, 76 ДСМ-В (пластмасса) 16, 23, 29 Дугостойкая электрокерамика 355 Дугостойкие компаунды 410 [c.601]

Тангенс угла диэлектрических потерь tgб можно определить путем прямых измерений или по результатам косвенных измерений по формулам (3-1) и (3-3). [c.49]

При определении е и tg б возможны случайные ошибки. С целью их исключения измерения производят несколько раз. Число измерений указывается в стандартах на материалы и изделия. При испытаниях жидких материалов расхождения между результатами отдельных измерений не должны превышать 15% при измерении Ц б и 5% при измерении С . Для твердых материалов допускаемые расхождения указываются в стандартах на материал. По результатам нескольких измерений находят средние арифметические значения тангенса угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости [c.59]

Промышленные мосты переменного тока. Отечественная промышленность выпускает ряд мостов переменного тока, посредством которых измеряются емкость и тангенс угла диэлектрических потерь испытуемых материалов. Эти приборы позволяют выполнять измерения при разных частотах и напряжениях. Технические данные мостов приведены в табл. 4-2. [c.77]

Несколько более сложен расчет тангенса угла диэлектрических потерь tg б. Методика измерений и расчетные формулы зависят от Применяемых средств измерений. Если установка или прибор позволяют непосредственно отсчитывать значение тангенса угла диэлектрических потерь, то tg б рассчитывают, как и при измерении е, но результатам двух измерений по формуле [c.91]

При выполнении измерений резонансным методом, когда по прибору отсчитывают значение добротности, тангенс угла диэлектрических потерь можно рассчитать по формуле [c.91]

СВЧ со средой, определение мощности излучения и чувствительности приемного устройства, точность измерений и разрешающая способность, оценка результатов эксперимента и их оптимизация требуют знания электрических параметров сред — диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. [c.228]

Принцип действия этих приборов основан на определении исследуемых характеристик состава и структуры материала по его электрическим параметрам (диэлектрической проницаемости и коэффициенту диэлектрических потерь) Для измерения первичных информативных параметров ЭП может быть использована любая схема для [c.170]

Рассмотрены схема и данные измерений диэлектрической постоянной и тангенса угла диэлектрических потерь эмульсий типа вода в нефти различных влажности и химического состава. Показано, что температурные зависимости диэлектрических свойств в 3-сантиметровом диапазоне длин волн имеют экстремумы в интервале 30—70°С, положения которых зависят от вязкости исходного нефтепродукта. [c.236]

Тангенс угла диэлектрических потерь (tg S) измерен на 28 пластинах слюды после электроимпульсного воздействия и 25 контрольных замеров произведено на исходном материале. Поверхностное pj и объемное (pj [c.241]

На примере покрытий из пластизолей и органозолей толщиной 200 мкм показана возможность измерения С и тангенса угла диэлектрических потерь системы tg 5. [c.86]

Рис. 28. Схема измерения диэлектрических потерь.

Выполнив все указанные выше измерения, рассчитать по данным Протокола испытаний относительную диэлектрическую проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь изучаемых материалов по формулам (2.9.6) и (2.9.7). [c.155]

Зависимость электрических свойств полимера от его структуры позволяет использовать измерения электрических свойств, в том числе и диэлектрических характеристик (тангенса угла диэлектрических потерь tg6 и диэлектрической проницаемости е) при изучении строения полимеров. [c.317]

Эти методы, можно применять, например, для измерения толщины пленок, для определения диэлектрических потерь в полихлорвиниле, термореактивных полимерных материалах. [c.143]

Первый способ заключается в изучении частотных зависимостей диэлектрических параметров при постоянной температуре. Такой способ оценки диэлектрических потерь г" и диэлектрической проницаемости е дает возможность легко рассчитать спектры времен релаксации. Однако практически он почти никогда не реализуется ввиду того, что возможность одной экспериментальной установки, как правило, не может перекрыть диапазон частот, превышаюш,ий 2—3 порядка. Поэтому для того чтобы получить более или менее полную информацию о релаксационных процессах в полимере, требуется перекрыть диапазон частот, соответствующий 10—12 порядкам. Этого можно достичь, проводя измерения на нескольких экспериментальных установках на образцах разных размеров и различной формы. Все это делает весьма затруднительным сопоставление таких экспериментальных данных. [c.240]

В электроизоляционной технике высоких частот преобладает использование полимерных материалов с малыми диэлектрическими потерями, поэтому влияние посторонних факторов при измерении показателей е и tg б значительно усиливается. Одним из таких факторов является сопротивление электродов. Оно должно быть небольшим, поэтому используют электроды из меди, латуни и других металлов, которые не окисляются при высоких температурах. [c.246]

Итак, учет краевого поля и паразитной емкости ячейки позволил нам уменьшить погрешности измерения емкости до 1 % и тангенса угла диэлектрических потерь до 5%. [c.248]

Вторичные релаксационные переходы помимо динамических механических испытаний четко обнаруживаются также и в некоторых других случаях. Измерения диэлектрических потерь [77, 331—334] и ядерный магнитный резонанс [335, 336] относятся [c.132]

Мостовые измерения на переменном токе не позволяют получить абсолютные значения Rq и R потому, что неизвестна эквивалентная схема электрода с покрытием. В самом начале контакта покрытия с электролитом, когда полномерная пленка еще "сухая", систему "металл-покрытие-электролит" рассматривают как конденсатор с диэлектрическими потерями и считают, что омическое сопротивление в порах подключается последовательно к электрохимической емкости С2 и параллельно — к электрической С[ и сопротивлению (рис. 8). По мере набухания и разрушения покрытия систему уже нельзя рассматривать как электрический конденсатор с потерями и, по мнению авторов работ [46, 47], смоделировать ее весьма затруднительно. [c.65]

I Таблица 29.24. Цифровые автоматические мосты переменного тока для измерения J i емкости и тангенса угла диэлектрических потерь [c.379]

Соответственно частота релаксационного максимума диэлектрических потерь также повышается с ростом температуры (рис. 17.8). Значения е и tg б полярных диэлектриков сильно зависят от температуры Т (рис. 17.9). При высоких температурах снижение б с ростом Т связано с разориентирующим влиянием на дипольную поляризацию хаотического теплового движения, в результате чего е Еда при Т оо. При низких температурах е падает до значения Еоо, потому что частота релаксации становится ниже частоты измерений. Чем выше частота измерений, тем выше температура падения Ё (Т). При температурах падения е (Т) наблюдаются релаксационные максимумы потерь (рис. 17.9). Таким образом, релаксационная дисперсия может наблюдаться при изменении не только частоты, но и температуры. [c.137]

Тангенс угла диэлектрических потерь ферритов определяют расчетом по данным измерения полного сопротивления катушки индуктивности с сердечником при последовательном или параллельном соединении с резистором. [c.305]

Применение платины, наносимой на образец методом катодного напыления, в сочетании с накладными электродами из платины или нержавеющей стали, обкатанной платиной в плоскости соприкосновения с образцом, создает надежный контакт в процессе определения диэлектрических свойств материалов при 20—600°С. Для удобства измерений, связанных с высокими температурами и ограниченными по объему измерительными камерами, выбраны электроды с оптимальными в этих условиях габаритными размерами диаметр измерительного электрода 25 мм, электрода высокого напряжения 40 мм, ширина охранного кольца 5 мм. При 300—600°С возможно применение двухэлектродной системы, что не вносит существенных ошибок в результаты измерения удельного объемного сопротивления р и тангенса угла диэлектрических потерь (табл. 1.1 и 1.2) и значительно упрощает метод измерения при высоких температурах, так как при одновременном измерении большого количества образцов без нарушения режима исследований необходимо применение манипуляторов для перестановки электродов или образцов. [c.11]

В книге подробно и систематически рассмотрены вновь разработанные количественные методы, позволяющие однозначно определять строение жидкостей и концентрированных растворов и особенности теплового движения молекул в этих системах. Приведено описание методики измерения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь в полярных жидкостях и растворах в миллиметровом и сантиметровом диапазонах радиоволн и способы теоретической обработки получаемых результатов. Приведено описание фотоэлектрической методики исследования релеевского рассеяния света в слабо рассеивающих жидкостях и растворах и теории, позволяющей по данным о релеевском рассеянии света вычислять периметры, характеризующие структуру жидкостей. Рассмотрен ряд общих проблем теории жидкого состояния и теории концентрированных растворов. [c.435]

Для определения тангенса угла диэлектрических потерь tg б жидких материалов также производят два измерения tg бо ячейки, заполне]1ной воздухом, и tg б ] ячейки, заполненной испытуемой жидкостью. Искомое значение находят с учетом результатов предыдущих измерений по формулам -для трехзажимной ячейки [c.60]

Определение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при частотах свыше 100 Гц имеет особенности, связанные с ростом влияния краевых эффектов, емкостью образца относительно земли, индуктивностью и емкостью подводящих проводов. Большое значение приобретают также собственные начальные параметры измерительных схем. Для исключения влияния этих факторов при измерениях используют специальные ячейки, методы измерения с двойным, а иногда и с тройным уравновешиванием мостовых измерителей. Могут быть использованы трехэлек тродные ячейки, но поскольку на частоте 1000 Гц и выше охранные электроды на образцах уже не дают требуемого эффекта, то преимущественно применяют ячейки с системой двух электродов, а также двухэлектродные ячейки с дополнительным подвижным электродом. В ряде случаев для измерения применяются бесконтактные системы. [c.62]

Тангенс угла диэлектрических потерь tg o в случае применения трехэлектродпой системы равен своему измеренному значению. При двухэлектродной системе иетинное значение tg б образца вычисляют по формуле [c.90]

Увеличение tg б при нагреве в стекле или в поликристалличе-ском диэлектрике — керамике — может также вызываться одновременно увеличением проводимости материала и ростом числа сла-йосвязанных ионов, участвующих в ионно-релаксационной поляри-шции. Тангенс угла диэлектрических потерь таких материалов с увеличением температуры растет, но максимальное его значение мри измерениях не фиксируется, как это видно из рис. 5.25, где приведены зависимости tg 6 от температуры для Na — Ва — Mg— алюмоборосиликатного стекла, высоковольтного фарфора и стеатита. [c.165]

Среди обычно используемых изоляторов полистирол, по-видимому, наиболее стоек к излучению. Предполагается, что молекулу полистирола стабилизирует фенильная группа, присоединенная к главной цепи, так как поглощ енная энергия излучения рассеивается по фенильному кольцу без его разрушения. В работе [77] исследовали стойкость полистирола под воздействием у-излучепия и быстрых нейтронов сравнительно с кремнеземом, нейлоном и фенолформальдегидом и пр. Изменения диэлектрической проницаемости этих материалов оказались в пределах ошибки измерения j-3% при интегральном потоке быстрых нейтронов 10 ней-трон см и интегральной дозе у-облучения 10 эрг г. Однако были замечены большие различия в изменении диэлектрических потерь (tg б) облученных материалов. Наибольшие изменения наблюдали у полиэтилена и тефлона, а у полистирола, нейлона и кремнезема изменения не отмечены. В таких сильносшитых материалах, как кремнезем и фенолформаль- [c.395]

Э. В. Бурсиан и Н. П. Смирнова[40] отмечают, что с уменьшением толщины образца е уменьшается и зависимость е = / (Е) сглаживается. Существенно, однако, что возрастание е в больших полях имеет место даже для очень тонких пленок, по крайней мере до 1 мк. Однако независимо от величины используемого поля, максимум диэлектрической проницаемости для пленок толщиной менее 10 мк сильно размыт. Обычно на пленочных материалах даже напряжение 0,5 в образует поле до 300 в см, что приводит к поляризации образцов. Пробой наступает в интервале от 4 до 10 в, причем пробойность тем ниже, чем выше дефектность по кислороду. Диэлектрическая проницаемость возрастает с ростом величины зерна, т. е. со временем термообработки. Диэлектрические потери растут с температурой. Лезгинцева [39] утверждает, что присутствие а доменов замедляет процесс поляризации и снижает величину 33. При каждом последующем цикле измерений некоторая часть а доменов совершает необратимые 90-градусные повороты и концентрация их таким образом уменьшается. Об этом можно судить по увеличению пьезомодуля и снижению поля, при котором наблюдается наибольший рост 33. Таким образом, изучение зависимости 33 = / [Е] позволяет установить качественно связь между пьезомодулем и доменной структурой кристалла. Необратимое изменение доменной структуры кристалла в процессе измерений может быть причиной нестабильности электрических и механических свойств. Поэтому использование таких пластинчатых монокристаллов на практике требует их монодоме-низации и исключения всех этих нежелательных явлений. [c.304]

Диэлектрические потери определяются при частоте тока 50 гц (ОСТ НКТП 3072) и 10 гц (НКТП 3073). Для частоты 50 гц метод основан на измерении тангенса угла диэлектрических потерь и ёмкости при помощи моста Шеринга. Определение диэлектрических потерь при частоте тока 10 гц основано на замещении в контуре (настроенном на резонанс с высокочастотным генератором) конденсатора с диэлектриком из испытуемого материала—образцовым воздушным конденсатором с последовательно включённым безреактивным сопротивлением. [c.312]

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ — измерения ста-тич. и динамич. диалектрич. проницаемости веществ е=е + ге" и связанных с нею величин, напр, тангенса диэлектрических потерь tg S e Vs (см. Диалект-рики). Диапазон значений е и е", доступных для определения 10 —10 для е и 10- 10 для е". Типичные точности измерений i% для е и для е". Д. и. [c.700]

Диэлектрические потери. Для измерения угла потерь изготовляют конденсатор С , диэлектриком которого служит исследуемое стекло (глазурь). Этот конденсатор включают в одну из ветвей моста типа К<мьрауша (рис. 28). Три другие ветви этого моста—сопротивления R2 и г . Измерения производят переменным током определенной частоты /. Вначале наводят примерный [c.163]

Для изучения термического разложения эпоксистеклопластиков и эффектов отверждения был использован анализатор Дел-сен D// [33, 34]. Возрастание тангенса угла диэлектрических потерь обусловлено началом термического разложения (падение прочности при изгибе) уже при температуре 150. .. 260 °С. Для этих экспериментов диэлектрическая постоянная является не такой чувствительной характеристикой, как тангенс угла диэлектрических потерь. Изменение диэлектрической постоянной и тангенса угла диэлектрических потерь в процессе отверждения может служить для определения оптимальных температурных и временных условий отверждения и контроля полноты отверждения. Измерения емкости могут быть также применены для определения содержания влаги в ламинатах в Сандвичевых конструкциях. [c.478]

Для измерения диэлектрической проницаемости е и тангенса угла диэлектрических потерь tg б нами были использованы четырехплечевой мост Шеринга типа VKB с прямым отсчетом е и tg б в диапазоне частот 50—2-10 Гц. [c.241]

Профилактические испытания трансформаторов. Объем испытаний измерение сопротивления изоляции обмоток трансформаторов испытание изоляции обмоток трансформаторов повышенным напряжением переменного тока испытание изоляции стяжных болтов магнитопро-водов измерение сопротивления обмоток трансформаторов постоянному току испытание баков трансформаторов измерение тангенса угла диэлектрических потерь вводов трансс рматоров определение коэффициента трансформации трансформаторов проверка фазировки осмотр и проверка устройства охлаждения химический анализ и электрическое испытание масла из баков и маслонаполненных вводов, включение трансформаторов толчком на номинальное напряжение. [c.335]

Испытание изоляции рарпределительных устройств. Способы испытаний измерение сопротивления изоляции мегаомметром на 1000 и 2500 В повышенным напряжением переменного тока, измерением диэлектрических потерь и токов утечки. Технология проведения испытаний для различного электрооборудования. [c.336]

Из наблюдения петель гистерезиса при 300 К для НБС с х = 0,25 получены значения Р > 30 мкКл/ м Эта величина намного больше измеренной другими способами, что объясняется высокими диэлектрическими потерями в кристалле при комнатной температуре. Спонтанная [c.114]

Тангенс угла диэлектрических потерь можно определить путем прямых измерений или по результатам косьенных измерений по формулам (29.12) и (29.13). Методы определения tg6 и 8г на частоте 50 Гц стандартизованы (ГОСТ 6433.4-71 и ГОСТ 6581-75). [c.368]

Мост переменного тока типа Р525 предназначен для измерения емкости и tg б на частоте 50 Гц твердых и жидких электроизоляционных материалов. Измерение осуществляется при напряжении от 3 до 10 кВ по прямой и перевернутой схеме. Погрешность измерения тангенса угла диэлектрических потерь в диапазоне [c.373]

Измерения во времени тангенса угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости новомикалекса проводились при частотах 50 и 1000 Гц. В процессе старения при 500°С в течение 2100 ч значение при частоте 50 Гц и температуре 15—35°С изменялось от 0,045 до 0,07, значение е — от 9—10 до 14—17 при такой же частоте и температуре 400°С значение tgб изменялось от 0,45 до 0,75, е — от 14 до 18, при 500°С tgб l. После 2000 ч старения при 600°С тангенс угла диэлектрических потерь, определенный при частоте [c.197]

Детальные исследован ия [Л. 43], сонров ождавшиеся измерением диэлектрической -проницаемости и диэлектр ических потерь для 104 стекол различного состава при длинах волн 3 и 10 сж методом полого резонатора, привели к следующим результатам. Для объяснения зависимости диэлектрических потерь от состава стекол было предложено качественное объяснение механизма поглощения энергии и диэлектрических потерь в микроволновой области. Этот механизм определяется природой связи атомов и ионов в беспорядочно ориентированной атомной решетке стекол. [c.129]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...