Микроскоп растровый электронный — Характеристики

Еще один метод наблюдения доменной структуры — растровая электронная микроскопия. Наилучшие результаты можно получить, используя ускоряющее напряжение 160—200 кВ и применяя специальную приставку. Качество изображения при этом выше, чем в обычном световом микроскопе, и можно наблюдать структуру ферромагнитных доменов, расположенных под изоляционным магнитоактивным покрытием, которое наносят в ряде случаев для улучшения магнитных характеристик, ферромагнетика. [c.176]

К числу бесконтактных методов относится также изучение шероховатых поверхностей с помощью электронной микроскопии, в частности, для этой цели применяется растровая электронная микроскопия, использующая для формирования изображения низкоэнергетические вторичные электроны. Профиль поверхности оценивается по изменению интенсивности эмиссии вторичных электронов при повороте образца. Прибор соединен с компьютером и позволяет определять стандартные характеристики шероховатости. Поскольку вертикальное разрешение составляет около [c.28]

Принципиально возможны два способа сте-реоЛогической реконструкции — непосредственная и статистическая. Непосредственная реконструкция методом последовательных сечений — построение пространственной. модели структуры на основании изображений ее на последовательных по глубине сечениях — шлифах в металлографическом световом микроскопе (СМ), эмиссионном (ЭМ) или растровом (РЭМ) электронном микроскопе или на репликах в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ). Последовательные сечения с минимальным шагом получают строго параллельным последовательным механическим или электролитическим полированием образца. Некоторые характеристики пространственной структуры определяют непосредственно на модели, другие — на представляющем ее графе. Непосредственную реконструкцию. методом стереопар проводят в основном для поверхностей разрушения в РЭМ или ПЭМ и частиц, порошковой пробы в РЭМ, На изображениях одного и того же участка структуры, полученных с одинаковым увеличением при двух, различных углах наклона объекта относительно пучка электронов, измеряют горизонтальный параллакс (разность координат идентичных точек на двух изображениях) и на его-основе рассчитывают соответствующие высоты. [c.73]

Испытания на ползучесть проводили в условиях растягивающей нагрузки на плоских образцах с площадью поперечного сечения 10 мм при напряжении о = 4 МПа и температуре 328 К. Удлинение образцов измеряли с точностью 1 мкм. На полированную поверхность наносилась координатная сетка с квадратными ячейками. Наряду с определением характеристик ползучести (скорость установившейся ползучести — 6, деформация ползучести за время —б(, деформация до разрушения бр, время до разрушения— р) исследовали общую картину структурных изменений, распределение деформации по поликристаллу с количественной оценкой отдельных ее составляющих (внутризеренное скольжение, ЗГ — проскальзывание, фрагментация, экструзия и поворот зерен) на разных стадиях ползучести. Структурные исследования проводили методами оптической, интерференционной и электронной растровой микроскопии с прицельными наблюдениями и съемками. [c.100]

В процессе формовки автокатодов с большой рабочей площадью, во время сильноточного ее этапа, наблюдалось существенное увеличение автоэмиссионного тока, например, с 1,5—2 мА до 3,0 мА, с одновременным незначительным уменьшением напряжения. Этот факт можно объяснить образованием на рабочей поверхности мик-рошероховатого рельефа. Последнее подтверждается изучением поверхности в растровом электронном микроскопе. Образование микровыступов приводит к смещению вольт-амперной характеристики в координатах Фаулера—Нордгейма в область более низких напряжений. При этом происходит изменение угла наклона характеристик, что говорит об изменении форм-фактора эмиттирующей поверхности катода. Отбор тока на уровне около 10 мА с отформованного автокатода в течение 10 часов приводил (для всех исследованных образцов) к сдвигу вольт-амперной характеристики в область более высоких напряжений. Подобное снижение эмиссионной способности исследуемого эмиттера можно объяснить как увеличением среднего радиуса закругления эмиттирующих микровыступов, так и обнаруживаемым на рабочей поверхности автокатода, после работы макета [c.187]

Растровый электронный. микроскоп (РЭМ) формирует изображение объекта при сканировании его поверхности электронным зондом. Это один и.з наиболее универсальных и перспективных приборов для исследования микрострук-турных характеристик мета.члов. По темпа.м развития и количеству моделей РЭМ опережает просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ). Число микрофотографий, выполненных на РЭМ, приблизилось к числу микрофотографий, полученных с помощью светового микроскопа (СМ), и значительно превосходит ПЭМ. По растровой электронной микроскопии имеется несколько монографий [1—5] и обзоров [б—9], елсегодно издаются труды конференций н семинаров [10—12]. [c.62]

С помощью растровой электрониой микроскопии на приборе РЭММА-202 изучали структуру гальванических покрытий в широком диапазоне увеличений от 10 до 50000. Поскольку в растровом микроскопе достигается в сотни раз большая, чем в просвечивающем, глубина фокуса, это позволило наблюдать обьемное изображение структуры и объективно оценить пространственную конфигурацию ее элементов. в частности провести морфологический анализ изломов деталей с покрытиями и определить количественные характеристики пористости покрытия. [c.15]

Профилограмма позволяет оценить характеристики профиля поверхности по определенному сечению, однако свойства контакта зависят от формы и высоты микронеровностей, т.е. от их топографии. Трехмерное строение поверхности можно изучать, снимая множество профилограмм, расположенных параллельно, и обрабатывая их по специальной методике. Для изучения топографии поверхности можно использовать также другие сканирующие приборы, в частности растровый и туннельный электронные микроскопы. На рис. 2.1 показано топофафическое изображение поверхности, полученное с помощью растрового микроскопа. [c.30]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...