Микроскоп электронный растровый разрешение

Микроскоп электронный растровый классификация 63 глубина фокуса 64 разрешение 64 [c.350]

В сравнении с просвечивающим электронным микроскопом использование растровых приборов дает ряд преимуществ. Во-первых, отпадает нужда в кропотливом и трудоемком изготовлении реплик и фольг, во-вторых, наиболее полно и достоверно фиксируется рельеф поверхности, в-третьих, исследованию доступна значительно большая площадь образца и, наконец, растровый микроскоп позволяет проводить изучения в непрерывном и широком интервале увеличений — от 20 и до 100 000 крат. К недостаткам растрового микроскопа можно отнести более низкую разрешающую способность в сравнении с разрешением, которое возможно на просвечивающем приборе. [c.180]

Значительно большие возможности представляет растровый электронный микроскоп (РЭМ). Меньшее разрешение РЭМ (порядка 20 нм) компенсируется рядом преимуществ, к числу которых относятся возможность исследования массивных образцов, относительная простота приготовления образцов, большая глубина фокусировки, разносторонняя информация об образце, простота интерпретации изображения и др. [c.24]

Метод растровой электронной микроскопии Изображение в растровой электронной микроскопии (РЭМ) создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает непрерывно перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов. Растровая электронная микроскопия позволяет изучать непосредственно поверхность материалов и получать со сравнительно высоким разрешением как качественную, так и количественную информацию о химическом составе объекта во взаимосвязи с топографией поверхности. [c.69]

Разрешение в режиме растрового электронного микроскопа, нм........... 20 [c.498]

Обычные сканирующие (растровые) электронные микроскопы в силу небольшого разрешения (3 — 3,5 нм) пригодны для исследования наноматериалов в ограниченном объеме. [c.185]

Косвенный метод исследования применяется ограниченно из-за трудности однозначно интерпретировать эффекты контраста на изображении и идентифицировать различные структурные составляющие, из-за частого возникновения артефактов, связанных с деформацией реплики при ее отделении от объекта и при различных манипуляциях с ней. Кроме того, разрешение электронно-микроскопических изображений лимитируется разрешением самой реплики, которое в лучшем случае достигает нескольких десятков ангстремов. В то же время развитие растровой (сканирующей) электронной микроскопии позволяет примерно с тем же разрешением прямо изучать поверхностный рельеф металлического образца, а также по рентгеновскому характеристическому излучению определять химический состав различных структурных составляющих и даже наблюдать картину распределения того или иного химического эле. гента по поверхности объекта. Поэтому практическая значимость косвенного метода невелика и в настоящее время ограничена электронной фрактографией. [c.50]

Непосредственное изучение таких поверхностей возможно лишь в отражательном, эмиссионном или растровом микроскопах, наблюдение объектов в которых может быть отнесено также к прямым методам исследования. Однако наибольшее распространение имеют электронные микроскопы просвечивающего типа, обладающие наибольшим разрешением из всех перечисленных типов, и потому для изучения структур поверхностей непрозрачных тел были разработаны и успешно применяются косвенные методы. [c.41]

Это — просвечивающая электронная микроскопия (см. раздел 2), дающая картину поверхности с разрешением до 1 нм, и растровая электронная микроскопия (5—10 нм) (см. раздел 3). [c.117]

Метод ОЭС обладает наилучшим поверхностным разрешением, достигающим 50 нм. Это привело к развитию сканирующей Оже-микроскопии (SAM), использующей электронный пучок для изучения пространственного распределения элементов в поверхностном слое. В сочетании с растровым электронным изображением топографии поверхности SAM дает одновременную информацию [c.125]

Отсутствие одного из основных уровней приводит соотношение между соседними значениями чередующихся величин к выражению (215). Поэтому использовать последнее выражение для отыскания истинных уровней чередования не представляется возможным. Для отыскания истинных значений уровней чередования шага усталостных бороздок авторы книги проводили корректировку результатов измерений, исходя из следующих соображений. Соотношение (207) определяет процесс чередования уровней 6 во всех сплавах. Из всех измеренных величин на начальной стадии формирования усталостных бороздок истинной величиной является 10 м, поскольку она существенно больше наилучшего разрешения использованных растровых электронных микроскопов (разрешение 2 10- м) и многократно подтверждена проведенными исследованиями кинетики усталостных трещин путем измерения шага усталостных бороздок и скорости роста трещины. Используя ее в качестве реперной вели- [c.224]

К числу бесконтактных методов относится также изучение шероховатых поверхностей с помощью электронной микроскопии, в частности, для этой цели применяется растровая электронная микроскопия, использующая для формирования изображения низкоэнергетические вторичные электроны. Профиль поверхности оценивается по изменению интенсивности эмиссии вторичных электронов при повороте образца. Прибор соединен с компьютером и позволяет определять стандартные характеристики шероховатости. Поскольку вертикальное разрешение составляет около [c.28]

Растровые электронные микроскопы (РЭМ) с накаливаемым катодом предназначены для исследования массивных объектов с разрешением, существенно более низким, чем у ПЭМ,— от 50 до 200 А. Ускоряющее напряжение в РЭМ можно регулировать в пределах от 1 до 30—50 кВ. Устройство РЭМ показано на рис. 3. При помощи двух или трёх ЭЛ на поверхность образца фокусируется узкий электронный зонд. Магн. отклоняющие катушки развёртывают зонд по заданной площади на объекте. При вз-ствии эл-нов зонда с объектом возникает [c.887]

Современные приборы, управляемые мини-ЭВМ, объединяют в себе достоинства растровых электронных микроскопов высокого разрешения (до Юнм) и рентгеноспектрального микроанализатора с локальностью до 0,5 мкм. Оптический микроскоп анализатора (увел. 400) позволяет выбрать любую точку или участок, а таюке любое направление в исследуемом объекте, где желательно определить состав или проследить распределение интересующего элемента. [c.252]

Прицельность анализа обеспечивается встроенным в прибор оптическим микроскопом. Значительное распространение получили комбинированные установки, включающие растровый электронный микроскоп (РЭМ) высокого разрешения (<10 нм), рентгеновские спектрометры волновой дисперсии, рентгеновский спектрометр энергетической дисперсии, систему автоматизации процесса анализа и обработки полученных результатов с помощью ЭВМ. [c.497]

В работах [277—278 и др.] было проведено систематическое исследование закономерности появления различных величин шага усталостных бороздок на образцах и деталях из алюминиевых сплавов, разрушенных при различных условиях нагружения. С целью сопоставления результатов измерений шага бороздок использовали метод реплик при анализе изломов на просвечивающем электронном микроскопе с предельным разрешением Ю"" м, растровом электронном микроскопе КВИК-ЮО с разрешением 9 10 м и микроскопе S-800 с разрешением 2 10 м. Помимо этого анализировали результаты измерений шага усталостных бороздок на растровом электронном микроскопе ISM-35 с гарантированным разрешением 5 10 м, относящиеся к исследованию закономерности формирования рельефа излома при отрицательной асимметрии цикла нагружения. [c.217]

Изучением строения изломов и интерпретацией содержащейся в них информации занимается фрактография. Ценность фрактографии как источника информации о механизмах разрущения усиливается тем, что она позволяет однозначно определить источник разрушения. Разработка новых методов изучения поверхности твердых тел каждый раз способствовала развитию фрактографии. Бурный рост фрактогра-фических исследований связан с развитием растровой электронной микроскопии, которая сочетает уникальные возможности одновременного изучения морфологических особенностей рельефа поверхности трещины с разрешением порядка 1,5—2,0 нм, а также химического и кристаллографического микроанализа с разрешением порядка 1 мкм. [c.187]

Медленное деформирование материала может приводить к росту трещины не только по плоскостям скольжения, но также и по границам фрагментов Б условиях интенсивного наклепа материала и к потере когезивной прочности в субграницах. Такой вид разрушения сосуда под давлением был зарегистрирован в условиях эксплуатации. Трещина распространялась в сплаве 17Х4НЛ по границе раздела двухфазовой структуры между прослойками феррита (ферритная полосчатость) и мартенситной матрицей, В условиях двухосного растяжения под давлением и длительной выдержки под нагрузкой происходило вязкое отслаивание феррита по приграничным зонам. Трехточечный изгиб образцов в виде пластин, вырезанных из гидроагрегата вдоль образующей его цилиндрической части, показал, что при скорости деформации 0,1 мм/мин образцы имеют высокую пластичность с остаточной деформацией около 8 % в зоне разрушения. Рельеф излома имел полное подобие рельефу эксплуатационного излома. Это означало, что в условиях эксплуатации вязкость разрушения была реализована полностью, хотя на мезоскопическом масштабном уровне (0,1-10 мкм) разрушение было квазихрупким. Пластическая деформация материала была реализована за счет деформации зерен феррита с формированием неглубоких ямок в момент отслаивания феррита по границам мартенситных игл, что привело к столь значительному утонению стенок ямок, что их можно было выявить только при увеличении около 10,000 крат при разрешении растрового электронного микроскопа около 10 нм. [c.92]

Детальное изучение состава частиц было проведено на Оже-спектрометре LAS-2000 (фирма Рибер , Франция) с коаксиальной электронной нушкой и анализатором электронов тина цилиндрическое зеркало с разрешением доли энергии спектра AWf/ Wf < 0,3 % при остаточном давлении (1,3-2,6) 10 МПа. Ток пучка электронов составлял около 5-10 А, энергия первичного пучка 3 кэВ, диаметр — несколько микрометров. Режим работы во вторичных электронах позволял в режиме работы типа растрового электронного микроскопа выбрать для исследования участок поверхности размером в несколько квадратных микрометров. [c.157]

К классу II с допускаемой амплитудой скорости колебаний Оа = 0,1 мм/с, отнесены электронные микроскопы с разрешением 0,4 нм и более, растровые электронные микроскопы, фотоэлектрические интерферометры для поверки штриховых мер, стационарные специализированные приборы на основе голографии, компараторы, измерительные машины длины более 1 м, установки для поверки долемикрометровых головок, приборы для контроля линейных размеров с электронным индикатором контакта и ценой деления менее 0,1 мкм, оптические скамьи длиной до 5 м, эталонные установки для измерения плоского угла, автоколлиматоры с ценой деления 0,5" и менее, гониометры с погрешностью измерения 1" и менее, экзаменаторы с ценой деления 0,1", кругломеры, сферометры, весы лабораторные образцовые 1а 1-го и 2-го разрядов, лабораторные рычажные 1-го и 2-го классов точности, торсионные весы, особо точные продольные и круговые делительные машины, ультрамикротомы, металлорежущие станки особо высокой точности шлифовальной группы с направляющими качения, тяжелые высокоточные зу-бофрезерные станки, мастер-станки и т. п., плавильные печи для выращивания кристаллов, поливные машины для нанесения эмульсионных слоев. [c.121]

Для испытаний автокатодов были заданы различные уровни тока (от 10 до 200 мкА для полиакрилонитрильного волокна) при неизменном напряжении на аноде, максимальная наработка составляла 1000 часов в непрерывно-циклическом режиме с продолжительностью цикла 8 часов. Структура рабочей поверхности автоэмиттеров исследовалась в растровом электронном микроскопе JSH-35 с разрешением до 100 А. [c.121]

Аморфные и квазиаморфные тела, размеры частиц к-рых меньше разрешаемого в электронном микроскопе расстояния, рассеивают электроны диффузно. Для их исследования используются простейшие методы амплитудной Э. м. Напр., в ПЭМ контраст изображения, т. е. перепад яркостей изображения соседних участков объекта, в первом приближении пропорционален перепаду толщин этих участков. Для расчёта контраста изображений кристаллич. тел и решения обратной задачи—расчёта структуры объекта по наблюдаемому изображению—привлекаются методы фазовой Э. м. решается задача о дифракции электронов на кристаллич. решётке. При этом дополнительно учитываются неупругие взаимодействия электронов с объектом рассеяние на плазмонах, фононах и т. п, В ПЭМ и растровых ПЭМ (ПРЭМ) высокого разрешения получают изображения отд. молекул или атомов тяжёлых элементов пользуясь методами фазовой Э. м., восстанавливают по изображениям трёхмерную структуру кристаллов и биол. макромолекул. Для решения подобных задач применяют, в частности, методы голографии, а расчёты производят на ЭВМ. [c.550]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...