Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Микроскоп электронный растровый

Микроскопия электронная растровая  [c.349]

Микроскоп электронный растровый классификация 63 глубина фокуса 64 разрешение 64  [c.350]

В сравнении с просвечивающим электронным микроскопом использование растровых приборов дает ряд преимуществ. Во-первых, отпадает нужда в кропотливом и трудоемком изготовлении реплик и фольг, во-вторых, наиболее полно и достоверно фиксируется рельеф поверхности, в-третьих, исследованию доступна значительно большая площадь образца и, наконец, растровый микроскоп позволяет проводить изучения в непрерывном и широком интервале увеличений — от 20 и до 100 000 крат. К недостаткам растрового микроскопа можно отнести более низкую разрешающую способность в сравнении с разрешением, которое возможно на просвечивающем приборе.  [c.180]


Проблема создания и использования композиционных материалов, требующая детальных исследований деформационного и диффузионного взаимодействия составляющих, приводит к необходимости сочетания известных принципов тепловой микроскопии, например, растровой электронной микроскопии это может быть реализовано в виде приставок к сканирующему электронному микроскопу, позволяющих осуществлять одновременное тепловое воздействие (нагрев или охлаждение) и механическое нагружение образца.  [c.7]

Отметим, что обычные методы испытаний соединений для обнаружения водородной хрупкости непригодны. Испытания проводят путем создания в болтах напряжений, близких к пределу текучести, в течение не менее 48 ч. В случае поломок поверхность излома исследуют под электронно-растровым микроскопом.  [c.137]

Метод растровой электронной микроскопии Изображение в растровой электронной микроскопии (РЭМ) создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает непрерывно перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов. Растровая электронная микроскопия позволяет изучать непосредственно поверхность материалов и получать со сравнительно высоким разрешением как качественную, так и количественную информацию о химическом составе объекта во взаимосвязи с топографией поверхности.  [c.69]

Дифракция медленных электронов Растровая электронная микроскопия  [c.162]

Испытания на ползучесть проводили в условиях растягивающей нагрузки на плоских образцах с площадью поперечного сечения 10 мм при напряжении о = 4 МПа и температуре 328 К. Удлинение образцов измеряли с точностью 1 мкм. На полированную поверхность наносилась координатная сетка с квадратными ячейками. Наряду с определением характеристик ползучести (скорость установившейся ползучести — 6, деформация ползучести за время —б(, деформация до разрушения бр, время до разрушения— р) исследовали общую картину структурных изменений, распределение деформации по поликристаллу с количественной оценкой отдельных ее составляющих (внутризеренное скольжение, ЗГ — проскальзывание, фрагментация, экструзия и поворот зерен) на разных стадиях ползучести. Структурные исследования проводили методами оптической, интерференционной и электронной растровой микроскопии с прицельными наблюдениями и съемками.  [c.100]

В электронном растровом микроскопе объект (древесина, резец) ощупывается тонким электронным лучом с одновременным преобразованием результатов контакта в световое изображение на экране.  [c.99]


Хорошо видно существенное различие в микрогеометрии поверхности э гих покрытий. Детальное изучение микроструктуры напыленных на подложки слоев осуществлялось с помощью электронного растрового микроскопа на специально изготовленных шлифах. Типичный микроснимок алюминиевого покрытия, напыленного в режиме 1, приведен на рис. 4.2,а. На этом снимке отчетливо просматриваются форма деформированных частиц, их ориентация в слое и на контактной поверхности.  [c.192]

Металлографические исследования с применением электронного растрового микроскопа проведены в лаборатории французского филиала фирмы ТАРА (см. рис. 5.8).  [c.261]

Исследования оцинкованной поверхности с помощью электронного растрового микроскопа показали, что на ней образуется двуслойная пленка первичная пленка продуктов коррозии цинка и вторичная пленка, в образовании которой решающую роль играет применяемый ингибитор и кальций. Вплоть до конца двухлетних испытаний не происходило совмещения этих пленок и образование единой пленки. Основной защитный эффект обеспечивает вторичная пленка.  [c.75]

Одним из наиболее распространенных методов диагностики поверхности является растровая электронная микроскопия (РЭМ).  [c.151]

Микроструктуру покрытия и зоны контакта покрытие—подложка изучали с помощью растрового электронного микроскопа  [c.57]

Исследование покрытий визуальным, люминесцентным и микро-структурным методами не выявило в них дефектов. С помощью растрового электронного микроскопа обнаружены лишь у верхнего края пера небольшие участки поверхности, недостаточно обработанные микрошариками. Испытание образцов-свидетелей показало, что покрытие обладает хорошей адгезией к сплаву. Средний химический состав покрытия соответствовал заданному (мас.%) Со — 63, Сг — 23, А1 - 12.  [c.182]

Растровая (сканирующая) электронная микроскопия широко используется в исследованиях материалов с покрытиями. Современные микроскопы позволяют получать увеличение до 100 000 крат,  [c.179]

Особый интерес с точки зрения механизма формирования сферических частиц представляет анализ их структуры и состава [88-90]. Применение методов микро-рентгено-спектрального анализа на растровом электронном микроскопе показало, что частицы не имеют никаких особенностей по сравнению с основным материалом в виде избытков легирующих элементов. Измерение микротвердости частиц размером около 10 мкм покат зало, что она более чем в 1,5 раза выше, чем у основного материала. Последнее обусловлено процессом обкатки частиц и их упрочнением.  [c.156]

Рис. 3.24. Последовательность (а)—(г) состояний материала в вершине усталостной трещины при монотонном растяжении пластины в колонне растрового электронного микроскопа, и схема (д), (е) образования трещины по одной из полос скольжения в результате вращения объема металла перед вершиной трещины Рис. 3.24. Последовательность (а)—(г) <a href="/info/544247">состояний материала</a> в вершине <a href="/info/34437">усталостной трещины</a> при монотонном <a href="/info/143003">растяжении пластины</a> в колонне <a href="/info/33899">растрового электронного микроскопа</a>, и схема (д), (е) <a href="/info/39537">образования трещины</a> по одной из <a href="/info/7023">полос скольжения</a> в результате вращения объема металла перед вершиной трещины
Устойчивое формирование усталостных бороздок по всему фронту трещины происходит после достижения шага около 45 нм (4,5-10 м или 0,045 мкм), что характерно для алюминиевых сплавов. В сталях могут быть обнаружены бороздки с шагом около 30 нм, в титановых сплавах устойчивое формирование бороздок имеет место после достижения их шага около 25 нм. Все указанные величины обнаружены с помощью методов высокоразрешающей просвечивающей и растровой электронной микроскопии. Они соответствуют нижней границе размеров мезоскопического масштабного уровня применительно к размерам субструктурных элементов и характеризуют определенный процесс нарушения сплошности материала в цикле приложения нагрузки и с этой точки зрения характеризуются определенным профилем или геометрией усталостной бороздки. Поскольку формирование усталостных бороздок происходит под действием двух полуциклов нагружения-растяжения (восходящая ветвь нагрузки) и снижения нагрузки, то форма профиля усталостной бороздки в значительной степени зависит от того, какой процесс доминирует в каждом из полуциклов [123, 132-134].  [c.164]


Механико-термнческая обработка (МТО) 284 Микрозонд 40 Микроскоп растровый 41 Микроскоп электронный 38  [c.645]

Исследовали монокристалл никеля ориентировки [149] (единичное скольжение) в форме образца с прямоугольным поперечным сечением 5 X 10 м.м и длиной рабочей части 10 мм. Кристалл содержал некоторые границы еубзерен. Испытания на усталость проводили в условиях симметричного растяжения — сжатия с постоянной амплитудой пластической деформации при комнатной температуре и частоте около 0,1 Гц. Для наблюдения дислокационной структуры использован 150-киловольтный ТЭМ. Фольги ориентировки (121) были приготовлены из внутренних слоев образца (см. рис. 4). Поверхностная структура наблюдалась с помощью оптической микроскопии или растровой электронной микроскопии (РЭМ).  [c.159]

Эпиквант 2 — иапример, система Кваитиыета 3 — сканирующая система 4 — монитор для контроля 5 — электронное сканирование 6 — дискриминатор 7 — логический элемент (счетчик, запоминающее устройство, счетное устройство, про-граммироваиие) 8 — получение и обработка сигнала 9 — выдача данных 10 — устройство для получения изображения (микроскоп, микрозонд, растровый электронный микроскоп) образец /2 — блок управления движением объекта 13 — механическая развертка  [c.186]

В предлагаемом читателю издании, в отличие от предыдущих, представлены такие новые и перспективные методы исследования, как количественный анализ структуры, диффузное рассеяние электронов, растровая электронная микроскопия, рентгеноспектральный анализ, Оже-элек-тронная спектроскопия, ядерный гамма-резонанс, радиоспектроскопия и др. справочник дополнен разделом о способах оценки параметров вязкости разрушения, живучести отдельно освещены такие важные специальные испытания, как оценка износостойкости, кавитационной стойкости.  [c.7]

Развитие электронной оптики и электронной микроскопии привело также к созданию отражательных, эмиссионных, растровых (электронных и рентгеновских) микроскопов, имеющих большие перспективы использования в исследовании металлов созданы новые приборы и методы металлофизического исследования, использующие электронную оптику и высококачественные электропитающие устройства электронных микроскопов рентгеноспектральные микроанализаторы, рентгеновские микроскопы, электронные анализаторы (для исследования потенциала кристаллической решетки), электронные зеркала (для исследования до-ме.нной структуры ферромагнетиков) и т. д.  [c.165]

Рис. 23. Электронография изломов. Х5000 а, 6 — вязкий (чашечный) излом в, г — хрупкпй (речной) излому а, в — снято в электронном микроскопе а, г — снято на растровом микроскопе Рис. 23. Электронография изломов. Х5000 а, 6 — вязкий (чашечный) излом в, г — хрупкпй (речной) излому а, в — снято в <a href="/info/1617">электронном микроскопе</a> а, г — снято на растровом микроскопе
Сказанное подтверждается электроннофрактографическими исследованиями реплик (рис. 23,а, в) или непосредственно с поверхности (рис. 23,6, г). Первое проводят на одном электронном микроскопе, а второе на сканирующем (растровом) электронном микроскопе.  [c.41]

Отметим, что для исследованных образцов из стали 15Х2МФА для реализации указанных условий образцы необходимо было деформировать в области пластической неустойчивости (после образования шейки). После деформирования из образцов изготавливали продольные шлифы, которые затем травили и просматривали на растровом электронном микроскопе. На рис. 2.17, а представлена микротрещина, обнаруженная в образце, продеформированном до о = 1766 МПа, а на  [c.88]

В связи с этггм получили п )именепие растровые электрон и ы е микроскопы, в которых изображение создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает HenpepbiBH(j перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов.  [c.13]

С использованием методов растровой электронной микроскопии, метода скользящего пучка рентгеновских лучей и измерения микротвердости исследованы процессы самоорганизации дислокационной и субаереиной структуры в приповерхностных слоях и внутренних объемах технически чистого рекристаллизованного Мо при статическом растяжении и влияние магнетроиного покрытия Мо-45, 8Re-0,017 на особенности протекания этих процессов вблизи поверхности. Исследования проводили на образцах, растянутых до деформаций, соответствующих пределу пропорциональности, нижнему пределу текучести н пределу прочности.  [c.185]

Приведены новейшие данные по оптической, световой, электронной, просвечивающей, растровой, дифракционной, фотоэмиссиоиной и автоионной микроскопии. Описан метод дифрактометрии в медленных электронах и при использовании электронов с высокими энергиями. Рассмотрен микроанализ с помощью электронного зонда, Оже-спектроскопии и др. Изложены сведения о сварных соединениях. С позиций металлографии классифицированы различные способы сварки, исследованы основные изменения структуры прн сварке с растрескиванием в твердом состоянии, прослежено влияние температурного поля на структурные изменения при различных способах сварки.  [c.28]

Изучением строения изломов и интерпретацией содержащейся в них информации занимается фрактография. Ценность фрактографии как источника информации о механизмах разрущения усиливается тем, что она позволяет однозначно определить источник разрушения. Разработка новых методов изучения поверхности твердых тел каждый раз способствовала развитию фрактографии. Бурный рост фрактогра-фических исследований связан с развитием растровой электронной микроскопии, которая сочетает уникальные возможности одновременного изучения морфологических особенностей рельефа поверхности трещины с разрешением порядка 1,5—2,0 нм, а также химического и кристаллографического микроанализа с разрешением порядка 1 мкм.  [c.187]


При систематическом исследовании с помощью растрового электронного микроскопа изломов материалов на основе переходных ОЦК-металлов, подвергнутых испытанию на одноосное растяжение в щи-роком интервале температур испытания и претерпевших хрупко-пластичный переход [951, установлено, что все кажущееся многообразие видов поверхностей разрушения может быть описано как результат действия весьма ограниченного числа механизмов разрушения, модифицированных влиянием структуры материала и температурно-скоростных условий нагружения. Следует выделить следующие механизмы разрущения скол, слияние пор, хрупкое межзеренное (межъячеистое) разрушение.  [c.187]

Приготовление образцов с покрытиями для просмотра в растровом микроскопе обычно не вызывает затруднений и может проводиться в соответствии с рекомендациями по подготовке металлических образцов [256]. Особое внимание следует обратить на предотвращение изменений рельефа (отслоение и выкрашивание покрытий) при механической подготовке объектов исследования. При изучении неэлектропроводных покрытий для отекания заряда, возникшего на поверхности при сканировании электронного пучка, на образец наносится проводящая пленка углерода или металла. В качестве объекта изучения могут применяться сравнительно крупные образцы —. до 70X20 мм в сечении (размеры должны соответствовать объекто-держателю).  [c.180]

Медленное деформирование материала может приводить к росту трещины не только по плоскостям скольжения, но также и по границам фрагментов Б условиях интенсивного наклепа материала и к потере когезивной прочности в субграницах. Такой вид разрушения сосуда под давлением был зарегистрирован в условиях эксплуатации. Трещина распространялась в сплаве 17Х4НЛ по границе раздела двухфазовой структуры между прослойками феррита (ферритная полосчатость) и мартенситной матрицей, В условиях двухосного растяжения под давлением и длительной выдержки под нагрузкой происходило вязкое отслаивание феррита по приграничным зонам. Трехточечный изгиб образцов в виде пластин, вырезанных из гидроагрегата вдоль образующей его цилиндрической части, показал, что при скорости деформации 0,1 мм/мин образцы имеют высокую пластичность с остаточной деформацией около 8 % в зоне разрушения. Рельеф излома имел полное подобие рельефу эксплуатационного излома. Это означало, что в условиях эксплуатации вязкость разрушения была реализована полностью, хотя на мезоскопическом масштабном уровне (0,1-10 мкм) разрушение было квазихрупким. Пластическая деформация материала была реализована за счет деформации зерен феррита с формированием неглубоких ямок в момент отслаивания феррита по границам мартенситных игл, что привело к столь значительному утонению стенок ямок, что их можно было выявить только при увеличении около 10,000 крат при разрешении растрового электронного микроскопа около 10 нм.  [c.92]

Детальное изучение состава частиц было проведено на Оже-спектрометре LAS-2000 (фирма Рибер , Франция) с коаксиальной электронной нушкой и анализатором электронов тина цилиндрическое зеркало с разрешением доли энергии спектра AWf/ Wf < 0,3 % при остаточном давлении (1,3-2,6) 10 МПа. Ток пучка электронов составлял около 5-10 А, энергия первичного пучка 3 кэВ, диаметр — несколько микрометров. Режим работы во вторичных электронах позволял в режиме работы типа растрового электронного микроскопа выбрать для исследования участок поверхности размером в несколько квадратных микрометров.  [c.157]


Смотреть страницы где упоминается термин Микроскоп электронный растровый : [c.208]    [c.457]    [c.457]    [c.153]    [c.294]    [c.186]    [c.20]    [c.103]    [c.151]    [c.169]    [c.152]    [c.157]    [c.65]    [c.127]    [c.159]   
Металловедение и термическая обработка стали Т1 (1983) -- [ c.0 ]

Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4 (1991) -- [ c.0 ]



ПОИСК



Микроскоп

Микроскоп растровый

Микроскоп электронный

Микроскопия

Микроскопия микроскопы

Микроскопия электронная

Микроскопия электронная растровая



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте