Зона запрещенная

Энергетический спектр идеального полупроводникового кристалла (кристалл без дефектов и примесей) состоит из широких полос разрешенных состояний электронов — зоны проводимости и валентной зоны, разделенных зоной запрещенных состояний (запрещенная зона). В валентной зоне и зоне проводимости энергетические состояния электронов образуют практически непрерывный спектр. [c.295]

Если зона запрещенных энергий очень узка (четвертый тип структуры, показанный на рис. [c.97]

В гл. 5 было показано, что энергетический спектр электрона, движущегося в строго периодическом поле неограниченного кристалла, имеет зонную структуру полосы разрешенных энергий отделены друг от друга зонами запрещенных энергий. Нарушение периодичности потенциала, вызванное дефектами решетки (примесными атомами, вакансиями и др.), приводит к возникновению в запрещенной зоне дискретных уровней. [c.240]

В чистом полупроводнике, как уже указывалось, число электронов в зоне проводимости равно числу дырок в валентной зоне. Уровень Ферми при равенстве эффективных масс электронов и дырок располагается точно посредине зоны запрещенных уровней (рис. 38). На рисунке представлены вид функции Ферми полупроводника с собственной проводимостью, а также распределение электронов и дырок соответственно в зоне проводимости и валентной зоне. [c.58]

Свойства полупроводника зависят от ширины запрещенной зоны. Запрещенная зона — область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике [9]. [c.335]

При полном заполнении валентной зоны переход электронов возможен только в том случае, если они сумеют преодолеть зону запрещенных энергий и перейдут в зону более высоких энергий, имеющую свободные подуровни. Для такого перехода электрону необходима большая энергия. Кристаллы с такой электронной структурой по своим электрическим свойствам относятся к полупроводниковым или диэлектрикам. [c.16]

При переходе к более высоким энергиям зоны разрешенных подуровней становятся шире и перекрываются, а зоны запрещенных энергий при сближении атомов на расстояние а вообще исчезают. Плотность заполнения электронами энергетических зон и их перекрытие определяют электрическую проводимость твердых тел (рис. 18.2). [c.569]

В отличие ОТ металлов в кристаллах неметаллов (ковалентных и молекулярных) валентные зоны полностью укомплектованы и отделены от зоны проводимости, в которой есть свободные подуровни, широкой зоной запрещенных энергий (см. рис. 18.2). При нагреве происходит термическое возбуждение электронов. В некоторых кристаллах часть валентных электронов, преодолев зону запрещенных энергий, попадает в свободную зону, и появляется проводимость их называют полупроводниками. [c.570]

Появление электрического тока в полупроводнике возможно лишь тогда, когда часть электронов покидает заполненную валентную зону и переходит в зону проводимости, где они становятся носителями электрического тока. Для такого перехода электроны должны пройти зону запрещенных энергий АЕ, для чего необходима определенная энергия, которую полупроводник может получить в виде света или теплоты. При нагреве увеличивается концентрация носителей электрического тока, а электросопротивление полупроводника уменьшается. [c.586]

Диэлектриками называют вещества, у которых валентная зона отделена от зоны проводимости широкой зоной запрещенных энергий. Важнейшими твердыми диэлектриками являются керамика, полимеры и стекло. В них преобладает ионный или ковалентный тип связи, нет свободных носителей зарядов. Их удельное электросопротивление равно 10 - 101 0м-м. [c.599]

Из последнего соотношения можно сделать полезный практический вывод. Как было показано выше, 1Го понижается с уменьшением ширины запрещенной зоны кристалла. Следовательно, d/P должно быть большим в материалах с более узкими зонами. Запрещенная зона уве- [c.356]

Бриллюэна см. Бриллюэна зоны запрещенная 83, 161 приведенная 77, 196 проводимости 156 Зонная теория твердого тела, см. Бриллюэна зоны [c.323]

Закись меди 252 Золото 270, 271, 290 Зонная плавка 242, 243, 251 Зона запрещенная 242—245, 248, 250—255 [c.391]

Во всех перечисленных случаях сложившееся к началу зоны запрещения обгона движение в несколько рядов сохраняется, но если водитель закончил обгон и занял освободившееся место в правом ряду, вновь выезжать из него для обгона нельзя. [c.92]

Рнс. 44. Схема распространения зоны запрещения остановки в одном направлении [c.97]

Зона запрещения остановки или стоянки может распространяться ( T упоминаемых в Правилах ориентировки как в обоих направлениях, так и в одном. [c.97]

Во всех остальных случаях зона запрещения остановки или стоянки распространяется в двух направлениях. Например, в местах обозначенных остановок троллейбусов или автобусов остановка других транспортных средств запрещена ближе чем 15 м от указателя в одну и в другую стороны, так как стоящее транспортное средство затруднило бы подъезд троллейбуса или автобуса к тротуару или отъезд от него. Вблизи перекрестка запрещение остановки распространяется во все стороны от перекрестка, т. е. на каждую улицу, выходящую на перекресток (площадь). [c.98]

Остановка или стоянка могут быть запрещены на одной или двух сторонах улицы или дороги. На рис. 45 штриховкой обозначены зоны запрещения стоянки. Действие знаков Л и 5 [c.98]

Аналогично ставят и знак Остановка запрещена . На небольших участках разметкой может быть обозначена зона запрещения остановки или стоянки, за исключением маршрутных транспортных средств общего пользования. [c.99]

Зоммерфельда модель металла 18.1—1 .11 Зона запрещенная 16.1, 16.3 [c.633]

На рис. <12,6 приведены более сложные А ( )-кривые. Из рисунка видно, что (Е) увеличивается с ростом энергии от О до А, затем уменьшается до нуля между и У, а затем снова растет. Интервал энергий ХУ является интервалом запрещенных значений энергии, в котором не существует энергетических состояний, а новая зона состояний начинается от У. Заштрихованная первая зона означает, что все энергетические состояния в ней заняты, а так как между первой и второй зонами имеется зона запрещенных значений энергии, то, следовательно, вещество является изолятором. Положение, показанное на рис. 12, б, аналогично положению для кристалла алмаза, приведенному на рис. 8. [c.37]

Эффект фотонного умножения исследовался с использованием СИ на целом ряде кристаллофосфоров, в частности щелочногалоидных. На рис. 50 приведены спектры поглощения КС1 и спектр возбуждения стационарной люминесценции кристалла КС1—Т1. Интенсивные максимумы в области 7,7 и 9,6 эВ соответствуют созданию экситонов в Г- и Х-точках зоны Бриллюэна. При 20—21 эВ в спектре видны резкие пики, связанные с рождением экситонов при возбуждении уровня катиона. Интересным, в этих спектрах является ступенчатое нарастание эффективности свечения при переходе от 15 к 17 эВ. При 17 эВ квантовый выход люминесценции выше, чем даже при прямом возбуждении Т1+-цент-ров (6 эВ), т. е. больше единицы. Удвоение выхода люминесценции наблюдается в области энергий, где hv>2Eg (для КС1 ширина зоны запрещенных энергий, т. е. ширина щели около 8,3 эВ). Эффект этот связан с тем, что создан- [c.257]

Конец зоны запрещения обгона . [c.36]

Конец зоны запрещения обгона грузовым автомобилям . [c.36]

Конец зоны запрещения [c.29]

Полупроводники качественно отличаются от металлов природой химических связей, структурой и физико-механическими свойствами. От диэлектриков полупроводники отличаются лишь количественно. Полупроводники — это вещества, имеющие при нормальной температуре удельную проводимость в интервале 10" —10 Ом" м , которая зависит от вида и количества примесей, структуры вещества и внешних условий температуры, давления, электрических и магнитных полей, освещения, облучения ядерными частицами. В соответствии с зонной теорией у металлов валентные электроны легко переходят на уровни зоны проводимости и все валентные электроны участвуют в создании тока. У полупроводника энергетическая зона валентных электронов занята полностью и отделена от зоны проводимости зоной запрещенных энергий. К полупроводникам относятся вещества, для которых запрещенная зона равна (0,16- -5,1) 10" Дж. Вещества с большей шириной запрещенной зоны относятся к диэлектрикам. Основу полупроводникового прибора составляет кристалл полупроводникового материала с одним пли несколькими электронно-дырочными р—м-переходами, которые получают,, вводя разнообразные примеси в различные участки одного и того же кристалла. [c.230]

На рис. 7.4 изображена зависимость левой части уравнения (7.75) от параметра аа. Поскольку oska, стоящий в правой части уравнения (7.75), может принимать значения только в интервале от 4-1 до —1, то допустимыми значениями аа являются такие, для которых левая часть уравнения не выходит из указанных пределов. На рис. 7.4 интервалы разрешенных значений аа заштрихованы. Ширина этих интервалов зависит от параметра Р. Чем меньше Р, тем они шире. Кроме того, их ширина зависит и от аа. При любом фиксированном значении Р эти интервалы расширяются с увеличением аа. В силу соотношения (7.66) между а и энергией электрона Е сказанное относится и к энергии. Таким образом, энергия электрона в кристалле не может принимать любого значения. Есть зоны разрешенных и зоны запрещенных энергий. Чередование разрешенных и запрещенных зон иллюстрируют рис. 7.5. [c.225]

В первом хметоде, иредложеином Блохом, для построения волновых функций системы электронов в кристалле исходят из функций для отдельных атомов (приближение сильно связанных электронов). Перекрытие волновых функций, соответствующих двум соседним ионам, приводит к тому, что в кристалле дискретные энергетические уровни отдельных атомов размываются в широкие полосы, ширина которых зависит от того, в какой степени перекрываются волновые функции соседних ионов. Так, полосы или зоны, соответствующие внутренним электронам атома, размыты очень слабо, тогда как зоны, соответствующие основным и возбужденным состояниям валентных электронов, имеют такую ширину, что могут даже перекрываться. В случае неперекрывающихся соседних зон между ними имеется зона запрещенных значений энергии. [c.324]

Когда атомы плотно упакованы в кристаллической решетке твердого тела, их квантовые уровни расщепляются на множество подуровней, близко лежащих друг к другу. Эти подуровни столь близки друг к другу, что в результате образуются сплошные зоны дозволенной энергии. Во многих твердых веществах энергетические зоны отстоят друг от друга на величину энергии, носящей название зоны запрещенной энергии или просто запрещенной зоны. Самые нижние уровни энергии всегда заполнены электронами. Зона, которую занимают внешние — валентные — электроны, носит название валентной зоны. Электрические свойства твердого тела определяются структурой энергетических зон и заполненностью их электронами. Типы расположения энергетических зон показаны на рис. 5.7. Имеется четыре типа расположения этих зон. Б первом случае нижняя зона заполнена не полностью. Это означает, что число энергетических состояний в этой зоне больше, чем число электронов. Вследствие этого электроны могут свободно перемещаться в кристаллической решетке. При втором типе расположения энергетических зон нижняя зона полностью заполне- [c.96]

Ом см до полупроводниковых порядка 10 Ом см. Следует отметить также, что расчеты зонной структуры продемонстрировали для углеродных нанотрубок со структурой типа зиг-заг и гофр наличие типичного металлического электронного спектра, а для хиральных трубок — зоны запрещенных энергий шириной около 0,5 эВ, зависящей от диаметра трубки. [c.69]

Сравнение табл. 41а, 416 и 41в показывает весьма хорошее общее согласие между результатами комбинационного рассеяния, обработанными с помощью концепции критических точек плюс теоретико-групповой анализ, и данными, полученными по рассеянию нейтронов. Хорошее согласие имеется также с результатами, полученными из инфракрасных спектров как на совершенных [91], так и на несовершенных кристаллах [102], где благодаря нарушению симметрии становятся активными однофононные процессы в критических точках на границе зоны, запрещенные в идеальной решетке. Темпл и Хатэвей [101] обнаружили также интересное свойство комбинационного рассеяния, заключающееся в том, что компонента (Г1- --) рассеянного света оказывается существенно интенсивнее, чем компоненты (Г12+) и (Г25+). Следует напомнить (см. правила отбора в табл. 37), что в обертонах могут быть активными все три представления. [c.193]

Правильно поступил водитель автомобиля 2, остановившийся для высадки пассажиров у магазина, так как прерь]вистая линия около тротуара означает зону запрещения стоянки (п. 42, 1.10). [c.111]

Площадка на остановочном пункте предназначена для обеспечения места для людей, ожидающих посадки в трамвай (посадочная площадка). Линия, нанесенная на по краю проезжей части, указывает зону запрещения остановки. Нарушение допущено водителем автомобиля 2, остановившим свой автомс биль В Зоне запрещения остановки. Водитель автомобиля 1 остановился правильно (п. 42 п. 99,е). [c.111]

Величина уширения проезжей части в пределах кривой В назначается в зависимости от величины радиуса кривой. Отношение ширины внутренней полосы проезжей части в, к ширине внешней полосы на кривых в плапе бг определяется в зависимости от радиуса по внутренней кромке проезжей части. Краевая разметка начинается на расстоянии 1 до начала зоны запрещения маневра и заканчивается на расстоянии /г за концом этой зоны. Величины 1 и 2 зависят от длины зон запрещения маневров на кривых. [c.120]

Физика твердого тела (1985) -- [ c.225 , c.231 ]

Диэлектрики Основные свойства и применения в электронике (1989) -- [ c.16 ]

Химия и радиоматериалы (1970) -- [ c.242 , c.245 , c.248 , c.250 , c.255 ]

Материалы в радиоэлектронике (1961) -- [ c.284 ]

Электротехнические материалы Издание 5 (1969) -- [ c.15 , c.16 , c.333 , c.335 ]

Задачи по термодинамике и статистической физике (1974) -- [ c.3 , c.16 , c.16 ]

Модели беспорядка Теоретическая физика однородно-неупорядоченных систем (1982) -- [ c.534 , c.538 ]

Справочник по элементарной физике (1960) -- [ c.113 ]

Лазерное дистанционное зондирование (1987) -- [ c.222 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...