Запрещенные интенсивность

Наличие запрещенных переходов приводит к нарушению закона монотонного роста постоянной распада с энергией а-частиц, которое выражается в том, что в спектре тонкой структуры -частицам с максимальной энергией не соответствует наибольшая интенсивность (см., например, табл. 5). [c.137]

Собственное поглощение. Оно связано с переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полупроводнике при 7 = 0К валентная зона заполнена электронами полностью, так что переходы электронов под действием возбуждения в состояние с большей энергией в этой же зоне невозможны. Единственно возможным процессом здесь является поглощение фотона с энергией, достаточной для переброса электронов через запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости появляется свободный электрон, а в валентной зоне—дырка. Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовавшиеся в результате поглощения света свободные носители заряда приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким образом, для фотонов с энергией hvдлин волн (т. е. больших hv) имеет место сплошной спектр интенсивного поглощения, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при hvинфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энергетических зон межзонное поглощение может быть связано с прямыми или непрямыми оптическими переходами. [c.307]

Благодаря малой плотности газа зоны НИ интенсивно излучают в запрещенных линиях (табл. 45.30). [c.1218]

Простейший и наиболее часто используемый способ получения у-активных ядер основан - на Р-распаде на возбужденные уровни конечного ядра. Особенно интенсивное у-излучение появляется, когда Р-распад в высокой степени запрещен в основное состояние конечного ядра и разрешен в одно из возбужденных состояний. Типичным [c.259]

Зависимость интенсивности ,запрещенных линий от поля различна. В не слишком сильных полях она, как правило, квадратична. [c.386]

Т. е. определяется только числом актов возбуждения за счет ударов 1-го рода (учитывая каскадные переходы). Относительная интенсивность линии становится большой, что, действительно, наблюдается для запрещенных линий в небесных туманностях ( 50). [c.438]

Есть основания полагать, что проведение ядерных испытаний действительно послужило причиной уменьшения массы озона. В 1961 и 1962 гг. интенсивно испытывалось ядерное оружие вплоть до того дня, когда был подписан Договор о запрещении испытаний ядерного оружия в атмосфере Концентрация озона упала до минимума в 1963 г., как если бы это было вызвано 11-летним циклом солнечной активности. Расчеты на моделях, в основу которых были положены процессы образования радиоактивного углерода С в ходе испытаний ядерного оружия (предполагалось, что количество образующихся окислов азота пропорционально количеству образующегося С), показали, что концентрация озона уменьшилась на 3—6 %. [c.306]

Приняты следующие краевые условия. В первой, четвертой и пятой сериях поверхности ротора свободны. Во второй и третьей сериях введены одна и две плоскости симметрии соответственно. Равномерное растяжение реализовано путем запрещения перемещений торцов ротора (цилиндра, пластины) и задания постоянной температуры t = —100 °С). На поверхностях трещин нагрузка отсутствовала. В осесимметричных задачах запрещалось перемещение одного узла (в вершине трещины) по оси вращения г, а в плоских задачах запрещались три перемещения. Сетка в зоне конструкционных концентраторов выполнялась достаточно подробной для определения распределения напряжений в зоне концентратора. В этих расчетах определялись коэффициенты интенсивности напряжений К и компоненты У-интеграла. Для примера в табл. 2.6 и рис. 2.4 даны результаты только для первой серии. Далее отметим особенности основных серий расчетов. [c.98]

Одним из способов регулирования скоростей является ограничение или запрещение обгонов. Этот вопрос решается в зависимости от геометрических размеров дороги, интенсивности и состава движения. В ряде случаев интенсивность движения может значительно колебаться в течение суток. Поэтому периоды ограничения обгонов необходимо распространять на часы с наибольшей интенсивностью движения, информируя водителей о времени ограничения с помощью дополнительных табличек. При ширине проезжей части 7,0—7,1Гм и мокром покрытии запрещение обгонов грузовым автомобилям вводят при интенсивности движения 300 авт./ч, а полное запрещение обгонов при 500 авт./ч. [c.225]

Eg выполняет энергия основного состояния экситона Eg = Ef . Кроме того, в этом случае Es = Ei — E q, или Es = Ei Ei,o, где Е о и Е о — энергии ТО и L0 фононов. При повышении температуры происходит уменьшение как ширины запрещенной зоны, так ж Ef - Интенсивность рассеянного излучения резко возрастает при приближении к резонансу и падает после его прохождения. Поэтому монотонное изменение температуры может сопровождаться немонотонным изменением интенсивности КР. [c.89]

В случае, когда нагревание кристалла проводится с помощью оптических пучков с интенсивностью до 0,1-Ь1 кВт/см , возможно влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства образца сдвиг Бурштейна (кажущееся увеличение ширины запрещенной зоны кристалла вследствие вырождения электронного газа при высокой концентрации свободных носителей) увеличение внутризонного погло- [c.125]

В течение последних десятилетий в оптике и спектроскопии существовали отчетливые возможности создания новых методов термометрии, основанных на активном зондировании твердых тел световым пучком для измерения температурно-зависимых параметров, например, ширины запрещенной зоны кристалла, действительной и мнимой частей комплексного показателя преломления, времени затухания флуоресценции, отношения интенсивностей стоксовой и антистоксовой компонент рассеянного излучения. [c.195]

В гетерогенных системах при фиксированных некоторых координатах возможны нейтральные равновесия за счет перераспределения веществ между гомогенными частями без изменения их интенсивных свойств. Такие процессы называют фазовыми реакциями. При использовании ограничений на термодинамические свойства гетерогенной системы они должны исключаться из рассмотрения. Запрет на определенные процессы не является, однако, чем-то особенным, исключительным с точки зрения методов термодинамики, поскольку понятие термодинамического равновесия имеет смысл лишь тогда, когда конкретно указаны все возможные, допустимые в системе процессы (см. 4). Поэтому можно условиться не рассматривать фазовые реакции, считая их запрещенными, что позволяет, как уже говорилось, выяснить аналогию между устойчивостью равнове-си71 в гомогенных и в гетерогенных системах. С другой стороны, если допустить возможность протекания в гетерогенной системе фазовых реакций, то удается обнаружить существенные особенности поведения гетерогенных систем (подробнее см. [6]). [c.128]

Во-вторых, магнитное поле Земли делает определенные направления входа частиц в атмосферу запрещенными. В частности, положительно заряженные частицы не могут входить в атмосферу под некоторыми углами к горизонту с востока ( запрещенный конус Штер-мера , рис. 12.19). Это приводит к зависимости интенсивности космического излучения от ориентации регистрирующего прибора относительно стран света — эффекту азимутальной или востцчно-западной асимметрии. Величину восточно-западной асимметрии характеризуют отношением [c.640]

Термы 02 и So метастабильны. Наличие переходов с метастабильных уровней и с относительно большой интенсивностью объясняется малой плотностью вещества в туманностях. Вероятность перехода с метастабильного терма на нижележащие термы не равна нулю, она лишь много меньше вероятности разрешенных переходов. При малых плотностях светящегося газа, когда столкновения редки, переходы с метастабильных уровней будут осуществляться (см. 74), и запрещенные" линии появятся в спектре. [c.247]

По виду спектра SyG делятся на три типа Syl (широкие разрешённые и узкие запрещенные линии), Sy2 (и те и др, линии узкие) и ЗуЗ ( лайнеры — линии узкие, относительно велика интенсивность линий низкой ионизации). По этим признакам OSO можно отнести к типу Syl. Кроме спектральных особенностей галактики Syl и Sy2 отличаются и др. характеристиками. Так, мощность рентг. излучения Syl в ср. на порядок больше, чем Sy2, амплитуда оптич. переменности также значительно больше, присутствует быстрая (характерное время т < 1 ) переменность излучения. С др. стороны, галактики Sy2 в ср. имеют более мощное радиоизлучение, более крутой спектр в ИК-диапазоне (что обусловлено в осн. тепловым изду-г чением пыли), тогда как ИК-спектр Syl более плоский я ближе к спектру квазаров. [c.484]

При кислородно-конвертерном процессе продувка чугуна производится сверху через водоохлаждаемую фурму техническим кислородом (чистотой 98—99,5 %). После заливки в конвертер чугуна и загрузки извести на зеркало металла подается по фурме кислород для окисления углерода и примесей, содержащихся в чугуне. Продукты окисления кремния, марганца, фосфора и серы в основном переходят в шлаки, продукты окисления углерода удаляются с уходящими конвертерными газами. Эти газы на выходе из конвертера состоят в основном из оксида углерода (СО = 90 95 %), имеют высокую температуру (более 2000 К) и содержат много конвертерного уноса (до 150 г/м ). Выход конвертерных газов цикличный, отличается большой неравномерностью, зависит от конструкции кислородной фурмы и ее расположения в конвертере во время продувки, интенсивности продувки и состава, характеристики и режима подачи шихтовых материалов. Газовы-деление начинается через 2—4 мин после начала продувки, быстро достигает максимального выхода, затем снижается до нуля за 2—3 мин до завершения процесса продувки. Для конвертера вместимостью 300 т среднечасовой выход газа составляет 18 000 м /ч, а максимальный -пиковый 150 000 м /ч. Выброс таких газов в атмосферу запрещен, их очистка и охлаждение являются технологической необходимостью, [c.69]

Для модельного соединения дифенилсульфофталида (ДФС) щелочной гидролиз дает большой выход (-70%) трифенилметильных радикалов, которые характеризуются многокомпонентным спектром ЭПР и двумя ПП в электронном спектре (интенсивная ПП при 349 нм и слабая ПП запрещенного переходя при 518 нм). [c.50]

Герцберг-Теллеровское взаимодействие обычно меньше Франк-Кондо-новского. Несмотря на это в некоторых случаях оно играет первостепенную роль. Например сечение нерезонансного рамановского рассеяния или интенсивность оптических линий при дипольно запрещенных электронных переходах целиком определяются величиной НТ-взаимодействня. Из формулы (4.15) следует, что чем ближе друг к другу электронные уровни, тем большую роль играет это взаимодействие. [c.57]

Полупроводниковые наночастицы (например, ТЮг, ZnO, 2п8, Сс18е и др.) интенсивно исследуются и с точки зрения фотоката-литических свойств. Наиболее щироко изученный в этом плане объект — это диоксид титана, щирина запрещенной зоны которого составляет около 3 эВ. При взаимодействии полупроводников со светом (в больщинстве случаев используется ультрафиолетовое излучение) поглощение фотонов приводит к образованию электронов (е ) в полосе проводимости и дырок (к ). [c.106]

Сам факт существования таких поверхностных волр можно объяснить следующим образом. В разд. 6.2 мы показали, что для заданной частоты существуют области к , для которых величина К комплексная, причем К - тж/А iK,. Внутри бесконечной периодической среды волна с экспоненциальным изменением интенсивности не может существовать, и мы называем эти области запрещенными зонами. Если периодическая среда является полубесконечной, то экспоненциально затухающая волна может быть вполне законным решением в окрестности границы раздела, где его амплитуда может иметь конечную величи . Огибающая поля внутри периодической среды убывает как где г — расстояние от границы раздела в глубь периодической среды. Она также экспоненциально затухает по мере проникновения в полубесконечную однородную среду при условии, что с/с /со > [c.226]

Во-вторых, значительно более высокая скорость термогенера-ции Go носг1телей в узкозонных полупроводниках <Зо Qxp —Eg/2kT) (здесь —ширина запрещенной зоны сокращает время накопления в таких структурах Go Это означает также, что одновременно в той же степени возрастает минимальная интенсивность регистрируемого светового сигнала /рег-Гн-. [c.187]

Если переходы в состояния 1 и 2 интенсивны и сопровождаются лишь незначительным перераспределением электронной плотности, т.е. малы AfXi и Лц2, то эти состояния имеют одинаковую четность и переход между ними запрещен, т.е. мал дипольный момент Цц. Тем самым малы все три слагаемых (61). Наоборот, если один из переходов, например 0-1, сопровождается ПЗ, то велико значение AjUj, матричный элемент /и 12 может оказаться значительным, и при наличии такого перехода велики первый и третий члены (61). Таким образом, и из рассмотрения трехуровневой системы следует вывод о значительном вкладе в переходов, сопровождающихся ПЗ. Те же рассуждения применимы к многоуровневой системе (см. (54)). [c.32]

В спектре бензола в области 260 нм наблюдается электронно-колебаг тельная полоса поглощения, связанная с электронным переходом Л . Этот электронный Переход запрещен по симметрии, поэтому полоса имеет малую интенсивность. [c.60]

В средах с кубической нелинейностью элементарный акт взаимодействия является четырехфотонным из волн накачки 1 и 2 исчезает, а в волнах 3 и 4 добавляется по фотону. Возможны и другие случаи. Так, в нелинейных средах с ишрокой запрещенной зоной возможны двухфотонные процессы поглощения и испускания. В результате элементарный акт четырехпучкового смешения становится шестиЛотонным, взаимодействие описывается коэффициентом нелинейности х . а добавка к показателю преломления зависит от интенсивности поля квадратично [49] ). [c.17]

Для дальнейшего анализа примем, что взаимодействие вырождено по частоте и что пучки накачки имеют одинаковую интенсивность. Рассмотрим сначала наиболее сложную ситуацию, когда отклик среды является чисто локальным, вследствие чего запрещен прямой энергообмен между пучками, записывающими решетки (см. 1.11д). При этом штрихи световой решетки /13 и динамической решетки 5б)з совпадают (п. 1.2.2). Рождающийся при дифракции на ббвз пучок 4 будет сдвинут по фазе относительно пучка 2 на тг/2. Поэтому световая решетка /24 и совпадающая с ней решетка 5б24 оказываются смещенными по отношению к решеткам/)з и 5б)з на четверть периода. Теперь пучки 1 тлЗ (2 я 4) могут обмениваться энергией на чужих решетках 6624 и 5б)з соответственно. В этом и состоит косвенное (параметрическое) взаимодействие (п. 1.1.3), связывающее все четыре пучка за счет энергообмена одновременно и взаимосвязано меняется контраст световых решеток /)з и /24, а значит и амплитуда динамических решеток бб)з и бб24- Легко убедиться, что все вторичные сигнальные пучки, возникающие при дифракции пучка накачки /) на бб2 4> находятся в фазе с исходным. То же верно и для обращенного пучка 4. Поэтому и вторичные решетки, возникающие в процессе смешения волн, складываются. [c.31]

Правила отбора для многофотоиных процессов типа комбп-национного рассеяния можно получить, выразив интенсивность этого процесса Через сумму произведений однофотонных электрических дипольных матричных элементов. Например, двухфотонный переход из состояния i в состояние k может иметь место, если существует третье состояние /, такое, что оба перехода i- -j и j- k разрешены в электрическом дипольном приближении (и, следовательно, каждый из них подчиняется правилам отбора для электрического дипольного момента, выведенным выше). Переход i- -k запрещен как двухфотониый процесс, если состояния ink такие, что пет третьего состояния /, для которого оба перехода и - k были бы разрешенными. [c.356]

При приближении частоты падающего света к максимуму полосы поглощения интенсивность комбинационного рассеяния резонансно растет (в сотни и более раз) [2.25, 2.26]. Резонансное КР широко применяется для исследования непрозрачных материалов (графита и т.д.). Для резонансной спектроскопии полупроводников методом КР необходим лазер, перестраиваемый по частоте. Величина стоксова сдвига при резонансном КР зависит от энергии кванта падающего света для монокристалла германия сдвиг увеличивается от i opt 1490 см до opt 1550 см при увеличении энергии кванта от 1,5 эВ (Л 830 нм) до 1,65 эВ (Л 750 нм) [2.27]. При фиксированной энергии кванта падающего света hv = 1,65 эВ) величина стоксова сдвига в области резонанса изменяется, как показали эксперименты с твердым раствором Gei aSix в диапазоне х = 04-0,14, от i/opt 1550 см до i opt 1000 см вследствие изменения ширины запрещенной зоны кристалла Eg = 0,805 - - 3,38ж. Поскольку ширина запрещенной зоны изменяется не только при изменении состава кристалла, но и при изменении температуры, возможно применение резонансного КР для термометрии. [c.52]

Диапазон измеряемых температур. Для широкозонных кристаллов (ЫР и т. д.) и стекол верхний температурный предел, вероятно, обусловлен разрушением (плавлением и т. д.) материала. Для полупроводников с шириной запрещенной зоны Eg 1 эВ верхний предел связан с увеличением поглощения света и, вследствие этого, падением контраста интерферограммы до неразличимого уровня (см. рис. 6.10). Предельно допустимыми для измерений будем считать такие температуры, при которых чувствительность 5 уменьшается до минимальной величины, еще позволящей различать осцилляции интенсивности света на интерферограмме. Например, условимся считать, что при уменьшении контраста интерферограммы до 0,001 измерение становится невозможным. [c.163]

Смотреть страницы где упоминается термин Запрещенные интенсивность : [c.297] [c.298] [c.399] [c.205] [c.368] [c.437] [c.438] [c.540] [c.541] [c.122] [c.478] [c.40] [c.142] [c.336] [c.44] [c.165] [c.86] [c.395] [c.16] [c.20] [c.57] [c.190]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...