Запрещенные имена

Ранее отмечалось, что смещения в пространстве волновых векторов на расстояния, кратные 2п/а, физически ничего не меняют. Воспользуемся этим и приведем кривые дисперсии для обобществленного электрона к одной (первой) зоне Бриллюэна тогда вместо рис. 6.9 будем иметь рис. 6.10. На нем штриховкой выделены две разрешенные энергетические зоны 1 — зона проводимости и 2 — валентная зона. Они разделены запрещенной зоной шириной АЕ. В пределах области, выделенной на рисунке штриховой линией, кривые дисперсии как в зоне проводимости, так и в валентной зоне имеют квадратичный характер следовательно, здесь справедлива модель свободных электронов. Правда, масса этих электронов может отличаться от электронной массы кроме того, обратная кривизна квадратичной кривой Б валентной зоне указывает на то, что здесь должна использоваться отрицательная масса. Отрицательности массы можно избежать, если рассматривать в валент- [c.142]

Как показал И. Е. Тамм, вблизи поверхности кристаллического образца возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные нарушением трансляционной симметрии кристаллической решетки вследствие ее обрыва поверхностные состояния или, иначе, уровни Там-ма). В полупроводнике эти состояния локализуются внутри запрещенной зоны. Они могут либо отдавать, либо принимать электроны, в результате чего на поверхности полупроводника образуется заряд того или иного знака, приводящий к изгибу энергетических зон в приповерхностном слое. Если полупроводник содержит донорные примеси (п-полупроводник), то в этом случае электроны будут переходить от примесей на поверхностные уровни в результате поверхность полупроводника зарядится отрицательно, а внутри полупроводника вблизи его поверхности возникнет положительный объемный заряд. Это приводит к изгибу зон, показанному на рис. 7.5, б. Изгиб происходит в пределах слоя толщиной обычно не более 10 м значительная же часть фотоэлектронов зарождается глубже — на расстояниях примерно до 10 —10 м от поверхности. Для таких электронов энергия электронного сродства х и соответственно порог фотоэффекта W увеличиваются на некоторую величину ЬЕ (см. рисунок). Более интересен в практическом отношении случай, когда полупроводник содержит акцепторные примеси (р-полупроводник). В нем электроны будут переходить с поверхностных уровней на примеси, поверхность будет заряжаться положительно, изгиб зон будет иметь вид, показанный на рис. 7.5, в. В данном случае благодаря изгибу зон происходит снижение порога внешнего фотоэффекта. [c.166]

Неравенство (2.48 а) свидетельствует о том, что /-я и (/-(-1)"Я зоны разделены запрещенной зоной. Значения энергии, лежащие в запрещенной зоне, не являются собственными значениями гамильтониана. Это означает, что в отсутствие внешних полей электрон в идеальном кристалле такую энергию иметь не может, чем и объясняется название запрещенная зона . Зоны, энергетические уровни которых принадлежат собственным значениям гамильтониана, называются разрешенными. Ситуации, отвечающие неравенствам (2.48 6), представлены на рис. 28. Разрешенные зоны, в [c.74]

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

Рабочие, запрещенные и безразличные наборы значений двоичных аргументов. Рабочим набором значений двоичных аргументов (рабочим состоянием) для данной функции f называется такой набор, при котором значение функции обязательно должно быть равно единице (/=1). В системах управления рабочее состояние есть та комбинация входных сигналов, при которой должен появиться сигнал на данном выходе. Запрещенным набором значений двоичных аргументов (запрещенным состоянием) для данной функции / называется такой набор, при котором значение функции обязательно должно быть равно нулю () = 0). Все остальные наборы (состояния), кроме рабочих и запрещенных, называются безразличными. Появление сигналов от этих наборов не влияет на действие системы управления, т. е. в этих состояниях может быть и /=1, и / = 0. Другими словами, при рабочем состоянии необходимо иметь сигнал к выполнению данного действия, при запрещенном — нельзя иметь этот сигнал, а при безразличном — безразлично, имеется ли этот сигнал или нет. [c.252]

С повышением температуры из-за увеличения тепловой энергии некоторые электроны разрывают ковалентную связь и появляются в зоне проводимости (рис. 8.2, о). В кристалле собственного полупроводника каждому электрону в зоне проводимости соответствует одна дырка, оставленная им в валентной зоне. В этом случае свободный электрон обладает энергией, большей той, которую он имел в связанном состоянии, на величину не менее энергии ширины запрещенной зоны. [c.268]

Другими словами, при рабочем состоянии необходимо иметь сигнал к выполнению данного действия, при запрещенном — нельзя иметь этот сигнал, а при безразличном — безразлично, имеется ли этот сигнал или нет. Пусть, например, исполнительный орган совершает подъем и опускание, причем в верхнем положении имеется выстой. Тогда для функции, выражающей сигнал к подъему, запрещенным будет то состояние, при котором должно начаться опускание, так как нельзя одновременно подавать сигналы и к подъему и к опусканию. Безразличным будет то состояние, при котором должен быть верхний выстой, так как в этом состоянии безразлично, есть ли сигнал к подъему или его нет — исполнительный орган уже находится в верхнем положении. [c.528]

Локальные уровни в запрещенной зоне полупроводника могут быть эффективными центрами рекомбинации, если они расположены вдали от дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, в противном случае они играют роль уровней прилипания, так как захваченный ими носитель через некоторое время выбрасывается в свою зону. Центры рекомбинации часто называют ловушками, а процесс перехода электрона из зоны проводимости на свободный уровень рекомбинации — захватом электрона ловушкой. Аналогично этому переход электрона с ловушки на свободный уровень в валентной зоне и освобождение уровня ловушки называют захватом дырки ловушкой. [c.175]

В 1785 — получен патент на пять способов превращения возвратно-поступательного движения во вращательное. Дело в том, что самым удобным для этого является применение кривошипа, но оно было запатентовано другим изобретателем. Для того чтобы обойти это запрещение, Уатт потратил два года. Один из созданных им в это время механизмов, носящий и поныне имя изобретателя — параллелограмм Уатта,— является классическим в механике. Одного этого изобретения достаточно, чтобы навеки вписать имя изобретателя в историю техники. [c.28]

Иловые остатки от карбида должны вывозиться на свалку. Ямы для известкового ила должны устраиваться под открытым небом. Закрытые ямы должны быть снабжены устройством для проветривания, а открытые — ограждены перилами. В непосредственной близости от ям должна иметься вывеска с надписью крупными буквами о. запрещении курить и проходить мимо ямы с горящими или тлеющими предметами. [c.46]

Лицензирование деятельности по изготовлению и ремонту. Как известно, лицензирование — выполняемая в обязательном порядке процедура выдачи лицензии юридическому или физическому лицу на осуществление им деятельности, не запрещенной законодательством РФ. Лицензии на вышеуказанную деятельность выдают органы ГМС на территориях субъектов РФ. Основанием для выдачи юридическому или физическому лицу (лицензиату) лицензии являются положительные результаты проверки компетентным органом условий осуществления деятельности. [c.181]

Несмотря на то, что значительная толщина альтернативного диэлектрика снижает токи утечки, ддя получения минимальных токов диэлектрик должен иметь большую ширину запрещенной зоны. [c.149]

Очень важно четко понимать все выводы, которые можно получить с помощью следствия 3. Это в равной мере необходимо как при распознавании процессов, запрещенных следствием 3, так и при установлении допустимых процессов. С этой целью читателю предлагается рассмотреть, противоречат ли указанные ниже процессы следствию 3, и найти своему ответу достаточно убедительное объяснение. Ответы приводятся в приложении Б в конце настоящей главы, однако следует иметь в виду, что эти ответы служат лишь для проверки после того, как упражнение будет выполнено. [c.110]

Пользуясь приближением сильной связи, показать, что линейная цепочка атомов с одним свободным концом может иметь уровни в запрещенной зоне, т. е. в щели между нормальными зонами (в трехмерном случае это отвечает учету атомов на поверхности). [c.76]

Легко видеть, что этот процесс вообще невозможен в случае сверхзвукового движения. Рассмотрим, например, случай плоского потока, т. е. крыло бесконечного размаха, нормальное к направлению потока. Очевидно, что согласно правилу запрещенных сигналов никакие процессы около задней кромки не могут иметь влияния вверх по потоку. [c.33]

Для обозначения на проезжей части мест остановок и стоянок транспортных средств желтой краской наносятся зоны стоянки и линии запрещения остановки. Зона стоянки — это площадка, отведенная для стоянки машин. В зоне стоянки транспортные средства могут стоять столько времени, сколько им потребуется. [c.645]

Наконец, если перед перекрестком установлен предупреждающий знак 1.5 Пересечение с главной улицей или дорогой , то огражденная этим знаком улица или дорога может быть и менее широкой и даже не иметь покрытия. То же самое значение имеют знаки 1.4 — Пересечение со второстепенной дорогой , 2.13 — Проезд без остановки запрещен и 4.9 — Главная улица или дорога . [c.677]

Замкнутая система может иметь энергообмен с окружающей средой, но массообмен запрещен 2Al = onst Sf onst. [c.251]

Чем меньше энергия электронного сродства по сравнению с энергией ударной ионизации, а следовательно, и с шириной запрещенной зоны, тем, во-первых, выше над уровнем вакуума остается фотоэлектрон после столкновения с валентным электроном и, во-вторых, больше фотоэлектронов могут иметь энергию выше уровня вакуума , но ниже порога ударной ионизации. На рисунке показаны два фотоэлектрона — один испытывает столкновение с валентным электроном, энергия другого ниже порога ударной ионизации легко видеть, что оба фотоэлектрона могут участвовать в фотоэмиссии. Фотоэмиттеры, для которых выполняется условие (7.2.6), имеют м здесь Н определяется электрон-фононными и электрон-примеснымп столкновениями. Квантовый выход в максимуме превышает 0,1. Он может увеличиться еще больше за счет размножения фотоэлектро- [c.171]

Теперь вспомним, что число электронов в кристалле не бес-лредельно, поэтому они занимают лишь часть (нижнюю) возможных энергетических состояний вплоть до энергии Ферми. Из изложенного выше следует, что если электронов мало, то энергии Ферми должна отвечать сферическая изоэнергетическая поверхность. Если же число внешних электронов достаточно велико, то энергия Ферми может оказаться вблизи запрещенных энергетических зон, и тогда поверхность Ферми будет иметь несферический характер. [c.74]

Из (6.62) следует, что для разрешенного распада на один уровень график величины F E) будет представлять собой прямую линию, упирающуюся в ось абсцисс при Е = Вт- Таков, например, приведенный на рис. 6.18 график Ферми для распада свободного нейтрона. Отклонения от этого графика будут указывать на отклонения реального спектра от разрешенного. Для сложного распада, состоящего из нескольких разрешенных распадов на разные уровни (рис. 6.19), график Ферми будет иметь прямолинейный участок при больших энергиях электронов, где распад идет только в основное состояние. Для однократно запрещенного распада график Ферми плавно искривляется на всем его протяжении (рис. 6.20). По кривизне кривой можно установить степень запрещенности перехода. Таким образом, по графику Ферми можно разделить слож- [c.244]

Известные сравнительно давно пленки аморф Ного кремния не имели, однако, какого-либо серьезного практического применения, что было обусловлено в первую очередь невозможностью управления их свойствами, поскольку образование некристаллической трехмерной сетки атомов приводит к возникновению большого количества разрывов связей между атомами в тех местах, где расстояния между ними существенно превышают длину химической связи. Такие разрывы, называемые точечными дефектами (рис. 5, а), вызывают появление в запрещенной зоне дополнительных локализованных состояний. Поскольку количество (концентрация) точечных дефектов в пленках аморфного кремния велико, велика и плотность создаваемых ими локализованных состояний в запрещенной зоне. [c.13]

I 17 мкм. Энергия запрещенной зоны составляет, например, для SeAs — 1,7 эв для SeGe — 2,2 эв полупроводниковые стекла характеризуются низкой подвижностью носителей она может составлять-величину 10 см в-сек. Стекла могут иметь как высокую, так и низкую проводимость у = 10 IjoM- M и менее. Многие стекла отличаются относительно большой диэлектрической проницаемостью s = [c.193]

Если затем пучок подвергнуть воздействию электромагнитного излучения с частотой v, соот-ветствующей переходу 2 -> 2 то число /г" метастабильных атомов уменьшится, что может быть обнаружено. Следует, однако, иметь в виду, что запрещенный правилом отбора для квантового числа I переход 2 2Si/2- l З Дпунктирная стрелка) в действительности все же осуществляется (хотя и с малой вероятностью) и ведет к разрушению метастабильного состояния 2 Si/ . [c.575]

Уровень Ферми располагается как раз посередине запрещенной зоны (рис. 6.3, кривая 1). С повышением температуры он смещается вверх ко дну зоны проводимости, если Шр > trin (кривая 2, рис. 6.3), или вниз к потолку валентной зоны, если Шр < т-п (кривая 3, рис. 6.3). В большинстве случаев это смещение настолько незначительно, что им можно пренебречь и считать, что уровень Ферми в собственных полупроводниках располагается посередине запрещенной зоны. Однако у ряда полупроводников оказывается много больше Шп (у InSb, например, Шр л 10/п ) и изменением положения уровня Ферми при изменении температуры препебре-тать уже нельзя. [c.163]

Выделение энергии при межзонной рекомбинации может происходить или в форме кванта света hv, или в виде тепла (фононов). В первом случае рекомбинацию называют излунательной, во втором случае — безызлучательной. Как показывает расчет и эксперимент, межзонная излучательная рекомбинация может иметь существенное значение для полупроводников с узкой запрещенной зоной при относительно высоких температурах (комнатной и выше). Для полупроводников же с широкой запрещенной зоной основным механизмом, ответственным за рекомбинацию, является безызлуча-тельная рекомбинация через примесные уровни. Однако при некоторых условиях и в таких полупроводниках можно достичь относительно высокого уровня излучательной рекомбинации. Как видно из (6.47) и (6.50), этому способствует, в частности, повышение концентрации избыточных носителей в полупроводнике и увеличение степени его легирования. [c.175]

В исключительных случаях начальникам управлений округов (инспекций) Госгортехнадзора УССР или ведомственных инспекций предоставляется право запрещать заводам-изготовителям изготовление объектов 1 лонадзора и аннулировать выданное им разрешение на изготовление этих объектов. Об этом управления округов обязаны немедленно сообщить Комитету Госгортехнадзора УССР, а ведомственные инспекции Котлонадзора — руководству соответствующих министерств или ведомств с представлением мотивированного объяснения причин запрещения. [c.134]

Под лицензированием понимается выполняемая в обязательном порядке процедура выдачи лицензии юридическому или физическому лицу на осуществление им деятельности, не запрещенной действующим законодательством и подлежащей обязательному лицензированию. В рассматриваемом случае ли цензия — это разрешение, выдаваемое органом Государственной метрологической службы на закрепленной за ним террито- [c.535]

Чтобы иметь более глубокое представление о механизмах, участвующих в возбуждении электронным ударом, опишем квантовомеханический расчет сечения а. Для оптически разрешенных или оптически запрещенных переходов без изменения мультиплетности наиболее простым (и во многих случаях дающим наибольшую точность) является расчет с использованием борновского приближения. Пучок моноэнергетических электронов, падающий на атом, описывается функцией плоской волны вида exp(iko-r). Здесь ко = 2п/К а Я, — дебройлевская длина волны электрона [K = (12,26/V) А, где V — энергия электрона в электронвольтах]. Между падающим электроном и электронами атома действует сила электростатического отталкивания. Это взаимодействие считается достаточно слабым, так что вероятность атома совершить переход при соударении очень мала, а возможностью сразу двух таких переходов можно пренебречь. В этом случае уравнение Шрёдингера для рассматриваемой задачи может быть линеаризовано. При этом в сечение перехода [c.141]

Прежде чем завершить это общее рассмотрение модуляции добротности, уместно сделать два заключительных комментария. 1) Из вышеприведенного обсуждения ясно, что для осуществления модуляции добротности необходимо иметь достаточно большое время жизни верхнего лазерного состояния, чтобы инверсия населенностей могла достичь больших значений. Обычно время жизни должно быть порядка долей миллисекунды, что реализуется для переходов, запрещенных в электродиполь-ном приближении. Это имеет место для большинства кристаллических твердотельных лазеров (например, на кристаллах Nd YAG, рубина, александрита) и в некоторых газовых (в СОг- и йодном лазерах). Однако в лазерах на красителе и в некоторых газовых лазерах, имеющих важное значение (например, в Не—Ne-или аргоновом лазерах), лазерный переход является электроди-польно разрешенным и время жизни изменяется от нескольких наносекунд до десятков наносекунд. В этом случае метод модуляции добротности неэффективен, поскольку для накопления достаточно большой инверсии не хватает времени. Кроме того, если время жизни т сравнимо со временем tp, необходимым для достижения световым импульсом пикового значения, то значительная доля накопленной к моменту времени t = Q инверсии при > О будет потеряна на спонтанное излучение, а не давать вклад в вынужденное излучение. 2) Представленная на рис. 5.26 временная зависимость модуляции добротности предполагает, что затвор открывается мгновенно, как показано на этом рисунке, или по крайней мере очень быстро по сравнению с временем развития импульса tp (быстрое переключение). В случае медленного переключения могут возникать многократные импульсы (рис. 5.27). Каждый импульс образуется в тот момент времени, когда мгновенное значение усиления g[t) равно мгновенному значению потерь y t). После каждого импульса усиле- [c.286]

Сам факт существования таких поверхностных волр можно объяснить следующим образом. В разд. 6.2 мы показали, что для заданной частоты существуют области к , для которых величина К комплексная, причем К - тж/А iK,. Внутри бесконечной периодической среды волна с экспоненциальным изменением интенсивности не может существовать, и мы называем эти области запрещенными зонами. Если периодическая среда является полубесконечной, то экспоненциально затухающая волна может быть вполне законным решением в окрестности границы раздела, где его амплитуда может иметь конечную величи . Огибающая поля внутри периодической среды убывает как где г — расстояние от границы раздела в глубь периодической среды. Она также экспоненциально затухает по мере проникновения в полубесконечную однородную среду при условии, что с/с /со > [c.226]

Если имеется несколько типов дефектов, энергетические уровни которых находятся в запрещенной зоне на разной г,чубине, на зависимости j L ) обнаруживаются несколько вертикальных участков, каждый из которых позволяет определить как концентрацию, так и глубину залегания соответствующих уровней. Если же энергетические уровни распределены в некотором интервале в запрещенной зоне, то участок 3 на рис. 2.3,а будет иметь вид не вертикальной, а пологой линии, по углу наклона которой можно найти функцию распределения уровней прилипания по энергиям. Данные об энергетических характеристиках дефектов важны при разработке новых диэлектрических и полупроводниковых материалов, предназначенных для использования в приборах электронной техники. Описанная выше методика по сравнительно несложны.м электрическим измерениям позволяет судить о микроскопической структуре кристаллов [9]. [c.49]

Правила отбора для многофотоиных процессов типа комбп-национного рассеяния можно получить, выразив интенсивность этого процесса Через сумму произведений однофотонных электрических дипольных матричных элементов. Например, двухфотонный переход из состояния i в состояние k может иметь место, если существует третье состояние /, такое, что оба перехода i- -j и j- k разрешены в электрическом дипольном приближении (и, следовательно, каждый из них подчиняется правилам отбора для электрического дипольного момента, выведенным выше). Переход i- -k запрещен как двухфотониый процесс, если состояния ink такие, что пет третьего состояния /, для которого оба перехода и - k были бы разрешенными. [c.356]

Для дипольных переходов экситон должен иметь симметрию л ,-, т. е. Г15. Следовательно, единственно разрешенными электриче-ски-дипольными переходами являются переходы в состояние Tie. Для квадрупольных переходов экситон должен иметь симметрию XiXj, которая при инверсии сохраняет четность. Все представления в уравнении (15.25.1) нечетные, значит, все переходы на эти уровни являются квадрупольными запрещенными переходами. [c.402]

На рис. 9, б представлена схема расщепления дискретных энергетических уровней внешних валентных электронов свободного атома ванадия, имею,щего электронную конфигурацию 3d 4э , в широкие энергетические полосы или зоны при образовании металлического кристалла. Сближение атомов вызывает сильное возбуждение, самых внешних 45 -электронов, образующих широкую энергетическую полосу 45-состояний наименее связанных, почти свободных. электронов, осуществляющих электропроводность. G 4з-полосой перекрывается полоса более глубоких, сильнее взаимодействующих с решеткой Зd-элeктpoнoв, осуществляющих прежде всего металлическую связь. Перекрытие 4s-и Зd-пoлo означает возможность переходов любого валентного электрола из 4s- в Зй-состояние и обратно, т. е. коллективизацию всех валентных электронов. Электроны внешней Зр -оболочки остова локализованы на атомах, т. е. не могут переходить от атома к атому, и следовательно, не принимают участия ни в металлической проводимости, ни в металлической связи. Этому отвечает запрещенная зона АЕ, исключающая переходы между полосой проводимости 4s, 3d и валентной зоной Зр. Однака внешняя Зр -оболочка остова также возбуждена, а именно, Испытывает спиновое расщепление, приводящее к асимметрии р-орбиталей,, сохраняющих р-состояние. [c.26]

Ранее появилось сообп],ение Кара-гуниса и Иссы [ ], в котором кратко излагались результаты исследования СКР и флюоресценции некоторых органических соединений, адсорбированных на порошках аэросила, микропористого стекла и КВг при заполнениях от 1 до 10 слоев. Эти авторы обнаружили в СКР адсорбированных молекул выравнивание интенсивностей всех линий, что дало им возможность в спектрах центросимметричных молекул (например, нафталина, дифенила и пара-терфенила) наблюдать появление новых запрещенных линий, частоты которых близки к частотам соответствующих колебаний в инфракрасных спектрах поглощения. Кроме того, при адсорбции монослоя они наблюдали тушение флюоресценции, благодаря чему ими получены СКР флюоресцирующих соединений (например, терфенила) в состоянии адсорбции. [c.335]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...