Запрещенные «-переходы

Наличие запрещенных переходов приводит к нарушению закона монотонного роста постоянной распада с энергией а-частиц, которое выражается в том, что в спектре тонкой структуры -частицам с максимальной энергией не соответствует наибольшая интенсивность (см., например, табл. 5). [c.137]

Из величин, входящих в формулу (10.35), F (ео) и т могут быть определены экспериментально, а M 2 должно быть близко либо к единице (для разрешенных переходов), либо к нулю (для запрещенных). Поэтому теория р-распада предсказывает, что произведение двух экспериментально измеримых характеристик р-распада (бо) и т] должно быть приблизительно постоянно как для рав-решенных, так и для запрещенных переходов, причем константа во втором случае должна быть существенно больше чем в первом. Наименьшее значение константа F-r дол- [c.152]

Более однозначный выбор варианта теории может быть сделан из анализа формы р-спектра для запрещенных р-переходов Теория показывает, что форма спектра для запрещенных переходов отличается от формы спектра для разрешенных переходов и различна для разных вариантов теории. [c.157]

Таблица 63 Запрещенные переходы в спектрах NII и О III

Аналогичные запрещенные" переходы осуществляются в спектре РЬI, где в лабораторных условиях наблюдены линии [c.247]

Разрешенные и запрещенные переходы [c.39]

Уширение рабочих уровней. Важными характеристиками лазерных уровней является их ширина и характер уширения [18, 20— 22, 26, 31]. Если взять случай изолированного иона, то ширина уровней Аул определяется временем жизни Тл иона на этих уровнях Лvл Tл Время жизни разрешенных переходов составляет 10 с и ширина соответствующих уровней—10 Гц. Для запрещенных переходов время жизни уровней существенно больше (около Ю с),-а ширина уровней соответственно меньше (10 Гц). В реальных лазерных средствах, где ионы неодима подвергаются воздействию кристаллической решетки, картина радикально меняется. Ширина уровней каждого, отдельно взятого иона, определяется уже не временем жизни уровня, а воздействием на ион колебаний решетки (фононов). Чем выше температура кристалла, тем сильнее колебания решетки и тем больше уширяется уровень. Этот фононный [c.21]

Оптические правила отбора и запрещенные переходы [c.345]

В изолированной молекуле электрические дипольные переходы могут происходить только между определенными энергетическими уровнями. Ограничения, накладываемые на уровни, между которыми могут происходить переходы, называются правилами отбора. Строгие правила отбора можно определить по типам точной симметрии Г и f групп МС и пространственной группы К(П). Привлекая подходящие приближения, можно иайти правила отбора по приближенным квантовым числам и типам симметрии. Переходы, запрещенные этими правилами отбора, по разрешенные строгими правилами отбора (а также магнитные дипольные и электрические квадрупольные переходы), называются запрещенными переходами. Обычно запрещенные переходы слабы, и основные особенности электромагнитного спектра молекулы описываются без учета этих переходов. В настоящем разделе мы сначала рассмотрим строгие правила отбора, а затем обсудим приближения, привлекаемые для получения приближенных правил отбора. Рассматриваются также нарушения этих приближений, приводящие к активации запрещенных переходов. [c.345]

Рассчитать форму е,- вблизи особенностей Ван-Хова, полученных в задаче 15.16, в предположении, что переходы первого порядка являются запрещенными. Считать, что для запрещенных переходов матричный элемент р имеет компоненты px t kx и py — ky (Aft — квазиимпульс кристалла минус квазиимпульс особенности Ван-Хова). Схематически изобразить форму энергетического спектра для кристалла из задачи 15.16, считая все критические точечные переходы запрещенными переходами первого порядка. [c.89]

В окрестности двумерного максимума для прямых запрещенных переходов первого порядка имеем [c.396]

Наличие запрещенных переходов приводит к нарушению закона монотонного роста постоянной распада с энергией частиц , который следует из формулы (54). [c.108]

Распады, р-спектры которых имеют форму, изображенную на рис. 40, соответствуют разрешенным переходам подобные спектры наблюдаются у большинства радиоактивных ядер. Запрещенные переходы обусловлены дополнительной зависимостью между моментами количества движения исходного ядра и ядра-продукта. Когда энергия вылетающей частицы мала kорбитальным моментом будет маловероятным (см. гл. 2). [c.115]

Таким образом, обычно Ту С Г а и тгу < Тр. Рассмотрим теперь, чем можно объяснить наличие изомеров и существование запрещенных переходов для у-излучения. [c.123]

Сопоставление спинов и четностей ядер, между которыми наблюдаются разрешенные р-переходы, показывает, что они действительно удовлетворяют правилам отбора Ферми или Гамова — Теллера (или тем и другим одновременно). Примером чистого фермяевского перехода является р-распад sO [(0+ — 0+)-переход] примером чистого гамов-теллеровского перехода— р-распад ядра гНе [(0+—1+)-переход] примером смешанного перехода— 5-распад нейтрона [(1/2+—1/2+)-пере-ход]. Запрещенные переходы (с большими значениями Ft) характеризуются нарушением правил отбора, при этом чем больше нарушение, тем больше константа Fx. Так, например, р-пере- [c.155]

Модель квадруполя используется п 5и рассмотрении так называемых запрещенных переходов, например при спонтанных переходах молекул из метастабнльного состояния в нормальное. [c.250]

Из (6.62) следует, что для разрешенного распада на один уровень график величины F E) будет представлять собой прямую линию, упирающуюся в ось абсцисс при Е = Вт- Таков, например, приведенный на рис. 6.18 график Ферми для распада свободного нейтрона. Отклонения от этого графика будут указывать на отклонения реального спектра от разрешенного. Для сложного распада, состоящего из нескольких разрешенных распадов на разные уровни (рис. 6.19), график Ферми будет иметь прямолинейный участок при больших энергиях электронов, где распад идет только в основное состояние. Для однократно запрещенного распада график Ферми плавно искривляется на всем его протяжении (рис. 6.20). По кривизне кривой можно установить степень запрещенности перехода. Таким образом, по графику Ферми можно разделить слож- [c.244]

Вторая часть теории р-распада основывается на известном (из первой части) Р-распадном взаимодействии для отдельных нуклонов. Целью этой части является углубление знаний о структуре ядра. Для этой части интересны не разрешенные, а, наоборот, запрещенные переходы и вообш,е всевозможные отклонения характеристик распадов отдельных ядер от соответствующих характеристик распада свободного нуклона. Например, О — 0-переход [c.253]

Для возможности наблюдать высокие члены серии Дженкинс и Сегре использовали спектр поглош,ения. Чтобы линии не были расширены, надо было ограничиваться относительно небольшими упругостями поглош.аю-щих паров, поэтому приходилось работать с длинной (свыше 1 м) трубой, наполняемой парами натрия авторы воспользовались магнитом от циклотрона с диаметром полюсов 152 см. Напряженность поля N=27 000 а. Для 10-го члена главной серии натрия сдвиг еш,е не наблюдался, и картина магнитного расщепления совпадала с изображенной на рис. 193а. Начиная с 12-го члена, сдвиг становился заметным, и картина вполне соответствовала теоретической. На высоких членах (л > 20) сдвиг был несколько больше рассчитанного по формуле (9), и линии обнаруживали несимметричное расширение с ббльшим расширением в сторону меньших частот. Этот эффект был объяснен как результат возмущений, в результате которых возникают запрещенные переходы S- F, S—>H и т. д. [c.360]

Для модельного соединения дифенилсульфофталида (ДФС) щелочной гидролиз дает большой выход (-70%) трифенилметильных радикалов, которые характеризуются многокомпонентным спектром ЭПР и двумя ПП в электронном спектре (интенсивная ПП при 349 нм и слабая ПП запрещенного переходя при 518 нм). [c.50]

Чтобы иметь более глубокое представление о механизмах, участвующих в возбуждении электронным ударом, опишем квантовомеханический расчет сечения а. Для оптически разрешенных или оптически запрещенных переходов без изменения мультиплетности наиболее простым (и во многих случаях дающим наибольшую точность) является расчет с использованием борновского приближения. Пучок моноэнергетических электронов, падающий на атом, описывается функцией плоской волны вида exp(iko-r). Здесь ко = 2п/К а Я, — дебройлевская длина волны электрона [K = (12,26/V) А, где V — энергия электрона в электронвольтах]. Между падающим электроном и электронами атома действует сила электростатического отталкивания. Это взаимодействие считается достаточно слабым, так что вероятность атома совершить переход при соударении очень мала, а возможностью сразу двух таких переходов можно пренебречь. В этом случае уравнение Шрёдингера для рассматриваемой задачи может быть линеаризовано. При этом в сечение перехода [c.141]

Малый вклад запрещенных переходов в гиперполяризуемость (локальных П-7Г, а также синглет-триплетных переходов) связан в основном с малой силой осцилляторов, составляющей 0,1—0,01 для и — тг -перехо-дов и не более чем 10 для интеркомбинационных. [c.65]

В этой главе вводятся и поясняются понятия группы приближенной симметрии и приближенного квантового числа. Важными группами приближенной симметрии являются молекулярная точечная группа и молекулярная группа вращений, которые дают нам весьма полезный приближенный способ классификации уровней по типам симметрии группа молекулярной симметрии (МС) и пространственная группа К(П) обеспечивают точную классификацию уровней. Далее рассматриваются взаимодействия уровней энергии молекулы, а группа точной симметрии используется для определения отличных от пуля членов возмущения и правил отбора для взаимодействия уровней. Приближенные квантовые числа и приближенную классификацию уровней по симметрии можно использовать также для выявления сильных возмущений уровней. Затем мы выведем правила отбора для однофотонных электрических дипольных переходов с использованием классификации уровней по квантовым числам и по приближенным и точным типам симметрии. Далее мы обсудим запрещенные переходы, а в конце этой главы кратко рассмотрим магнитные дипольные переходы, электрические квадрупольные переходы, многофотоиные процессы (включая комбинационное рассеяние света) и эффекты Зеемана и Штарка. [c.294]

Таким образом, переход разрешен между электронными состояниями, прямое произведение типов симметрии которых содержит тип симметрии поступательного движения в группе МС ). При этом участвующие в переходе колебательные уровни должны относиться к одному и тому же типу симметрии группы МС. Следовательно, так как волновая функция основного колебательного уровня полносимметрична, переход с поглощением из основного вибронного состояния молекулы может происходить только на колебательные уровни полносимметричных колебаний возбужденного электронного состояния. Однако если имеется вибронное взаимодействие между состояниями Ф ФС и (или) Ф"Ф" и другими виброниыми уровнями других электронных состояний [51] или если электронный момент перехода Ма(е, е") сильно зависит от координат ядер, то остается справедливым только следующее правило отбора по симметрии для вибронно-разрешенных (но электронно-запрещенных) переходов [c.349]

Дополнительные запрещенные переходы разрещаются за счет колебательно-вращательных и ровибропных взаимодействий [см. (11.177)]. [c.350]

Следовательно, мнимая часть е вблизи энергетического зазора монотонна для запрещенных переходов первого порядка около двумерной седловой точки. Форма кривой всего спектра схематиче- e ски изображена на рис. 15.17.1. [c.397]

Для дипольных переходов экситон должен иметь симметрию л ,-, т. е. Г15. Следовательно, единственно разрешенными электриче-ски-дипольными переходами являются переходы в состояние Tie. Для квадрупольных переходов экситон должен иметь симметрию XiXj, которая при инверсии сохраняет четность. Все представления в уравнении (15.25.1) нечетные, значит, все переходы на эти уровни являются квадрупольными запрещенными переходами. [c.402]

Смотреть страницы где упоминается термин Запрещенные «-переходы : [c.155] [c.181] [c.243] [c.172] [c.242] [c.193] [c.140] [c.140] [c.142] [c.142] [c.321] [c.10] [c.350] [c.353] [c.353] [c.363] [c.395] [c.401] [c.402] [c.16] [c.116]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...