Процесс запрещенный

Именно такой процесс запрещен вторым началом термодинамики. Поэтому, чтобы доказать возможность создания ррт-2, нужно неизбежно опрокинуть или обойти стоящий на дороге второй закон термодинамики. [c.118]

Очень важно четко понимать все выводы, которые можно получить с помощью следствия 3. Это в равной мере необходимо как при распознавании процессов, запрещенных следствием 3, так и при установлении допустимых процессов. С этой целью читателю предлагается рассмотреть, противоречат ли указанные ниже процессы следствию 3, и найти своему ответу достаточно убедительное объяснение. Ответы приводятся в приложении Б в конце настоящей главы, однако следует иметь в виду, что эти ответы служат лишь для проверки после того, как упражнение будет выполнено. [c.110]

Если электрону в валентной зоне сообщить энергию, превышающую ширину запрещенной зоны, то он, покидая валентную зону, перейдет в зону проводимости (рис, 16.4, /), При движении по зоне проводимости электрон, потеряв часть своей энергии, опускается к ее дну (рис. 16.4, 2), а в дальнейшем переходит на локальный уровень активатора (рис, 16.4, < ). При уходе электрона из валентной зоны возникает дырка, которая ведет себя подобно положительному заряду. Дырка, двигаясь по валентной зоне, рекомбинирует (рис. 16.4, 4) с электроном, попавшим на уровень активатора из зоны проводимости. Выделенная энергия при рекомбинации электрона и дырки возбуждает ион активатора, являющийся центром высвечивания. Поскольку движение электрона в зоне проводимости происходит с большой скоростью, то процесс люминесценции в данном случае является весьма кратковременным. [c.362]

Первый из этих процессов разрешен законом сохранения странности, а второй запрещен. Аналогичный пример дают реакции [c.186]

Собственное поглощение. Оно связано с переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полупроводнике при 7 = 0К валентная зона заполнена электронами полностью, так что переходы электронов под действием возбуждения в состояние с большей энергией в этой же зоне невозможны. Единственно возможным процессом здесь является поглощение фотона с энергией, достаточной для переброса электронов через запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости появляется свободный электрон, а в валентной зоне—дырка. Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовавшиеся в результате поглощения света свободные носители заряда приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким образом, для фотонов с энергией hvдлин волн (т. е. больших hv) имеет место сплошной спектр интенсивного поглощения, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при hvинфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энергетических зон межзонное поглощение может быть связано с прямыми или непрямыми оптическими переходами. [c.307]

Рекомбинация через локализованные центры. В запрещенной зоне реальных пол) проводников имеется большое количество локализованных состояний, связанных с атомами примесей, дефектами структуры, нарушением периодичности структуры на поверхности и т. д. Эти локализованные состояния играют важную роль в процессах люминесценции. [c.315]

В полупроводниках надо учитывать электрон-фононные и электрон-примесные столкновения, однако решающую роль играют столкновения фотоэлектрона с электронами валентной зоны. Специфика этих столкновений состоит в том, что валентному электрону должна передаваться сразу большая порция энергии — не менее ширины запрещенной зоны Д . При этом валентный электрон переходит в зону проводимости, рождается пара электрон проводимости и дырка. Рассматриваемый процесс называют ударной ионизацией-, энергия, передаваемая фотоэлектроном валентному электрону, называется энергией ударной ионизации. Одного акта ударной ионизации может оказаться достаточно для того, чтобы фотоэлектрон утратил возможность участвовать в фотоэмиссии. [c.170]

Возникает естественный вопрос, обязательно ли будет происходить распад, если он не запрещен никакими законами сохранения. В макромире с его классическими законами это не так. Но в микромире любой энергетически выгодный процесс, не запрещенный законам>1 сохранения, обязательно будет происходить с той или иной (иногда, правда, исчезающе малой) вероятностью. Мы еще встретимся с этим интересным обстоятельством в 3 этой главы и в гл. VH, 2. [c.207]

С электронным захватом конкурирует Р -распад, если он не запрещен энергетически (см. п. 2). Если же энергетически разрешены оба конкурирующих процесса, то позитронный распад для легких и средних ядер обычно преобладает над электронным захватом и часто практически полностью его подавляет. Дело в том, что электронный захват сильно затруднен тем, что электрон даже из ближайшей к ядру АГ-оболочки с очень малой вероятностью может находиться внутри ядра. По порядку величины эта вероятность w равна отношению объема ядра к объему, занимаемому атомной оболочкой [c.247]

Роль законов сохранения зарядов сводится к запрещению процессов с изменением величины хотя бы одного из суммарных зарядов. Например, распад дейтрона d на положительный пион я+ и у-квант не запрещен законом сохранения электрического заряда, но запрещен законом сохранения барионного заряда, так как дейтрон обладает барионным зарядом В = 2, а положительный пион имеет нулевой барионный заряд [c.288]

Посмотрим теперь, в каких ситуациях можно ожидать распады, обусловленные слабыми взаимодействиями. Прежде всего тут действует правило для того чтобы частица (или ядро) заметным образом распадалась за счет слабых взаимодействий, обычно необходимо, чтобы ее распад под влиянием сильных или электромагнитных взаимодействий был запрещен. Например, у нейтрального пиона равны нулю все заряды и странность. Поэтому он может распадаться за счет электромагнитных взаимодействий либо на два фотона, либо на электрон-позитронную пару. Он и распадается в основном на 2 фотона с временем жизни 2 10 с. Быть может, у нейтрального пиона и существуют какие-либо слабые распады, но они происходят столь медленно и тем самым редко, что их практически не удается наблюдать. Единственным исключением из только что приведенного правила являются Р-распадные процессы для очень тяжелых ядер. Все эти ядра нестабильны относительно процессов а-распада и спонтанного деления, обусловленных конкуренцией сильных и электромагнитных взаимодействий (см. гл. VI). Но из-за кулоновского барьера эти процессы настолько подавлены, [c.398]

Наличие локализованных состояний в запрещенной зоне и их распределение по энергиям существенно влияют на электрофизические, оптические и другие свойства некристаллических полупроводников. В свою очередь, количество, а также распределение локализованных состояний по энергиям определяются взаимным расположением атомов, или атомной (молекулярной) структурой материала. Отсутствие дальнего порядка в расположении атомов некристаллических полупроводников приводит к тому, что при одном и том же химическом составе материала его структура (взаимное расположение атомов), а следовательно, и свойства могут быть различными. Эта особенность некристаллических полупроводников, с одной стороны, позволяет управлять при неизменном химическом составе свойствами материала, изменением его структуры в процессе изготовления образцов, а с другой стороны, делает необходимым при производстве приборов на основе некристаллических полупроводников контролировать не только химический состав, но и атомную структуру исходного материала. [c.11]

Ловушки захвата. Кроме рекомбинационных ловушек, в запрещенной зоне полупроводника существуют уровни, которые могут захватывать только один какой-либо тип носителей. Такие уровни называют ловушками захвата. Носитель заряда, находящийся на таком уровне, через некоторое время освобождается и снова участвует в электропроводности. Этот процесс может повторяться. Ловушки захвата обычно расположены вблизи границ запрещенной зоны (рис. 8-10). [c.250]

Энергетические уровни, которые обычно располагаются вблизи центра запрещенной зоны, обеспечивают промежуточный этап в двухступенчатом процессе рекомбинации. Иногда оказывается, что для одного из этапов этого процесса вероятность перехода очень мала. Тогда центр называется ловушкой, так как захватывает носители какого-либо типа и поддерживает неравновесное состояние. [c.311]

Ширина запрещенной зоны Eg для полупроводников, используемых в фотоэлектрических преобразователях, показана иа рис. 5.8, из которого видно, что она слабо зависит от температуры. С другой стороны, как видно из рисунка, зависимость КПД фотоэлектрического преобразования энергии от температуры весьма сильна. Видно также, что запрещенные зоны для всех фотоэлектрических полупроводников лежат в видимой части спектра. Под воздействием солнечного излучения в них появляются свободные электроны. На месте, откуда ушел свободный электрон, остается положительно заряженный ион или, как принято говорить, дырка- . Будет протекать и обратный процесс — рекомбинация дырок и электронов. За счет рекомбинации количество фотоэлектронов, создающих ток во внещней цепи, будет уменьшаться. [c.97]

Есть основания полагать, что проведение ядерных испытаний действительно послужило причиной уменьшения массы озона. В 1961 и 1962 гг. интенсивно испытывалось ядерное оружие вплоть до того дня, когда был подписан Договор о запрещении испытаний ядерного оружия в атмосфере Концентрация озона упала до минимума в 1963 г., как если бы это было вызвано 11-летним циклом солнечной активности. Расчеты на моделях, в основу которых были положены процессы образования радиоактивного углерода С в ходе испытаний ядерного оружия (предполагалось, что количество образующихся окислов азота пропорционально количеству образующегося С), показали, что концентрация озона уменьшилась на 3—6 %. [c.306]

Процесс перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону при рекомбинации может протекать или непосредственно через всю запрещенную зону Eg, как это показано стрелкой 1 на рис. 6.9, или сначала на примесный уровень (стрелка 2), а затем с примесного уровня в валентную зону (стрелка. 3). Первый [c.173]

Локальные уровни в запрещенной зоне полупроводника могут быть эффективными центрами рекомбинации, если они расположены вдали от дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, в противном случае они играют роль уровней прилипания, так как захваченный ими носитель через некоторое время выбрасывается в свою зону. Центры рекомбинации часто называют ловушками, а процесс перехода электрона из зоны проводимости на свободный уровень рекомбинации — захватом электрона ловушкой. Аналогично этому переход электрона с ловушки на свободный уровень в валентной зоне и освобождение уровня ловушки называют захватом дырки ловушкой. [c.175]

Процессы, запрещенные законом сохранения лептонного заряда, в природе не встречаются. Это безнейтринный двойной 3-ра-спад 2п -f 2р + 2е (0 0 + 2), захват антинейтрино нейтроном [c.641]

В дальнейшем мы познакомимся с многими новыми лептон-нымп процессами, существующими в природе, и всякий раз будем убеждаться в том, что они подчиняются законам сохранения лептонных зарядов. И наоборот, процессы, запрещенные законами сохранения лептонных зарядов, в природе не встречаются. В качестве примеров можно привести отсутствие в природе двойного безнейтринного р-распада [c.115]

Процессы, запрещенные законом сохранения лептонного заряда (хотя они разрешены законами сохранения электрического заряда, энергии и импульса), такие, как безнейтринный двойной Р-распад [c.251]

Следовательно, все процессы, имеющие неразумно большие времена релаксации, являются кинетически заторможенными и могут не приниматься во внимание при термодинамическом анализе более быстрых процессов. Ограничения, на основании, которых из рассмотрения исключаются некоторые из возможных в принципе, но не происходящих практически процессов, должны, конечно, формулироваться заранее при описании термодинамической модели явления. Например, условие постоянства объема системы исключает возможность ее расширения, условие неподвижности компонентов исключает возможность диффузионных процессов и т. д. Одновременно становятся необязательными и равновесия, соответствующие этим запрещенным процессам. [c.35]

В гетерогенных системах при фиксированных некоторых координатах возможны нейтральные равновесия за счет перераспределения веществ между гомогенными частями без изменения их интенсивных свойств. Такие процессы называют фазовыми реакциями. При использовании ограничений на термодинамические свойства гетерогенной системы они должны исключаться из рассмотрения. Запрет на определенные процессы не является, однако, чем-то особенным, исключительным с точки зрения методов термодинамики, поскольку понятие термодинамического равновесия имеет смысл лишь тогда, когда конкретно указаны все возможные, допустимые в системе процессы (см. 4). Поэтому можно условиться не рассматривать фазовые реакции, считая их запрещенными, что позволяет, как уже говорилось, выяснить аналогию между устойчивостью равнове-си71 в гомогенных и в гетерогенных системах. С другой стороны, если допустить возможность протекания в гетерогенной системе фазовых реакций, то удается обнаружить существенные особенности поведения гетерогенных систем (подробнее см. [6]). [c.128]

В квантовой механике не всегда возможны переходы с поглощением одного фотона между двумя состояниями, если даже энергия фотона равна разности энергий между этими уровнями. В таком случае говорят, что подобные переходы запрещены. Преимуществом двухфотонного поглощения является то, что этот процесс возможен и в том случае, если даже переход между соответствующими состояниями запрещен. Следовательно, исследуя двухфотонрюе поглощение, можно обнаружить уровни, между которыми запрещен однофотонный переход. [c.402]

Под действием света, падающего на поверхность полупроводника, в нем образуются пары л-р-носителей (электрон-дырка). Неосновные носители (дырки в полупроводнике л-типа и электроны в р-полупроводнике) диффундируют в область п-р-перехода, втягиваются в него и образуют пространственный заряд по другую сторону перехода. Таким образом, происходит накопление носителей тока разных знаков в двух противоположных частях полупроводника. Однако этот процесс не может продолжаться сколь угодно долго, так как в результате накопления зарядов возникает электрическое поле, препятствующее дальнейшим переходам. Таким образом, наступает динамическое равновесие между переходами электр01 0в (дырок) в одну и другую сторону. В результате образуется постоянная разность потенциалов (фото-э. д. с. ), не превьппающая ширины запрещенной зоны в полупроводнике, выраженной в вольтах. [c.443]

Обратимся к вопросу о разрешенных и запрещенных р-перехо-дах. Выше уже отмечалось, что Р-распад ядра представляет собой переход нуклона ядра из одного зарядового состояния в другое. При этом начальное и конечное состояния ядра для наблюдаемых процессов Р-распада должны удовлетворять определенным условиям (фермиевские и гамов-теллеровские переходы). Эти условия [c.247]

Второе следствие, которое может быть получено из модели оболочек, касается пра1вил отбора при р-распаде. В 10 было отмечено, что правила отбора связаны с изменением спина и четности ядра в процессе р-раопада. Модель оболочек позволяет предсказать это изменение и, следовательно, характер соответствующего р-перехода (разрешенный или запрещенный, а для запрещенного также порядок запрещенности, т. е. теоретическое значение величины т). [c.198]

Если бомбардирующая частица представляет собой достаточно сложное ядро (в настоящее время на ускорителях можно получать ионы многих легких элементов, включая loNe), то процессы передачи становятся весьма разнообразными, так как в них могут участвовать целые ядра (например, гНе , iH ) или группы нуклонов (например, 2—3 р или 2—3 п). Кроме того, становится возможным (запрещенный для дейтона законом сохранения изотопического спина) процесс взаимного обмена разными нуклонами между бомбардирующим ядром и ядром-мишенью. [c.456]

Первый из этих процессов разрешен законом сохранения странности, а второй запрещен. Так как все гипероны имеют отрицательную странность, то /( -мезон в реакциях обычного типа (без образования антигиперо нов) может возникнуть только в паре с или 7(°-мезоном. [c.614]

Таким образом, опыты по поиску двойного р-распада подтверждают справедливость введенного в 11 закона сохранения лептонного заряда, согласно которому безнейтринный процесс типа (17.11) запрещен. Однако следует заметить, что точность современных расчетов и экспериментов не исключает возможности небольшого нарушения этого закона сохранения. [c.241]

С помощью понятия U-спина можно также легко проанализировать возможные и запрещенные электромагнитные переходы. Действительно, с точки зрения SU (3)-симметрии все члены данного и-мультиплета имеют одинаковые электромагнитные свойства (не только величину заряда, но и его пространственное заспределение, магнитный момент и другие характеристики). Лоэтому для них электромагнитное взаимодействие одинаково. Таким образом, электромагнитное взаимодействие строго сохраняет U-спин, а значит, фотону надо приписать LJ-спин, равный нулю. Отсюда получаются следующие разрешенные и запрещенные по U-спину электромагнитные процессы [c.311]

Элементарные процессы в кристаллофосфорах. Значительно более сложна картина процессов, происходящих Б кристаллофосфорах. Общее представление о ней можно получить, обратившись к ркс. 8.2. Здесь Ei — вершин а валентной зоны, Е — дно зоны проводимости, АЯ — ши-]7нна запрещенной зоны, Е я Е — соответственно основной и возбужденный -уровни примесного иона-активатора (здесь для простоты рассматриваются только два уровня г, общем случае примесный ион имеет большее число уровней), 9 — один из экситонных уровней, —уровень примеси, играющей роль ловушки для электронов про- [c.188]

Примером изолятора может служить стехиометрический кристалл поваренной соли. В процессе образования КаС1 единственный Зз-электрон атома натрия присоединяется к атому хлора, при этом Зр-зона ЫаС1 полностью заполняется, так как до передачи электрона на Зр-орбиталях хлора было пять электронов. Значит, в кристалле поваренной соли в валентной зоне нет вакантных энергетических уровней, а в зоне проводимости нет электронов. Большая величина запрещенной зоны кристалла ЫаС1 (около 8 эВ) не позволяет при обычных условиях осуществить переход электронов из валентной зоны в зону проводимости. [c.83]

Будет ли 3-распад разрешенным или запрещенным, определяется моментами и четностями материнского и дочернего ядер. Чтобы установить связь типа р-распада с моментами и четностями ядер, выясним, чему равняются полный момент и четность, уносимые парой е — Vg. Полный момент пары складывается из ее орбитального и спинового моментов. Последний в свою очередь равняется сумме орбитального момента относительного движения е — Ve и их спинового момента 8 = 0 или 1. Мы уже указывали в п. 1, что р,-распад — процесс внутринуклонный, т. е. электрон и антинейтрино вылетают практически из точки. В этих условиях их относительный орбитальный момент всегда должен равняться нулю ). [c.241]

Рекомбинационными ловушками являются доиорные или акцепторные уровни, достаточно удаленные от граннц запрещенной зоны. Процесс рекомбинации через ловушку может происходить следующим образом. На первой ступени 1 процесса электрон захватывается незанятым уровнем ловушки (рис. 8-9, б). Таким образом, электрон выбывает из процесса электропроводности, а ловушка становится отрицательным ионом. В stom состоянии ловушка будет находиться до тех пор, пока к ней не подойдет дырка. Электрон перейдет на свободный уровень в валентной зоне, т, е. осуществится вторая ступень рекомбинации 2. [c.249]

Сопоставление величины запрещенной зоны А12О3 с энергией отрыва электрона ОН"-группы (2.16 эВ), а также учет напряженности поля в оксиде (15 МВ/см), действующего на электрон в процессе роста пленки, позволяет считать барьер на границе оксид—электролит инжекционным. В то же время сравнение работ выхода А1 и А12О3 (3.93 и 3.35 эВ соответственно) дает возможность с большой вероятностью допустить возникновение запорного контакта на границе оксид—металл. [c.77]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...