Порог фотоэффекта

Переходя от металлов к полупроводникам, следует применять в уравнении Эйнштейна вместо работы выхода Ад порог фотоэффекта Г. [c.165]

Как показал И. Е. Тамм, вблизи поверхности кристаллического образца возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные нарушением трансляционной симметрии кристаллической решетки вследствие ее обрыва поверхностные состояния или, иначе, уровни Там-ма). В полупроводнике эти состояния локализуются внутри запрещенной зоны. Они могут либо отдавать, либо принимать электроны, в результате чего на поверхности полупроводника образуется заряд того или иного знака, приводящий к изгибу энергетических зон в приповерхностном слое. Если полупроводник содержит донорные примеси (п-полупроводник), то в этом случае электроны будут переходить от примесей на поверхностные уровни в результате поверхность полупроводника зарядится отрицательно, а внутри полупроводника вблизи его поверхности возникнет положительный объемный заряд. Это приводит к изгибу зон, показанному на рис. 7.5, б. Изгиб происходит в пределах слоя толщиной обычно не более 10 м значительная же часть фотоэлектронов зарождается глубже — на расстояниях примерно до 10 —10 м от поверхности. Для таких электронов энергия электронного сродства х и соответственно порог фотоэффекта W увеличиваются на некоторую величину ЬЕ (см. рисунок). Более интересен в практическом отношении случай, когда полупроводник содержит акцепторные примеси (р-полупроводник). В нем электроны будут переходить с поверхностных уровней на примеси, поверхность будет заряжаться положительно, изгиб зон будет иметь вид, показанный на рис. 7.5, в. В данном случае благодаря изгибу зон происходит снижение порога внешнего фотоэффекта. [c.166]

Если на поверхность полупроводника адсорбировать в виде тонкой пленки (толщиной порядка 10" м) электроположительные атомы, создающие дополнительные поверхностные уровни донорного типа, то можно еще сильнее снизить порог фотоэффекта. Используя сильнолегированный р-полупроводник, можно получить в данном случае фото- [c.166]

И обрывается нри длине волны ко (длинноволновы порог фотоэффекта). [c.340]

Длинноволновый порог фотоэффекта 0 А 3000 [c.531]

Рассеяние рентгеновских лучей. Высказанные выше утверждения экспериментально проявляются [278] при рассеянии атомом рентгеновских лучей вблизи порога фотоэффекта (т. е. ионизации). Полное сечение, а следователь- [c.497]

ДЛЯ каждой температуры образца, только три совпадают с кривой Фаулера, то они подогнали к двум оставшимся точкам другую кривую Фаулера. Таким образом они получили для каждой температуры два порога фотоэффекта, причем оба, конечно, ложные. [c.278]

Работа выхода для полупроводника или металла есть раз-ность между энергией электрона на уровне Ферми вблизи поверхности и энергией покоящегося электрона в вакууме на больших расстояниях от поверхности. Для однородной поверхности металла порог фотоэффекта при О К равен /гто = еф. Однако порог фотоэффекта полупроводника /IVi почти никогда не равен работе выхода, поскольку пороговая энергия фототока — это та энергия, которую необходимо сообщить электрону, чтобы выбить его с наивысшего заполненного уровня в вакуум. Высший заполненный уровень обычно лежит вблизи верхней границы валентной полосы, а не есть, как в металле, уровень Ферми. Если нет изгиба валентной зоны и зоны проводимости вблизи поверхности, т. е. отсутствуют поверхностные уровни, то расположение энергетических уровней соответствует приведенному на фиг. 4.23, а, где % — сродство к электрону, Еа — ширина запрещенной зоны, Ер — уровень Ферми, Ес — нижняя граница зоны проводимости, Еу — верхняя граница валентной зоны, Е]—положение уровня Ферми для собственного полупроводника. Очевидно, что куг = %+Еа- [c.279]

Результаты измерения работы выхода и порога фотоэффекта для грани (111) [c.283]

Работа выхода и порог фотоэффекта для граней монокристалла кремния, эВ [c.285]

IV — кажущийся порог фотоэффекта пятнистой поверхности в сильном поле [c.310]

Зависимость выхода фотоэффекта У от энергии фотонов Нч вблизи порога /гм/ для различных механизмов фотоэффекта и рассеяния [c.203]

На практике, конечно, реальная степенная зависимость выхода фотоэффекта от энергии фотонов неизвестна заранее, и обычно строят кривые зависимости выхода в степенях 1 0,7 0,5 и 0,4 от /IV, чтобы определить, какая из них дает лучшее приближение к прямой линии в области порога. Поскольку в каждом данном веществе обычно действует несколько из перечисленных выше механизмов, маловероятно, чтобы кривая была линейной во всем диапазоне энергий фотонов. Экстраполяция к нулевому значению выхода той из названных выше кривых, которая наиболее близка к прямой, дает значение порога /lV(, [c.203]

Квантовый выход Ф. э. из металлов в видимой и ближней УФ-областях электрон/фотон. Это свйзано прежде всего,с малой глубиной выхода фотоэлектронов, к-рая значительно меньше глубины поглощения света в металле. Большинство фотоэлектронов рассеивает свою энергию до подхода к поверхности и теряет возможность выйти в вакуум. При энергии фотонов вблизи порога фотоэффекта большинство фотоэлектронов возбуждается янже уровня вакуума и не даёт вклада в фотоэмисснонный ток. Кроме того, коэф. отражения в видимой и ближней УФ-областях велик и лишь малая часть излучения поглощается в металле. Эти ограничения частично снимаются в дальней УФ-области спектра, где У достигает величины 10 электрон/фотон при v lOaB рис. 1). Случайные загрязнения могут снизить Ф и сдвинуть порог Ф. э. в сторону более длинных волн. При этом У в дальней УФ-области спектра может возрасти. [c.365]

Фотоэлектричество. Фотоэлектрическое явление происходит при поглощении атомами вещества лучистой энергии и состоит в том, что поток световой энергии вырывает из металла электроны. Выведение электрона из данного Д1еталла начинается лишь с определённой частоты световых волн называемой порогом фотоэффекта. Порог фотоэффекта зависит от вещества освещаемого тела. Порог в видимой части спектра имеют щелочные металлы (литий, натрий, калий, рубидий). Скорость, приобретаемая злектро-нами при фотоэффекте, зависит лишь от длины световых волн, но не от интенсивности освещения. От интенсивности освещения зависит число электронов, отрываемых от атомов в единицу времени. Фотоэффект может происходить и иа поверхности тела (поверхностный, или внешний эффект), и внутри него (объёмный, или внутренний, эффект). Приборы, в которых происходит преобразование лучистой энергии в электрическую, называются фотоэлементами. [c.496]

Фотоэлектрическая работа выхода, или, точнее, кажущийся порог фотоэффекта для этой поверхности, оказалась равной 4,74 0,02 эВ, что находится в прекрасном согласии со значением, полученным методом термоэлектронной эмиссии Норриса. Авторы полагают, что предварительная температурная обработка кристалла, проводившаяся Норрисом, приводила, вероятно, к образованию такой же поверхностной структуры. [c.239]

Другими словами, в случае, когда нет дискретных уровней между валентной зоной и зоной проводимости, с которых может происходить фотозмиссия, порог фотоэффекта определяется соотношением [c.273]

III. Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта [порог фотоэффекта) — такая наименьшая частота (или наибольшая, < красная длина волны макс). при которой сще возможен внешний фотоэффект. При viSTv ,,,,, фотоэффекта быть не может. [c.412]

Другие эффекты, возникающие при поглощении у-лучей. Выбивание нуклонов из ядра за счет поглощения у-квантов (ядерный фотоэффект) и вообще расщепление ядер у-квантами практически не играют роли е поглощении у-нзлучения. Порог ядерного фотоэффекта лежит в области энергий 6- 10 Мэв, что соответствует энергии связи нуклона в ядре. При ядерном фотоэффекте из ядра обычно вылетают нейтроны, т. е. идет реакция (у, п). Эффективное сечение процесса, как правило, возрастает при увеличении Z вещества. [c.154]

Уравнение (2.10), описывающее фотоэмиссию проводников, в рамках зонной схемы было получено в приближении свободных электронов, которое несправедливо для полупроводников. Кроме того, для проводников всегда считается, что фотоэлектроны выбиваются с поверхности, так что фотоэлектрическая эмиссия у проводников — почти полностью поверхностный эффект, в то время как теоретические и экспериментальные исследования показывают, что фотоэффект у полупроводников частично носит поверхностный, а частично объемный характер. Различные возможные механизмы образования и рассеяния фотоэлектронов в полупроводниках были исследованы Кейном [14], который показал, что зависимость фотоэлектронного выхода от энергии падающих фотонов вблизи порога может следовать различным энергетическим законам в зависимости от деталей индивидуаль- [c.202]

Весьма перспективным для ПЦЧЗ является использование фото-приемников с продольным фотоэффектом. Для определения положения лазерного пятна по двум координатам датчик изготавливают в форме круга, а выходные зажимы располагают по окружности под углом в 90°, Порог чувствительности таких устройств составляет 0,015 мкВт, а постоянная времени порядка 5 мкс. Линейность сигнала зависит от размеров чувствительного элемента, а также от того, насколько используется его рабочая поверхность. [c.40]

Фотоэлектрические П. о. и. непосредственно преобразуют эл.-магн. энергию в электрическую. Их разделяют на П, о, и, с внеш. и внутр. фотоэффектом. К ним относятся фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фоторезисторы, фотодиоды, электронно-оптические преобразователи, П. о. и, с фотоэлектро-магн. эффектом, квантовые усилители оптич. диапазона. Эти П. о. и. селективны, и их реакция зависит от величины энергии отд. поглощённых квантов. Спектральная хар-ка П. о. и. с внеш. фотоэффектом имеет характерную длинноволновую (красную) границу в области 0,6—1,2 мкм, определяемую природой в-ва чувствит. элемента приёмника (см. Работа выхода). Фотоэлектрич. П. о. и. с внутр. фотоэффектом в зависимости от типа чувствительны и в далёкой И К области спектра (до 10—30 мкм). Порог чувствительности П. о. и. с внеш. фотоэффектом может быть доведён до 10-12—10-15 Вт/Гц при постоянной времени 10 с. Порог чувствительности т. н. счётчиков фотонов (полупроводниковых лавинных фотодиодов) ещё выше — до 10 Вт/Гц Предельная чувствительность фоторезисторов 10 — 10Вт/Гц при постоянной времени 10 —10 с. [c.586]

ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМЙССИЯ (внешний фотоэффект), испускание эл-нов ТВ. телами и жидкостями под действием эл.-магн. излучения в вакуум или др. среду. Практич. значение имеет Ф. э. из ТВ. тел в вакуум. Осн. закономерности Ф, э. 1) кол-во испускаемых эл-нов пропорц. интенсивности излучения 2) для каждого в-ва при определ, состоянии его поверхности и темп-ре Г=ОК сугцествует порог— миним. частота щ (или макс. длина волны о) излучения, за к-рой Ф. э. не возникает 3) макс. кйнетич. энергия фотоэлектронов линейно возрастает с частотой излучения ш и не зависит от его интенсивности. [c.830]

Смотреть страницы где упоминается термин Порог фотоэффекта : [c.167] [c.469] [c.628] [c.313] [c.314] [c.389] [c.422] [c.404] [c.276] [c.280] [c.310] [c.310] [c.310] [c.310] [c.146] [c.146] [c.165] [c.167] [c.411] [c.427] [c.449] [c.143] [c.122]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...