Рассеяние и повторное рассеяние

Рассеяние и повторное рассеяние [c.274]

Последнее из сделанных допущений наиболее существенно. Оно, в частности, означает, что не учитывается повторное рассеяние УЗ-волн, уже однократно рассеянных на неоднородностях среды. Например, считали, что структурные помехи от точки В (рис. 5.46) достигнут преобразователя в момент времени, определяемый расстоянием АВ. В действительности сигнал от точки В, рассеянный не в направлении на преобразователь, может рассеяться еще раз в точке С и прийти в точку А одновременно с сигналом однократного рассеяния от точки D А ВС А = 2AD). Это пример влияния двукратного рассеяния, однако происходит [c.290]

Установлено, что двукратным рассеянием можно пренебречь, когда бр 1 < 0,02. Если это условие нарушается и превалирует повторное рассеяние, то практически вся Рис. 5.46. Схема многократного картина распределения помех на (двукратного) рассеяния ЛИНИИ развертки дефектоскопа фор- [c.290]

Для исследуемого процесса или объекта существенна природа характеризующей его величины. В некоторых задачах эта величина постоянна, а не случайна (например, длина одного и того же повторно измеряемого стержня вес повторно взвешиваемого предмета расстояние между заданными неподвижными точками и т. п.). Здесь в результате опыт требуется найти одно значение определяемой величины. В других задачах определяемая величина является случайной (например, размер деталей в партии механические свойства, определяемые по группе образцов отклонение разрывов точек падения снарядов от центра цели и т. п.). Здесь в результате опыта требуется найти те или иные вероятностные характеристики определяемой величины, чаще всего ее среднее значение и меру рассеяния относительно этого среднего значения. [c.210]

Процесс затухания колебаний,обусловленный повторными отражениями от границ зерен металла, называется структурной реверберацией. Это явление может быть объяснено неодинаковостью упругих свойств зерен, вследствие чего при переходе из одного зерна в другое ультразвук подвергается изменениям на их границах — отражению, преломлению и постепенному рассеянию. Затухание колебаний зависит от свойств материала, характеризуемых коэффициентом затухания б, складывающимся из коэффициентов поглощения Sn и рассеяния бр б = бп 4 бр. [c.68]

Однако в большинстве случаев сложность задачи этим не исчерпывается. Когда светорассеивающее вещество занимает большой объем, то картина осложняется повторным, многократным рассеянием, при котором в каждой точке рассеивающего вещества надо считаться с рассеянием не только основного освещающего пучка (например, от солнца), но и с рассеянием всех других пучков, приходящих в ту же точку по всем направлениям из светящегося вокруг вещества. [c.98]

Однако, как показывает опыт, в подавляющем большинстве случаев функция ошибки механизма F (а.) является достаточно стабильной и ее рассеяние при повторных измерениях не превышает обычно 10—15% от величин кинематической ошибки механизма. Измерение и анализ такой функциональной кинематической ошибки позволяют сделать весьма важные практические выводы и указать сравнительно простые приемы существенного повышения точности исследуемого механизма. [c.15]

В том случае, если кинематическая ошибка цепи деления обнаруживает заметное рассеяние при повторных измерениях, т. е. является нестабильной, это явление всегда связано с неисправностями станка или измерительного прибора, которые могут быть устранены, и тем самым рассеяние значений функции ошибки уменьшено до возможного минимума. [c.96]

Как мы видим, волновая функция со временем расплывается в пространстве и затухает из-за рассеяний на свободных электронах и дырках. Как было аргументировано на примере обычного газа, затухание волновой функции вида (264) по закону ф ехр(-уг) соответствует уменьшению вероятности существования исходного пакета и сопровождается внезапным возникновением нового пакета с вероятностью с1г/т за время с1/. Происходит коллапс волновой функции с уничтожением прежнего волнового пакета и рождением нового пакета. Коллапсы происходят случайно и распределены по закону Пуассона. Размеры волновых пакетов поддерживаются самими рассеяниями, так что = Йт/т, а среднее значение пр-. Как мы видим, размеры волнового пакета слегка пульсируют от коллапса к коллапсу Лр = при рождении пакета и Лр /2Ь перед следующим рассеянием, сопровождаемым повторным коллапсом. Если частота столкновений V зависит от скорости частицы, то возникают дополнительные особенности в поведении волнового пакета. А именно, если волновой пакет распространяется со скоростью 0 вдоль оси X, то частоту столкновений у у) можно приближенно представить в виде у( ио) + у ( и — ио), где у = (с1у/с1г)) . Член у у приводит к затуханию волнового пакета вида ехр(—V х/2). Поэтому огибающая волнового пакета (без учета нормировки) выглядит как [c.253]

А именно, с точки зрения квантовой механики каждый акт рассеяния частиц друг на друге выглядит как рассеяние волновой функции. Каждый акт парных столкновений можно описать на языке сначала сходящихся, а потом расходящихся волн. В замкнутой системе частиц такая "паутина" из сходящихся и расходящихся волн может существовать сколь угодно долго. Но в открытой системе многократно сходящиеся волны (при многих повторных рассеяниях) не смогут существовать из-за того, что такой процесс требует очень точной "настройки" сходящихся волн. Взаимодействие с внешним окружением уничтожает целую половину возможных состояний, оставляя только расходящиеся волны (при многих повторных столкновениях). [c.385]

Отражение и преломление. Лучи, падающие па поверхность частицы, частично отражаются и частично преломляются. Преломленный свет может выйти после повторного преломления, происходящего, возможно, после нескольких внутренних отражений. Свет, как вЫходя щий подобным образом, так и непосредственно отраженный от внешней поверхности частицы, дает вклад в полное рассеяние частицей. Энергия, которая ие выходит из частицы, теряется за счет поглощения внутри нее. Очевидно, количество поглощенной и рассеянной энергии, а также угловое распределение и поляризация рассеянного света заметно зависят от формы и строения частицы и от условий на ее поверхности. Формулы для гладких шаров выводятся в разд. 12.21. [c.125]

Диаграмму рассеяния атмосферной дымки нельзя исследовать так же просто, как ее закон ослабления, так как из-за присутствия повторного рассеяния из света неба нельзя просто выделить компонент, обусловленный молекулярным рассеянием, и компонент, обусловленный дымкой. Тем не менее фотометрия распределения света по дневному небу может дать довольно правильное представление о диаграмме рассеяния аэрозоля, особенно в связи с тем, что его присутствие в атмосфере обычно ограничивается нижними 3000 м. Измерения поляризации света будут значительно труднее, и, насколько известно автору, они не проводились. [c.487]

Применимость приведенных выше результатов к экспериментальным значениям резонансных ширин неоднократно подтверждалась [40]. Рассмотрим сначала повторное испускание нейтрона при энергиях, достаточно низких для того, чтобы пренебречь неупругим] рассеянием и каналами с I > 0. Тогда единственным открытым каналом распада оказывается повторное испускание нейтрона с / = 0. [c.327]

Ясно, что эта процедура принципиально важна тогда, когда из-за слишком большой интенсивности потенциала оказывается непригодным борновское приближение (10.10) для амплитуды рассеяния на отдельном узле. Да и независимо от формальных соображений графической техники физически совершенно разумно сопоставить каждому атому (см. 10.3) его правильную амплитуду рассеяния, учитываюш ую все эффекты повторного рассеяния. Имеется в виду, что при такой подстановке значительно улучшится оценка влияния геометрических эффектов на электронный спектр ( 10.4 и 10.5). [c.482]

Второе замечание состоит в том, что рассеянные волны будут вторично и вообще повторно и многократно рассеиваться другими препятствиями. Такие рассеянные волны будут поправкой по отношению к однократно рассеянному полю, подобно тому как однократное рассеяние при совместной работе нескольких излучателей было поправкой к их первичному полю. Если однократно рассеянное поле мало по сравнению с первичным, то каждая вторично и многократно рассеянная волна мала по сравнению с однократно рассеянной, и ими можно пренебречь, если число рассеивателей не слишком велико. Но если рассеивателей много, то по мере распространения первичной волны произойдет накопление рассеянных волн, и в результате однократно рассеянное поле уже не будет мало по сравнению с первичным даже при малости [c.350]

Явлением многократного рассеяния пренебрегают, когда брЯ,< <0,02. Если это условие нарушается в 3...5 раз, то повторное рассеяние превалирует и почти вся картина распределения помех на линии развертки дефектоскопа формируется в результате многократного рассеяния импульсов в зоне крупнозернистого материала, расположенной вблизи преобразователя. [c.133]

При выводе формул (10.11) и (10.12) были сделаны допущения излучение происходит в полубесконечное пространство со статистически однородной структурой, т. е. нет зон с сильно отличающейся структурой рассеяние изотропно по всем направлениям длительность рассеяния каждым элементарным объемом равна длительности излученного импульса, т. е. рассеяние от каждого рассеивателя (кристаллита) начиняется в момент поступления к нему зондирующего импульса и кончается одновременно с его окончанием. Последнее допущение является наиболее существенным. Оно, в частности, означает, что не учитывается повторное рассеяние ультразвуковых волн, уже претерпевших однократное рассеяние на неоднородностях среды. Например, считали, что структурные помехи от точки В (рис. 73) придут в момент времени, определяемый расстоянием АВ, В действительности сигнал от точки В, рассеянный не в направлении преобразователя, может рассеяться еще раз в точке С и прийти на преобразователь в тот момент, когда на него приходит сигнал однократного рассеяния от точки О, удовлетворяющей условию АВСА 2АО, Это пример влияния двукратного рассея ния, однако, существует и более сложное многократное рассеяние. [c.157]

Достаточно точных формул для расчета помех с учетом повторного рассеяния до настоящего времени не получено. Экспериментальные исследования [32], направленные на раздельную регистрацию эффектов однократного и многократного рассеяния, также довольно сложны. Они позволили установить, что рассмотренное приближение при выводе формул для среднего уровня помех приемлемо лишь для материалов со средней величиной зерна, значительно меньшей длины волны ультразвука. Когда это требование нарушается и повторное рассеяние превалирует, то почти вся картина распределения помех на линии развертки дефектоскопа формируется в результате многократного рассеяния импульсов в зоне крупнозернистого материала, расположенной близко к преобразователю. [c.157]

Использование РС-преобразователя целесообразно также с точки зрения локализации зоны контроля. Но главное преимущество заключается в снижении уровня помех от повторного рассеяния [32]. Если излучатель и приемник будут иметь узкие диаграммы направленности, а угол пересечения их осей будет 15—20° или больше, то многократное рассеяние ультразвука от зерен материала вблизи излучателя практически не достигнет приемника. В этих условиях источником структурных помех будет являться лишь зона вблизи точки пересечения осей, в результате чего эффект повторного рассеяния резко снизится. [c.169]

При контроле стержней и пластин прямым преобразователем со стороны торца (рис. 5.44, в) продольная волна распространяется вдоль двух свободных поверхностей, поэтому возникают ложные сигналы и связанная с ними интерференция, как было рассмотрено ранее. Кроме того, наблюдаются ложные сигналы, обусловленные рассеянием ультразвука на неровностях поверхности. Появлению этих сигналов способствует трансформация продольной волны, излучаемой прямым преобразователем, в поперечную (см. рис. 1,6). Поперечная волна распространяется под большим углом скольжения к поверхности, повторно отражается и дает значительный ложный сигнал в сторону преобразователя. [c.286]

Случайные ошибки измерений вызываются многочисленными факторами, малыми по своему индивидуальному влиянию на результат и не могущими быть учтенными при проведении опыта. Наличие случайных ошибок измерения проявляется при многократных повторных измерениях одной и той же неслучайной величины в том, что результаты измерения оказываются различными. Рассеяние результатов измерения обычно подчиняется закону Гаусса. [c.211]

Для условий дифракции, при которых динамическое рассеяние дает существенный вклад в интенсивности резких брэгговских отражений, оно будет влиять и на интенсивность диффузного рассеяния. Прежде всего следует принимать во внимание, что падающий пучок не является единственным сильным пучком в данном кристалле. Каждый дифрагированный пучок будет в свою очередь служить источником диффузного рассеяния. Далее, диффузно рассеянное излучение при прохождении через кристалл будет испытывать дифракцию. Пучки, рассеянные диффузно в двух направлениях, угол между которыми равен удвоенному брэгговскому углу, могут взаимодействовать динамически, что, помимо всего прочего, приведет к образованию линий Косселя и Кикучи (гл. 14). Наконец, диффузно рассеянное излучение может повторно рассеиваться диффузно один или несколько раз, так что для толстого кристалла наблюдаемая интенсивность диффузного рассеяния может оказаться суммой многих многократно рассеянных компонентов, которые все модифицированы динамическим взаимодействием брэгговских отражений. [c.274]

Испол1 ,зование рзз,дельно-соймещенных преобразователей. РС-преобразователи с углом схождения 5. .. 2 f и более позволяют резко снизить уровень помех от повторного рассеяния. При углах 20. .. 45" к направлению излучения находится минимум интенсивности первичных помех. РС-преобразователи, кроме того., характеризуются минима.иьнь м уровнем собственных помех. [c.294]

В этом случае на фоне сигналов структурных помех на экране дефектоскопа практически иевозможно отличить эхо-сигналы от дефектов. Изменение параметров контроля, основанное на полученных в работе [39] аиалитических зависимостях между амплитудами полезных сигналов и структурных помех, не обеспечило существенного повышения отношения сигнал — помеха. Это связано с тем, что расчет уровня структурных помех проводили для следующих условий объемной реверберации (рассеяние ультразвука на равноосных зернах) с учетом первичного рассеяния длительность рассеяния отдельными зернами равна длительности излучаемого импульса рассеяние считается равномерным по всем направлениям. При этом не учитывается повторное рассеяние УЗ-волн. Такое приближение допустимо лишь в случае контроля сравнительно мелкозернистых материалов, когда средний размер зерна D значительно меньше длины УЗ-волны к. [c.345]

В качестве примера приведём схему опыта по двойному рассеянию, в к-ром определяется поляризация. Рассмотрим упругое рассеяние на угол веполяризов. частиц со спином 1/2 на неполяризов. мишени с произвольным спином а. После рассеяния частицы в о6-1цем случае окажутся поляризованными. Из инвариантности относительно вращений и отражений следует, что поляризация Р рассеянных частиц со спином 1/2 равна Р = Р 1, где 1 — единичный вектор нормали к плоскости рассеяния, а Р является ф-цией энергии и угла рассеяния. Пусть теперь рассеянные частицы со спином /2 повторно рассеиваются на угол й в той же плоскости и на такой же мрппени (рис. 2). При рассеянии налево (% = Яц где Я2 — единичный вектор нормали во втором рассеянии) сечение равно [c.273]

Рассмотрим кратко рассеяние ультразвуковых волн вследствие ди( х )узного отражения их от частиц, имеющих другие физические свойства (по сравнению с окружающей их средой) и четкие границы. Среды, содержащие такие частицы, называются гетерогенными. Примерами гетерогенных сред могут служить суспензии (жидкости со взвешенными в них твердыми частицами), аэрозоли (газы со взвешенными твердыми частицами), эмульсии (жидкие капли в нерастворяющей жидкости), жидкости, содержащие газовые пузырьки, в частности кавитационного происхождения, а также такие среды, как стекла, ситаллы, шнepaлы, некристаллические металлы и т. д. При распространении в такой среде первичной ультразвуковой волны она будет отражаться от содержащихся в ней частиц, возбуждая их вынужденные колебания, что и приведет к излучению частицами вторичных, т. е. рассеянных волн. Эти однократно рассеянные волны, вообще говоря, в свою очередь будут многократно отражаться другими частицами. Однако коль скоро однократно рассеянное поле невелико по сравнению с первичным, то повторно рассеянными волнами можно пренебречь, если число рессеиваю-щих центров ие слишком велико. Пренебрежение повторным рассеянием эквивалентно предположению об отсутствии акустического взаимодействия частиц, т. е. предположению, что колебания одной частицы не влияют на колебания другой. Тогда суммарное поле, рассеянное па совокупности частиц, можно найтн как суперпозицию полей, однократно рассеянных каждой частицей, и задача о рассеянии ультразвука в гетерогенной среде сводится к задаче о рассеянии иа одной частице с последующим суммированием результата по всем частицам, расположенным в рассеивающем объеме. При этом форму частицы в достаточном приближении можно принять сферической, тем более, что при малых размерах частиц по сравнению с длиной волны и на достаточно больших расстояниях от них отклонение формы реальных частиц от сферической не играет существенной роли. [c.161]

Рассмотрим оптическую систему, состоящую из плоского зеркала с внешним металлическим покрытием, сложенного со стеклянной пластинкой, запыленной с внутренней стороны. Предположим, что запыленная поверхность I, выполняющая роль плоского диффузора (рис. 1.1), отделена от параллельной ей зеркальной поверхности II тонкой воздушной прослойкой толщиной 1. Пусть на такое тонкое запыленное воздушное зеркало 3 падает плоская первичная световая волна под углом г, а интерференцию рассеянных световых пучков наблюдают на удаленном экране (случай интерференции в параллельных лучах). Обобщая рассуждения Стокса [7] и их развитие Раманом и Даттой [9], можем сказать следующее. Испытывая частичное рассеяние на поверхности I, зеркальное отражение от поверхности II и повторное частичное рассеяние на поверхности I, первичная волна делится на несколько частей и в рассеянных лучах возникают несколько перекрывающихся пучков, которые схематически можно изобразить при помощи лучей 1а, 2а, За, 4а, и 46. [c.10]

Рассмотрим два близких луча 1 и 2 первичного пучка, которым на выходе из источника S соответствует очень малая апертура интерференции 2и. Пусть луч 1 на прямом пути проходит диффузор Дф вблизи рассеивающего центра А без рассеяния и после отражения от зеркала 3 возвращается к А и испытывает рассеяние на центре А под углом О, формируя рассеянный луч 1. Пусть при этом луч 2 испытывает рассеяние на том же центре А под тем же углом 9 на прямом пути и проходит повторно диффузор Дф на обратном пути без рассеяния, формируя рассеянный луч 2, параллельный лучу 1. Лучи 1 и 2 перекрываются в точке Е фокальной плоскости I-I линзы Л. Проведём побочную оптическую ось ОЕ. Из треугольника EOS видно, что расстояние г между точками Е и S составляет г = Ftg или, с учётом малости угла 9, имеем г = Е 9. Проведём далее отрезок D перпендикулярный к лучам 1 и 2. В силу таутохронности участков [c.38]

При сварке малоуглеродистой стали стык, сваренный вполне качественно оплавлением, без последующей термической обработки обладает высокой прочностью при действии статической, ударной и циклической (регулярной повторно-переменной) нагрузок. Предел прочности сварного соединения со снятым гратом и полностью удаленным усилением, как правило, не ниже предела прочности основного металла. Ударная вязкость образцов с надрезом в плоскости стыка обычно лежит в пределах 6—12 KZMj M . Относительно невысокая ударная вязкость сварного соединения по сравнению с соответствующими показателями для основного металла и значительное рассеяние результатов испытания сварных соединений на удар объясняются крупным зерном в зоне сварки. Ударная вязкость сварного соединения может быть существенно повышена термической обработкой сварного соединения (его нормализацией при температуре около 930 или низким отжигом при Г= 630ч-650°). [c.89]

Предположение, что действительные размеры годных деталей 1будут обязательно принимать либо наибольшие допустимые либо наи- меньшие допустимые значения, является нереальным, так как из-за неизбежных погрешностей изготовления и измерения размеры в партии деталей обычно отличаются для разных экземпляров. Отличаются и повторно снятые характеристики одного и того же процесса. Такое наблюдаемое различие в значениях величин, которые теоретически должны быть одинаковыми, принято называть рассеянием. [c.128]

Все последовательные коллапсы должны быть согласованы между собой. Пусть частица номера "1" подходит к рассеянию при / = т с огибающей волновой функции ехр(-г /2Л ), где = Ь + Нт /т. При рассеянии на частице с номером "2" она, по предположению, должна сколлапсировать в пакет ехр -г /2Ь ) из-за того, что ее предыдущий партнер по рассеянию испытывает к этому времени сильную декогерентность. В свою очередь, частица с номером "2" перед рассеянием и в момент рассеяния должна испытывать аналогичные изменения. С другой стороны, частица с номером "2" должна испытать коллапс при повторном рассеянии при I = 2т, превратившись в пакет вида ехр(-г /2й ), где гг отсчитывается от центра пакета. Если от этого состояния частицы "2" вернуться к моменту времени / = т, то мы получим пакет вида ехр Г - г /2(Л ) 1, где (Л ) = - 1Нт/т. Этот пакет соответствует той компоненте в суперпозиции рассеянных волн, частицы "2", которая при = 2т превратится в ехр -Г2/2Ь ). Совместная волновая функция частиц с номерами "1" и "2", отвечающая пришедшему из прошлого пакету "1" и вычисленной из будущего составляющей волновой функции "2", в точке Г = гг равна ехр [ - 1 /2Л - /2(Л ) ]. Эта величина равна [c.235]

Случайные ошибки измерений вызываются многочисленными факторами, малыми по своему индивидуальному влиянию на результат и не могущими быть учтёнными при проведении опыта. Наличие случайных ошибок измерения обнаруживается при многократных повторных измерениях одной и той же неслучайной величины в том, что результаты измерения оказываются различньши. Рассеяние результатов измерения обычно подчиняется закону Гаусса (см. Сведения из теории вероятностей" о теореме Ляпунова и об условиях возникновения распределений по закону Гаусса). [c.301]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...