Коэффициент затухания электромагнитной

У идеального диэлектрика проницаемость — чисто вещественная величина, поэтому угол б — ф О на - 0. В хорошо проводящем веществе, где токи проводимости преобладают над токами смещения, tg б у/((овок ) У 1, угол б - 90", фазовый сдвиг ф45 ", коэффициент затухания а = [ л/рц у, т. е. численно равен коэффициенту затухания электромагнитного поля в проводящей среде (см. 1-2). У реального диэлектрика угол потерь лежит в интервале от о до 90°, а фазовый сдвиг 0<ф<45°. [c.142]

Выбранные методы позволяют определить непосредственно в изделии большое количество различных физических характеристик таких как скорость и затухание упругих волн (продольных, сдвиговых, поверхностных, изгибных, Лэмба, Лява и др.), коэффициент отражения и преломления упругих волн, угол поворота плоскости поляризации сдвиговых волн, диэлектрическую проницаемость, тангенс угла электрических потерь, коэффициент затухания электромагнитных волн, коэффициенты отражения, прохождения и преломления электромагнитных волн СВЧ и ИК диапазона, которые могут быть использованы при комплексном контроле механических, технологических и структурных характеристик композиционных полимерных материалов. [c.104]

Коэффициент затухания электромагнитной волны в диэлектрике с потерями равен [c.19]

Достоинствами ферритов являются стабильность магнитных характеристик в широком диапазоне частот, малые потери на вихревые токи, малый коэффициент затухания электромагнитной волны, а также простота изготовления ферритовых радиодеталей. [c.85]

Теперь можно подвести итоги всем проведенным вычислениям и оценкам. Осциллятор, находящийся в электромагнитном поле, спектральная плотность энергии которого L непрерывно поглощает мощность в количестве, определяемом выражением (8.31). В то же время он излучает по всем направлениям мощность, определяемую произведением коэффициента затухания и средней энергии [см. (8.25)]. В условиях равновесия надо приравнять излучаемую мощность той мощности, которую осциллятор забирает от воздействующего на него электромагнитного поля. Это позволит получить искомую связь между плотностью энергии поля Uy и средней энергией осциллятора . [c.420]

Проведены ориентировочные испытания коэффициента экранного затухания а материалов, наполненных различными марками магнитного графита. Наиболее высокие показатели затухания электромагнитных волн (40 дБ и более) при длине волны от 10 м до 7 см имеют композиции, наполненные 400...500 (масс.ч) магнитного графита, содержащие в своем составе от 40 до 70 % (масс.) углеродной составляющей. Данная тенденция прослеживается как в сантиметровом, так и в метровом диапазоне длин волн. [c.661]

Как было указано, затухание можно создавать пневматическими, жидкостными и электромагнитными успокоителями. Наиболее удобным и надежным является электромагнитное успокоение. Силы сопротивления в таких успокоителях возникают за счет э. д. с., индуктируемой в короткозамкнутых обмотках или цельнометаллических массивных частях. Коэффициент затухания в таких успокоителях строго постоянен, так как сила затухания пропорциональна первой степени скорости. Степень успокоения можно регулировать очень гибко. Если успокоение создается короткозамкнутой обмоткой, то степень успокоения регулируется величиной шунтирующего сопротивления (на рис. 2-13 сопротивление R). Если успокоитель представляет собой сектор или цилиндр, то регулировка происходит за счет индукции в рабочем зазоре или пропилов в успокоителе. Как правило, каркас катушки вибродатчика выполняется металлическим и служит одновременно успокоителем (например, датчики МЭД и МВ-23). [c.66]

В результате потерь энергии в кабельных линиях амплитуда электромагнитных колебаний вдоль линии уменьшается. Уменьшение мощности электромагнитной энергии вдоль кабельной линии передач характеризуется коэффициентом ослабления а (раньше эта величина называлась коэффициентом затухания). [c.50]

При определении потерь мы будем считать, что поле в диафрагмированном волноводе описывается одной основной волной электромагнитного поля. Это предположение сделано с целью упрощения формулы для коэффициента затухания. [c.80]

К лазерам с периодической модуляцией оптических характеристик относятся РОС- и РБО-лазеры [5, 9, 12]. Пространственной периодической модуляции могут быть подвергнуты любые параметры этих лазеров, влияющие на условие распространения в них электромагнитной волны полупроводниковые среды, коэффициент затухания или усиления, размеры сечения волновода, форма граничной поверхности и т. д. В ИЛ периодическая структура может быть или совмещена с усиливающим слоем, или расположена за его пределами, выполняя по существу роль селективных по частоте многослойных концевых зеркал обычного резонатора. В первом случае — это РОС-лазеры, во втором — РБО-лазеры. Лазерные структуры с периодической модуляцией оптических характеристик различаются порядком дифракции, равным целому числу полуволн лазерного излучения, укладывающихся на периоде неоднородности. Наиболее удобным методом осуществления РОС является создание на границе соответствующих монокристаллических слоев дифракционных решеток с необходимыми параметрами. [c.116]

На рисунках 2.21 и 2.22 показано экспериментально измеренное распределение поля Е = /(г). Волновое сопротивление линии передачи поверхностных волн зависит в частности от толщины слоя. Режим волн оказывается тем ближе к режиму стоячих волн, чем больше не согласование с волновым сопротивлением окружающей среды Однако в ДЗ величина коэффициента затухания а не зависит от характера волн. Таким образом, добавление в экспериментальную установку электромагнитного экрана нецелесообразно в силу указанной инвариантности а. [c.175]

При расчетах лучистого теплообмена в объеме обычно используется величина, называемая коэффициентом ослабления луча, которая характеризует относительное изменение интенсивности на единицу длины пути луча в поглощающей и рассеивающей среде. Эта величина по своему физическому смыслу аналогична логарифмическому декременту затухания в обычном уравнении затухающих механических или электромагнитных колебаний. [c.11]

Для большинства твердых тел указанным эффектом обычно можно пренебречь. Гораздо более существенными для них оказываются гистерезисные потери, имеющие место в течение каждого цикла поляризации и вызывающие нагревание тела. Для таких тел задача о хрупком разрушении решается в два этапа. Сначала из решения уравнений Максвелла определяется поглощение электромагнитной энергии в среде, причем диэлектрическая постоянная и коэффициент поглощения считаются известными из опыта. Коэффициент поглощения связан с шириной резонансной кривой или же с шириной спектральной линии. Затухание волн можно учесть также, задавая связь между напряженностью Е и поляризацией Р в виде [c.513]

Заметим, что затухание волны не обязательно связано с истинным поглощением электромагнитной энергии диссипация энергии происходит лишь тогда, когда мнимая часть е(ы) отлична от нуля, а коэффициент и может быть отличен от нуля и при вещественном (отрицательном) е(ы). Именно так дело обстоит для плазмы при ы<ыр, где Ыр — плазменная частота (см. 2.3). Фактически это означает, что излучение при е(ы)<0 не может проникнуть в вещество и происходит полное отражение волны на границе. [c.81]

В формуле (2.2.2) соо — собственная частота колебаний электрона со — частота колебаний электромагнитной волны А, В — постоянные у — коэффициент, характеризующий затухание колебания в среде. [c.54]

Затухание излучения внутри оптического волокна обусловлено как поглощением в материале волокна (включая рассеяние, вызванное флуктуациями плотности на микроскопическом и атомном уровнях), так и самим процессом распространения света в волноводе. Первый механизм затухания определяется материалом и может быть исследован на любом образце этого материала, тогда как второй определяется геометрической формой волновода. Потери, обусловленные поглощением в стекле, можно подразделить на три части поглощение материала, поглощение на примесях, неизбежно присутствующих в материале, и поглощение на атомных дефектах. Эти потери можно описать феноменологически через коэффициент потерь а. — характеристику рассматриваемого материала, который определяет относительное затухание на единицу длины полной энергии, переносимой электромагнитным полем. Разумеется, необходимо ввести два коэффициента потерь 1 и 2 первый из которых относится к материалу сердцевины, а [c.603]

Еще одним источником затухания является рассеяние света на флуктуациях плотности числа частиц на атомном уровне. Если бы атомы и молекулы составляли идеально однородную структуру, то поля, рассеиваемые отдельными атомами, при интерференции взаимно компенсировались бы и рассеяние не наблюдалось. Этого не происходит из-за наличия локальных неоднородностей, зависящих от времени и вызванных тепловыми флуктуациями. В волокне неоднородности имеют статический характер и образуются при температу)эе Т фазового перехода стекла эти неоднородности остаются замороженными в стекле после его затвердевания. Наличие таких неоднородностей в стекле вызывает рассеяние (рэлеевское рассеяние) электромагнитных волн, приводящее к их затуханию с коэффициентом (см. также разд. 8.13.4) [c.604]

И СОСТОИТ из трех произведений бозонных операторов 6 содержит. 1 и 2, частоты и волновые числа взаимодействующих волн, значения производных от функции м)р(кр.) в точке кр., а также объем V основной области периодичности, в котором электромагнитные поля и колебательная координата были разложены по плоским бегущим волнам. При выводе предполагалось, что в этом объеме волновые амплитуды постоянны. Однако для вещества с реальными свойствами (затухание поляритонной волны) и для обычных экспериментальных условий (например, параметрическое усиление стоксовой волны) полного постоянства волновых амплитуд предполагать нельзя, поэтому линейные размеры основной области следует выбрать так, чтобы они были малыми по сравнению с обратным коэффициентом поглощения, или коэффициентом усиления. Полный оператор взаимодействия получится в результате пространственного интег- [c.386]

Расчет с привлечением методов квантовой электродинамики. Выражения (3.144), (3.145) для коэффициента отражения г(со) и радиационного затухания Г о получены в рамках классической электродинамики. Покажем, что те же результаты можно получить, используя методы квантовой электродинамики. В связи с этим напомним, что одиночному электромагнитному кванту йсо, распространяющемуся в среде с диэлектрической постоянной е I,, отвечает амплитуда векторного потенциала [c.104]

Для измерения затухания упругих волн наибольшее распространение получил импульсный метод, состоящий в определении соотношения амплитуд двух импульсов, прошедших разный путь в материале. Мешающие измерению потери здесь вызываются дифракционным расхождением волн, непараллельностью поверхностей и неполным отражением волн на границах образца или изделия. Например, при наблюдении многократных отражений импульса в образце с плоскопараллельными поверхностями очень трудно учесть потерь на границе образец—пьезопреобразователь, когда контакт с последним осуществляется через тонкий слой жидкости. Случайные измерения толщины слоя могут вызвать резкое изменение коэффициента отражения. Большей точности измерения удается добиться, используя иммерсионный или бесконтактный (электромагнитно-акустический) способ возбуждения акустических волн. [c.229]

Усилитель должен передавать акустической системе весьма незначительную часть сопротивления источника, чтобы обеспечить сильное электромагнитное затухание на низких и на высоких частотах. Коэффициент ослабления (демпфирования) Ра выражается как [c.46]

Па рисунке 3.6 представлена структурная схема реализации данного метода [39]. С помощью систем приемных вибраторов 7 и 5 измеряют затухание напряженности поля электромагнитной волны в нормальной плоскости относительно направления распространения волны и рассчитывают коэффициенты нормального затухания из выражения Е ( у) = ехр [- ос (у)у], а в микропроцессорном устройстве 2 рассчитывают толщину обтекателя из формулы [c.154]

На затухание электромагнитных волн существенное влияние оказывает только содержание магнитного графита (см. рис. 9.17). С увеличением этого содержания в композициях затухание электромагнитных волн ущественно растет. Композиции наполнением магнитного графита 500 (масс.ч) и выше позво-тают получать электромагнитные экраны с коэффициентом экранного затухания электромагнитных волн 40...60 дБ/мм и удельным эбъемным электросопротивлением менее 10 Ом м, независимо эт типа применяемого эласто-мерного связующего. [c.665]

Коэффициент затухания а характеризует уменьшение электромагнитной энергии при распространении её по кабелю. Уменьшение или затухание энергии объясняется потерями её в линии передачи. Различаются два вида потерь потери в металле и потери в изоляции. При прохождении тока по кабелю происходит нагревание внутреннего и внешнего проводников и возникают потери энергии (джоулевы потери). Потери в изоляции обусловлены несовершенством применяемых электроизоляционных материалов и затратами энергии на диэлектрическую поляризацию. Как потери в Meraj ie, так и потери в диэлектрике с ростом частоты увели- [c.324]

При проведении измерений на сверхвысоких частотах необходимо иметь в виду, что для плоского однородного слоя, обладающего потерями, выражения для коэффициентов отражения и прохождения радиоволны при нормальном падении волны представляют собой осциллирующие функции с амплитудой, убывающей по мере возрастания И или отношения ИIX. Период этой функции определяется длиной волны X и показателем преломления измеряемого слоя, а степень убывания - коэффициентом затухания волны. На рис. 23 приведены зависимости коэффициента отражения при малом значении от толщины двух материалов. Как видно, период обратно пропорционален диэлектрической проницаемости измеряемого слоя. Зависимость коэффициента прохождения от толщины для материалов с различным поглощением приведена на рис. 24. Таким образом, при взаимодействии плоской электромагнитной волны с плоским диэлектрическим слоем характер результщ ющего сигнала зависит от вида поляризации, значений 8 и и определяется явлением интерференции падающей и отраженных от границ раздела волн. [c.434]

Наиболее важны с точки зрения приложений два случая почти тривиальный, когда осцилляторы тождественны, и существенно более интересный, когда осцилляторы имеют разброс по частотам или коэффициентам затухания. Рассмотрение поведения ансамбля идентичных невзаимодействующих осцилляторов составляет основное содержание классической теории дисперсии света. Нетождественность же осцилляторов необходимо учитывать, например, при анализе рассеяния электромагнитных волн в нагретых газах, где разброс молекул по скоростям приводит к доплеровскому сдвигу их частот относительно частоты поля. [c.51]

Наличие дисперсии фазовой и групповой скоростей у волн Лэмба существенным образом влияет на поведение коэффициента затухания этих волн Если для волн, не обладающих дисперсией фазовой скорости, затухание не зависит от размера образца, по которому они распространяются, и довольно плавно зависит от частоты, то для волн Лэмба картина будет совершенно иной. В областях сильной дисперсии фазовой скорости будет наблюдаться довольно резкая зависимость коэффициента затухания от частоты и толщины слоя (пластинки), т. е от ktd. Аномальное поведение коэффициента затухания при сильнои дисперсии скорости нормальной волны — явление чрезвычайно общее и присущее нормальным волнам любой природы (звуковым, электромагнитным и т. д ) [46] За- [c.119]

При возбуждении электромагнитной волной соответствующей длины Го-моды возникает сильное взаимодействие с решеткой. В случае отсутствия свободных носителей при этой длине волны наблюдается значительное отражение. Прохождение излучения через образец является более сложным процессом. При отражении волны от поверхности твердого тела происходит изменение фазы на л, при внутреннем же отражении фаза остается постоянной. Если оптический путь волны и поглощение достаточно малы, в отраженной волне будут наблюдаться сильные интерференционные явления. При сильном же поглощении луч, отраженный от внутренней границы, будет слабым, и интерференция будет слабой. В результате этого интенсивность отраженной волны будет значительной, а пропускание уменьшится. ГО-мода с нулевым волновым числом обычно обладает малым коэффициентом затухания и линия поглощения бывает довольно острой. Таким образом, можно ожидать узких минимумов на кривой пропуск -ния при исследовании тонких пленок с помощью ГО-моды. Этим и объясняются наблюдения Барнса и Черни [132] в щелочно-га-лоидных кристаллах. Они обнаружили сильные искажения формы минимума на кривой пропускания для толстых кристаллов. Когда же были использованы пленки толщиной около микрона, наблюдался четкий минимум. В Na l оптический путь был мал ( 2 мкм) по сравнению с длиной волны поперечных оптических колебаний в Na l ( 65 мкм). [c.390]

При низкой частоте электромагнитных полей необходимое экранирование в ряде случаев достигается лишь при сравнительно большой толщине стенки экрана. Многослойные экраны, вьгаолненные из различных материалов, позволяют заметно уменьшить суммарную толщину экранной защиты из-за сильного обратного действия экранов друг на друга. При двухслойном экране, один из которых железный, итоговое экранное затухание оказывается на величину In 2 больше суммы экранных затуханий каждого из э,кранов. Коэффициент обратного действия определяется главным образом свойствами первого слоя, и поэтому этот слой выполняется из железа (материал с высокой магнитной проницаемостью), а второй— из материала высокой проводимости (меди, алюминия и т. п.) В трехслойных экранах в целях достижения минимальной потери в хорошо проводящих слоях железный слой располагается между ними. Эффективность защиты фотоумножителя при различной степени экранирования иллюстрируется рис. 6н17. [c.158]

Заканчивая рассмотрение вопроса о прохождении нормальных электромагнитных волн через кристаллическую среду при учете пространственной дисперсии, сделаем одно замечание, касающееся выбора корней дисперсионного уравнения для коэффициентов преломления нормальных волн п. . При учете пространственной дисперсии уравнение для определения величин п-1 остается фактически уравнением для (см. уравнение (6.4) для гиротропной среды и уравнение (7.4) для среды негиротропной). Следовательно, уравнения (6.4) и (7.4) определяют й лищь с точностью до знака. Ясно, что его надлежит выбирать таким образом, чтобы волны, возникшие на поверхности кристалла, затухали в глубь кристалла. Если же затухание не учитывается и, например, все и, имеют вещественные значения, то при выборе знака для щ — и, можно воспользоваться соображениями, изложенными в пп. 3.2, 3.3 и 7.2 [c.276]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...