Диэлектрический слой

Эмиссия диэлектрических слоев. Обнаружено, что относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (оат= 100... 1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. [c.68]

Мы еще остановимся на значении многослойных диэлектрических слоев при рассмотрении свойств интерферометра Фабри — Перо и интерференционных фильтров (см. 5.7). [c.221]

Туннелирование электронов через диэлектрический слой. Если два обычных проводника или сверхпроводника разделены тонким слоем диэлектрика толщиной 1- 2 нм (рис. 141), то через такой слой под влиянием сторонней ЭДС протекает электрический ток, вольт-амперная характеристика которого совершенно различна для нормальных проводников (сплошная линия) и сверхпроводников (штриховая линия) (рис. 142). По причинам, которые сейчас станут ясными, тонкий слой диэлектрика, разделяющий два проводника, называется туннельным контактом. [c.375]

Рис. 24. Зависимость отраженного сигнала от толщины диэлектрического слоя, находящегося на металле, для различных расстояний (мм) между излучающей антенной и металлом

Амплитудно-фазовый метод использует функционалы ую связь между величиной коэффициента отражения от диэлектрического слоя и его толщиной. Принципиальная схема приведена на рис, 17, а. Изменение величины коэффициента отражения, как правило, контролируется с помощью введения дополнительного опорного сигнала той же длины волны. Поэтому, применяя высокочувствительные мостовые СВЧ схемы, осуществляют одновременный контроль модуля и фазы коэффициента отражения, несущих информацию об изменении толщины слоя. [c.224]

Принцип действия основан на сравнении в мостовой СВЧ схеме двух сигналов опорного, создаваемого эталонным плечом моста, и полезного, пропорционального коэффициенту отражения от контролируемого диэлектрического слоя. [c.225]

Приборы ВЭ-20Н и ВЭ-21Н позволяют измерять удельную электрическую проводимость от 1 до 55 МСм/м с погрешностью не более 3%. Возможны измерения под диэлектрическим слоем толщиной до 0,3 мм. В приборах используются трансформаторные ВТП. [c.156]

Длину свободного пробега электронов Я можно определить из выражения для подвижности и = qk/nin <С У >. При и = 10 mV(B- с) и 1Пп = т 1 л 6 10 м. Отсюда следует, что формулой (10.1) можно пользоваться для подсчета проводимости диэлектрических слоев толщиной от сотых долей микрометра до d L. [c.274]

Связь электрического сигнала в системе проводник — диэлектрик — проводник (диэлектрический слой конечной толщины) с параметрами импульса нагрузки качественно описывается простой физической моделью. На основании этой модели может быть рассчитана тарировочная кривая датчика и предсказано [c.169]

Известные попытки использования для регистрации плоских волн диэлектриков ограничены применением рубина и сапфира [366] в качестве диэлектрического слоя короткозамкнутого конденсатора (время регистрации ограничено временем пробега волны по толщине диэлектрика). В отличие от этой схемы, разработанный диэлектрический датчик давления предназначен [c.174]

Как плотность, так и диэлектрическая постоянная диэлектрика в общем случае меняются при сжатии. В связи с отсутствием в литературе данных об изменении этих параметров в волнах сжатия, проведем оценку влияния давления на величину е на основе общих соображений о поведении диэлектрика в электрическом поле (волновыми процессами в диэлектрическом слое пренебрегаем вследствие их незначительного влияния при малой толщине диэлектрика). [c.175]

Рис. 84. К анализу распространения волны нагрузки по толщине диэлектрического слоя.

Начальный период сжатия диэлектрика в течение времени прохождения волны по толщине диэлектрика, несущественный при использовании тонкой диэлектрической пленки, является существенным при регистрации электрического сигнала в системе проводник — диэлектрик — проводник с диэлектрическим слоем конечной толщины. Анализ этих эффектов представляет интерес в связи с проверкой модели генерации сигнала в диэлектрических датчиках при прохождении волны. В связи с этим рассмотрим связь сигнала на электродах плоского конденсатора с диэлектрическим слоем конечной толщины с параметрами волны нагрузки в течение периода ее распространения по диэлектрическому слою. [c.185]

Рассмотрим нагружение диэлектрического слоя плоской ударной волной, входящей в диэлектрик слева и распространяющийся по его толщине (рис. 84). На фронте волны (лагранжева координата х=хф) диэлектрик подвергается объемному сжатию [c.185]

В соответствии с предварительным анализом электрический сигнал, вызванный сжатием диэлектрика при прохождении волны нагрузки, характеризует импульс нагрузки при соединении плоского конденсатора с поляризованным диэлектрическим слоем с измерительной аппаратурой по схеме с короткозамкнутыми электродами, представленной на рис. 85 (постоянная времени R значительно меньше времени регистрации). При таком соединении разность потенциалов на электродах датчика остается постоянной в процессе сжатия диэлектрика ударной волной, а величина сигнала, снимаемого с сопротивления нагрузки, определяется током подзарядки датчика, зависящим от параметров волны нагрузки. [c.186]

Рис. 87. Схема нагружения диэлектрического слоя ударной волной

Приближенное выражение для величины сигнала может быть получено из интегрального рассмотрения общего сжатия диэлектрического слоя ири прохождении волны нагрузки. Сжатие диэлектрика уменьшает его толщину и, следовательно, увеличивает среднюю плотность диэлектрика и число диполей в единице объема (общее число диполей при сжатии не меняется). Если пренебречь изменением момента диполя при сжатии, можно пренебречь и изменением их суммарного момента при постоянной напряженности электрического ноля. Суммарный момент не зависит от конкретного распределения деформации но толщине диэлектрика. Следовательно, средняя по толщине величина коэффициента поляризации х меняется пропорционально толщине диэлектрического слоя [c.189]

Диэлектрический слой (пластина из оргстекла толщиной 100 мм) располагался между металлической пластиной и алюминиевым электродом диаметром 26 мм (фольга толщиной [c.190]

Сравнение расчетных и экспериментально полученных сигналов с датчика приведено в табл. 6. Данные по сжатию оргстекла в волне нагрузки определялись в специальной серии экспериментов (см. шестую главу). Сравнение расчетных и экспериментальных данных позволяет сделать вывод о том, что изложенная модель генерации сигнала при распространении по диэлектрическому слою волны нагрузки удовлетворительно описывает реальный процесс. Следовательно, правомерность [c.190]

Таким образом, можно считать установленной модель генерации сигнала датчиком в виде плоского конденсатора с диэлектрическим слоем или тонкой пленкой диэлектрика, согласно которой при наличии предварительной поляризации сигнал определяется изменением емкости датчика вследствие уменьшения толщины диэлектрика и возрастания диэлектрической постоянной при сжатии. [c.191]

Тугоплавкий металл рений применяется для создания тонкопленочных резисторов с высоким удельным поверхностным сопротивлением (до 10 Ом/а). Резистивные пленки рения находятся в стадии агломерации, в которой добавочное сопротивление появляется вследствие конечного расстояния между частицами пленки. Тугоплавкость рения позволяет использовать его даже при толщинах порядка 4 нм. Пленки получаются чаще всего посредством электронно-лучевого разогрева гранул рения в вакууме I ч-бПО Па. Осаждение пленок осуществляется при температуре подложки порядка 350°С. Пленки рения нуждаются в защите от воздействия атмосферы, поэтому их обычно покрывают защитным диэлектрическим слоем моноокиси или окиси кремния. Анализ характеристик резистивных пленок рения с удельным поверхностным сопро- [c.435]

Диэлектрические слои являются одними из ответственных элементов интегральных микросхем, во многих случаях они определяют механизм отказов и надежность микросхем Любые неоднородности диэлектрических пленок как в процессе изготовления, так и во время эксплуатации приводят к катастрофическим отказам микросхем, если они используются в качестве [c.453]

Напряжения на границе раздела генерируют дислокации и вызывают токи утечки. Дефекты в структуре диэлектрических слоев приводят к коротким замыканиям, пробоям. [c.454]

Существуют тжже многослойные печатные платы (рис. 24.17, где 1 - материал основания, 2 - проводящий рисунок, 3 - сквозное металлизированное отверстие, 4 - переходное отверстие), в которых печатные слои разделены диэлектрическим слоем. [c.502]

Высокоотражающие интерференционные покрытия (интерференционные зеркала). Наряду с необходимостью уменьшать коэффициент отражения на практике часто приходится решать противоположную задачу — получать высокоотражающие поверхности. При решении также и этой задачи па помош,ь приходит явление интерференции. Легко убедиться, что если в системе, изображенной на рис. 5.14, показатель преломления диэлектрического слоя взять больше показателя преломления стекла п > п ), то произойдет увеличение коэффициента отражения. Вследспзие того, что потеря полуволны будет происходить теперь только на пиеш-ней поверхности пленки, оптическая разность хода между отраженными когерентными волнами I и 2 будет равна Л/4 + Х/4 + к/2 = = X, что соответствует разности фаз, равной 2я. Таким образом, [c.108]

Высокоотражающие диэлектрические слои наш.гти широкое применение в науке и технике. Достаточно указать, что на использовании таких зеркал базируется цветное телевидение. Упомянем также о поляризаторах света, которые можно изготовить для любой области спектра. [c.220]

Диэлектрические интерференционные слои обычно получают испарением соответствующих веществ в вакууме или катодным распылением. Это весьма тонкая операция, при которой фотоэлектрически контролируется интенсивность выделенной интерференционной полосы, достигающей экстремального значения при нанесении нового слоя диэлектрика оптической толщины /-/4. При массовой обработке оптических деталей эффективным оказывается также химический метод, позволяющий получать очень прочные стойкие диэлектрические слои при последовательном нанесении на стекло дозированных количеств растворов легко гидролизующихся соединений, что и используется для просветления оптики. [c.221]

Процесс электропроводности, обусловленный перемещением ионов или молионов, связан с переносом вещества — ионов, молио-нов. Поэтому при постоянном напряжении стечением времени концентрация таких заряженных частиц в объеме диэлектрика уменьшается, изменяются протекающий ток и удельная проводимость диэлектрика. Это явление используют для электроочистки, где нежелательные примеси в диэлектрике, диссоциирующие на ионы, удаляются из диэлектрика в результате процесса электропроводности на постоянном напряжении. Явление молионной электропроводности в жидких диэлектриках используют для получения тонких диэлектрических слоев на поверхности металлических деталей. Такие слои образуются при осаждении коллоидных заряженных частиц диэлектрика на электродах, которыми служат изолируемые детали, помещенные в жидкий диэлектрик, содержащий коллоидные частицы осаждаемого диэлектрического материала. [c.138]

Рис. 7. Отражение волны от слоя при наклонном падении (а) и расчетные зависимости (6) и (в) от толщины диэлектрического слоя на металлической осноее

Радиоволновыми методами можно измерять и контролировать толщину диэлектрического слоя одного диэлектрического слоя на другом, диэлектрического слоя на металле и металлическоголиста. [c.221]

Геометрический метод. Если направить оптическую ось радиоволнопого пучка, совпадающую с максимумом распределения интенсивности в поперечном сечении, под углом О к нормали поверхности плоского диэлектрического слоя толщиной h, то расстояние между точками входа пучка и выхода [c.223]

Толщину диэлектрического слоя, нанесенного на проводящую основу, можно контролировать резонанасным ра-диоволновым методом по изменению резонансной частоты измерительного резонатора. На этом принципе работает резонансный радиотолщиномер РРТ-73, структурная схема которого приведена на рис. 27. [c.227]

Если на полированный металлический шлиф напылить диэлектрический слой с высоким показателем преломления, например из окиси титана, то разница в отражательной способности различных структурных составляющих вследствие многократного отражения увеличивается. При этом выявляется различие в окраске. Этот метод в металлографическую практику ввел Пепперхофф [63, 64]. [c.22]

Эффенбергер и Скуин [100], руководствуясь методом Пепер-хофа, разработали основы и методику оптического выявления структуры. При напылении диэлектрического слоя (ZnS) на поверхность шлифа, очищенную с помош,ью ионной бомбардировки от адсорбционных слоев, структурные составляющие непосредственно выявляются благодаря интерференционным явлениям. К преимуществам метода можно отнести то, что структура выявляется без химического воздействия. [c.97]

В литературе имеются данные о применении для регистрации давления в ударных волнах эффектов, связанных с поляризацией под нагрузкой кварца, рубина и некоторых других материалов. Сигнал, снимаемый с малого сопротивления, которое соединяет электроды, прилегающие с двух сторон к пластине из пьезоэлектрического или диэлектрического материала при прохождении по его толщине ударной волны, соответствует форме последней при ее интенсивности, не вызывающей пластических деформаций [365, 366]. Использование таких датчиков ограничивается их высокой стоимостью. Попытки использовать для измерения давления процесс деполяризации сегнетокерами-ки при прохождении волны нагрузки не дали положительного результата [189, 371]. Исследования с ударным нагружением диэлектрического слоя обнаружили появление сигнала на электродах, прилегающих к поверхности диэлектрика (при соединении электродов малым сопротивлением), обусловленного ударной поляризацией [190, 311, 374], однако сложный характер явлений, связанных с ударной поляризацией и ее распадом, не позволяет просто связать величину сигнала с параметрами нагрузки. [c.169]

Все существующие феноменологические модели связи электрического сигнала на электродах короткозамкнутого конденсатора с диэлектрическим слоем при прохождении волны нагрузки с параметрами нагрузки предполагают поляризацию диэлектрика на фронте волны с изменением диэлектрической проницаемости и проводимости (или без изменения последней) I связанную с поляризацией неравновеспость состояния вещества за фронтом волны. За фронтом идет процесс распада поляризации по одному или нескольким механизмам с соответствующими временами релаксации [109, 157, 311, 374]. Для большинства исследованных материалов в диапазоне давления до ЫО кгс/см2 величина ударной поляризации в 10 —10 раз лченьше предельной величины поляризации, соответствующей развороту всех диполей полярного диэлектрика в одном направлении. В связи с этим следует ожидать, что при наложении сильного электрического поля поляризация диэлектрика значительно более высокая, чем при прохождении ударной волны. Вместе с тем вклад ударной поляризации в поляризованном электрическим полем диэлектрике резко уменьшается. Эти соображения позволяют принять, что процессы ударной поляризации в диэлектрике при сильном внешнем электрическом поле можно не учитывать при анализе работы диэлектрического датчика давления. [c.173]

Материал диэлектрического слоя Метод формирования Удельная емкость Суд- - пф/см- Тангенс угла диэлектрических потерь 8.10-8 Электри- ческая проч- ность, МВ/см Температурный коэффициент емкости а- 10-, 1ЛС Диэлек- триче- ская прони- цаемость 8 [c.455]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...